CN113861761B

CN113861761B - 发光元件墨及显示装置

Info

Publication number: CN113861761B
Application number: CN202110646445.7A
Authority: CN
Inventors: 沈俊辅; 金德起; 金容辉; 高孝珍; 李昌熙; 周灿佑; 河在国; 洪罗美
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2021-06-10
Publication date: 2024-07-02
Anticipated expiration: 2041-06-10

Abstract

提供了发光元件墨和显示装置。所述发光元件墨包含发光元件溶剂；分散在所述发光元件溶剂中的发光元件，所述发光元件中的每一个包括多个半导体层和包围所述半导体层的外表面的一部分的绝缘膜；以及分散在所述发光元件溶剂中的表面活性剂，所述表面活性剂包括基于氟的表面活性剂和/或基于硅的表面活性剂。

Description

发光元件墨及显示装置

技术领域

本公开内容的实施方案涉及发光元件墨以及显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置日益变得更加重要，并且已经使用了各种类型的显示装置，例如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等。

显示图像的显示装置可以包括显示面板，例如OLED显示面板或LCD面板。显示面板(例如发光元件显示面板)可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的OLED和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管(ILED)。

发明内容

本公开内容的实施方案提供了包含表面活性剂的发光元件墨，所述表面活性剂能够降低包含发光元件的墨的表面张力。

本公开内容的实施方案还提供了能够通过使用所述发光元件墨来改善印刷后的发光元件的分散性的显示装置以及制造所述显示装置的方法。

然而，本公开内容的实施方案不限于本文阐述的那些。通过参考以下给出的本公开内容的详细描述，本公开内容的以上和其它实施方案对本公开内容所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

根据本公开内容的实施方案，发光元件墨包括：发光元件溶剂；分散在所述发光元件溶剂中的发光元件，所述发光元件中的每一个包括多个半导体层和包围所述半导体层的外表面的一部分的绝缘膜；以及分散在所述发光元件溶剂中的表面活性剂，所述表面活性剂包括基于氟的表面活性剂和/或基于硅的表面活性剂。

在示例性实施方案中，发光元件墨具有28dyn/cm至38dyn/cm的表面张力。

在示例性实施方案中，所述发光元件墨相对于玻璃衬底的表面形成23°至27°的接触角。

在示例性实施方案中，所述表面活性剂具有1dyn/cm至25dyn/cm的临界表面张力。

在示例性实施方案中，基于100重量份的所述发光元件墨，以0.01重量份至1重量份的量包含所述表面活性剂。

在示例性实施方案中，基于100重量份的所述发光元件墨，以0.01重量份至1重量份的量包含所述发光元件。

根据本公开内容的实施方案，显示装置包括：衬底；多个第一区块，所述多个第一区块在所述衬底上在第一方向上延伸并且彼此间隔开；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述第一方向上延伸并且在彼此间隔开的所述第一区块中的不同的第一区块上；第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述衬底上并且覆盖所述第一电极和所述第二电极的一部分；在所述第一绝缘层上的多个发光元件，使得所述发光元件中的每一个的两个端部部分分别在所述第一电极和所述第二电极上；以及在所述第一绝缘层的表面上的基于氟的表面活性剂和/或基于硅的表面活性剂。

在示例性实施方案中，所述表面活性剂进一步在所述发光元件的表面上。

在示例性实施方案中，所述显示装置进一步包括：在所述第一电极上的第一接触电极，使得所述第一接触电极与所述发光元件的第一端部部分接触(例如，物理接触)；以及在所述第二电极上的第二接触电极，使得所述第二接触电极与所述发光元件的第二端部部分接触(例如，物理接触)。

在示例性实施方案中，所述发光元件中的每一个包括第一半导体层、第二半导体层和在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的至少一个发光层，并且所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述至少一个发光层被绝缘膜包围。

根据本公开内容的上述和其它实施方案，因为所述发光元件墨包含表面活性剂，并且因此能够降低包含发光元件的墨的所述表面张力，所以所述发光元件墨可以均匀地铺展。

此外，通过使用所述发光元件墨可以改善印刷后发光元件的分散性。

根据以下详细描述、附图和权利要求，其它特征和实施方案将是显而易见的。

附图说明

通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的实施方案和特征将变得更加显而易见，在附图中：

图1是根据本公开内容的实施方案的显示装置的平面视图；

图2是图1的显示装置的像素的平面视图；

图3是沿图2的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的横截面视图；

图4是根据本公开内容的实施方案的发光元件的透视图；

图5和图6是根据本公开内容的其它实施方案的发光元件的透视图；

图7是根据本公开内容的实施方案的发光元件墨的透视图；

图8是例示出根据本公开内容的实施方案的制作显示装置的方法的流程图；

图9至图12是例示出图8的方法的有效行为的横截面视图；

图13至图15是例示出图8的方法的其它有效行为的横截面视图；

图16是根据生产例制备的墨#2的光学显微镜图像；以及

图17是根据生产例制备的墨#3的光学显微镜图像。

具体实施方式

现在将在下文参考附图更全面地描述本公开内容的主题，在附图中示出了本公开内容的示例性实施方案。然而，本公开内容的主题可以以不同的形式实施并且不应被解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开内容的范围。

还应理解，当层被称为在另一个层或衬底“上”时，它可以直接在另一个层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。相同的参考数字在说明书中通篇指代相同的组件。

应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不背离本公开内容的主旨和范围的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

本公开内容的各种实施方案的每个特征可以部分地或整体地结合或彼此结合，并且在技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施方案可以彼此独立地实施，或者可以在关联中一起实施。

在下文将参考附图描述本公开内容的实施方案。

图1是根据本公开内容的实施方案的显示装置的平面视图。

参考图1，显示装置10显示移动图像和/或静止图像。显示装置10可以是指提供显示屏的几乎所有类型(或种类)的电子装置。显示装置10的实例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机和摄像机。

显示装置10可以包括提供显示屏的显示面板。显示面板的实例包括无机发光二极管(ILED)显示面板、有机LED(OLED)显示面板、量子点发光二极管(QLED)显示面板、等离子体显示面板(PDP)和场发射显示(FED)面板。将在下文将显示装置10的显示面板描述为ILED显示面板，但本公开内容不限于此。

显示装置10的形状可以变化。例如，显示装置10可以具有在水平方向上比在垂直方向上延伸更长的长方形形状、在垂直方向上比在水平方向上延伸更长的长方形形状、正方形形状、具有圆角的长方形形状、其它多边形形状或圆形形状。显示装置10的显示区域DPA可以具有与显示装置10类似的形状。图1例示出了显示装置10和显示区域DPA具有在水平方向上比在垂直方向上延伸更长的长方形形状，但本公开内容不限于此。

显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中显示屏幕(例如，图像)的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示(或未设计成显示)屏幕(例如，图像)的区域。显示区域DPA也可以被称为有源区域，并且非显示区域NDA也可以被称为非有源区域。显示区域DPA可以通常占显示装置10的中间部分。

显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以布置在行方向和列方向上。像素PX可以在平面视图中具有长方形形状或正方形形状，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，像素PX可以具有相对于设定或特定方向倾斜的菱形形状。像素PX可以交替地布置成条纹样式或样式(是三星显示有限公司(Samsung DisplayCo.,Ltd.)的注册商标)。像素PX中的每一个可以包括一个或多于一个发光元件30，所述一个或多于一个的发光元件30发射设定或预定波长范围的光以发射设定或预定颜色的光。

非显示区域NDA可以在显示区域DPA的外围上。非显示区域NDA可以包围整个显示区域DPA或显示区域DPA的一部分。显示区域DPA可以具有长方形形状，并且非显示区域NDA可以与显示区域DPA的四个边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的挡板。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以在非显示区域NDA中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。

图2是图1的显示装置的像素的平面视图。

参考图2，像素PX可以包括多个子像素PXn(其中n是1至3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是蓝色、绿色和红色，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，子像素PXn可以发射相同(例如，基本上相同)颜色的光。图2例示出了像素PX包括三个子像素PXn，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，像素PX可以包括多于三个子像素PXn。

子像素PXn中的每一个可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中包括一个或多于一个发光元件30以发射设定或特定波长范围的光的区域，并且非发射区域可以是从发光元件30发射的光没有到达并且因此没有光从中发射的区域。发射区域EMA可以包括其中包括发光元件30的区域、以及输出从发光元件30发射的光的区域。

然而，本公开内容不限于此。发射区域EMA可以进一步包括其中从发光元件30发射的光被另一个元件反射或折射的区域。多个发光元件30可以在子像素PXn中，并且可以形成多个发射区域EMA，所述发射区域EMA包括其中包括多个发光元件30的区域以及与其中包括多个发光元件30的区域相邻的区域。

子像素PXn中的每一个可以包括切割区域CBA，所述切割区域CBA被包括在非发射区域中。切割区域CBA可以在发射区域EMA在第二方向DR2上的一个侧面上。切割区域CBA可以在第二方向DR2上相邻的一对子像素PXn的发射区域EMA之间。在显示装置10的显示区域DPA中，可以布置多个发射区域EMA和多个切割区域CBA。例如，多个发射区域EMA或多个切割区域CBA可以在第一方向DR1上接连地布置，并且多个发射区域EMA或多个切割区域CBA可以在第二方向DR2上交替地布置。多个切割区域CBA之间的在第一方向DR1上的距离可以小于多个发射区域EMA之间的在第一方向DR1上的距离。第二区块BNL2可以在多个切割区域CBA与多个发射区域EMA之间，并且多个切割区域CBA与多个发射区域EMA之间的距离可以根据第二区块BNL2的宽度而变化。在子像素PXn中的每一个的切割区域CBA中没有发光元件30，使得没有光从子像素PXn中的每一个的切割区域CBA中发射，但电极(21和22)的一部分可以在子像素PXn中的每一个的切割区域CBA中彼此分开。在子像素PXn中的每一个的切割区域CBA中，电极(21和22)可以被切割和分离。

图3是沿图2的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的横截面视图。图3例示出从图2的第一子像素PX1中的一个发光元件30的一个端部部分至另一个端部部分截取的横截面视图。

参考图3以及进一步参考图2，显示装置10可以包括第一衬底11，以及在第一衬底11上的半导体层、多个传导层和多个绝缘层。半导体层、传导层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层和发光元件层。

第一衬底11可以是绝缘衬底。第一衬底11可以由诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料形成。此外，第一衬底11可以是刚性衬底，或可以是可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性衬底。

光阻挡层BML可以在第一衬底11上。光阻挡层BML可以与第一晶体管T1的有源层ACT重叠。光阻挡层BML可以包含能够阻挡光(或者减少光的透射)的材料，并且可以因此防止或减少光入射到第一晶体管T1的有源层ACT上。例如，光阻挡层BML可以由能够阻挡或减少光的透射的不透明金属形成，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，可以不提供光阻挡层BML。

缓冲层12可以不仅在光阻挡层BML上，还可以在第一衬底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一衬底11上以保护第一晶体管T1免于可能穿透第一衬底11(其易受湿气影响)的湿气，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以包括(例如，由以下组成)：交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层12可以形成为多层膜，其中包含选自硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的至少一种的无机层交替地堆叠。

半导体层可以在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT。半导体层可以与第一栅极传导层中的栅极电极G1部分地重叠。

图3仅例示出第一子像素PX1的第一晶体管T1，但包括在第一子像素PX1中的晶体管的数量没有特别限制。第一子像素PX1可以包括多于一个晶体管。例如，第一子像素PX1可以包括包含第一晶体管T1的多于一个晶体管，例如，两个或三个晶体管。

半导体层可以包含多晶硅、单晶硅和/或氧化物半导体。在其中半导体层包含氧化物半导体的情况下，有源层ACT可以包括多个传导区(ACT_a和ACT_b)和在传导区(ACT_a和ACT_b)之间的沟道区ACT_c。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟镓锌锡(IGZTO)，但本公开内容不限于此。

在一些实施方案中，半导体层可以包含通过使无定形硅结晶所形成的多晶硅。在这种情况下，有源层ACT的传导区可以是掺杂有杂质的区。

第一栅极绝缘层13在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以不仅在半导体层上，还可以在缓冲层12的整个表面上。第一栅极绝缘层13可以起到第一子像素PX1的晶体管中的每一个的栅极绝缘膜的作用。第一栅极绝缘层13可以由诸如以硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物为例的无机材料作为无机层或此类无机层的堆叠体形成。

第一栅极传导层可以在第一栅极绝缘层13上。第一栅极传导层可以包括第一晶体管T1的栅极电极G1和存储电容器的第一电容器电极CSE1。栅极电极G1可以与有源层ACT的沟道区ACT_c在厚度方向上重叠。第一电容器电极CSE1可以与第二电容器电极CSE2在厚度方向上重叠。第一电容器电极CSE1可以联接至栅极电极G1并且与栅极电极G1一体形成。第一电容器电极CSE1可以与第二电容器电极CSE2在厚度方向上重叠，使得存储电容器可以形成在第一电容器电极CSE1与第二电容器电极CSE2之间。

第一栅极传导层可以形成为包含选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种的单层膜或多层膜，但本公开内容不限于此。

第一层间绝缘层15可以在第一栅极传导层上。第一层间绝缘层15可以执行第一栅极传导层与其上的其它层之间的绝缘膜的功能。第一层间绝缘层15可以覆盖和保护第一栅极传导层。第一层间绝缘层15可以由诸如以硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物为例的无机材料作为无机层或此类无机层的堆叠体形成。

第一数据传导层在第一层间绝缘层15上。第一数据传导层可以包括第一源极电极S1、第二漏极电极D1、数据线DTL和第二电容器电极CSE2。

第一晶体管T1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以经由穿透第一层间绝缘层15和第一栅极绝缘层13的接触孔与有源层ACT的传导区(ACT_a和ACT_b)接触(例如，物理接触)。第一晶体管T1的第一源极电极S1可以经由另一个接触孔电联接至光阻挡层BML。

数据线DTL可以将数据信号传送至第一子像素PX1的其它晶体管。在一些实施方案中，数据线DTL可以联接至第一子像素PX1的其它晶体管的源极电极/漏极电极，并且可以因此将向其施加的信号传送至第一子像素PX1的其它晶体管的源极电极/漏极电极。

第二电容器电极CSE2可以与第一电容器电极CSE1在厚度方向上重叠。例如，第二电容器电极CSE2可以与第一源极电极S1一体形成并且联接至第一源极电极S1。

第一数据传导层可以形成为包含选自Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的至少一种的单层膜或多层膜，但本公开内容不限于此。

第二层间绝缘层17可以在第一数据传导层上。第二层间绝缘层17可以起到第一数据传导层与在第一数据传导层上的层之间的绝缘膜的作用。此外，第二层间绝缘层17可以覆盖和保护第一数据传导层。第二层间绝缘层17可以由诸如以硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物为例的无机材料作为无机层或此类无机层的堆叠体形成。

第二数据传导层可以在第二层间绝缘层17上。第二数据传导层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一传导图案CDP。提供至第一晶体管T1的高电位电压(或第一电源电压)可以被施加至第一电压线VL1，并且提供至第二电极22的低电位电压(或第二电源电压)可以被施加至第二电压线VL2。在显示装置10的制作期间，用于对准发光元件30的对准信号可以施加至第二电压线VL2。

第一传导图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层17中的接触孔联接至第二电容器电极CSE2。第二电容器电极CSE2可以与第一源极电极S1一体形成，并且第一传导图案CDP可以电联接至第一源极电极S1。第一传导图案CDP可以与第一电极21接触(例如，物理接触)，并且第一晶体管T1可以将向其施加的第一电源电压从第一电压线VL1经由第一传导图案CDP传送至第一电极21。图3例示出第二数据传导层包括第一电压线VL1和一个第二电压线VL2，但本公开内容不限于此。第二数据传导层可以包括多于一个第一电压线VL1和多于一个第二电压线VL2。

第二数据传导层可以形成为包含选自Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的至少一种的单层膜或多层膜，但本公开内容不限于此。

第一平坦化层19可以在第二数据传导层上。第一平坦化层19可以包含诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，并且可以执行表面平坦化功能，但本公开内容不限于此。

多个第一区块BNL1、电极(21和22)、发光元件30、多个接触电极(CNE1和CNE2)以及第二区块BNL2可以在第一平坦化层19上作为显示元件层的元件。此外，多个绝缘层(PAS1、PAS2、PAS3和PAS4)可以设置在第一平坦化层19上。第一区块BNL1可以直接在第一平坦化层19上。第一区块BNL1可以在第一子像素PX1内在第二方向DR2上延伸，并且可以在发射区域EMA内，而不延伸进入第一子像素PX1的在第二方向DR2上邻近的子像素PXn中。第一区块BNL1可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且发光元件30可以在第一区块BNL1之间。可以在子像素PXn中的每一个中提供多个第一区块BNL1以形成线形图案。图3例示出在子像素PXn中的每一个中提供两个第一区块BNL1，但第一区块BNL1的数量没有特别限制。在一些实施方案中，可以取决于电极(21和22)的数量提供多于两个第一区块BNL1。

第一区块BNL1可以从第一平坦化层19的顶表面至少部分地突起。第一区块BNL1突起的部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发射的光可以被第一区块BNL1上的电极(21和22)反射以发射在从第一平坦化层19的向上方向上。第一区块BNL1可以不仅提供其中布置有发光元件30的区域，还起到能够将从发光元件30发射的光反射在从第一平坦化层19的向上方向上的反射屏障的作用。第一区块BNL1的侧面可以是线性倾斜的，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，第一区块BNL1可以具有含有弯曲外表面的半圆形或半椭圆形形状。第一区块BNL1可以包含诸如PI的有机绝缘材料，但本公开内容不限于此。

电极(21和22)可以在第一区块BNL1和第一平坦化层19上。电极(21和22)可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

第一电极21和第二电极22可以在第一子像素PX1中的第二方向DR2上延伸，并且可以在切割区域CBA中被切割和分离。例如，第一子像素PX1的切割区域CBA可以在第一子像素PX1的发射区域EMA和与第一子像素PX1在第二方向DR2上相邻的邻近子像素PXn的发射区域EMA之间，并且第一电极21和第二电极22可以在切割区域CBA中被切割和分离，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，一些电极(21和22)可以延伸超过第一子像素PX1，而没有在切割区域CBA中被切割和分离，或者第一电极21和第二电极22中的仅一个可以在切割区域CBA中被切割和分离。

第一电极21可以经由第一接触孔CT1电联接至第一晶体管T1，并且第二电极22可以经由第二接触孔CT2电联接至第二电压线VL2。例如，第一电极21可以通过第一接触孔CT1与第一传导图案CDP接触(例如，物理接触)，所述第一接触孔CT1在第二区块BNL2的在第一方向DR1上延伸的部分中穿透第一平坦化层19，并且第二电极22可以通过第二接触孔CT2与第二电压线VL2接触(例如，物理接触)，所述第二接触孔CT2在第二区块BNL2的在第一方向DR1上延伸的部分中穿透第一平坦化层19。然而，本公开内容不限于该实例。在另一个实例中，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2可以在发射区域EMA中，其被第二区块BNL2包围，不与第二区块BNL2重叠。

图2和图3例示出一个第一电极21和一个第二电极22在子像素PXn中的每一个中，但本公开内容不限于此。例如，可以在子像素PXn中的每一个中提供多于一个第一电极21和多于一个第二电极22。第一电极21和第二电极22可以不必仅在一个方向上延伸，并且第一电极21和第二电极22的形状可以变化。例如，第一电极21和第二电极22可以部分弯曲或弯折，或者第一电极21和第二电极22中的一个可以包围另一个电极。

第一电极21和第二电极22可以直接在第一区块BNL1上。第一电极21和第二电极22可以形成为具有比第一区块BNL1更大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以覆盖第一区块BNL1的外表面。第一电极21和第二电极22可以在第一区块BNL1的侧表面上，并且第一电极21与第二电极22之间的距离可以小于第一区块BNL1之间的距离。第一电极21和第二电极22可以至少部分地直接在第一平坦化层19上，并且可以因此落在同一平面上。然而，本公开内容不限于此。在一些实施方案中，电极(21和22)可以具有比第一区块BNL1更小的宽度。电极(21和22)可以覆盖第一区块BNL1中的每一个的至少一个侧表面，并且因此反射从发光元件30发射的光。

电极(21和22)可以包含具有高反射率的传导材料。例如，电极(21和22)可以包含诸如银(Ag)、Cu和/或Al的具有高反射率的金属，和/或可以包含Al、Ni和/或镧(La)的合金。电极(21和22)可以将从发光元件30发射以朝向第一区块BNL1的侧面行进的光反射在从第一子像素PX1的向上方向上。

然而，本公开内容不限于以上，并且电极(21和22)可以进一步包含透明传导材料。例如，电极(21和22)可以包含诸如ITO、IZO和/或氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在一些实施方案中，电极(21和22)中的每一个可以形成其中透明传导材料和具有高反射率的金属堆叠成多于一个层的结构，或可以形成为包含透明传导材料和具有高反射率的金属的单层。例如，电极(21和22)中的每一个可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠体。

电极(21和22)可以电联接至发光元件30，并且可以向电极(21和22)施加设定或预定的电压，使得发光元件30可以发射光。电极(21和22)可以经由接触电极(CNE1和CNE2)电联接至发光元件30，并且可以将向其施加的电信号经由接触电极(CNE1和CNE2)传送至发光元件30。

第一电极21和第二电极22中的一个可以电联接至发光元件30的阳极电极，并且另一个电极可以电联接至发光元件30的阴极电极。然而，本公开内容不限于以上。在一些实施方案中，第一电极21和第二电极22中的一个可以电联接至发光元件30的阴极电极，并且另一个电极可以电联接至发光元件30的阳极电极。

电极(21和22)可以用于在第一子像素PX1中产生电场以对准发光元件30。发光元件30可以通过在第一电极21和第二电极22上产生的电场被布置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30可以经由喷墨印刷喷射在电极(21和22)上。当将包含发光元件30的墨喷射在电极(21和22)上时，可以通过向电极(21和22)施加对准信号来产生电场。散落在墨中的发光元件30可以受到来自电场的介电泳力，并且因此可以在改变它们的对准方向和位置的同时在电极(21和22)上对准。

第一绝缘层PAS1可以在第一平坦化层19上。第一绝缘层PAS1可以覆盖第一区块BNL1以及第一电极21和第二电极22。第一绝缘层PAS1可以保护第一电极21和第二电极22，并且可以使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止在第一绝缘层PAS1上的发光元件30与其它元件直接接触(例如，物理接触)并且被其它元件损坏(或者可以减少此类直接接触和/或损坏的可能性或程度)。

例如，第一绝缘层PAS1可以包括开口OP，所述开口OP暴露第一电极21和第二电极22的一部分。开口OP可以暴露电极(21和22)在第一区块BNL1的顶表面上的一部分。接触电极(CNE1和CNE2)的一部分可以与电极(21和22)通过开口OP暴露的部分接触(例如，物理接触)。

第一绝缘层PAS1可以形成为具有在第一电极21与第二电极22之间部分地凹陷的顶表面。因为第一绝缘层PAS1覆盖第一电极21和第二电极22，因此第一绝缘层PAS1可以在第一电极21与第二电极22之间形成为阶梯状的，但本公开内容不限于此。

如本文以下将进一步描述，表面活性剂可以在第一绝缘层PAS1的表面上。表面活性剂可以包含在发光元件墨中，所述发光元件墨具有散落在其溶剂中的发光元件30，并且甚至在去除溶剂之后，也可以保留至少一些表面活性剂。至少一些表面活性剂可以保留在向其施加发光元件墨的第一绝缘层PAS1的表面上。例如，基于氟(F)的表面活性剂和/或基于硅(Si)的表面活性剂可以保留在第一绝缘层PAS1上。至少一些表面活性剂也可以保留在发光元件30上。因为仅保留少量的表面活性剂，因此表面活性剂不影响(或基本上不影响)显示装置10的运行。

第二区块BNL2可以在第一绝缘层PAS1上。在平面视图中，第二区块BNL2可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分，并且可以因此布置成网格图案。第二区块BNL2可以沿子像素PXn中的每一个的边界定位以限定子像素PXn中的每一个。

此外，第二区块BNL2可以包围子像素PXn中的每一个的发射区域EMA和切割区域CBA以分开子像素PXn中的每一个的发射区域EMA和切割区域CBA。第一电极21和第二电极22可以跨在第一方向DR1上延伸的第二区块BNL2的一部分在第二方向DR2上延伸。在第二方向DR2延伸的第二区块BNL2的部分在发射区域EMA之间可以具有比在切割区域CBA之间更大的宽度。因此，切割区域CBA之间的距离可以小于发射区域EMA之间的距离。

第二区块BNL2可以形成为具有比第一区块BNL1更大的高度。第二区块BNL2可以防止或减少在作为显示装置10的制作的一部分进行的喷墨印刷过程期间在不同子像素PXn之间墨的溢出，并且可以在不同子像素PXn之间分开具有散落在其中的发光元件30的墨，以防止或减少墨的混合。类似于第一区块BNL1，第二区块BNL2可以包含PI，但本公开内容不限于此。

发光元件30可以在第一绝缘层PAS1上。多个发光元件30可以在其中电极(21和22)延伸的方向上(例如，在第二方向DR2上)彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件30可以在一个方向上延伸，并且其中电极(21和22)延伸的方向可以与其中发光元件30延伸的方向基本上形成直角。然而，本公开内容不限于此。在一些实施方案中，发光元件30可以相对于其中电极(21和22)延伸的方向不垂直地布置，而是对角地布置。

发光元件30可以包括(图4的)发光层36，并且发光元件30的发光层36的材料可以从每个像素PX的一个子像素PXn至另一个子像素PXn而不同，使得每个像素PX的不同子像素PXn可以发射不同波长范围的光。因此，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别发射第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，每个像素PX的不同子像素PXn可以包括相同类型(或种类)的发光元件，并且因此可以发射基本上相同颜色的光。

发光元件30中的每一个的两个端部部分可以在电极(21和22)上。发光元件30的长度可以大于第一电极21与第二电极22之间的距离，并且发光元件30中的每一个的两个端部部分可以在第一电极21和第二电极22上。例如，发光元件30的第一端部部分可以在第一电极21上，并且发光元件30的第二端部部分可以在第二电极22上。

在发光元件30的每一个中，多个层可以布置在与第一衬底11的顶表面或第一平坦化层19的顶表面垂直(例如，基本上垂直)的方向上。其中发光元件30延伸的方向可以与第一平坦化层19的顶表面平行(例如，基本上平行)，并且包括在发光元件30中的每一个中的多个半导体层可以依次布置在与第一平坦化层19的顶表面平行(例如，基本上平行)的方向上。然而，本公开内容不限于以上。在一些实施方案中，多个半导体层可以布置在与第一平坦化层19的顶表面垂直(例如，基本上垂直)的方向上。

发光元件30中的每一个的两个端部部分可以与接触电极(CNE1和CNE2)接触(例如，物理接触)。例如，(图4的)绝缘膜38可以不形成在发光元件30中的每一个的一个端部处，使得发光元件30中的每一个的(图4的)半导体层(31和32)和/或(图4的)电极层37可以被暴露并且可以与接触电极(CNE1和CNE2)接触(例如，物理接触)，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，可以去除绝缘膜38的至少一部分，使得半导体层(31和32)的侧面可以被部分地暴露。发光元件30中的每一个的半导体层(31和32)的暴露的侧面可以与接触电极(CNE1和CNE2)直接接触(例如，物理接触)。

第二绝缘层PAS2可以部分地在发光元件30上。例如，第二绝缘层PAS2的宽度可以小于发光元件30的长度，并且第二绝缘层PAS2可以在发光元件30上以包围发光元件30并且暴露发光元件30中的每一个的两个端部部分。第二绝缘层PAS2可以最初在显示装置10的制作期间覆盖发光元件30、电极(21和22)和第一绝缘层PAS1，并且可以然后被去除以暴露发光元件30中的每一个的两个端部部分。第二绝缘层PAS2可以在第一绝缘层PAS1上方在第二方向DR2上延伸，并且因此，形成在平面视图中在第一子像素PX1中的线性或岛状图案。在显示装置10的制作期间，第二绝缘层PAS2可以保护发光元件30并且可以固定发光元件30。

接触电极(CNE1和CNE2)和第三绝缘层PAS3可以在第二绝缘层PAS2上。

接触电极(CNE1和CNE2)可以在一个方向上延伸，并且可以在电极(21和22)上。接触电极(CNE1和CNE2)可以包括在第一电极21上的第一接触电极CNE1以及在第二电极22上的第二接触电极CNE2。接触电极(CNE1和CNE2)可以彼此间隔开并且彼此面对。例如，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别在第一电极21和第二电极22上，以在第一方向DR1上彼此间隔开。接触电极(CNE1和CNE2)可以在第一子像素PX1的发射区域EMA中形成条纹图案。

接触电极(CNE1和CNE2)可以与发光元件30接触(例如，物理接触)。第一接触电极CNE1可以与发光元件30的第一端部部分接触(例如，物理接触)，并且第二接触电极CNE2可以与发光元件30的第二端部部分接触(例如，物理接触)。发光元件30中的每一个的半导体层可以在相应的发光元件30的两个端部处被暴露，并且接触电极(CNE1和CNE2)可以与发光元件30中的每一个的半导体层接触(例如，物理接触)并且电联接至发光元件30中的每一个的半导体层。与发光元件30中的每一个的两个端部部分接触(例如，物理接触)的接触电极(CNE1和CNE2)的侧面可以在第二绝缘层PAS2上。第一接触电极CNE1可以通过暴露第一电极21的顶表面的一部分的开口OP与第一电极21接触(例如，物理接触)，并且第二接触电极CNE2可以通过暴露第二电极22的顶表面的一部分的开口OP与第二电极22接触(例如，物理接触)。

接触电极(CNE1和CNE2)的宽度可以小于电极(21和22)的宽度。接触电极(CNE1和CNE2)可以与发光元件30中的每一个的两个端部部分接触(例如，物理接触)并且覆盖第一电极21和第二电极22的顶表面的一部分，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，接触电极(CNE1和CNE2)可以形成为具有比电极(21和22)更大的宽度，并且因此覆盖电极(21和22)中的每一个的两个侧面。

接触电极(CNE1和CNE2)可以包含透明传导材料，例如，以ITO、IZO、ITZO和/或Al为例。从发光元件30发射的光可以通过接触电极(CNE1和CNE2)朝向电极(21和22)行进，但本公开内容不限于此。

图2和图3例示出在子像素PXn中的每一个中提供接触电极(CNE1和CNE2)，但本公开内容不限于此。接触电极(CNE1和CNE2)的数量可以取决于子像素PXn中的每一个中的电极(21和22)的数量而变化。

第三绝缘层PAS3可以覆盖第一接触电极CNE1。第三绝缘层PAS3可以不仅覆盖第一接触电极CNE1，还覆盖第一接触电极CNE1定位在其中的第二绝缘层PAS2的侧面。例如，第三绝缘层PAS3可以覆盖第一接触电极CNE1和第一电极21上的第一绝缘层PAS1。这种类型(或种类)的布置可以通过以下获得：在发射区域EMA的整个表面上形成用于形成第三绝缘层PAS3的绝缘材料层，并且部分地去除用于形成第三绝缘层PAS3的绝缘材料层以形成第二接触电极CNE2。在这种过程中，用于形成第三绝缘层PAS3的绝缘材料层可以与用于形成第二接触电极CNE2的绝缘材料层一起被去除，并且第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的侧面可以彼此对准。第二接触电极CNE2的侧面可以在第三绝缘层PAS3上，并且第二接触电极CNE2可以通过第三绝缘层PAS3与第一接触电极CNE1绝缘(例如，电绝缘)。

第四绝缘层PAS4可以在第一衬底11的显示区域DPA的整个表面上。第四绝缘层PAS4可以保护第一衬底11上的元件免于外部环境。可以不提供第四绝缘层PAS4。

第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包含无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包含无机绝缘材料，例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化铝(Al₂O₃)和/或氮化铝(AlN)，但本公开内容不限于此。在另一个实例中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包含有机绝缘材料，例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚亚苯基硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯和/或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂，但本公开内容不限于此。

图4是根据本公开内容的实施方案的发光元件的透视图。

参考图4，发光元件30可以是发光二极管(LED)，例如，具有几微米或几纳米的尺寸并且由无机材料形成的ILED。如果在两个相对电极之间的设定或特定的方向上形成电场，ILED可以在其中形成极性的两个电极之间对准。发光元件30可以通过在两个电极之间形成的电场对准。

发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件30可以具有圆柱体、棒、线或管的形状，但发光元件30的形状没有特别限制。在一些实施方案中，发光元件30可以具有多边形柱的形状，例如规则的立方体、长方形平行六面体或六边形柱，或者可以具有在一个方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。包括在发光元件30中的多个半导体层可以在其中发光元件30延伸的方向上依次布置或堆叠。

发光元件30可以包括掺杂有设定或任意的传导类型(例如，p-型或n-型)的杂质的半导体层。半导体层可以接收来自外部电源的电信号以发射设定或特定的波长范围的光。

参考图4，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。

第一半导体层31可以包含n-型半导体。在其中发光元件30发射蓝色波长范围的光的情况下，第一半导体层31可以包含半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)。半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN可以是选自掺杂有n-型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n-型掺杂剂，并且n-型掺杂剂可以是Si、Ge和/或Sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n-型Si的n-GaN。第一半导体层31可以具有1.5μm至5μm的长度，但本公开内容不限于此。

第二半导体层32可以在发光层36上。第二半导体层32可以包含p-型半导体。在其中发光元件30发射蓝色或绿色波长范围的光的情况下，第二半导体层32可以包含半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)。例如，半导体材料Al_xGa_yIn_1-x-yN可以是选自掺杂有p-型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p-型掺杂剂，并且p-型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se和/或Ba。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p-型Mg的p-GaN。第二半导体层32可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但本公开内容不限于此。

图4例示出第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层膜，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，第一半导体层31和第二半导体层32中的每一个可以取决于发光层36的材料而包括多于一个层，例如，以包覆层和/或拉伸应变势垒降低(TSBR)层为例。

发光层36可以在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包含单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在其中发光层36包含具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。发光层36可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32向其施加的电信号使电子-空穴对复合来发射光。在其中发光层36发射蓝色波长范围的光的情况下，量子层可以包含诸如AlGaN和/或AlGaInN的材料。在一些实施方案中，在其中发光层36具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包含诸如AlGaN和/或AlGaInN的材料，并且阱层可以包含诸如GaN或AlInN的材料。例如，在其中发光层36包含AlGaInN作为其量子层以及AlInN作为其阱层的情况下，发光层36可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝色光。

然而，本公开内容不限于此。在一些实施方案中，发光层36可以具有其中具有大带间隙能量的半导体材料和具有小带间隙能量的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以取决于待发射的光的波长而包含第III族或第V族半导体材料。由发光层36发射的光的类型(或种类)没有特别限制。发光层36可以按需要发射红色或绿色波长范围的光，而不是蓝色光。发光层36可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但本公开内容不限于此。

光不仅可以从发光元件30的外围或圆周表面在长度方向上发射，还可以从发光元件30的两个侧面发射。由发光层36发射的光的方向性没有特别限制。

电极层37可以是欧姆接触电极，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，电极层37可以是肖特基(Schottky)接触电极(例如，由半导体和金属的结形成的半导体二极管)。发光元件30可以包括至少一个电极层37。图4例示出发光元件30包括一个电极层37，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，发光元件30可以包括多于一个电极层37，或者可以不提供电极层37。然而，发光元件30的以下描述也可以直接适用于具有多于一个电极层37或具有与图4的发光元件30不同的结构的发光元件30。

当发光元件30电联接至电极(或接触电极)时，电极层37可以减少发光元件30与电极(或接触电极)之间的电阻。电极层37可以包含传导金属(例如，导电金属)。例如，电极层37可以包含选自Al、Ti、In、Au、Ag、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。此外，电极层37可以包含掺杂有n-型或p-型掺杂剂的半导体材料。电极层37可以包含相同的材料或不同的材料，但本公开内容不限于此。

绝缘膜38可以包围第一半导体层31和第二半导体层32以及电极层37。例如，绝缘膜38可以包围至少发光层36，并且可以在其中发光元件30延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37。例如，绝缘膜38可以形成为包围第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧面，但暴露发光元件30在长度方向上的两个端部部分。

图4例示出绝缘膜38形成为在发光元件30的长度方向上延伸并且覆盖第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧面，但本公开内容不限于此。绝缘膜38可以覆盖仅发光层36的侧面以及第一半导体层31和第二半导体层32的一些，或者可以覆盖电极层37的侧面的仅一部分，使得可以部分地暴露电极层37的侧面。绝缘膜38可以形成为在与发光元件30的至少一个端部相邻的区中在横截面视图中是圆形的。

绝缘膜38可以具有10nm至1.0μm的厚度，但本公开内容不限于此。在一些实施方案中，绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。

绝缘膜38可以包含具有绝缘性质(例如，电绝缘性质)的材料，例如，以硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、AlN和/或Al₂O₃为例。因此，绝缘膜38可以防止当将发光层36放置成与将电信号直接传送至发光元件30的电极直接接触(例如，物理接触)时可能发生的任何短路(或者可以减少此类短路的可能性或程度)。此外，因为绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件30的外表面，因此可以防止或减少发光元件30的发射效率的任何降低(或基本上任何降低)。

绝缘膜38的外表面可以经受表面处理。发光元件30可以在散落在设定或预定的墨中的同时喷射在电极上。在此，可以对绝缘膜38的表面进行疏水处理或亲水处理，以保持发光元件30散落在墨中而不与其它邻近的发光元件30聚集。例如，可以用诸如硬脂酸和/或2,3-萘二甲酸的材料对绝缘膜38进行表面处理。

发光元件30的长度h可以是1μm至10μm或2μm至6μm，例如，3μm至5μm。发光元件30可以具有30nm至700nm的直径，并且可以具有1.2至100的纵横比，但本公开内容不限于此。包括在显示装置10中的不同的发光元件30可以取决于它们各自的发光层36的组成而具有不同的直径。在一些实施方案中，发光元件30可以具有约500nm的直径。

发光元件30的形状和材料没有特别限制。在一些实施方案中，发光元件30可以包括比图4中例示的那些更多的层，或者可以具有与图4中例示的形状不同的形状。

图5和图6是根据本公开内容的其它实施方案的发光元件的透视图。

参考图5，发光元件30'可以包括第一半导体层31'、第二半导体层32'和发光层36'，并且可以进一步包括在第一半导体层31'与发光层36'之间的第三半导体层33'，以及在发光层36'与第二半导体层32'之间的第四半导体层34'和第五半导体层35'。发光元件30'可以包括至少部分地包围第一半导体层31'、第二半导体层32'、第三半导体层33'、第四半导体层34'和第五半导体层35'以及发光层36'的绝缘膜38'。发光元件30'与图4的发光元件30不同在于它包括多个半导体层(33'、34'和35')和多个电极层(37a'和37b')，并且发光层36'包括与图4的发光层36不同的元件或材料。将在下文描述发光元件30'，主要关注与图4的发光元件30的差异。

图4的发光元件30的发光层36可以包含氮(N)，并且可以因此发射蓝色光或绿色光。在一些实施方案中，图5的发光元件30'的发光层36'和半导体层(33'、34'和35')可以包含含有至少磷(P)的半导体。发光元件30'可以发射具有620nm至750nm的中心波长范围的红色光。然而，红色光的中心波长范围没有特别限制，并且可以理解为涵盖可以视为红色光的所有波长范围。

在一些实施方案中，第一半导体层31'可以是包含半导体材料In_xAl_yGa_1-x-yP(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的n-型半导体层。第一半导体层31'可以包含选自掺杂有n-型掺杂剂的InAlGaP、GaP、AlGaP、InGaP、AlP和InP中的至少一种。例如，第一半导体层31'可以是掺杂有n-型Si的n-InAlGaP。

第二半导体层32'可以是包含半导体材料In_xAl_yGa_1-x-yP(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的p-型半导体层。第二半导体层32'可以包含选自掺杂有p-型掺杂剂的InAlGaP、GaP、AlGaP、InGaP、AlP和InP中的至少一种。例如，第二半导体层32'可以是掺杂有p-型镁(Mg)的p-GaP。

发光层36'可以在第一半导体层31'与第二半导体层32'之间。发光层36'可以包含单量子阱结构材料或多量子阱结构材料，并且可以因此发射设定或特定的波长范围的光。在其中发光层36'具有其中量子层和阱层交替地堆叠以形成多量子阱结构的结构的情况下，量子层可以包含诸如AlGaP和/或AlGaInP的材料并且阱层可以包含诸如GaP和/或AlInP的材料。例如，发光层36'可以包含AlGaInP作为量子层以及AlInP作为阱层，并且可以因此发射具有620nm至750nm的中心波长范围的红色光。

发光元件30'可以进一步包括与发光层36'相邻的包覆层。在第一半导体层31'与第二半导体层32'之间、在发光层36'上方或下方的第三半导体层33'和第四半导体层34'可以是包覆层。

第三半导体层33'可以在第一半导体层31'与发光层36'之间。类似于第一半导体层31'，第三半导体层33'可以是n-型半导体层并且可以包含半导体材料In_xAl_yGa_1-x-yP(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)。例如，第一半导体层31'可以包含n-AlGaInP，并且第三半导体层33'可以包含n-AlInP。然而，本公开内容不限于该实例。

第四半导体层34'可以在发光层36'与第二半导体层32'之间。第四半导体层34'可以是包含半导体材料In_xAl_yGa_1-x-yP(其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的p-型半导体层。例如，第二半导体层32'可以包含p-GaP，并且第四半导体层34'可以包含p-AlInP。

第五半导体层35'可以在第二半导体层32'与第四半导体层34'之间。类似于第二半导体层32'和第四半导体层34'，第五半导体层35'可以是p-型半导体层。在一些实施方案中，第五半导体层35'可以减少第二半导体层32'与第四半导体层34'之间的晶格常数之差。第五半导体层35'可以是拉伸应变势垒降低(TSBR)层。例如，第五半导体层35'可以包含p-GaInP、p-AlInP和/或p-AlGaInP，但本公开内容不限于此。第三半导体层33'、第四半导体层34'和第五半导体层35'可以具有0.08μm至0.25μm的长度，但本公开内容不限于此。

第一电极层37a'和第二电极层37b'可以在第一半导体层31'和第二半导体层32'上。第一电极层37a'可以在第一半导体层31'的底表面上，并且第二电极层37b'可以在第二半导体层32'的顶表面上。然而，本公开内容不限于此，并且可以不省略第一电极层37a'和第二电极层37b'中的至少一个。例如，第一电极层37a'可以不在第一半导体层31'的底表面上，并且仅第二电极层37b'可以在第二半导体层32'的顶表面上。

参考图6，发光元件30”可以在一个方向上延伸，并且可以部分地倾斜。例如，发光元件30”可以部分地具有圆锥形形状。

在发光元件30”中，多个层可以形成为彼此包围，而不是在一个方向上堆叠。发光元件30”可以具有高度h”，并且可以包括在一个方向上延伸的半导体核和形成为包围半导体核的绝缘膜38”。半导体核可以包括第一半导体层31”、发光层36”、第二半导体层32”和电极层37”。

第一半导体层31”可以在一个方向上延伸，并且可以在其两个端部处朝向发光元件30”的中心倾斜。第一半导体层31”可以包括具有棒形状或圆柱形形状的主体部分、以及在主体部分的顶部和底部处形成为倾斜的上端部部分和下端部部分。上端部部分可以比下端部部分更陡。

发光层36”可以包围第一半导体层31”的主体部分的外表面。发光层36”可以具有在一个方向上延伸的环形形状。发光层36”可以不形成在第一半导体层31”的上端部部分和下端部部分上，但本公开内容不限于此。从发光层36”发射的光可以不仅通过发光元件30”在长度方向上的两个端部输出，还可以通过发光元件30”的侧表面输出。发光元件30”可以具有比图4的发光元件30更宽的发光层36”，并且可以因此发射比图4的发光元件30更大量的光。

第二半导体层32”可以包围发光层36”的外表面和第一半导体层31”的上端部部分。第二半导体层32”可以包括具有在一个方向上延伸的环形形状的主体部分和形成为倾斜的上端部部分。例如，第二半导体层32”可以与发光层36”的侧表面和第一半导体层31”的上端部部分直接接触(例如，物理接触)。然而，第二半导体层32”可以不形成在第一半导体层31”的下端部部分上。

电极层37”可以包围第二半导体层32”的外表面。电极层37”的形状可以与第二半导体层32”基本上相同。电极层37”可以与第二半导体层32”的整个外表面接触(例如，物理接触)。

绝缘膜38”可以包围电极层37”和第一半导体层31”的外表面。绝缘膜38”可以不仅与电极层37”直接接触(例如，物理接触)，还与第一半导体层31”的下端部部分、发光层36”和第二半导体层32”的暴露的下端部直接接触(例如，物理接触)。

在一些实施方案中，再次参考图2和图3，发光元件30可以经由喷墨印刷喷射在电极(21和22)上。发光元件30可以分散在溶剂中以制备成墨状态，并且可以然后喷射在电极(21和22)上。然后，当向电极(21和22)施加对准信号时，发光元件30可以布置在电极(21和22)之间。一旦向电极(21和22)施加对准信号，可以在电极(21和22)上产生电场，并且发光元件30可以受到来自电场的介电泳力并且可以在改变其对准方向和位置的同时在电极(21和22)上对准。

取决于喷墨印刷机的性能和/或发光元件墨的物理性质，可能出现在经由喷墨印刷喷射的包括发光元件30的墨(下文中称为发光元件墨)滴落的位置中的误差。在这种情况下，发光元件墨滴可能在子像素PXn中的每一个(例如，第一子像素PX1)中偏离中心滴落。发光元件墨具有设定或预定的表面张力，并且(图3的)第一绝缘层PAS1可以取决于发光元件墨的表面张力而突起。如果发光元件墨的表面张力小于第一绝缘层PAS1的表面张力，则发光元件墨可以适当地铺展在(图3的)第二区块BNL2的部分之间，使得发光元件30可以均匀地分布。相反，如果发光元件墨的表面张力大于第一绝缘层PAS1的表面张力，则发光元件墨不能适当地铺展，而可能偏离中心下落，例如，当在发光元件墨滴落的位置中出现误差时。因此，发光元件30也可以偏离中心布置，使得第一子像素PX1的亮度可以变得不均匀。

发光元件墨可以包含(图7的)表面活性剂250，使得发光元件墨的表面张力可以降低。发光元件墨的表面张力可以与第一绝缘层PAS1的表面张力相同或小于第一绝缘层PAS1的表面张力。因此，即使在滴落发光元件墨的位置中出现误差，发光元件墨仍然可以均匀地铺展在第二区块BNL2的部分之间，并且因此，发光元件30可以均匀地分布。

在下文将描述发光元件墨的实施方案。

图7是根据本公开内容的实施方案的发光元件墨的透视图。

参考图7，发光元件墨200可以包含发光元件溶剂220、散落在发光元件溶剂220中的发光元件30、以及表面活性剂250。发光元件30中的每一个可以是图4、图5和图6的发光元件(30、30'和30”)中的一个，例如，图4的发光元件30，并且因此，在此将不再重复其重复性描述。相反，在下文将主要描述发光元件溶剂220和表面活性剂250。

发光元件溶剂220可以储存其中散落有各自包括半导体层的发光元件30，并且可以是不与发光元件30反应(或者基本上不反应)的有机溶剂。发光元件溶剂220可以具有这样的粘度，使得它可以通过喷墨印刷装置的喷嘴以其液体状态排出。发光元件溶剂220的溶剂分子可以包围和分散发光元件30。发光元件墨200可以制备成包含发光元件30的溶液或胶体状态。

发光元件溶剂220可以是丙酮、水、醇、甲苯、丙二醇(PG)、丙二醇甲基乙酸酯(PGMA,propylene glycol methyl acetate)、三乙二醇单丁醚(TGBE)、二乙二醇单苯醚(DGPE)、酰胺溶剂、二羰基溶剂、二乙二醇二苯甲酸酯、三羰基溶剂、柠檬酸三乙酯、基于邻苯二甲酸酯的溶剂、邻苯二甲酸丁苄酯、邻苯二甲酸双(2-乙基己基)酯、间苯二甲酸双(2-乙基己基)酯和/或乙基邻苯二甲酰基乙基乙醇酸酯，但本公开内容不限于此。

表面活性剂250可以与发光元件30一起分散在发光元件溶剂220中。表面活性剂250包含在发光元件墨200中以减少发光元件墨200的表面张力并且增加发光元件墨200(例如，以改善发光元件墨200的粘度和/或流动)的平滑度。表面活性剂250可以减少在发光元件墨200与待向其施加发光元件墨200的第一绝缘层PAS1之间的界面的表面能。当向第一绝缘层PAS1施加发光元件墨200时，表面活性剂250可以与第一绝缘层PAS1相邻，使得在第一绝缘层PAS1与发光元件墨200之间的界面处的表面能可以减小。

发光元件墨200的表面张力可以是28dyn/cm至38dyn/cm，但本公开内容不限于此。发光元件墨200的表面张力可以根据将发光元件墨200喷射在其上的层的表面张力来调节。例如，发光元件墨200的表面张力可以与将发光元件墨200喷射在其上的层的表面张力相同或小于将发光元件墨200喷射在其上的层的表面张力。因为将发光元件墨200喷射在第一绝缘层PAS1上，因此发光元件墨200的表面张力可以与第一绝缘层PAS1的表面张力相同或小于第一绝缘层PAS1的表面张力。

当发光元件墨200的表面张力在上述范围内时，发光元件墨200可以具有设定或预定的接触角。发光元件墨200相对于玻璃衬底的表面可以具有(例如，可以形成)23°至27°的接触角。当发光元件墨200的接触角是23°或大于23°时，可以防止或减少发光元件墨200从图3的第二区块BNL2中溢出。当发光元件墨200的接触角是27°或小于27°时，发光元件墨200可以在第二区块BNL2的部分之间广泛地铺展。

包含在发光元件墨200中的表面活性剂250可以是基于F的表面活性剂和/或基于Si的表面活性剂。

基于F的表面活性剂可以每个F原子键合的分子具有1个至16个碳原子，或者例如，4个至16个碳原子。基于F的表面活性剂可以是例如，具有三氟甲基的化合物、四氟乙烯、全氟烷基磺酸化合物、全氟烷基羧酸化合物、全氟烷基磷酸酯化合物、全氟烷基环氧乙烷化合物和/或具有全氟烷基醚基团的聚氧化烯醚聚合物。全氟烷基磺酸化合物的实例包括全氟烷基磺酸和全氟烷基磺酸酯。全氟烷基羧酸化合物的实例包括全氟烷基羧酸和全氟烷基羧酸酯。全氟烷基磷酸酯化合物的实例包括全氟烷基磷酸酯和全氟烷基磷酸酯盐。具有全氟烷基醚基团的聚氧化烯醚聚合物的实例包括在其侧链上具有全氟烷基醚基团的聚氧化烯醚聚合物以及在其侧链上具有全氟烷基醚基团的聚氧化烯醚聚合物的硫酸酯盐或盐。

基于Si的表面活性剂可以是聚硅氧烷化合物，例如聚硅氧烷改性的聚硅氧烷化合物、聚酯改性的聚硅氧烷化合物、聚醚改性的羟基官能的聚硅氧烷化合物、胺改性的聚硅氧烷化合物和/或环氧改性的聚硅氧烷化合物。

为示例性的基于F的表面活性剂的具有三氟甲基的化合物的临界表面张力是6dyn/cm，并且为另一个示例性的基于F的表面活性剂的四氟乙烯的临界表面张力可以是18.5dyn/cm。为示例性的基于Si的表面活性剂的硅氧烷的临界表面张力可以是24dyn/cm。通过使用来自上述表面活性剂中的具有1dyn/cm至25dyn/cm的临界表面张力的表面活性剂，可以使发光元件墨200在第二区块BNL2的部分之间均匀地铺展。

发光元件墨200可以含有其每单位重量设定或特定量的发光元件30，并且可以相对于发光元件墨200的量以设定或特定的量含有表面活性剂250。

相对于100重量份的发光元件墨200，发光元件墨200可以包含0.01重量份至1重量份的表面活性剂250。如果相对于100重量份的发光元件墨200，发光元件墨200含有0.01或大于0.01重量份的表面活性剂250，则发光元件墨200的表面张力可以降低，使得发光元件墨200可以适当地铺展。如果相对于100重量份的发光元件墨200，发光元件墨200含有1或小于1重量份的表面活性剂250，则可以防止或减少发光元件墨200在滴落时从不同子像素PXn之间的第二区块BNL2中溢出，并且因此，可以防止或减少可加工性的劣化。当发光元件墨200含有上述范围内的表面活性剂250时，发光元件墨200可以在每个子像素PXn中均匀地铺展。

发光元件墨200中的发光元件30的含量可以取决于在印刷期间通过喷嘴射出的每单位液滴的发光元件墨200的发光元件30的数量而变化。例如，基于100重量份的发光元件墨200，可以以0.01重量份至1重量份的量含有发光元件30，但本公开内容不限于此。发光元件30的含量可以取决于每单位液滴的发光元件墨200的发光元件30的数量而变化。

发光元件墨200可以进一步包含改善发光元件30的分散性的分散剂。分散剂的类型(或种类)没有特别限制，并且可以将适合或适当的量的分散剂添加至发光元件墨200以进一步分散发光元件30。例如，相对于100重量份的发光元件30，可以含有10重量份至50重量份的分散剂，但本公开内容不限于此。

当使用发光元件墨200制作包含发光元件30的产品时，每单位面积可以布置均匀数量的发光元件30，并且在随后过程中，发光元件溶剂220可以被完全去除。然而，表面活性剂250的至少一些可以保持未被去除。可以使用发光元件墨200制作图1至图3的显示装置10。

在显示装置10的制作期间，发光元件30可以使用发光元件墨200经由印刷被布置在电极(21和22)上。

将在下文描述显示装置10的制作。

图8是例示出根据本公开内容的实施方案的制作显示装置的方法的流程图。

参考图8，方法可以包括：制备发光元件墨200，所述发光元件墨200包含发光元件30、发光元件溶剂220和表面活性剂250(S100)；制备其上形成多个电极(21和22)的目标衬底SUB并且将发光元件墨200喷射在电极(21和22)上(S200)；通过在电极(21和22)上产生电场来将发光元件30沉降在电极(21和22)上(S300)；以及通过在低压环境中热处理发光元件墨200来去除发光元件溶剂220(S400)。

将在下文参考图9至图15更详细地描述图8的方法。

图9至图12是例示出图8的方法的有效行为的横截面视图。

参考图9和图10，制备了包含发光元件30、发光元件溶剂220和表面活性剂250的发光元件墨200，以及其上包括第一电极21和第二电极22、第一绝缘层PAS1和第一区块BNL1的目标衬底SUB。图9和图10例示出在目标衬底SUB上提供一对电极(21和22)，但在目标衬底SUB上可以提供多于一对电极(21和22)。目标衬底SUB可以包括显示装置10的第一衬底11和在第一衬底11上的多个电路元件。为了方便，在此不再重复第一衬底11和电路元件的重复性描述和示例。

发光元件墨200可以包含发光元件溶剂220、以及散落或分散在发光元件溶剂220中的发光元件30和表面活性剂250。表面活性剂250可以均匀地分散在发光元件溶剂220中。包含表面活性剂250的发光元件墨200的表面张力可以是28dyn/cm至38dyn/cm，并且可以将发光元件30保持为长时间段分散。

发光元件墨200的制备可以通过为混合发光元件30、发光元件溶剂220和分散剂的过程的初始分散过程和为将表面活性剂250添加至通过初始分散过程获得的溶液的过程的第二分散过程来进行。

可以通过将发光元件30和分散剂在发光元件溶剂220中混合多于五分钟来进行初始分散过程。发光元件30可以具有1μm或小于1μm、或者约500nm的直径，以及1μm至10μm、或者约4μm的长度。基于100重量份的发光元件墨200，可以以0.01重量份至1重量份的量含有发光元件30，并且基于100重量份的发光元件30，可以以10重量份至50重量份的量含有分散剂。发光元件30、发光元件溶剂220和分散剂的混合可以通过超声处理、搅拌和/或研磨来进行。

此后，进行将表面活性剂250添加至通过初始分散过程获得的溶液并且将它们混合在一起的第二分散过程。基于100重量份的发光元件墨200，可以以0.01重量份至1重量份的量含有表面活性剂250。表面活性剂250和通过初始分散过程获得的溶液的混合可以通过依次进行超声处理和转动(steering)，各自持续五分钟来进行。此外，为了适当地混合表面活性剂250，表面活性剂250和通过初始分散过程获得的溶液的混合可以在高于室温(例如，25℃)的温度下，例如，在约40℃下进行。如果由于表面活性剂250的高粘度或仅少量的表面活性剂250的添加而难以精确配置，可以通过混合1重量份至10重量份的表面活性剂250与100重量份的溶剂来产生初始表面活性剂溶液。然后，初始表面活性剂溶液可以被稀释并且可以然后添加至发光元件墨200。

通过初始分散过程和第二分散过程获得的发光元件墨200可以在室温(例如，25℃)下储存。发光元件墨200的表面活性剂250与发光元件溶剂220和发光元件30可以均匀地分散，并且由于表面活性剂250的存在，发光元件墨200可以具有28dyn/cm至37dyn/cm的表面张力。可以将发光元件30保持为分散而几乎没有沉淀。

此后，参考图11和图12，将发光元件墨200喷射在覆盖在目标衬底SUB上的第一电极21和第二电极22的第一绝缘层PAS1上。发光元件墨200可以通过喷墨印刷装置经由印刷喷射在第一绝缘层PAS1上。可以通过喷墨印刷装置的喷头的喷嘴喷射发光元件墨200。发光元件墨200可以沿喷头中提供的内部流动路径流动并且可以然后通过喷嘴射出在目标衬底SUB上。从喷嘴射出的发光元件墨200可以沉降在目标衬底SUB上，例如，在其中形成了第一电极21和第二电极22的第一绝缘层PAS1上。发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以以随机对准方向散落在发光元件墨200中。

一旦将发光元件墨200喷射在第一绝缘层PAS1上，发光元件墨200可以由于表面活性剂250而在第二区块BNL2上方均匀地铺展。因为发光元件墨200的表面张力是28dyn/cm至37dyn/cm，因此可以防止或减少发光元件墨200从第二区块BNL2中溢出，并且发光元件墨200可以在第二区块BNL2的部分之间均匀地铺展。因此，散落在发光元件墨200中的发光元件30可以在第二区块BNL2的部分之间均匀地分布。

此后，通过在发光元件墨200中产生电场，将发光元件30沉降在第一电极21和第二电极22上(S300)，并且去除发光元件溶剂220(S400)。

图13至图15是例示出图8的方法的其它有效行为的横截面视图。

首先参考图13，一旦将包含发光元件30的发光元件墨200喷射在目标衬底SUB上，通过向第一电极21和第二电极22(通过源极AC提供)施加对准信号，在目标衬底SUB上产生电场。散落在发光元件溶剂220中的发光元件30可以受到来自电场EL的介电泳力，并且可以在改变对准方向和位置的同时在第一电极21和第二电极22上对准。

如果在目标衬底SUB上产生电场EL，则发光元件30可以受到介电泳力。如果平行(例如，基本上平行)于目标衬底SUB的顶表面产生电场，则发光元件30可以在第一电极21和第二电极22上对准成平行(例如，基本上平行)于目标衬底SUB。发光元件30可以由于介电泳力从其初始位置朝向第一电极21和第二电极22移动。在通过电场EL改变发光元件30的位置和对准方向时，发光元件30中的每一个的两个端部可以布置在第一电极21和第二电极22上。发光元件30中的每一个可以包括掺杂有不同传导类型的掺杂剂的半导体层并且可以具有偶极矩。因此，当放置在电场EL上时，发光元件30可以受到介电泳力并且可以因此使其两个端部部分在第一电极21和第二电极22上。

发光元件30的对准程度可以是指在目标衬底SUB上对准的发光元件30的对准方向和位置方面的任何偏差(或基本上任何偏差)。例如，如果存在发光元件30的对准方向和位置方面的大偏差，则发光元件30的对准程度可以理解为低的。相反，如果仅存在发光元件30的对准方向和位置方面的小偏差，则发光元件30的对准程度可以理解为高的或改善的。

一旦将发光元件30布置在第一电极21和第二电极22上，可以通过向发光元件墨200施加热量来进行发光元件溶剂220的去除。

参考图14和图15，发光元件溶剂220的去除可以在能够控制其内部压力的腔室VCD中进行。腔室VCD可以控制其内部压力，并且可以在腔室VCD的内部压力受控的情况下，通过向目标衬底SUB施加热量来去除发光元件溶剂220。

根据图8的方法，发光元件溶剂220可以在低压环境中经由热处理被完全去除。发光元件溶剂220的去除可以在10^-4托至1托的压力和25℃至150℃的温度下进行。当在上述压力范围内进行热处理时，发光元件溶剂220的沸点可以降低，并且因此，可以促进发光元件溶剂220的去除。热处理可以在腔室VCD中进行1分钟至30分钟，但本公开内容不限于此。

此后，多个绝缘层和接触电极形成在发光元件30以及第一电极21和第二电极22上，从而获得图2和图3的显示装置10。以这种方式，可以获得包括发光元件30的显示装置10。

可以使用包含表面活性剂250的发光元件墨200制作显示装置10。显示装置10可以具有每单位面积以高的对准程度布置的发光元件30，并且可以改善显示装置10的产品可靠性。

将在下文描述生产例以及实验例1和实验例2。

生产例：发光元件墨的制备

通过混合乙二醇醚溶剂和发光元件以生产发光元件墨来制备墨#1。基于100重量份的发光元件墨，以0.01重量份的量混合发光元件。通过基于100重量份的发光元件墨，将0.01重量份的具有三氟甲基的表面活性剂混合在墨#1中来制备墨#2。通过基于100重量份的发光元件墨，将0.01重量份的聚硅氧烷表面活性剂混合在墨#1中来制备墨#3。

实验例1：发光元件墨的表面张力的测量

使用迪努伊环法(Du Noüy ring method)测量墨#1、墨#2和墨#3的表面张力。

实验例2：发光元件墨的接触角的测量

将墨#1、墨#2和墨#3滴落在玻璃衬底上，并且然后测量墨#1、墨#2和墨#3的各自的接触角。

将墨#1、墨#2和墨#3的表面张力和接触角显示在以下表1中。

表1

	墨#1	墨#2	墨#3
				表面张力(dyn/cm)	42.5	32.4	30.5
接触角(°)	30.3	24.2	25.7

参考表1，包含基于F的表面活性剂的墨#2和包含基于Si的表面活性剂的墨#3的表面张力比不包含表面活性剂的墨#1的表面张力小至少10dyn/cm，并且墨#2和墨#3的接触角比墨#1的接触角小至少4度。

因此，如表1中示出，可以通过添加基于F的表面活性剂或基于Si的表面活性剂来减小发光元件墨的表面张力和接触角。

图16是根据生产例制备的墨#2的光学显微镜图像，并且图17是根据生产例制备的墨#3的光学显微镜图像。

参考图16，在基于100重量份的发光元件墨含有0.01重量份的量的基于F的表面活性剂的墨#2的情况下，发光元件均匀地分布在溶剂中。此外，参考图17，在每100重量份的发光元件墨含有0.01重量份的量的基于Si的表面活性剂的墨#3的情况下，发光元件均匀地分布在溶剂中。

因此，如图16和图17中示出，可以通过将基于F的表面活性剂或基于Si的表面活性剂添加至发光元件墨来改善发光元件的分散性。

在总结详细描述时，本领域技术人员应理解，在基本上不背离本公开内容的主旨和范围的情况下，可以对公开的实施方案进行许多变化和修改。因此，本公开内容的公开的实施方案仅以一般性且描述性意义使用，而非出于限制的目的。

Claims

1.发光元件墨，包含：

发光元件溶剂；

分散在所述发光元件溶剂中的发光元件，所述发光元件中的每一个包括多个半导体层和包围所述半导体层的外表面的一部分的绝缘膜；以及

分散在所述发光元件溶剂中的表面活性剂，所述表面活性剂包括基于氟的表面活性剂和/或基于硅的表面活性剂，

基于100重量份的所述发光元件墨，以0.01重量份至1重量份的量包含所述表面活性剂，

所述发光元件墨具有28 dyn/cm至38 dyn/cm的表面张力，

所述绝缘膜具有10 nm至1.0 µm的厚度，以及

所述发光元件墨相对于玻璃衬底的表面形成23°至27°的接触角。

2. 如权利要求1所述的发光元件墨，其中所述表面活性剂具有1 dyn/cm至25 dyn/cm的临界表面张力。

3.如权利要求1所述的发光元件墨，其中基于100重量份的所述发光元件墨，以0.01重量份至1重量份的量包含所述发光元件。

4.显示装置，包括：

衬底；

多个第一区块，所述多个第一区块在所述衬底上在第一方向上延伸并且彼此间隔开；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在所述第一方向上延伸并且在彼此间隔开的所述多个第一区块中的不同的第一区块上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述衬底上并且覆盖所述第一电极和所述第二电极的一部分；

在所述第一绝缘层上的多个发光元件，使得所述发光元件中的每一个的两个端部部分分别在所述第一电极和所述第二电极上；

在所述第一绝缘层的表面上的基于氟的表面活性剂和/或基于硅的表面活性剂；

所述发光元件具有偶极矩，

所述发光元件包括绝缘膜，以及

所述绝缘膜具有10 nm至1.0 µm的厚度，

所述显示装置是由权利要求1至3中任一项所述的发光元件墨制备的。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述表面活性剂进一步在所述发光元件的表面上。

6. 如权利要求4所述的显示装置，进一步包括：

在所述第一电极上的第一接触电极，使得所述第一接触电极与所述发光元件的第一端部部分接触；以及

在所述第二电极上的第二接触电极，使得所述第二接触电极与所述发光元件的第二端部部分接触。

7. 如权利要求4所述的显示装置，其中：

所述发光元件中的每一个包括第一半导体层、第二半导体层和在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的至少一个发光层，以及

所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述至少一个发光层被所述绝缘膜包围。