CN113839304A - 非氧化工艺微米柱阵列大功率vcsel结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及激光器技术领域，提供了一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，包括如下步骤：S1，制作外延片；S2，在所述外延片上制备SiO2掩膜，并对其进行刻蚀得到具有若干微米柱的基材；S3，于所述基材的表面继续生长SiO2掩膜，作为微米柱的基材的钝化保护层；S4，在具有钝化保护层的所述基材上旋涂BCB，并进行BCB光刻、显影以及固化，使所述BCB作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料；S5，接着制备电极，以完成VCSEL结构的制备。还提供一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构。本发明的微米级VCSEL尺度电流限制能力强，使VCSEL阈值极低并提高了光电转换效率；不含氧化层的非氧化工艺，有效降低了VCSEL热阻，提高了输出功率。
Description
技术领域
本发明涉及激光器技术领域，具体为一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构及其制备方法。
背景技术
垂直腔面发射激光器(VCSEL)相比边发射半导体激光器在光场模式、调制速率、输出功率、批量制造等方面更有优势，因而该类器件的研制一直都是半导体光电子器件方向的重要分支之一。近几年，随着VCSEL器件在消费电子、3D感测、虚拟现实、激光照明、激光武器、激光制导等领域发挥越来越重要的作用，这些显著的优点使VCSEL成为光通信、光互联、光存储及光抽运的理想光源。无论是VCSEL器件设计还是生长制作，都越来越受到国内外相关专业技术人员的重视。其中高功率垂直腔面发射激光器在最近几年也取得了非常突出的成就，在功率，光电转换效率方面不断刷新记录。现阶段红光/红外VCSEL工艺中一般采取湿法氧化工艺，即利用水蒸汽从侧向渗透进入VCSEL与高铝氧化层反应生成氧化铝，形成高阻值、低折射率限制区，以实现VCSEL中的电流的限制和光学限制，减小阈值电流、提高电光转换效率形成模式限制。因VCSEL中氧化孔径的大小直接影响到器件在阈值电流密度、光电转换效率、激射光模式等性能方面的表现，所以氧化深度需要精确控制。由于现存氧化工艺复杂性高，稳定性差，精度难以控制到微米级别等诸多因素，微型VCSEL光源一直难以实现。同时，由于氧化物和半导体之间热膨胀系数的差异，氧化物孔处会产生应力，降低了VCSEL的可靠性，尤其对于小孔径的VCSEL影响更是不可忽视。另一方面，AlxOy和图2的导热系数约为0.7W/mK，而GaAs和AlAs的导热系数约为50W/mK，氧化孔处的热扩散不良也会限制激光二极管的功率和调制带宽。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构及其制备方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。
为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，包括如下步骤：
S1，制作外延片；
S2，在所述外延片上制备SiO2掩膜，并对其进行刻蚀得到具有若干微米柱的基材，刻蚀完成后继续将顶端残留SiO2掩膜刻蚀干净；
S3，于所述基材的表面继续生长SiO2掩膜，作为微米柱的基材的钝化保护层；
S4，在具有钝化保护层的所述基材上旋涂BCB，并进行BCB光刻、显影以及固化，使所述BCB作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料；
S5，接着制备电极，以完成VCSEL结构的制备。
进一步，在所述S1步骤中，在GaAs衬底上生长N型GaAs缓冲层、N型布拉格反射镜层、量子阱、P型布拉格反射镜层以及高掺杂P型GaAs接触层作为外延片。
进一步，所述外延片中不含高铝组分氧化层。
进一步，在所述S2步骤和所述S3步骤之间，对所述基材进行酸洗，并在酸洗完成后在高纯N2氛围下退火。
进一步，在所述S5步骤中，制备所述电极的方法具体为：
S50，刻蚀各所述微米柱顶面的残留BCB以及所述S3步骤中的SiO2掩膜，暴露出接触层；
S51，在所述基材表面溅射ITO作为透明导电电极，溅射完成后进行ITO退火，使ITO与接触层形成欧姆接触，同时增加ITO透光率；
S52，接着在溅射ITO并处理后的所述基材表面继续生长SiO2掩膜，作为ITO保护层，同时与ITO共同构成增透膜，并在生长完后将SiO2掩膜刻蚀干净制作P型电极触窗口，并蒸镀P型电极；
S53，接着蒸镀N型电极。
进一步，蒸镀N电极前，将芯片减薄至100～120μm后进行抛光。
进一步，采用RIE设备刻蚀残留BCB以及芯片发光区域外围的SiO2掩膜。
进一步，在电极制备完成后使用RTP对整个器件进行快速退火。
进一步，在所述S2步骤中，采用ICP进行刻蚀。
本发明实施例提供另一种技术方案：一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构，包括本体，所述本体具有若干微米柱，相邻的微米柱之间的间隙中填充有BCB。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：微米级VCSEL尺度电流限制能力强，使VCSEL阈值极低并提高了光电转换效率；不含氧化层的非氧化工艺，有效降低了VCSEL热阻，提高了输出功率，避免了繁琐的氧化工艺，极大的降低了生产过程中的不稳定因素，提高了生产效率，为未来大功率VCSEL器件的设计与制备提供了新的思路。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的侧视图；
图2为本发明实施例提供的一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的俯视图；
附图标记中：1-GaAs衬底上生长N型GaAs缓冲层；2-N型布拉格反射镜层；3-量子阱；4-P型布拉格反射镜层以及高掺杂P型GaAs接触层；5-钝化保护层；6-BCB；7-ITO透明导电电极；8-SiO2保护层；9-P型电极；10-N型电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1和图2，本发明实施例提供一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，包括如下步骤：S1，制作外延片；S2，在所述外延片上制备SiO2掩膜，并对其进行刻蚀得到具有若干微米柱的基材；S3，于所述基材的表面继续生长SiO2掩膜，作为微米柱的基材的钝化保护层5；S4，在具有钝化保护层5的所述基材上旋涂BCB 6，并进行BCB 6光刻、显影以及固化，使所述BCB 6作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料；S5，接着制备电极，以完成VCSEL结构的制备。在本实施例中，微米级VCSEL尺度电流限制能力强，使VCSEL阈值极低并提高了光电转换效率。在GaAs衬底上生长N型GaAs缓冲层1、N型布拉格反射镜层2、量子阱3、P型布拉格反射镜层以及高掺杂P型GaAs接触层4作为外延片，且所述外延片中不含高铝组分氧化层，不含氧化层的非氧化工艺，有效降低了VCSEL热阻，提高了输出功率，避免了繁琐的氧化工艺，极大的降低的生产过程中的不稳定因素，提高了生产效率。优选的，布拉格反射镜层所选材料为AlGaAs，量子阱3材料按照不同波长要求进行设计。得到的外延片上制备直径10um的SiO2掩膜，使用ICP设备刻蚀形成微米柱VCSEL，刻蚀气体为Cl2，BCL3。刻蚀深度约3～4um，刻穿量子阱3至N型布拉格反射镜层2。然后使用RIE设备将顶端残留SiO2掩膜刻蚀干净，刻蚀气体为O2，SF6。
作为本发明实施例的优化方案，请参阅图1和图2，在所述S2步骤和所述S3步骤之间，对所述基材进行酸洗，并在酸洗完成后在高纯N2氛围下退火。在本实施例中，酸洗得到的基材以减少VCSEL侧壁刻蚀损伤。漂洗完成后马上在高纯N2氛围下退火，进一步修复VCSEL侧壁刻蚀损伤。酸洗溶液为磷酸、双氧水、水溶液。室温下使用3：1：20磷酸：双氧水：水漂洗得到的基材10～15秒，以减少VCSEL侧壁刻蚀损伤。漂洗完成后马上在高纯N2氛围下300℃退火20min，进一步修复VCSEL侧壁刻蚀损伤。
作为本发明实施例的优化方案，请参阅图1和图2，在所述S5步骤中，制备所述电极的方法具体为：S50，刻蚀各所述微米柱顶面的残留BCB 6以及所述S3步骤中的SiO2掩膜，暴露出接触层；S51，在所述基材表面溅射ITO作为ITO透明导电电极7，溅射完成后进行ITO退火，使ITO与接触层形成欧姆接触，同时增加ITO透光率；S52，接着在溅射ITO并处理后的所述基材表面继续沉积SiO2掩膜，作为ITO材料的SiO2保护层8，同时与ITO共同构成增透膜，并在生长完后将SiO2掩膜刻蚀干净制作P型电极9接触窗口，并蒸镀P型电极9；S53，接着蒸镀N型电极10。蒸镀N型电极10前，将芯片减薄至100～120μm后进行抛光。在本实施例中，暴露出的接触层为高掺杂P型GaAs接触层，确保接触良好，利用溅射设备在得到的基材表面溅射ITO作为ITO透明导电电极7，溅射完成后进行ITO退火，使ITO与高掺杂P型GaAs接触层形成欧姆接触，同时增加ITO透光率。优选的，在微米柱的基材的表面继续生长200～300nm的SiO2掩膜作为微米柱基材的侧壁钝化保护层5，以减少微米柱VCSEL侧壁的漏电流，减小阈值。优选的，旋涂光敏性BCB 6，光敏BCB 6树脂类似于负性光刻胶，可直接进行曝光、显影从而得到图形转移。显影完成后BCB 6需在无氧烘箱内进行固化，固化温度为300℃，固化时间1小时。固化后的BCB 6做作为作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料，起到良好的绝缘作用。优选的，利用RIE设备刻蚀得到的各微米柱顶面的残留BCB 6以及所述S3步骤中的SiO2掩膜，暴露出高掺杂P型GaAs接触层，方便后续ITO透明电极制备。优选的，利用溅射设备在基材表面溅射ITO作为透明电极，厚度为250nm。溅射完成后再氮气氛围中进行ITO退火，使ITO与高掺杂P型GaAs接触层形成欧姆接触，同时增加ITO透光率；ITO退火温度为420℃，退火时间为20分钟。优选的，在基材表面继续生长一层SiO2薄膜，作为ITO透明电极保护层，同时与ITO透明电极共同构成增透膜。SiO2薄膜厚度需根据VCSEL激射波长进行调整，以实现VCSEL高功率输出。SiO2薄膜生长完成后使用RIE设备将芯片发光区域外围SiO2刻蚀干净，制作P型电极9触窗口，并蒸镀VCSEL P型电极9，P电极材料为Cr/Au，厚度分别为50nm/300nm。N电极材料为Ge/Ni/Au合金-Au，厚度分别为50nm/350nm。
作为本发明实施例的优化方案，请参阅图1和图2，在电极制备完成后使用RTP对整个器件进行快速退火。在本实施例中，退火条件为420℃度30秒，待炉内温度降至室温时取出。
请参阅图1和图2，本发明实施例提供一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构，由上述的方法制备得到。其包括本体，所述本体具有若干微米柱，相邻的微米柱之间的间隙中填充有BCB 6。微米级VCSEL尺度电流限制能力强，使VCSEL阈值极低并提高了光电转换效率；不含氧化层的非氧化工艺，有效降低了VCSEL热阻，提高了输出功率，避免了繁琐的氧化工艺，极大的降低了生产过程中的不稳定因素，提高了生产效率，为未来大功率VCSEL器件的设计与制备提供了新的思路。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，制作外延片；
S2，在所述外延片上制备SiO2掩膜，并对其进行刻蚀得到具有若干微米柱的基材，刻蚀完成后继续将顶端残留SiO2掩膜刻蚀干净；
S3，于所述基材的表面继续生长SiO2掩膜，作为微米柱的基材的钝化保护层；
S4，在具有钝化保护层的所述基材上旋涂BCB，并进行BCB光刻、显影以及固化，使所述BCB作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料；
S5，接着制备电极，以完成VCSEL结构的制备。
2.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：在所述S1步骤中，在GaAs衬底上生长N型GaAs缓冲层、N型布拉格反射镜层、量子阱、P型布拉格反射镜层以及高掺杂P型GaAs接触层作为外延片。
3.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：所述外延片中不含高铝组分氧化层。
4.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：在所述S2步骤和所述S3步骤之间，对所述基材进行酸洗，并在酸洗完成后在高纯N2氛围下退火。
5.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于，在所述S5步骤中，制备所述电极的方法具体为：
S50，刻蚀各所述微米柱顶面的残留BCB以及所述S3步骤中的SiO2掩膜，暴露出接触层；
S51，在所述基材表面溅射ITO作为透明导电电极，溅射完成后进行ITO退火，使ITO与接触层形成欧姆接触，同时增加ITO透光率；
S52，接着在溅射ITO并处理后的所述基材表面继续生长SiO2掩膜，作为ITO保护层，同时与ITO共同构成增透膜，并在生长完后将SiO2掩膜刻蚀干净制作P型电极触窗口，并蒸镀P型电极；
S53，接着蒸镀N型电极。
6.如权利要求5所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：蒸镀N电极前，将芯片减薄至100～120μm后进行抛光。
7.如权利要求5所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：采用RIE设备刻蚀残留BCB以及芯片发光区域外围的SiO2掩膜。
8.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：在电极制备完成后使用RTP对整个器件进行快速退火。
9.如权利要求1所述的非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，其特征在于：在所述S2步骤中，采用ICP进行刻蚀。
10.一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构，包括本体，其特征在于：所述本体具有若干微米柱，相邻的微米柱之间的间隙中填充有BCB。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104377545A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-02-25 | 北京工业大学 | 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构 |
| CN108305918A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
| CN109672087A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-04-23 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| CN109923743A (zh) * | 2016-11-01 | 2019-06-21 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法 |
| CN111355126A (zh) * | 2018-01-26 | 2020-06-30 | 欧比克半导体公司 | 倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法 |
| DE102019216710A1 (de) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement, anordnung von optoelektronischen halbleiterbauelementen, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelementes |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110871419.4A patent/CN113839304A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104377545A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-02-25 | 北京工业大学 | 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构 |
| CN109923743A (zh) * | 2016-11-01 | 2019-06-21 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法 |
| CN108305918A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
| CN111355126A (zh) * | 2018-01-26 | 2020-06-30 | 欧比克半导体公司 | 倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法 |
| CN109672087A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-04-23 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| DE102019216710A1 (de) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement, anordnung von optoelektronischen halbleiterbauelementen, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelementes |
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