CN113851597A - 一种串联式oled器件及显示器 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供了一种串联式OLED器件及显示器,串联式OLED器件至少包括依次设置的:N型电荷生成层、金属离子吸收层、电子传输层;其中,所述N型电荷生成层掺杂有活泼金属,所述金属离子吸收层的电子迁移率处于所述N型电荷生成层和所述电子传输层之间,用于吸收所述N型电荷生成层在电场作用下产生的金属离子。本公开实施例在N型电荷生成层和电子传输层之间增加了一层金属离子吸收层,通过金属离子吸附本应该流至电子传输层的金属离子,进而让电子传输层不被金属离子干扰,从而稳定器件,提升器件寿命。
Description
技术领域
本公开涉及显示领域,特别涉及一种串联式OLED器件及显示器。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对显示器件的显示质量要求也越来越高。AR/VR的显示器因有户外使用场景需求,对器件的亮度要求会越来越高,相较于普通的单叠白光OLED器件,Tandem(串联式)白光OLED器件有长寿命、窄半峰宽(高色域)、低功耗的特点,成为AR/VROLED显示的新发展方向。
Tandem OLED器件中,RG发光层(红色绿色发光层)与B发光层(蓝色发光层)通过CGL连接,CGL通常为具有高载流子传输速率的有机材料并掺杂活泼金属(通常为Li)组成,在电场作用下,CGL层发生电荷分离,电子向ETL(电子传输层)传输,空穴向HTL(空穴传输层)传输(通常为P型有机材料),电子空穴的再分离为发光层提供了近双倍的载子量,在相同电流密度下,实现数倍于单叠OLED器件的发光效率。
虽然Tandem OLED器件具有诸多优点,但缺点也随之伴生。在电场作用下,Li(金属锂)提供一个电子跨越能障传输至器件ETL,用于发光,本身转变为Li+离子状态,随着长时间点亮,部分Li+(锂离子)会渗透至ETL层,造成ETL电子传输能力变弱,迁移率变低,导致器件升压,功耗提高,寿命下降。
发明内容
有鉴于此,本公开实施例提出了一种串联式OLED器件及显示器,用以解决现有技术的如下问题:Tandem OLED器件随着长时间点亮,部分Li+会渗透至ETL层,造成ETL电子传输能力变弱,迁移率变低,导致器件升压,功耗提高,寿命下降。
一方面,本公开实施例提出了一种串联式OLED器件,至少包括依次设置的:N型电荷生成层、金属离子吸收层、电子传输层;其中,所述N型电荷生成层掺杂有活泼金属,所述金属离子吸收层的电子迁移率处于所述N型电荷生成层和所述电子传输层之间,用于吸收所述N型电荷生成层在电场作用下产生的金属离子。
在一些实施例中,还包括:发光层组、空穴注入层和空穴传输层,所述发光层组包括蓝色、红色和绿色发光层,所述发光层组中的发光层分别与所述空穴传输层和所述电子传输层连接,所述空穴注入层与所述N型电荷生成层连接。
在一些实施例中,第一发光层与所述空穴传输层连接,第二发光层与所述电子传输层和第三发光层连接。
在一些实施例中,第一发光层为蓝色发光层。
在一些实施例中,第二发光层为绿色发光层。
在一些实施例中,第三发光层为红色发光层。
在一些实施例中,所述活泼金属至少包括锂。
在一些实施例中,所述N型电荷生成层的电子迁移率为10-3cm2V-1s-1。
在一些实施例中,电子传输层的电子迁移率为10-6cm2V-1s-1。
另一方面,本公开实施例提出了一种显示器,包括:本公开任意实施例所述的串联式OLED器件。
本公开实施例在N型电荷生成层和电子传输层之间增加了一层金属离子吸收层,通过金属离子吸附本应该流至电子传输层的金属离子,进而让电子传输层不被金属离子干扰,从而稳定器件,提升器件寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的串联式OLED器件的结构示意图;
图2为本公开实施例提供的串联式OLED器件的整体结构示意图;
图3为相关技术中串联式OLED器件锂离子渗透示意图;
图4为本公开实施例提供的串联式OLED器件锂离子渗透示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
本公开实施例提供了一种串联式OLED器件,其结构示意如图1所示,至少包括依次设置的:
N型电荷生成层1、金属离子吸收层2、电子传输层3;其中,N型电荷生成层1掺杂有活泼金属,金属离子吸收层2的电子迁移率处于N型电荷生成层1和电子传输层3之间,用于吸收N型电荷生成层1在电场作用下产生的金属离子。
具体实现时,上述金属离子吸收层的材质可以与N型电荷生成层中的ETL材质相同或相似,进而能够起到与ETL相同功能的作用。
本公开实施例在N型电荷生成层和电子传输层之间增加了一层金属离子吸收层,通过金属离子吸附本应该流至电子传输层的金属离子,进而让电子传输层不被金属离子干扰,从而稳定器件,提升器件寿命。
上述串联式OLED器件还可以包括:发光层组、空穴注入层和空穴传输层,发光层组包括蓝色、红色和绿色发光层(EML),发光层组中的发光层分别与空穴传输层和电子传输层连接,空穴注入层与N型电荷生成层连接。其中,第一发光层与空穴传输层连接,第二发光层与电子传输层和第三发光层连接;优选的,第一发光层为蓝色发光层,第二发光层为绿色发光层,第三发光层为红色发光层。具体设置时,上述空穴传输层还可以进一步拆分为两层,即电子迁移率不同的两层空穴传输层,与第一发光层连接的空穴传输层的厚度小于与空穴注入层连接的另一空穴传输层的厚度,厚度较小的空穴传输层的电子迁移率大于厚度较大的空穴传输层的电子迁移率。
如图2所示,为串联式OLED器件的整体结构示意,在图2中,HTL4(B-prime)即为厚度较小的空穴传输层,HTL3即为厚度较大的空穴传输层。下面,对该图中的各个层进行如下说明,其由上至下依次包括:CPL(光耦合层)、Mg:Ag(阴极层)、EIL(电子注入层)、ETL2(电子传输层2)、HBL(空穴阻挡层)、B-EML(蓝色发光层)、HTL4(B-prime)(空穴传输层4)、HTL3(空穴传输层3)、HIL2(p-CGL)(空穴注入层2)、n-CGL(ETL+Li)(N型电荷生成层)、n-CGL prime(金属离子吸收层)、ETL1(电子传输层1)、G-EML(绿色发光层)、R-EML(红色发光层)、HTL2(R-prime)(空穴传输层2)、HTL1(空穴传输层1)、HIL1(p-HTL)(空穴注入层1)、阳极层。电子迁移率由HTL4(B-prime)开始至HIL1(p-HTL)依次减小。
在图2所示的串联式OLED器件中,各个层的厚度可以在预定范围内进行调整,图2中并未示出不同层的不同厚度,但在具体设置时,不同层是具有不同厚度的,该图中由上至下的各个层厚度的预定范围依次可以包括:CPL 400-800埃、Mg:Ag 120-200埃、EIL 300-1000埃、ETL 250-350埃、HBL 50-200埃、B-EML 150-300埃、HTL4(B-prime)50-100埃、HTL3300-1150埃、HIL2(p-CGL)50-150埃、n-CGL(ETL+Li)100-250埃、n-CGL prime 50-100埃、ETL1 100-350埃、G-EML 50-200埃、R-EML 20-100埃、HTL2(R-prime)50-150埃、HTL1 100-300埃、HIL1(p-HTL)50-200埃,其中,阳极层厚度不进行限定。
上述活泼金属至少包括锂,当然,还可以其它与锂具有相同特征的活泼金属。
如图3所示,为相关技术中串联式OLED器件在长时间点亮后,在电场作用下n-CGL(ETL+Li,即N型电荷生成层)层的金属锂(Li)变为锂离子(Li+)后渗透到ETL层的示意图,图4为采用本公开实施例提供的串联式OLED器件结构后的示意图,由图4可以看出,锂离子后渗透到n-CGL prime层(即金属离子吸收层)后便不会再向ETL渗透,进而对阻止金属离子到达ETL具有较好效果。上述图3和图4为了更为清晰的说明锂离子渗透过程,因此省略及合并了图2中的部分结构,为图2所示的串联式OLED器件的简化图。
上述N型电荷生成层的电子迁移率通常为10-3cm2V-1s-1,电子传输层的电子迁移率为10-6cm2V-1s-1,因此,金属离子吸收层的电子传输材料的电子迁移率处于上述两个数值之间即可。
本公开实施例还提供了一种显示器,其包括上述的串联式OLED器件即可,上述串联式OLED器件制作方式为真空蒸镀,此处不进行赘述。
本公开实施例首次提出在n-CGL(即N型电荷生成层)与ETL之间引入n-CGL prime层(即金属离子吸收层),其特性与ETL的传输性能类似,Li+渗透至prime层易饱和(高电子迁移率ETL),防止持续渗透,稳定器件,提升寿命,同样的思路可应用于器件EIL层防漏电。
此外,尽管已经在本文中描述了示例性实施例,其范围包括任何和所有基于本公开的具有等同元件、修改、省略、组合(例如,各种实施例交叉的方案)、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释,并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例,其示例将被解释为非排他性的。因此,本说明书和示例旨在仅被认为是示例,真正的范围和精神由以下权利要求以及其等同物的全部范围所指示。
以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如,上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外,在上述具体实施方式中,各种特征可以被分组在一起以简单化本公开。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反,本公开的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而,以下权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中,其中每个权利要求独立地作为单独的实施例,并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本公开的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。
以上对本公开多个实施例进行了详细说明,但本公开不限于这些具体的实施例,本领域技术人员在本公开构思的基础上,能够做出多种变型和修改实施例,这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种串联式OLED器件,其特征在于,至少包括依次设置的:
N型电荷生成层、金属离子吸收层、电子传输层;
其中,所述N型电荷生成层掺杂有活泼金属,所述金属离子吸收层的电子迁移率处于所述N型电荷生成层和所述电子传输层之间,用于吸收所述N型电荷生成层在电场作用下产生的金属离子。
2.如权利要求1所述的串联式OLED器件,其特征在于,还包括:
发光层组、空穴注入层和空穴传输层,所述发光层组包括蓝色、红色和绿色发光层,所述发光层组中的发光层分别与所述空穴传输层和所述电子传输层连接,所述空穴注入层与所述N型电荷生成层连接。
3.如权利要求2所述的串联式OLED器件,其特征在于,
第一发光层与所述空穴传输层连接,第二发光层与所述电子传输层和第三发光层连接。
4.如权利要求3所述的串联式OLED器件,其特征在于,第一发光层为蓝色发光层。
5.如权利要求4所述的串联式OLED器件,其特征在于,第二发光层为绿色发光层。
6.如权利要求5所述的串联式OLED器件,其特征在于,第三发光层为红色发光层。
7.如权利要求1所述的串联式OLED器件,其特征在于,所述活泼金属至少包括锂。
8.如权利要求1至7中任一项所述的串联式OLED器件,其特征在于,所述N型电荷生成层的电子迁移率为10-3cm2V-1s-1。
9.如权利要求1至7中任一项所述的串联式OLED器件,其特征在于,所述电子传输层的电子迁移率为10-6cm2V-1s-1。
10.一种显示器,其特征在于,包括:权利要求1至9中任一项所述的串联式OLED器件。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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