CN113872040B - 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构 - Google Patents

基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构 Download PDF

Info

Publication number
CN113872040B
CN113872040B CN202111136140.8A CN202111136140A CN113872040B CN 113872040 B CN113872040 B CN 113872040B CN 202111136140 A CN202111136140 A CN 202111136140A CN 113872040 B CN113872040 B CN 113872040B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
waveguide
echo wall
microcavity
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111136140.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113872040A (zh
Inventor
史磊磊
朱涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing University
Original Assignee
Chongqing University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing University filed Critical Chongqing University
Priority to CN202111136140.8A priority Critical patent/CN113872040B/zh
Publication of CN113872040A publication Critical patent/CN113872040A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113872040B publication Critical patent/CN113872040B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0057—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1042—Optical microcavities, e.g. cavity dimensions comparable to the wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供一种基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，包括多个激光器、波分复用器、环形器、第一波导、第二波导和回音壁微腔，多个激光器分别与波分复用器的对应输入端连接，波分复用器的输出端与环形器的第二端连接，环形器的第三端与第一波导的第一端连接，第一波导的第二端作为窄线宽激光阵列的输出端，回音壁微腔的第一输入/输出端连接在第一波导的两端之间，第二输出端连接在第二波导的两端之间，且第二波导的第一端与该环形器的第一端连接。本发明可以同时实现多个激光器线宽压缩，生成窄线宽激光阵列。

Description

基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构
技术领域
本发明属于窄线宽激光领域，具体涉及一种基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构。
背景技术
多波长窄线宽阵列可提高波分复用系统的容量、扩宽雷达的角度或者实现多种气体种类检测。单个激光器线宽可通过优化谐振腔结构或者引入外腔反馈等方式进一步压缩，例如对于垂直腔面发射激光器(VCSEL，vertical-cavity surface-emitting laser)，可以通过缩小VCSEL的输出孔径来压缩其线宽，但该方法会导致VCSEL输出功率大幅降低，此外可以通过延长VCSEL谐振腔的长度，将无源谐振腔的带宽从0.182nm减小至0.131nm，其激光线宽可从50MHz压缩至23MHz。通过外腔反馈可将激光器线宽进一步压缩，例如利用外置光栅可将激光器线宽由兆赫兹量级压缩至kHz量级，利用高品质因子回音壁微腔可将半导体激光器线宽压缩至赫兹量级。但是，目前外腔反馈压缩激光线宽的结构中，一个外腔只能用于单个激光器线宽压缩，无法实现窄线宽激光阵列。
发明内容
本发明提供一种基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，以解决目前激光器阵列的线宽无法同时压缩问题。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，包括多个激光器、波分复用器、环形器、第一波导、第二波导和回音壁微腔，所述多个激光器分别与该波分复用器的对应输入端连接，所述波分复用器的输出端与该环形器的第二端连接，该环形器的第三端与该第一波导的第一端连接，该第一波导的第二端作为窄线宽激光阵列的输出端，所述回音壁微腔的第一输入/输出端连接在该第一波导的两端之间，第二输出端连接在该第二波导的两端之间，且该第二波导的第一端与该环形器的第一端连接。
在一种可选的实现方式中，所述多个激光器分别输出具有不同波长的激光信号，且输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔不同阶次谐振波长匹配；所述多个激光器将输出的各路激光信号发送给所述波分复用器；
所述波分复用器将所述各路激光信号合束发送给所述环形器的第二端，所述环形器通过其第三端将合束的各路激光信号发送给所述第一波导；
所述第一波导将各路激光信号耦合传输给所述回音壁微腔，在所述回音壁微腔内，各路激光信号在不同阶次谐振模下分别发生谐振，进而实现各路激光信号的线宽压缩，其中针对每路激光信号，线宽压缩后，该路激光信号中的一部分经由所述回音壁微腔与第一波导的连接处，从所述第一波导的第二端输出，另一部分经由所述回音壁微腔与第二波导的连接处，从所述第二波导的第一端反馈给所述环形器的第一端；
所述环形器通过其第二端将线宽压缩后的各路激光信号传输给所述波分复用器，所述波分复用器对各路激光信号进行分束，分别将各路激光信号反馈给其对应激光器的主腔，在各个激光器的主腔内所述激光信号的线宽被进一步压缩，线宽被进一步压缩后的激光信号作为对应激光器的输出激光信号传输给所述波分复用器，以实现线宽循环压缩。
在另一种可选的实现方式中，所述第一波导的第二端与隔离器连接。
在另一种可选的实现方式中，所述窄线宽激光阵列的波长间隔与所述回音壁微腔的自由光谱范围呈整数倍关系。
在另一种可选的实现方式中，所述多个激光器的输出功率限制在所述回音壁微腔的非线性阈值功率以下。
在另一种可选的实现方式中，通过调节所述多个激光器的驱动电流或温度，对所述多个激光器输出的激光信号的波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔的不同阶次谐振波长匹配；和/或通过对所述回音壁微腔的温度进行调节，对所述回音壁微腔中不同阶次谐振波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔在不同阶次的谐振波长匹配。
在另一种可选的实现方式中，所述第一波导与所述第二波导平行。
在另一种可选的实现方式中，所述激光器为边发射激光器或垂直腔面发射激光器。
在另一种可选的实现方式中，所述结构集成在集成同一片基底上。
在另一种可选的实现方式中，所述窄线宽激光阵列发生结构的线宽压缩效果与所述回音壁微腔的品质因子、各路激光信号的波长与所述回音壁微腔不同阶次谐振波长的匹配程度、从所述第二波导的第一端输出的激光信号反馈量有关。
本发明的有益效果是：
1、本发明利用回音壁微腔对激光信号进行线宽压缩，由于激光器主腔对外部反馈信号具有很强的敏感特性，因此利用具有较强波长选择特性的回音壁微腔作为反馈外腔可以大大提高激光信号线宽压缩效果并且可以降低频率噪声；此外，本发明设置有多个激光器，在对各个激光器输出的激光信号进行线宽压缩时并不需要针对每个激光器设置一个回音壁微腔，而是通过使各个激光器输出的激光信号的波长分别与所述回音壁微腔的不同阶次谐振波长匹配，使各路激光信号都可以被耦合至回音壁微腔中，并在回音壁微腔中发生谐振，实现线宽压缩，即利用单个回音壁微腔就可以同时对多路激光信号进行线宽压缩，从而生成窄线宽激光阵列，窄线宽激光阵列在大容量波分复用系统或者高精度激光雷达系统等应用领域中具有单个激光器无法比拟的优势，利用单个回音壁微腔压缩多个激光器线宽，实现窄线宽激光阵列具有重要意义；
2、本发明通过在第一波导的第二端设置隔离器，可以用于抑制测量系统产生的后向传输信号，以免降低激光器稳定性；
3、本发明中多个激光器的输出功率限制在所述回音壁微腔的非线性阈值功率以下，由此可以避免在线宽压缩过程中产生非线性或者较大的热效应；
4、本发明虽然涉及多个激光器，但用于对其进行线宽压缩的回音壁微腔仅需一个，因此本发明窄线宽激光阵列发生结构可以集成在同一片基底上。
附图说明
图1是本发明基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构的一个实施例结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明实施例中技术方案作进一步详细的说明。
在本发明的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
参见图1，为本发明基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构的一个实施例结构示意图。该基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构可以包括多个激光器、波分复用器、环形器、第一波导、第二波导和回音壁微腔，所述多个激光器分别与该波分复用器的对应输入端连接，所述波分复用器的输出端与该环形器的第二端连接，该环形器的第三端与该第一波导的第一端连接，该第一波导的第二端作为窄线宽激光阵列的输出端，所述回音壁微腔的第一输入/输出端连接在该第一波导的两端之间，第二输出端连接在该第二波导的两端之间，且该第二波导的第一端与该环形器的第一端连接。
所述多个激光器分别输出具有不同波长的激光信号，且输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔的不同阶次谐振波长匹配；所述多个激光器将输出的各路激光信号发送给所述波分复用器；所述波分复用器将所述各路激光信号合束发送给所述环形器的第二端，所述环形器通过其第三端将合束的各路激光信号发送给所述第一波导。由于各路激光信号的波长分别与回音壁微腔不同阶次的谐振波长匹配，因此所述第一波导可以将各路激光信号均耦合传输给所述回音壁微腔，在所述回音壁微腔内，各路激光信号在不同阶次谐振模下分别发生谐振，绕着回音壁微腔环行，进而实现各路激光信号的线宽压缩，其中回音壁微腔的品质因子越高，即环行的圈数越多，线宽压缩效果越好。针对每路激光信号，线宽压缩后，该路激光信号中的一部分经由所述回音壁微腔与第一波导的连接处，从所述第一波导的第二端输出，另一部分经由所述回音壁微腔与第二波导的连接处，从所述第二波导的第一端反馈给所述环形器的第一端；所述环形器通过其第二端将线宽压缩后的各路激光信号传输给所述波分复用器，所述波分复用器对各路激光信号进行分束，分别将各路激光信号反馈给其对应激光器的主腔，在各个激光器的主腔内所述激光信号的线宽被进一步压缩，线宽被进一步压缩后的激光信号作为对应激光器的输出激光信号传输给所述波分复用器，以实现线宽循环压缩。
其中，从所述第一波导的第二端输出的激光信号输出量以及从所述第二波导的第一端输出的激光信号反馈量，与所述第一波导与第二波导之间的耦合间距相关。所述第一波导与所述第二波导平行。本发明窄线宽激光阵列发生结构的线宽压缩效果与所述回音壁微腔的品质因子、各路激光信号的波长与所述回音壁微腔不同阶次谐振波长的匹配程度以及从所述第二波导的第一端输出的激光信号反馈量有关。
由上述实施例可见，本发明利用回音壁微腔对激光信号进行线宽压缩，并将线宽压缩后的部分激光信号反馈传输回激光器主腔，由于激光器主腔对外部反馈信号具有很强的敏感特性，因此利用具有较强波长选择特性的回音壁微腔作为反馈外腔可以大大提高激光信号线宽压缩效果并且可以降低频率噪声。对于VCSEL，通过本发明可以将其线宽从兆赫兹量级压缩到数十kHz量级，其频率噪声降低60dB，从而实现VCSEL线宽的深度压缩和频噪抑制。此外，本发明设置有多个激光器，在对各个激光器输出的激光信号进行线宽压缩时并不需要针对每个激光器设置一个回音壁微腔，而是通过使各个激光器输出的激光信号的波长分别与所述回音壁微腔在不同阶次谐振模下的谐振波长匹配，使各路激光信号都可以被耦合至回音壁微腔中，并在回音壁微腔中发生谐振，实现线宽压缩，即利用单个回音壁微腔就可以同时对多路激光信号进行线宽压缩，从而生成窄线宽激光阵列，窄线宽激光阵列在大容量波分复用系统或者高精度激光雷达系统等应用领域中具有单个激光器无法比拟的优势，利用单个回音壁微腔压缩多个激光器线宽，实现窄线宽激光阵列具有重要意义。
其中，所述第一波导的第二端与隔离器连接，本发明通过在第一波导的第二端设置隔离器，可以用于抑制测量系统产生的后向传输信号，以免降低激光器稳定性。所述窄线宽激光阵列的波长间隔与所述回音壁微腔的自由光谱范围呈整数倍关系。所述多个激光器的输出功率限制在所述回音壁微腔的非线性阈值功率以下，由此可以避免在线宽压缩过程中产生非线性或者较大的热效应。
本发明可以通过调节所述多个激光器的驱动电流或温度，对所述多个激光器的波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔的不同阶次谐振波长匹配；和/或通过对所述回音壁微腔的温度进行调节，对所述回音壁微腔中不同阶次谐振波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔的不同阶次谐振波长匹配。当激光信号的波长与回音壁微腔的谐振波长匹配时，该激光信号耦合传输至回音壁微腔后，激发回音壁模式，在回音壁微腔中产生谐振。所述激光器可以为边发射激光器或垂直腔面发射激光器，其中可以全部为边发射激光器，或全部为垂直腔面发射激光器，或部分为边发射激光器，部分为垂直腔面发射激光器，该边发射激光器可以包括分布反馈激光器半导体激光器、分布布拉格反射激光器和法珀激光器等。本发明虽然涉及多个激光器，但用于对其进行线宽压缩的回音壁微腔仅需一个，因此本发明窄线宽激光阵列发生结构可以集成在同一片基底上，当然本发明也可以采用分离的连接方式制作，本发明中波分复用器、环形器和隔离器均为成熟的通用器件，回音壁微腔可以采用微加工的方式定做。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来管制。

Claims (9)

1.一种基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，包括多个激光器、波分复用器、环形器、第一波导、第二波导和回音壁微腔，所述多个激光器分别与该波分复用器的对应输入端连接，所述波分复用器的输出端与该环形器的第二端连接，该环形器的第三端与该第一波导的第一端连接，该第一波导的第二端作为窄线宽激光阵列的输出端，所述回音壁微腔的第一输入/输出端连接在该第一波导的两端之间，第二输出端连接在该第二波导的两端之间，且该第二波导的第一端与该环形器的第一端连接；
所述多个激光器分别输出具有不同波长的激光信号，且输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔不同阶次谐振波长匹配；所述多个激光器将输出的各路激光信号发送给所述波分复用器；
所述波分复用器将所述各路激光信号合束发送给所述环形器的第二端，所述环形器通过其第三端将合束的各路激光信号发送给所述第一波导；
所述第一波导将各路激光信号耦合传输给所述回音壁微腔，在所述回音壁微腔内，各路激光信号在不同阶次谐振模下分别发生谐振，进而实现各路激光器的线宽压缩，其中针对每路激光信号，线宽压缩后，该路激光信号中的一部分经由所述回音壁微腔与第一波导的连接处，从所述第一波导的第二端输出，另一部分经由所述回音壁微腔与第二波导的连接处，从所述第二波导的第一端反馈给所述环形器的第一端；
所述环形器通过其第二端将线宽压缩后的各路激光信号传输给所述波分复用器，所述波分复用器对各路激光信号进行分束，分别将各路激光信号反馈给其对应激光器的主腔，在各个激光器的主腔内所述激光信号的线宽被进一步压缩，线宽被进一步压缩后的激光信号作为对应激光器的输出激光信号传输给所述波分复用器，以实现线宽循环压缩。
2.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述第一波导的第二端与隔离器连接。
3.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述窄线宽激光阵列的波长间隔与所述回音壁微腔的自由光谱范围呈整数倍关系。
4.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述多个激光器的输出功率限制在所述回音壁微腔的非线性阈值功率以下。
5.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，通过调节所述多个激光器的驱动电流或温度，对所述多个激光器输出的激光信号的波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔与不同阶次谐振波长匹配；和/或通过对所述回音壁微腔的温度进行调节，对所述回音壁微腔中不同阶次谐振模下的谐振波长进行调节，从而使输出的各路激光信号的波长分别与所述回音壁微腔在不同阶次谐振模下的谐振波长匹配。
6.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述第一波导与所述第二波导平行。
7.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述激光器为边发射激光器或垂直腔面发射激光器。
8.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述结构集成在集成电路板同一片基底。
9.根据权利要求1所述的基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构，其特征在于，所述窄线宽激光阵列发生结构的线宽压缩效果与所述回音壁微腔的品质因子、各路激光信号的波长与所述回音壁微腔不同阶次谐振波长的匹配程度、从所述第二波导的第一端输出的激光信号反馈量有关。
CN202111136140.8A 2021-09-27 2021-09-27 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构 Active CN113872040B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111136140.8A CN113872040B (zh) 2021-09-27 2021-09-27 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111136140.8A CN113872040B (zh) 2021-09-27 2021-09-27 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113872040A CN113872040A (zh) 2021-12-31
CN113872040B true CN113872040B (zh) 2023-03-24

Family

ID=78991257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111136140.8A Active CN113872040B (zh) 2021-09-27 2021-09-27 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113872040B (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7271379B2 (en) * 2004-05-27 2007-09-18 3M Innovative Properties Company Dielectric microcavity fluorosensors excited with a broadband light source
CN105375330A (zh) * 2015-12-15 2016-03-02 重庆大学 基于在纤回音壁滤波器的超窄线宽半导体激光器
CN107248692B (zh) * 2017-05-19 2020-01-14 武汉理工大学 一种超窄线宽波长可调的复合腔光纤激光器
CN111864509A (zh) * 2019-11-22 2020-10-30 重庆大学 片上超窄线宽激光器
CN111864527A (zh) * 2019-12-06 2020-10-30 重庆大学 阵列式多波长超窄线宽激光器

Also Published As

Publication number Publication date
CN113872040A (zh) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chrostowski et al. Microwave performance of optically injection-locked VCSELs
EP1130704B1 (en) Optical communication system with Raman amplification
US20040109230A1 (en) Optical signal amplifier
US11862925B2 (en) Tunable narrow-linewidth photo-generated microwave source based on polarization control
US11870210B2 (en) Transverse mode switchable all-fiber high-order mode Brillouin laser
CN101572375A (zh) 利用单纵模双波长光纤激光器产生微波、毫米波的装置
JP2002329927A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
CN206993129U (zh) 中心波长可调谐的宽带混沌信号发生装置
US6624927B1 (en) Raman optical amplifiers
US5760949A (en) Light amplifier
CN107785771B (zh) 一种提高波长输出效率的单纵摸多波长可调谐激光器系统及方法
CN113964639B (zh) 一种基于正交极化模式布里渊激光克尔光频梳的微波发生装置
CN113872040B (zh) 基于回音壁微腔的窄线宽激光阵列发生结构
CN111864527A (zh) 阵列式多波长超窄线宽激光器
CN114844569B (zh) 布里渊单环宇称时间对称光电振荡信号产生方法及系统
US6925102B2 (en) Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and Raman amplifier using the device or module
JP2003110194A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
Hong et al. Tunable millimeter-wave generation with subharmonic injection locking in two-section strongly gain-coupled DFB lasers
JP2003179304A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールを用いた光ファイバ増幅器
Yeh et al. Stable wavelength-tuning laser in single-frequency by optical-injected Fabry-Perot laser diode and RSOA for long fiber distance propagation
CN113098609B (zh) 一种40GHz毫米波信号的光学产生装置
JP2003174230A (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールを用いた光ファイバ増幅器
Chaccour et al. Dual-Frequency VECSEL at Telecom Wavelength for Sensing Applications.
CN118117449A (zh) 一种基于硅基布拉格光栅的混合集成激光器
TWI235534B (en) Optical fiber loop laser module with adjustable wavelength and laser resonant cavity device thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant