CN113884198A - 非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板 - Google Patents

非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供了一种非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板，该非制冷红外探测器包括基板、有效像元阵列、参考像元阵列、封装盖板及随温灰体。其中，基板上形成有读出电路；有效像元阵列位于基板的一侧；参考像元阵列位于基板的一侧，且参考像元阵列与有效像元阵列之间具有间隙；封装盖板位于基板的一侧且与基板连接，封装盖板与基板之间形成空腔；随温灰体位于封装盖板靠近基板的一侧，随温灰体在基板上的正投影覆盖参考像元阵列且与有效像元阵列之间具有间隙。

Description

非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板
技术领域
本申请涉及微机电系统技术领域，特别是涉及一种非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板。
背景技术
随着技术的发展，非制冷红外焦平面探测器(如微测辐射热计等)广泛应用于汽车、电力、航空及热成像等技术领域。非制冷红外焦平面探测器通常包括具有CMOS读出电路的衬底及集成于衬底上的有效像元。有效像元包括通过MEMS技术制作的微桥结构，且微桥结构的桥面包括能够吸收红外辐射能量的吸收层及对红光敏感的热敏电阻层。
相关技术中，当目标物体的红外辐射入射至微桥结构的桥面时，热敏电阻层的阻值随温度发生变化，然后通过衬底的CMOS读出电路检测热敏电阻层的阻值变化量并转换成相应的电学信号输出，从而判断目标物体的红外辐射强度大小。而非制冷红外焦平面探测器中微桥结构的热敏电阻值不仅与目标物体的红外辐射强度相关，还受当前衬底温度的影响。且由于目标物体的红外辐射只使微桥结构的桥面产生微小的温度变化，所以衬底温度对非制冷红外焦平面探测器的探测精确度产生了影响。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板，以提高非制冷红外探测器的探测精确度。具体技术方案如下：
本申请实施例的一方面提供了一种非制冷红外探测器，所述非制冷红外探测器包括基板、有效像元阵列、参考像元阵列、封装盖板及随温灰体。其中，所述基板上形成有读出电路；所述有效像元阵列位于所述基板的第一侧；所述参考像元阵列位于所述第一侧，且所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙；所述封装盖板位于所述第一侧且与所述基板连接，所述封装盖板与所述基板之间形成密闭空腔，且所述有效像元阵列及所述参考像元阵列位于所述密闭空腔内；所述随温灰体位于所述密闭空腔内，所述随温灰体在所述基板上的正投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离。
一些实施例中，所述随温灰体设置于所述封装盖板的靠近所述基板的一侧表面。
一些实施例中，所述随温灰体设置于所述参考像元阵列的靠近所述封装盖板的一侧表面。
一些实施例中，沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影的靠近所述有效像元阵列的一侧边缘与所述第二投影的靠近所述有效像元阵列的一侧边缘间具有第二距离，所述第二距离配置为避免目标物体产生的热量辐射至所述参考像元阵列。
一些实施例中，所述第一距离配置为避免所述随温灰体产生的热量辐射至所述有效像元阵列，所述第一距离为A1，所述第二距离为A2，所述密闭腔体的腔高为H，其中，A1的取值区间为[2.5H，3.5H]，A2的取值区间为[1.5H，2.5H]。
一些实施例中，所述红外探测器还包括焊料层，所述焊料层位于所述封装盖板与所述基板之间以连接所述封装盖板与所述基板。
一些实施例中，所述非制冷红外探测器还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述焊料层与所述封装盖板之间，所述第一金属层与所述封装盖板的靠近所述焊料层的一侧表面的边缘之间具有间隙，且所述第一金属层在所述封装盖板上的正投影覆盖所述焊料层在所述封装盖板上的正投影，和/或所述第一金属层位于所述焊料层与所述基板之间，且所述第一金属层在所述封装盖板上的正投影与所述封装盖板的靠近所述基板的一侧表面边缘之间具有间隙，且所述焊料层在所述基板上的正投影落入所述第一金属层在所述基板上的正投影内
一些实施例中，所述参考像元阵列包括行参考像元阵列和/或列参考像元阵列，所述行参考像元阵列沿所述有效像元阵列的行方向延伸，所述列参考像元阵列沿所述有效像元阵列的列方向延伸。
一些实施例中，所述行参考像元阵列的行数与所述有效像元阵列的行数相等，所述列参考像元阵列的列数与所述有效像元阵列的列数相等。
一些实施例中，所述非制冷红外探测器还包括挡墙，所述挡墙位于所述基板的一侧，且所述挡墙位于所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间，且所述挡墙的远离所述基板的一侧与所述封装盖板或所述随温灰体连接。
一些实施例中，所述非制冷红外探测器还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述挡墙与所述基板之间，且所述第二金属层覆盖所述挡墙的靠近所述基板的一侧表面。
一些实施例中，所述随温灰体为吸气剂。
一些实施例中，所述非制冷红外探测器还包括减反增透组件，所述减反增透组件位于所述封装盖板的远离所述基板的一侧，和/或所述减反增透组件位于所述封装盖板的靠近所述基板的一侧，所述减反增透组件在所述基板上的正投影覆盖所述有效像元阵列，所述减反增透组件配置为增加所述封装盖板的透过率。
一些实施例中，所述减反增透组件包括减反增透膜或减反增透支柱结构。
本申请实施例的第二方面提供了一种封装盖板，所述封装盖板用于封装包括有效像元阵列及参考像元阵列的非制冷红外探测器，所述封装盖板包括盖板主体和随温灰体，其中，所述随温灰体设置于所述盖板主体的朝向所述有效像元阵列的一侧表面，所述随温灰体在所述基板上的第一投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离。
一些实施例中，所述随温灰体为吸气剂。
一些实施例中，所述封装盖板还包括减反增组件，所述减反增透组件位于所述盖板主体的远离所述基板的一侧，和/或所述减反增透组件位于所述盖板主体的靠近所述基板的一侧，所述减反增透组件在所述基板上的正投影覆盖所述有效像元阵列，所述减反增透组件配置为增加所述封装盖板的透过率。
一些实施例中，所述减反增透组件包括减反增透膜或减反增透支柱结构。
本申请实施例的第三方面提供了一种非制冷红外探测器的制作方法，所述制作方法包括：
提供一基板，所述基板上形成有读出电路；
在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列，所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙；
提供一封装盖板；
在所述封装盖板的一侧生长随温灰体，所述随温灰体在所述基板上的第一投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离；
连接所述基板与所述封装盖板，使所述基板与所述封装盖板间形成密闭空腔，所述有效像元阵列、所述参考像元阵列及所述随温灰体均位于所述密闭空腔内。
一些实施例中，在连接所述基板与所述封装盖板，使所述基板与所述封装盖板间形成密闭空腔的步骤之前，所述方法还包括：
在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层，所述焊料层配置为连接所述封装盖板与所述基板。
一些实施例中，在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层之前，所述方法还包括：
在所述基板的靠近所述封装盖板的一侧生长第一金属层；和/或
在所述封装盖板的靠近所述基板的一侧生长第一金属层；
所述在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层包括：
在所述基板上的第一金属层与所述封装盖板之间设置焊料层；或
在所述封装盖板上的第一金属层与所述基板之间设置焊料层；或
在所述基板上的第一金属层与所述封装盖板上的第一金属层之间设置焊料层。
一些实施例中，在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列，所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙之后，所述方法还包括：
在所述基板靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙，所述挡墙位于所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间，且所述挡墙的远离所述基板的一侧与所述封装盖板或所述随温灰体连接。
一些实施例中，在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列，所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙之后，所述方法还包括：
在所述基板靠近所述封装盖板的一侧生长第二金属层，所述第二金属层位于所述有效像元阵列与所述参考像元阵列之间；
所述在所述基板靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙包括：
在所述第二金属层的靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙。
本申请实施例有益效果：
本申请实施例提供的一种非制冷红外探测器及其制作方法、封装盖板，该非制冷红外探测器包括基板、有效像元阵列、参考像元阵列、封装盖板及随温灰体。其中，有效像元阵列及参考像元阵列均位于基板的一侧，且有效像元阵列与参考像元阵列之间具有间隙。随温灰体位于封装盖板的一侧。封装盖板与基板连接以形成密闭空腔，且有效像元阵列、参考像元阵列及随温灰体均位于同一密闭空腔内。随温灰体在基板上的正投影覆盖参考像元阵列且与有效像元阵列之间具有间隙。
当通过本申请实施例提供非制冷红外探测器测量目标物体的红外辐射能量时，由于随温灰体的遮挡，目标物体的红外辐射能量不会入射至参考像元阵列上。且由于有效像元阵列与随温灰体之间具有间隙，随温灰体产生的红外辐射能量不会影响有效像元阵列。基于此，有效像元阵列对应的第一电信号与基板温度及目标物体的红外辐射量相关，参考像元阵列对应的第二电信号与基板温度及随温灰体的红外辐射能量相关，因此，根据第一电信号及第二电信号并结合衬底基板的读出电路及后续算法处理便能够确定目标物体的绝对红外辐射值，降低了基板温度对有效像元阵列的影响，提高了非制冷红外探测器的探测精确度。
当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的一种结构图；
图2为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的封装盖板的一种结构图；
图3为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的基板的一种结构图；
图4为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的基板的另一种结构图；
图5为沿图1中A-A方向的一种剖面图；
图6为沿图1中A-A方向的另一种剖面图；
图7为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的工作示意图；
图8为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的制作方法的一种流程图；
图9为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的制作方法的另一种流程图；
图10为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的制作方法的又一种流程图；
图11为本申请一些实施例的一种非制冷红外探测器的制作方法的一种步骤图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1至图6所示，本申请第一方面的实施例提供了一种非制冷红外探测器。非制冷红外探测器包括基板1、有效像元阵列2、参考像元阵列3、封装盖板4及随温灰体5。其中，基板1上形成有读出电路。有效像元阵列2位于基板1的第一侧。参考像元阵列3位于基板1的第一侧，且参考像元阵列3与有效像元阵列2之间具有间隙。封装盖板4位于基板1的第一侧且与基板1连接，封装盖板4与基板1之间形成密闭空腔6，有效像元阵列2与参考像元阵列3位于密闭空腔6内。随温灰体5位于密闭空腔6内，且随温灰体5在基板1上的第一投影覆盖参考像元阵列3在基板1上的第二投影，且沿有效像元阵列2的行方向上，第一投影与有效像元阵列2之间具有第一距离。其中，有效像元阵列2、参考像元阵列3及随温灰体5位于同一密闭空腔6内。
本申请实施例中，随温灰体5在基板1上的第一投影可以为随温灰体5在基板1的第一侧表面的正投影，参考像元阵列3在基板1上的第二投影可以为参考像元阵列3在基板1第一侧的正投影。基板1上可以形成有读出电路。读出电路用于获取集成于基板1上的有效像元阵列2及参考像元阵列3中的热敏电阻值的变化量，并将获取到的热敏电阻值的变化量转化为电信号输出。此外，读出电路可以为ROIC(Read out circuit，读出电路芯片)，基板1上形成的读出电路可以为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)读出电路。
封装盖板4的材料可以为能够透过红外辐射的材料，例如Si(硅)、Ge(铬)等。目标物体产生的红外辐射可经过封装盖板4辐射至有效像元阵列2上。此外，随温灰体5的发射率一定。衬底1的结温根据非制冷红外探测器所处的环境的温度发生变化，且随温灰体5的温度与基板1的结温同步变化。本申请实施例中，由于随温灰体5的发射率不变，在获取到随温灰体5的温度后，便可根据随温灰体5的发射率确定随温灰体5所辐射出的红外辐射强度值。其中，获取随温灰体5的温度的方式有多种，一个示例中，可通过温度探测器获取到基板1的结温，将基板1的结温作为随温灰体5的温度。
其中，有效像元阵列2及参考像元阵列3均包括多个结构相同的像元单元，像元单元包括微桥结构。微桥结构包括桥面和用于支撑桥面及电连接桥面与基板1中的读出电路的桥臂和桥墩。其中，微桥结构的桥面包括吸收层和热敏电阻层，吸收层用于吸收红外辐射能量，热敏电阻层对红光敏感且在温度发生变化时，热敏电阻层的电阻也会发生变化。其中，热敏电阻层的材料可以为α-Si(非晶硅)及VOx(氧化钒)等。
具体的，当通过本申请实施例提供的非制冷红外探测器测量目标物体的红外辐射强度时，目标物体产生的红外辐射透过封装盖板4入射至密闭空腔6内的有效像元阵列2上，使得有效像元阵列2包括的微桥结构的热敏电阻值发生变化，基板1中的读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第一电信号输出。随温灰体5也会产生一定的红外辐射，且随温灰体5产生的红外辐射能够入射至参考像元阵列3上，使得参考像元阵列3中微桥结构的热敏电阻值也发生变化，读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第二电信号输出。由于参考像元阵列3与有效像元阵列2均集成于基板1的一侧，因此基板1的结温同时影响有效像元阵列2及参考像元阵列3。此外，由于随温灰体5的遮挡，目标物体的红外辐射不会入射至参考像元阵列3上。且由于有效像元阵列2与随温灰体5之间具有间隙，随温灰体5产生的红外辐射也不会影响有效像元阵列2。基于此，有效像元阵列2对应的第一电信号与基板1的温度及目标物体的红外辐射相关，参考像元阵列3对应的第二电信号与基板1的结温及随温灰体5的红外辐射相关。因此，根据第一电信号及第二电信号并结合衬底基板的读出电路及后续算法处理便能够确定目标物体的绝对红外辐射值，降低了基板1的温度对有效像元阵列2的影响，提高了非制冷红外探测器的探测精确度。
一些实施例中，随温灰体5设置于封装盖板4的靠近基板1的一侧表面。
本申请实施例中，随温灰体5设置于封装盖板4的靠近基板1的一侧的表面，即随温灰体5与封装盖板4设置为一体结构。随温灰体5设置于封装盖板4上，使得随温灰体5能够对参考像元阵列3进行遮盖的同时，随温灰体5不对参考像元阵列3中多个的像元单元的结构产生影响。进一步的，有效像元阵列2中的像元单元与参考像元阵列3中像元单元的结构相同，使得有效像元阵列2与参考像元阵列3具有相同的热导及热绝缘性能，从而通过参考像元阵列3降低了电偏执时的焦耳热的影响。
一些实施例中，随温灰体5设置于参考像元阵列3的靠近封装盖板4的一侧表面。即随温灰体5覆盖在参考像元阵列3上，基于此，随温灰体5能够更好的对参考像元阵列3进行遮挡，进一步降低了目标物体对参考像元阵列3的影响。
一些实施例中，随温灰体5在基板1上的正投影的靠近有效像元阵列2的一侧与有效像元阵列2在基板1上的正投影之间存在第一距离。其中，第一距离的具体数值可根据实际情况设定，如根据密闭空腔6的高度确定等，本申请实施例对此不作具体限定，只需保证随温灰体5产生的红外辐射不对有效像元阵列2产生影响即可。
一些实施例中，沿有效像元阵列2的行方向上，第一投影的靠近有效像元阵列2的一侧边缘与第二投影的靠近有效像元阵列2的一侧边缘间具有第二距离，第二距离配置为避免目标物体产生的热量辐射至参考像元阵列3。
本申请实施例中，第一距离配置为避免随温灰体5产生的热量辐射至有效像元阵列2。具体的，如图7所示，第一距离为A1，第二距离为A2。可通过调整参考A1与A2的数值来达到分隔参考像元阵列3与有效像元阵列2的效果。具体的，如图7所示，第一距离A1可以为随温灰体5能够对有效像元阵列2产生影响的距离，在第一距离A1内，有效像元阵列2能够感应到随温灰体5产生的红外辐射，使得有效像元阵列2的响应异常，因此为使有效像元阵列2正常工作，且降低随温灰体5对有效像元阵列2的影响，使第一投影的靠近有效像元阵列2的一侧与有效像元阵列2之间具有第一距离A1。
第二距离A2可以为目标物体所产生的红外辐射通过随温灰体5后仍对参考像元阵列3产生影响的距离，也就是在第二距离A2内，参考像元阵列3仍能够接收到一些由外界的目标物体产生的红外辐射，因此在第一投影与第二投影之间设置第二距离A2能够降低参考像元阵列3接收到目标物体产生的红外辐射的概率。
其中，第一距离A1及第二距离A2的数值均可根据实际情况进行设定。例如，第一距离A1及第二距离A2可根据随温灰体5的遮盖面积及密闭空腔6的腔高确定，具体的，第一距离A1及第二距离A2与随温灰体5的遮盖面积及密闭空腔6的腔高成正比。
一些实施例中，第一距离为A1，第二距离为A2，密闭腔体6的腔高为H，其中，A1的取值区间为[2.5H，3.5H]，A2的取值区间为[1.5H，2.5H]。
本申请实施例中，第一距离A1的取值可根据密闭腔体6的腔高H确定。A1可以为取值区间[2.5H，3.5H]内的任意实数。具体的，A1的取值包括但不限于2.5H、2.55H、2.6H、2.65H、2.7H、2.75H、2.8H、2.85H、2.9H、2.95H、3.0H、3.05H、3.1H、3.15H、3.2H、3.25H、3.3H、3.35H、3.4H、3.45H、3.5H等。更进一步的，A1的取值还可以为2.91H、2.92H、2.93H、2.94H、2.95H、2.96H、2.97H、2.98H、2.99H等。
第二距离A2的取值也可根据密闭腔体6的腔高H确定。A2可以为取值区间取值区间[1.5H，2.5H]内的任意实数。具体的，A2的取值包括但不限于1.5H、1.55H，1.6H、1.65H、1.7H、1.75H、1.8H、1.85H、1.9H、1.95H、2.0H、2.05H、2.1H、2.15H、2.2H、2.25H、2.3H、2.35H、2.4H、2.45H、2.5H等。更进一步的，A2的取值还可以为2.11H、2.12H、2.13H、2.14H、2.15H、2.16H、2.17H、2.18H、2.19H等。一个具体的示例中，H为40μm，A1为119μm，A2为85μm。
此外，第一距离A1及第二距离A2也可以根据其他因素确定，如根据非制冷红外探测器的大小、有效像元阵列2的大小及参考像元阵列3的大小等确定，本申请实施例对此不作具体限定。
一些实施例中，在通过温度探测器获取到基板1的结温后，便可将基板1的结温作为密闭空腔6内的随温灰体5的温度，在获取到有效像元阵列2对应的第一电信号及参考像元3对应的第二电信号后，可以利用以下公式确定目标物体的目标绝对温度：
T2＝T1+a(V2-V1)
其中，T2为目标绝对温度，T1为基板1的结温，a为温度传感系数，V2为第一电信号，V1为第二电信号。
一些实施例中，红外探测器还包括焊料层7，焊料层7位于封装盖板4与基板1之间以连接封装盖板4与基板1。如图5和图6所示，焊料层7位于封装盖板4与基板1之间，且分布于封装盖板4的下表面的周侧边缘及基板1的上表面的周侧边缘。焊料层7用于连接封装基板1与封装盖板4，以使基板1与封装盖板4之间形成密闭的密闭空腔6。其中，密闭空腔6为真空状态或接近真空状态。且本申请实施例对焊料层7的材质不作具体限定。
一些实施例中，如图5和图6所示，非制冷红外探测器还包括第一金属层8，第一金属层8位于焊料层7与封装盖板4之间，第一金属层8与封装盖板4的靠近焊料层7的一侧表面的边缘之间具有间隙，且第一金属层8在封装盖板4上的正投影覆盖焊料层7在封装盖板4上的正投影。和/或第一金属层8位于焊料层7与基板1之间，第一金属层8在封装盖板4上的正投影与封装盖板4的靠近基板1的一侧表面边缘之间具有间隙，且焊料层7在基板1上的正投影落入第一金属层8在基板1上的正投影内。
本申请实施例中，第一金属层8用于在连接封装盖板4及基板1时增加焊料层7熔化时的浸润性，并用于降低焊料层7熔化时扩散的可能性，使得焊料层7根据第一金属层8的分布位置沿封装盖板4下表面边缘及基板1的上表面边缘延伸，使得焊料层7更好的连接封装基板1与封装盖板4，以使基板1与封装盖板4之间形成密闭空腔6。具体的，当通过第一金属层8及焊料层7连接封装盖板4及基板1时，在第一金属层8上植焊料球，然后通过共晶熔融等方式使焊料层7沿第一金属层8的延伸方向流延，以连接封装盖板4及基板1并形成密闭空腔6。
此外，第一金属层8在封装盖板4上的投影靠近封装盖板4的边缘且与边缘间具有间隙，使得第一金属层8能够规避有效像元阵列2及参考像元阵列3。由于第一金属层8对应的投影靠近封装盖板4的边缘分布，增加了密闭空腔6的空间，有利于延长非制红外探测器的使用寿命。沿封装盖板4的长边侧方向上，第一金属层8距离封装盖板4的两侧边缘的距离大致相等，且沿封装盖板4的短边侧方向上，第一金属层8距离封装盖板4的两侧边缘的距离也大致相等。相对应的，沿基板1的长边侧方向上，第一金属层8距离基板1的两侧边缘之间的距离大致相等，且沿基板1的短边侧方向上，第一金属层8距离基板1的两侧边缘之间的距离也大致相等。基于此，降低封装盖板4及基板1封焊时因受力不均而导致非制冷红外探测器的良率较低的可能性。
一个示例中，仅在焊料层7与基板1的上表面之间或焊料层7与封装盖板4的下表面之间设置第一金属层8。另一个示例中，在焊料层7与基板1的上表面之间及焊料层7与封装盖板4的下表面之间均设置第一金属层8，以增加封装盖板4及基板1之间的密闭空腔6的密闭性。当在封装盖板4及基板1上均设置第一金属层8时，两个第一金属层8的位置相对应，进一步的，两个第一金属层8的外侧边缘或内侧边缘对齐，或者两个第一金属层8的内侧边缘及外侧边缘均对齐。
一些实施例中，如图3及图4所示，参考像元阵列3包括行参考像元阵列31和/或列参考像元阵列32，行参考像元阵列31沿有效像元阵列2的行方向延伸，列参考像元阵列32沿有效像元阵列2的列方向延伸。
本申请实施例中，参考像元阵列3可以仅包括行参考像元阵列31，行参考像元阵列31位于有效像元阵列2的一侧。参考像元阵列3可以仅包括列参考像元阵列32，列参考像元阵列32位于有效像元阵列2的一侧。此外，如图3所示，参考像元阵列3可以包括行参考像元阵列31及列参考像元阵列32。行参考像元阵列31及列参考像元阵列32分别位于有效像元阵列2相垂直的两侧。其中，行参考像元阵列31可以沿有效像元阵列2的行方向延伸，行参考像元阵列31的行数可以与有效像元阵列2的行数大致保持一致，且行参考像元阵列31的列数可根据实际情况进行调整，本申请实施例对此不作具体限定，一个示例中，行参考像元阵列31的列数大于十列。列参考像元阵列32可以沿有效像元阵列2的列方向延伸，列参考像元阵列32的列数可以与有效像元阵列2的列数大致保持一致，且列参考像元阵列32的行数可根据实际情况进行调整，本申请实施例对此不作具体限定，一个示例中，列参考像元阵列32的行数大于十列。
一些实施例中，行参考像元阵列31的行数与有效像元阵列2的行数相等，列参考像元阵列32的列数与有效像元阵列2的列数相等。
本申请实施例中，行参考像元阵列31与有效像元阵列2中的行有效像元阵列为镜像电路，当基板1中的读取电路获取每一行有效像元阵列2的信号值时，会同时获取与其对应的行参考像元阵列31的信号值；相似的，列参考像元阵列32与列有效像元阵列为镜像电路，当基板1中的读取电路获取每一列有效像元阵列2的信号值时，会同时获取与其对应的列参考像元阵列32的信号值。因此，使行参考像元阵列31的行数与有效像元阵列2的行数相等，列参考像元阵列32的列数与有效像元阵列2的列数相等，能够增加行参考像元阵列31及列参考像元阵列32与有效像元阵列的一致性，降低因微加工而导致的参考像元阵列3与有效像元阵列2之间的差异性，进一步提高非制冷红外探测器的探测精确度。
一些实施例中，如图4和图5所示，非制冷红外探测器还包括挡墙9，挡墙9位于基板1的一侧，且挡墙9位于参考像元阵列3与有效像元阵列2之间，且挡墙9的远离基板1的一侧与封装盖板4或随温灰体5连接。
本申请实施例中，当参考像元阵列3仅包括行参考像元阵列31时，挡墙9仅包括第一挡墙91，第一挡墙91平行于行参考像元阵列31设置且位于行参考像元阵列31与有效像元阵列2之间，此外，第一挡墙91的上端与封装盖板4或遮挡层5连接，以将行参考像元阵列31及有效像元阵列2分隔开，防止行参考像元阵列31接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔6内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列2接收到由随温灰体5产生的红外辐射。
当参考像元阵列3仅包括列参考像元阵列32时，挡墙9仅包括第二挡墙92，第二挡墙92平行于列参考像元阵列32设置且位于列参考像元阵列32与有效像元阵列2之间，此外，第二挡墙92的上端与封装盖板4或遮挡层5连接，以将列参考像元阵列32及有效像元阵列2分隔开，防止列参考像元阵列32接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔6内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列2接收到由随温灰体5产生的红外辐射。
当参考像元阵列3包括行参考像元阵列31及列参考像元阵列32时，如图4所示，挡墙9包括相垂直设置的第一挡墙91及第二挡墙92，第一挡墙91及第二挡墙92的上端均与封装盖板4或随温灰体5连接。第一挡墙91及第二挡墙92将参考像元阵列3及有效像元阵列2分隔开，从而防止参考像元阵列3接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔6内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列2接收到由随温灰体5产生的红外辐射。其中，第一挡墙91与第二挡墙92均不与第一金属层8或焊料层7连接，及第一挡墙91与第二挡墙92不将密闭空腔6分隔开，随温灰体5、第一挡墙91、第二挡墙92、有效像元阵列2及参考像元阵列3均位于同一密闭空腔6内，使得随温灰体5能够更多的吸收密闭空腔6内的氧气等杂质气体，保持密闭空腔6的真空性。
此外，当参考像元阵列3与有效像元阵列2之间设置有挡墙9时，挡墙9能够避免目标物体对参考像元阵列3产生影响。基于此，第一投影的靠近有效像元阵列2的一侧与第二投影的靠近有效像元阵列2的一侧之间的第二距离A2可以减小，进一步的，A2可以为0。
一些实施例中，非制冷红外探测器还包括第二金属层10，第二金属层10位于挡墙9与基板1之间，且第二金属层10覆盖挡墙9的靠近基板1的一侧表面。第二金属层10位于挡墙9与基板1的上表面之间。第二金属层10用于增加挡墙9建立时的浸润性，同时防止挡墙9在建立时扩散，使得挡墙9沿第二金属层10的分布位置建立。
一些实施例中，随温灰体5为吸气剂。随温灰体5为吸气剂，可吸收密闭空腔6内的氧气及其他的杂质气体，使密闭空腔6内保持真空状态。其中，随温灰体5可以为涂覆型吸气材料、烧结型吸气材料等，本申请实施例对此不作具体限定。
如图2所示，封装盖板4的靠近基板1的一侧表面上可以有像元窗口41，像元窗口41在基板1上的投影覆盖有效像元阵列2。可在封装盖板4的靠近基板1的一侧表面上除像元窗口41外的其他区域尽可能多的涂覆随温灰体5，增加随温灰体5的面积以使随温灰体5能够尽可能多的吸收密闭空腔6内的氧气等杂质气体，使密闭空腔6维持真空状态。此外，如图5和图6所示，第一金属层8与随温灰体5之间可以留有安全间隙，以满足加工工艺要求，其中安全间隙的尺寸可根据实际情况确定，如50μm等，本申请实施例对此不作具体限定。
一些实施例中，非制冷红外探测器还包括减反增透组件11，减反增透组件11位于封装盖板4的远离基板1的一侧，和/或减反增透组件11位于封装盖板4的靠近基板1的一侧，减反增透组件11在基板1上的正投影覆盖有效像元阵列2，减反增透组件11配置为增加封装盖板4的透过率。
本申请实施例中，减反增透组件11用于增加封装盖板4的红外辐射透过率及降低红外辐射的反射率，使得目标物体产生的红外辐射能更多的入射至有效像元阵列2上。其中，可仅在封装盖板4的上表面或下表面设置减反增透组件11，也可以在封装盖板4的上表面及下表面上均设置减反增透组件11，从而进一步增加封装盖板4的透过率。此外，减反增透组件11可以覆盖封装盖板4的整个上表面或下表面。减反增透组件11也可仅覆盖封装盖板4的上表面或下表面的部分区域，本申请实施例对此不作具体限定，只需保证减反增透组件11在基板1上表面的投影能够覆盖有效像元阵列2即可。
一些实施例中，减反增透组件11包括减反增透膜或减反增透支柱结构。具体的，可以通过在封装盖板4上镀减反增透膜以增加封装盖板4的透过率，也可通过在封装盖板4上刻蚀支柱增透元件等方式增加封装盖板4的透过率，本申请实施例对此不作具体限定。其中，减反增透支柱结构可以包括多个通过对封装盖板4刻蚀形成的、呈阵列分布的柱状结构。
本申请实施例的第二方面提供了一种封装盖板4，封装盖板4用于封装包括有效像元阵列2与参考像元阵列3的非制冷红外探测器。封装盖板4包括盖板主体和随温灰体5。随温灰体5设置于盖板主体的朝向有效像元阵列2的一侧表面，随温灰体5在非制冷红外探测器的基板1上的第一投影覆盖参考像元阵列3在基板1上的第二投影，且沿有效像元阵列2的行方向上，第一投影与有效像元阵列2之间具有第一距离。
本申请实施例中，封装盖板4能够与基板1连接，并在封装盖板4与基板1之间形成密闭空腔6，且有效像元阵列2、参考像元阵列3及随温灰体5均设置于密闭空腔6内。
当通过包括上述本封装盖板4的非制冷红外探测器测量目标物体的红外辐射强度时，目标物体产生的红外辐射透过封装盖板4入射至密闭空腔6内的有效像元阵列2上，使得有效像元阵列2包括的微桥结构的热敏电阻值发生变化，基板1中的读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第一电信号输出。随温灰体5也会产生一定的红外辐射，且随温灰体5产生的红外辐射能够入射至参考像元阵列3上，使得参考像元阵列3中微桥结构的热敏电阻值也发生变化，读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第二电信号输出。由于参考像元阵列3与有效像元阵列2均集成于基板1的一侧，因此基板1的结温同时影响有效像元阵列2及参考像元阵列3。此外，由于随温灰体5的遮挡，目标物体的红外辐射不会入射至参考像元阵列3上。且由于有效像元阵列2与随温灰体5之间具有间隙，随温灰体5产生的红外辐射也不会影响有效像元阵列2。基于此，有效像元阵列2对应的第一电信号与基板1的温度及目标物体的红外辐射相关，参考像元阵列3对应的第二电信号与基板1的结温及随温灰体5的红外辐射相关。因此，根据第一电信号及第二电信号并结合衬底基板的读出电路及后续算法处理便能够确定目标物体的绝对红外辐射值，降低了基板1的温度对有效像元阵列2的影响，提高了非制冷红外探测器的探测精确度。
此外，随温灰体5设置于封装盖板4的盖板主体的靠近基板1的一侧的表面，即随温灰体5与封装盖板4设置为一体结构。随温灰体5设置于封装盖板4上，使得随温灰体5能够对参考像元阵列3进行遮盖的同时，随温灰体5不对参考像元阵列3中多个的像元单元的结构产生影响。进一步的，有效像元阵列2中的像元单元与参考像元阵列3中像元单元的结构相同，使得有效像元阵列2与参考像元阵列3具有相同的热导及热绝缘性能，从而通过参考像元阵列3降低了电偏执时的焦耳热的影响。
一些实施例中，随温灰体5为吸气剂，基于此，随温灰体5可吸收密闭空腔6内的氧气及其他的杂质气体，使密闭空腔6内保持真空状态。其中，随温灰体5可以为涂覆型吸气材料、烧结型吸气材料等，本申请实施例对此不作具体限定。
一些实施例中，封装盖板4还包括减反增透组件11，减反增透组件11位于盖板主体的远离基板1的一侧，和/或减反增透组件11位于盖板主体的靠近基板1的一侧，减反增透组件11在基板1上的正投影覆盖有效像元阵列2，减反增透组件11配置为增加封装盖板4的透过率。具体的，减反增透组件11用于增加封装盖板4的红外辐射透过率及降低红外辐射的反射率，使得目标物体产生的红外辐射能更多的入射至有效像元阵列2上。
一些实施例中，减反增透组件11包括减反增透膜或减反增透支柱结构。具体的，可以通过在封装盖板4的盖板主体上镀减反增透膜以增加封装盖板4的透过率，也可通过在封装盖板4的盖板主体上刻蚀支柱增透元件等方式增加封装盖板4的透过率，本申请实施例对此不作具体限定。其中，减反增透支柱结构可以包括多个通过对封装盖板4的盖板主体刻蚀形成的、呈阵列分布的柱状结构。
本申请实施例的第三方面提供了一种非制冷红外探测器的制作方法，如图8和图10所示，该方法包括以下步骤。
步骤S801，提供一基板。其中，基板上可以形成有读出电路。
步骤S802，在基板的一侧生长有效像元阵列及参考像元阵列，参考像元阵列与有效像元阵列之间具有间隙。
步骤S803，提供一封装盖板。
步骤S804，在封装盖板的一侧生长随温灰体，随温灰体在基板上的第一投影覆盖参考像元阵列在基板上的第二投影，且沿有效像元阵列的行方向上，第一投影与有效像元阵列之间具有第一距离。
步骤S805，连接基板与封装盖板，使基板与封装盖板间形成密闭空腔，有效像元阵列、参考像元阵列及随温灰体均位于密闭空腔内。
其中，封装盖板与基板的连接方式可以为W2W(Wafer to Wafer，晶圆到晶圆)封装。
其中，步骤S801-S802可以在步骤S803-S804之前进行，也可以在步骤S803-S804之前进行，还可以与步骤S803-S804同时进行，本申请实施例对此不作具体限定。
当通过上述制作方法制作的非制冷红外探测器测量目标物体的红外辐射强度时，目标物体产生的红外辐射透过封装盖板入射至密闭空腔内的有效像元阵列上，使得有效像元阵列包括的微桥结构的热敏电阻值发生变化，基板中的读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第一电信号输出。随温灰体也会产生一定的红外辐射，且随温灰体产生的红外辐射能够入射至参考像元阵列上，使得参考像元阵列中微桥结构的热敏电阻值也发生变化，读出电路在检测到热敏电阻值的变化量后将其转化为第二电信号输出。由于参考像元阵列与有效像元阵列均集成于基板的一侧，因此基板的温度同时影响有效像元阵列及参考像元阵列。此外，由于随温灰体的遮挡，目标物体的红外辐射不会入射至参考像元阵列上。且由于有效像元阵列与随温灰体之间具有间隙，随温灰体产生的红外辐射也不会影响有效像元阵列。基于此，有效像元阵列对应的第一电信号与基板的温度及目标物体的红外辐射相关，参考像元阵列对应的第二电信号与基板的温度及随温灰体的红外辐射相关。因此，根据第一电信号及第二电信号即可确定目标物体的红外辐射强度，降低了基板的温度对有效像元阵列的影响，提高了非制冷红外探测器的探测精确度。
一些实施例中，如图9所示，在步骤S805之前，上述方法还包括：
步骤S806，在基板与封装盖板之间设置焊料层，焊料层配置为连接封装盖板与基板。
一些实施例中，在步骤S806之前，上述方法还包括：
S807，在基板的靠近封装盖板的一侧生长第一金属层，和/或在封装盖板的靠近基板的一侧生长第一金属层。
基于此，在基板与封装盖板之间设置焊料层这一步骤可以细化为：在基板上的第一金属层与封装盖板之间设置焊料层。或者，在封装盖板上的第一金属层与基板之间设置焊料层；或者，在基板上的第一金属层与封装盖板上的第一金属层之间设置焊料层。
具体的，在第一金属层上植焊料球，通过升温使焊料球融化并沿第一金属层流延，然后通过共晶熔合等方式在基板与封装盖板间形成密闭空腔。
一些实施例中，如图9所示，在步骤S802之后，上述方法还可以包括：
步骤S808，在基板靠近封装盖板的一侧设置挡墙，挡墙位于参考像元阵列与有效像元阵列之间，且挡墙的远离基板的一侧与封装盖板或随温灰体连接。其中，步骤S808可以在步骤S807之后执行。
本申请实施例中，挡墙用于将参考像元阵列及有效像元阵列分隔开，从而防止参考像元阵列接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列接收到由随温灰体产生的红外辐射。
一些实施例中，如图9所示，在步骤S802之后，方法还包括：
步骤S809，在基板靠近封装盖板的一侧生长第二金属层，第二金属层位于有效像元阵列与参考像元阵列之间。
本申请实施例中，S808可以细化为：在第二金属层的靠近封装盖板的一侧设置挡墙。具体的，步骤S809可以在步骤S808之前执行。
本申请实施例提供的非制冷红外探测器的制作方法所制作的非制冷红外探测器中，焊料层用于连接封装盖板及基底，以使基底与封装盖板间形成密闭空腔。第一金属层用于增加焊料层熔化时的浸润度，同时降低焊料层熔化时扩散的可能性，使得焊料层根据第一金属层的分布位置沿封装盖板下表面边缘及基板的上表面边缘延伸，使得焊料层更好的连接封装基板与封装盖板。挡墙用于将参考像元阵列及有效像元阵列分隔开，从而防止参考像元阵列接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列接收到由随温灰体产生的红外辐射，进一步提升非制冷红外探测器的探测精确度。减反增透膜用于增加封装盖板的红外辐射透过率及降低红外辐射的反射率，使得目标物体产生的红外辐射能更多的入射至有效像元阵列上。
一些实施例中，如图10和图11所示，还可以通过以下步骤制作本申请实施例提供的非制冷红外探测器。
步骤S1001，提供一基板，基板上形成有读出电路。
步骤S1002，在基板的一侧生长有效像元阵列及参考像元阵列，参考像元阵列与有效像元阵列之间具有间隙。
步骤S1003，在基板的一侧生产第一金属层和第二金属层。
步骤S1004，在第一金属层上涂覆焊料层，且在第二金属层上生长挡墙。
步骤S1005，提供一封装盖板。
步骤S1006，在封装盖板的另一侧设置减反增透组件，其中，减反增透组件在基板上的正投影覆盖有效像元阵列。
步骤S1007，在封装盖板的一侧生长第一金属层。
步骤S1008，在封装盖板的一侧设置减反增透组件，其中减反增透组件在基板上的正投影覆盖有效像元阵列。
步骤S1009，在封装盖板的一侧生长随温灰体，随温灰体在基板上的第一投影与参考像元阵列在基板上的第二投影之间具有第一距离。
步骤S1010，连接基板与封装盖板，使基板与封装盖板之间形成密闭空腔，有效像元阵列、参考像元阵列及随温灰体均位于密闭空腔内。
通过上述方法制作的非制冷红外探测器中，焊料层用于连接封装盖板及基底，以使基底与封装盖板间形成密闭空腔。第一金属层用于增加焊料层熔化时的浸润度，同时降低焊料层熔化时扩散的可能性，使得焊料层根据第一金属层的分布位置沿封装盖板下表面边缘及基板的上表面边缘延伸，使得焊料层更好的连接封装基板与封装盖板。挡墙用于将参考像元阵列及有效像元阵列分隔开，从而防止参考像元阵列接收到目标物体所产生且入射至密闭空腔内的红外辐射，并进一步防止有效像元阵列接收到由随温灰体产生的红外辐射，进一步提升非制冷红外探测器的探测精确度。减反增透膜用于增加封装盖板的红外辐射透过率及降低红外辐射的反射率，使得目标物体产生的红外辐射能更多的入射至有效像元阵列上。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请的保护范围内。

Claims (23)

1.一种非制冷红外探测器，其特征在于，包括：
基板；
有效像元阵列，所述有效像元阵列位于所述基板的第一侧；
参考像元阵列，所述参考像元阵列位于所述第一侧，且所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙；
封装盖板，所述封装盖板位于所述第一侧且与所述基板连接，所述封装盖板与所述基板之间形成密闭空腔，且所述有效像元阵列及所述参考像元阵列位于所述密闭空腔内；
随温灰体，所述随温灰体位于所述密闭空腔内，所述随温灰体在所述基板上的第一投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离。
2.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述随温灰体设置于所述封装盖板的靠近所述基板的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述随温灰体设置于所述参考像元阵列的靠近所述封装盖板的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影的靠近所述有效像元阵列的一侧边缘与所述第二投影的靠近所述有效像元阵列的一侧边缘间具有第二距离，所述第二距离配置为避免目标物体产生的热量辐射至所述参考像元阵列。
5.根据权利要求4所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述第一距离配置为避免所述随温灰体产生的热量辐射至所述有效像元阵列，所述第一距离为A1，所述第二距离为A2，所述密闭腔体的腔高为H，其中，A1的取值区间为[2.5H，3.5H]，A2的取值区间为[1.5H，2.5H]。
6.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述红外探测器还包括：
焊料层，所述焊料层位于所述封装盖板与所述基板之间以连接所述封装盖板与所述基板。
7.根据权利要求6所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述非制冷红外探测器还包括：
第一金属层，所述第一金属层位于所述焊料层与所述封装盖板之间，所述第一金属层与所述封装盖板的靠近所述焊料层的一侧表面的边缘之间具有间隙，且所述第一金属层在所述封装盖板上的正投影覆盖所述焊料层在所述封装盖板上的正投影，和/或
所述第一金属层位于所述焊料层与所述基板之间，且所述第一金属层在所述封装盖板上的正投影与所述封装盖板的靠近所述基板的一侧表面边缘之间具有间隙，且所述焊料层在所述基板上的正投影落入所述第一金属层在所述基板上的正投影内。
8.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述参考像元阵列包括行参考像元阵列和/或列参考像元阵列，所述行参考像元阵列沿所述有效像元阵列的行方向延伸，所述列参考像元阵列沿所述有效像元阵列的列方向延伸。
9.根据权利要求8所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述行参考像元阵列的行数与所述有效像元阵列的行数相等，所述列参考像元阵列的列数与所述有效像元阵列的列数相等。
10.根据权利要求2所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述非制冷红外探测器还包括：
挡墙，所述挡墙位于所述基板的一侧，且所述挡墙位于所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间，且所述挡墙的远离所述基板的一侧与所述封装盖板或所述随温灰体连接。
11.根据权利要求10所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述非制冷红外探测器还包括：
第二金属层，所述第二金属层位于所述挡墙与所述基板之间，且所述第二金属层覆盖所述挡墙的靠近所述基板的一侧表面。
12.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述随温灰体为吸气剂。
13.根据权利要求1所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述非制冷红外探测器还包括：
减反增组件，所述减反增透组件位于所述封装盖板的远离所述基板的一侧，和/或所述减反增透组件位于所述封装盖板的靠近所述基板的一侧，所述减反增透组件在所述基板上的正投影覆盖所述有效像元阵列，所述减反增透组件配置为增加所述封装盖板的透过率。
14.根据权利要求13所述的非制冷红外探测器，其特征在于，所述减反增透组件包括减反增透膜或减反增透支柱结构。
15.一种封装盖板，其特征在于，所述封装盖板用于封装包括有效像元阵列及参考像元阵列的非制冷红外探测器，所述封装盖板包括：
盖板主体；
随温灰体，所述随温灰体设置于所述盖板主体的朝向所述有效像元阵列的一侧表面，所述随温灰体在所述非制冷红外探测器的基板上的第一投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离。
16.根据权利要求15所述的封装盖板，其特征在于，所述随温灰体为吸气剂。
17.根据权利要求15所述的封装盖板，其特征在于，所述封装盖板还包括减反增组件，所述减反增透组件位于所述盖板主体的远离所述基板的一侧，和/或所述减反增透组件位于所述盖板主体的靠近所述基板的一侧，所述减反增透组件在所述基板上的正投影覆盖所述有效像元阵列，所述减反增透组件配置为增加所述封装盖板的透过率。
18.根据权利要求17所述的封装盖板，其特征在于，所述减反增透组件包括减反增透膜或减反增透支柱结构。
19.一种非制冷红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板上形成有读出电路；
在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列，所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间具有间隙；
提供一封装盖板；
在所述封装盖板的一侧生长随温灰体，所述随温灰体在所述基板上的第一投影覆盖所述参考像元阵列在所述基板上的第二投影，且沿所述有效像元阵列的行方向上，所述第一投影与所述有效像元阵列之间具有第一距离；
连接所述基板与所述封装盖板，使所述基板与所述封装盖板间形成密闭空腔，所述有效像元阵列、所述参考像元阵列及所述随温灰体均位于所述密闭空腔内。
20.根据权利要求19所述的非制冷红外探测器的制作方法，其特征在于，在连接所述基板与所述封装盖板，使所述基板与所述封装盖板间形成密闭空腔的步骤之前，所述方法还包括：
在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层，所述焊料层配置为连接所述封装盖板与所述基板。
21.根据权利要求20所述的非制冷红外探测器的制作方法，其特征在于，在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层之前，所述方法还包括：
在所述基板的靠近所述封装盖板的一侧生长第一金属层；和/或
在所述封装盖板的靠近所述基板的一侧生长第一金属层；
所述在所述基板与所述封装盖板之间设置焊料层包括：
在所述基板上的第一金属层与所述封装盖板之间设置焊料层；或
在所述封装盖板上的第一金属层与所述基板之间设置焊料层；或
在所述基板上的第一金属层与所述封装盖板上的第一金属层之间设置焊料层。
22.根据权利要求19所述的非制冷红外探测器的制作方法，其特征在于，在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列之后，所述方法还包括：
在所述基板靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙，所述挡墙位于所述参考像元阵列与所述有效像元阵列之间，且所述挡墙的远离所述基板的一侧与所述封装盖板或所述随温灰体连接。
23.根据权利要求22所述的非制冷红外探测器的制作方法，其特征在于，在所述基板的一侧生长有效像元阵列和参考像元阵列之后，所述方法还包括：
在所述基板靠近所述封装盖板的一侧生长第二金属层，所述第二金属层位于所述有效像元阵列与所述参考像元阵列之间；
所述在所述基板靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙包括：
在所述第二金属层的靠近所述封装盖板的一侧设置挡墙。
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