CN113820890A

CN113820890A - 电子装置

Info

Publication number: CN113820890A
Application number: CN202010564783.1A
Authority: CN
Inventors: 潘眉秀; 许美琪
Original assignee: Individual
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2020-06-19
Filing date: 2020-06-19
Publication date: 2021-12-21

Abstract

本发明公开一种电子装置，包含第一基板、第二基板、第一间隔物以及第二间隔物。第二基板与第一基板相对设置，第一间隔物设置于第一基板上，第二间隔物设置于第二基板上且位于第一间隔物与第二基板之间。第一间隔物的一部分不与第二间隔物重叠，且第一间隔物包含第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分于第一基板的法线方向上与第二间隔物重叠，第一部分连接于第二部分以及第三部分之间。第一部分具有第一长度，第二部分具有第二长度，第三部分具有第三长度，第二长度大于或等于第一长度，且第三长度大于或等于第一长度。

Description

电子装置

技术领域

本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种包含间隔物的电子装置。

背景技术

电子产品，例如智能型手机、平板计算机、笔记型计算机、显示器及电视等，已成为现代生活不可或缺的产品。现今的电子产品(例如显示器)仍未在各个方面(例如品质、功能)符合消费者的期待，例如，电子产品中的面板具有间隔物，当面板受到外力时，间隔物可能会产生位移，甚至可能影响到设置于对侧基板上的层别(例如配向层)，进而影响其品质或效能。因此，发展出能够改善上述问题的设计仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

根据本发明一些实施例，提供一种电子装置，其特征在于，包含第一基板、第二基板、第一间隔物以及第二间隔物。第二基板与第一基板相对设置，第一间隔物设置于第一基板上，第二间隔物设置于第二基板上且位于第一间隔物与第二基板之间。第一间隔物的一部分不与第二间隔物重叠，且第一间隔物包含第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分于第一基板的法线方向上与第二间隔物重叠，第一部分连接于第二部分以及第三部分之间。第一部分具有第一长度，第二部分具有第二长度，第三部分具有第三长度，第二长度大于或等于第一长度，且第三长度大于或等于第一长度。

为让本发明的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一些实施例中，电子装置的局部上视结构示意图；

图2为本发明一些实施例中，电子装置的局部上视结构示意图；

图3为本发明图1的实施例中，电子装置于截线C-C’的剖面结构示意图；

图4为本发明一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；

图5为本发明一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；

图6为本发明一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；

图7为本发明一些实施例中，电子装置的部分元件的上视结构示意图；

图8为本发明一些实施例中，电子装置的部分元件的上视结构示意图；

图9为本发明一些实施例中，电子装置的部分元件的上视结构示意图。

符号说明

10 电子装置；

100T 晶体管；

100 第一基板；

102 第一间隔物；

102a 第一部分；

102b 第二部分；

102c 第三部分；

104 半导体层；

106 漏极电极；

108 像素电极；

110 平坦层；

120 第一介电层；

122 第二介电层；

200 第二基板；

202 第二间隔物；

202a 第四部分；

202b 第五部分；

202c 第六部分；

204 遮光层；

206 彩色滤光层；

210 平坦层；

A-A’ 截线；

AL₁ 第一配向层；

AL₂ 第二配向层；

B₁ 第一长度；

B₂ 第二长度；

C-C’ 截线；

D_a 第二长度；

D_b 第三长度；

D_c 第五长度；

D_d 第六长度；

DL 数据线；

E₁ 延伸方向；

E₂ 延伸方向；

E₁₀₂ 延伸方向；

E₂₀₂ 延伸方向；

FU 彩色滤光单元；

G₁ 距离；

GE 栅极电极；

L₁ 长度；

L₂ 长度；

SE 源极电极；

SL 扫描线；

T1 厚度；

T2 厚度；

V₁ 第一通孔；

V₂ 第二通孔；

W₁ 宽度；

W₂ 宽度；

θ 夹角。

具体实施方式

以下针对本发明实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例，用以实施本发明一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单且清楚描述本发明一些实施例，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号，仅为了简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，需注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本发明中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与附上的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。

本文中所提到的方向用语，例如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

当相应的构件(例如膜层或区域)被称为「在另一个构件上」时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件上」时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为「在另一个构件上」时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。

术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

需知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

在本发明中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。

根据本发明一些实施例，提供之电子装置包含位移缓冲空间较大的间隔物。详细来说，两基板上例如分别设置间隔物(如后续的第一间隔物及第二间隔物)，此些间隔物可相互接触，且分别具有与对侧的间隔物重叠的部分及非重叠的部分，且非重叠部分的区域(或长度)可例如大于或等于重叠部分的区域(或长度)，可减少在面板受到外力作用时，间隔物因位移而滑落，影响设置于对侧的基板上的其他层别(例如配向层，但不限于此)。举例当间隔物位移滑落而刮伤对侧的基板上的配向层，可能产生配向不均的问题。

根据本发明一些实施例，电子装置可包含显示装置、发光装置、触控装置、感测装置、天线装置或拼接装置(具有上述任一功能或混合功能的拼接装置)，但不以此为限。电子装置可包括可弯折式电子装置或可挠式电子装置，但不以此为限。电子装置可例如包括液晶、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。在一些实施例中，电子装置可包含面板及/或背光模组，面板例如包括液晶面板，但不以此为限。应理解的是，下文将以液晶显示装置为例阐述本发明的电子装置，但不以此为限。

请参照图1、图2及图3，图1显示根据本发明一些实施例中，电子装置10的局部上视结构示意图。图2显示根据本发明一些实施例中，电子装置的局部上视结构示意图。图3显示根据本发明第一图的实施例中，电子装置于截线C-C’的剖面结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图1、图2及图3省略电子装置10中的部分元件，仅示意绘示形成或设置于第一基板100或第二基板200上的部分元件。根据一些实施例，可选择性添加额外特征或元件于电子装置10中。在一些实施例中，以下所述电子装置10的部分特征可选择性被取代或省略。

请参照图1、图2及图3所示，电子装置10包含第一基板100、第二基板200、第一间隔物102以及第二间隔物202。在一些实施例中(请同时参考图6)，第二基板200与第一基板100相对设置，第一间隔物102设置于第一基板100上，第二间隔物202设置于第二基板200上且位于第一间隔物102与第二基板200之间。在一些实施例中，第一基板100及/或第二基板200的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、感光型聚酰亚胺(photo sensitive polyimide，PSPI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的材料或前述材料的组合，但不限于此。

请参考图1，在一些实施中，第一基板100可作为驱动基板(或阵列基板)，但不限于此。在一些实施例中，电子装置10可包含设置于第一基板100上的驱动电路(未绘示)，驱动电路可包括主动式驱动电路或被动式驱动电路。在一些实施例中，电子装置10可包含多个数据线DL及多个扫描线SL(如粗虚线)设置于第一基板100上，数据线DL及扫描线SL彼此交错定义出多个像素单元(例如次像素，未标示)，此些像素单元中分别具有晶体管100T，晶体管100T例如包括开关晶体管或驱动晶体管，但不限于此。请参考图1，在一些实施例中，晶体管100T可包含半导体层104(细虚线)、源极电极SE(例如数据线DL中的一部分，且源极电极SE例如至少与半导体层104重叠)、漏极电极106及栅极电极GE(例如扫描线SL的一部分)，栅极电极GE连接于扫描线SL，且栅极电极GE例如沿着Y方向延伸且突出于扫描线SL，源极电极SE、漏极电极106及栅极电极GE均至少部分与半导体层104重叠。

请参照图3所示，在一些实施例中，扫描线SL及/或栅极电极GE设置于第一基板100上，第一介电层120设置或覆盖于扫描线SL及/或栅极电极GE上，半导体层104设置于第一介电层120上，漏极电极106、源极电极SE及/或数据线DL设置于第一介电层120上，且于z方向(大致为第一基板100的法线方向)上，漏极电极106及源极电极SE部分重叠于半导体层104及扫描线SL(例如栅极电极GE)。在一些实施例中，第二介电层122设置于第一介电层120上，且设置于或覆盖于半导体层104、漏极电极106、源极电极SE及/或数据线DL上。在一些实施例中，平坦层110设置于第二介电层122上，平坦层110可设置于扫描线SL、数据线DL、半导体层104及/或漏极电极106上。换句话说，平坦层110可覆盖于晶体管100T。在一些实施例中，第一介电层120及/或第二介电层122可作为层间介电层(inter-layerdielectric，ILD)。在一些实施例中，第一介电层120及/或第二介电层122的材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，平坦层110可包含有机材料、无机材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。例如，无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。例如，有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、聚亚酰胺(polyimide)、全氟烷氧基烷烃(perfluoroalkoxy alkane，PFA)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。

请同时参考图1及图3，在一些实施例中，第二介电层122具有多个第一通孔V₁，且于z方向(大致为第一基板100的法线方向)上，此些第一通孔V₁重叠于至少部分的漏极电极106上，第一通孔V₁例如贯穿第二介电层122并露出部分的漏极电极106。在一些实施例中，电子装置10的像素单元可包含像素电极108，像素电极108例如设置于部分的第二介电层122及/或部分的平坦层110上，平坦层110具有多个第二通孔V₂，且于z方向上，此些第二通孔V₂重叠于第一通孔V₁，像素电极108可经由第二通孔V₂及/或第一通孔V₁与晶体管100T(例如漏极电极106)电连接，但不限于此。在一些实施例中，像素电极108的材料可包含金属导电材料、透明导电材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。

请参考图3，在一些实施例中，第一间隔物102可设置于平坦层110上。在一些实施例中，第一间隔物102的厚度T1可小于或等于平坦层110的厚度T2。厚度T1可定义为第一间隔物102于一剖面影像之于Z方向上的最大厚度，厚度T2可定义为平坦层110于一剖面影像之于Z方向上的最大厚度。在一些实施例中，第一间隔物102设置于平坦层110上，且未设置于第一通孔V₁及/或第二通孔V₂中，使第一间隔物102的有较佳的结构平坦度，减少后续与第一间隔物102相互接触的第二间隔物202因受到外力作用而滑动的情形。

请参考图1及图3，在一些实施例中，第一间隔物102可位于两个相邻的第一通孔V₁之间。在一些实施例中，在Z方向(如第一基板100的法线方向)上，第一通孔V₁未与第一间隔物102重叠。在一些实施例中，第一间隔物102可位于两个相邻的第二通孔V₂之间。在一些实施例中，在Z方向(如第一基板100的法线方向)上，第二通孔V₂未与第一间隔物102重叠。在一些实施例中，第一间隔物102与第一通孔V₁之间的距离G₁可大于或等于5微米(μm)(距离G₁≥5微米)，但不限于此。距离G₁可定义为于X方向上，第一间隔物102与第一通孔V₁之间的最小距离。在一些实施例中，距离G₁可大于或等于6微米(μm)(距离G₁≥6微米)，距离G₁例如大于或等于6.5微米、7微米或7.5微米。在一些实施例中，距离G₁可例如大于或等于0.5倍的第一间隔物102的宽度W₁(距离G₁≥0.5×宽度W₁)，但不限于此。在一些实施例中，距离G₁可例如大于或等于0.55倍的第一间隔物102的宽度W₁(距离G₁≥0.55×宽度W₁)。在一些实施例中，距离G₁可例如大于或等于0.6倍、0.7倍或0.8倍的第一间隔物102的宽度W₁。在一些实施例中，距离G₁例如小于2.5倍的的第一间隔物102的宽度W₁(距离G₁<2.5×宽度W₁)。宽度W₁可定义为第一间隔物102于垂直于第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂上的方向(例如X方向)上的最大宽度。应理解的是，根据本发明实施例，该物件的「延伸方向」指沿着或实质上平行于该物件的长轴的方向。举例来说，该物件可框出一最小矩形，且该最小矩形的长边的延伸方向即为长轴方向。另外，距离G₁及宽度W₁可例如于一影像(例如通过光学显微镜影像)中所测量，宽度W₁例如于该影像上测量，第一间隔物102于垂直于延伸方向E₁₀₂的方向上的外缘之间的最大宽度。距离G₁例如于该影像中测量，第一间隔物102的外缘至第一通孔V₁的内缘之间于垂直于延伸方向E₁₀₂的方向上的最小距离。

应理解的是，虽然附图中将与第一间隔物102相邻的两个第一通孔V₁的最小距离均标示为G₁，但根据一些实施例，第一间隔物102与相邻的两个第一通孔V₁之间的距离G₁可相同或不同。承前述，如图1至图3所示，第一间隔物102及/或第二间隔物202设置于第一基板100以及第二基板200之间，第一间隔物102及/或第二间隔物202可作为间隙子。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与数据线DL的延伸方向E₁实质上相同，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与数据线DL的延伸方向E₁之间的夹角可介于5度至40度之间(5度≤夹角≤40度)，但不限于此。在一些实施例中，在Z方向(例如于第一基板100法线方向)上，第一间隔物102可与数据线DL重叠，上述的重叠指两者间至少部分重叠，由此可在占用像素单元的开口区较少的情况下，将第一间隔物102的长度适当地延长以增加第二间隔物202可位移的缓冲空间。相似的，在一些实施例中，第二间隔物202可沿着延伸方向E₂₀₂延伸。在一些实施例中(如图4所示)，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂不同。在一些实施例中(如图4所示)，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于45度至90度之间(45度≤夹角≤90度)，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于60度至90度之间(60度≤夹角≤90度)。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于80度至90度之间(80度≤夹角≤90度)。

在一些实施例中，第一间隔物102及/或第二间隔物202的材料可包含有机材料、无机材料或上述的组合。例如，有机材料可包含含环氧树脂、丙烯酸树脂如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第二间隔物202的材料可与第一间隔物102的材料相同或不同。如图2所示，在一些实施中，第二基板200可作为彩色滤光基板，但不限于此。在一些实施例中，电子装置10可包含设置于第二基板200上的遮光层204及/或彩色滤光层206，第二间隔物202可设置于遮光层204上，且于第二基板200的法线方向(例如大致为Z方向)上，遮光层204可重叠或覆盖于第二间隔物202。在一些实施例中，遮光层204可包含黑色矩阵(blackmatrix)，遮光层204可具有多个开口OP，在第二基板100法线方向(例如大致为Z方向)上，彩色滤光层206可与遮光层204的开口OP重叠。在一些实施例中，遮光层204的材料可包含黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂、金属、碳黑材料、树脂材料、感光材料、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，彩色滤光层206可包含多个彩色滤光单元FU。举例而言，多个彩色滤光单元FU可包含红色滤光单元、绿色滤光单元及/或蓝色滤光单元，但不以此为限。于不同的实施例，彩色滤光层206可具有合适数量或合适颜色的彩色滤光单元FU。

接着，请参照图4，图4显示根据本发明一些实施例中，电子装置10的上视结构示意图。详细而言，图4中包含图1所示的第一基板100及图2所示的第二基板200，且例如为图1所示的第一基板100(包括设置于第一基板100上的元件)及图2所示的第二基板200(包括设置于第二基板200上的元件)的叠图。应理解的是，为了清楚说明特定元件的特征，图中省略了电子装置10的部分元件，且附图中所绘制的虚实线可能并未呈现元件的上下关系。此外，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。

如图1至图4所示，在一些实施例中，第一间隔物102及/或第二间隔物202例如具有长条状结构，第一间隔物102及/或第二间隔物202彼此交错(cross)，例如彼此交错成十字型或X型，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的一部分不与第二间隔物202重叠。详细而言，第一间隔物102可包含第一部分102a、第二部分102b以及第三部分102c，第一部分102a于第一基板100的法线方向(例如Z方向)上与第二间隔物202重叠，第二部分102b及第三部分102c分别与第一部分102a相邻，且第一部分102a连接于第二部分102b以及第三部分102c之间。此外，在一些实施例中，第一部分102a具有第一长度B₁，第二部分102b具有第二长度D_a，第三部分102c具有第三长度D_b，且第二长度D_a大于或等于第一长度B₁(第二长度D_a≥第一长度B₁)，第三长度D_b大于或等于第一长度B₁(第三长度D_b≥第一长度B₁)。

值得注意的是，第一间隔物102的第二部分102b及/或第三部分102c可作为对侧的第二间隔物202的位移缓冲区，减少面板受到外力作用时，第二间隔物202位移至第一间隔物102外的区域的机率，降低第一基板100上的元件层(例如配向层，未绘示)被第二间隔物202刮伤的机率。

在一些实施例中，第二长度D_a大于或等于10微米(第二长度D_a≥10微米)，或大于或等于12微米、14微米、16微米或18微米，但不限于此。在一些实施例中，第三长度D_b大于或等于10微米(第三长度D_b≥10微米)，或大于或等于11微米、13微米、15微米或17微米，但不限于此。

在一些实施例中，第二部分102b的第二长度D_a与第一部分102a的第一长度B₁的比值大于或等于1.4(第二长度D_a/第一长度B₁≥1.4)，或大于或等于1.6、1.8或2，但不限于此。在一些实施例中，第三部分102c的第三长度D_b与第一部分102a的第一长度B₁的比值大于或等于1.4(第三长度D_b/第一长度B₁≥1.4)，或大于或等于1.5、1.7或1.9，但不限于此。

在一些实施例中，第三长度D_b与第二长度D_a比值介于0.6至1.7之间(0.6≤第三长度D_b/第二长度D_a≤1.7)、或介于0.8至1.5(0.8≤第三长度D_b/第二长度D_a≤1.5)之间，例如，0.9、1、1.1、1.2、1.3或1.4，但不限于此。

须注意的是，前述第一长度B₁、第二长度D_a及第三长度D_b例如是在同一张影像(例如OM影像)上，且于同一条参考线上所测量，参考线可为平行于第一基板100的表面(例如图中的XY平面)上的朝任一方向延伸的线，只要于该参考线上的第一长度B₁、第二长度D_a以及第三长度D_b符合上述的第二长度D_a大于或等于第一长度B₁，且第三长度D_b大于或等于第一长度B₁的关系。根据一些实施例，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂可作为参考线，换言之，可于第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂上，测量前述第一长度B₁、第二长度D_a以及第三长度D_b，但不限于此。

在一些实施例中，第一间隔物102于延伸方向E₁₀₂具有一长度L₁，长度L₁例如为第一长度B₁、第二长度D_a及第三长度D_b于延伸方向E₁₀₂上的总和。在一些实施例中，第一间隔物102的长度L₁与宽度W₁的比值大于或等于3(长度L₁/宽度W₁≥3)，或大于或等于3.5、4或4.5，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的长度L₁与第一部分102a的第一长度B₁的比值介于3至8之间(3≤长度L₁/第一长度B₁≤8)、或介于4至7之间(4≤长度L₁/第一长度B₁≤7)，例如，5或6，但不限于此。

承前述，根据一些实施例，第一间隔物102经设计以具有特定的尺寸，可提升位移缓冲的效果，降低第二基板200上的层别(例如配向层，未绘示)被第一间隔物102刮伤的机率。

如图4所示，在一些实施例中，在第一基板100的法线方向(例如Z方向)上，遮光层204可与第一间隔物102重叠，彩色滤光层206未与第一间隔物102重叠。在一些实施例中，遮光层204可覆盖第一间隔物102、第二间隔物202、数据线DL及/或扫描线SL，上述覆盖指于第一基板100法线方向(例如Z方向)上看，第一间隔物102、第二间隔物202、数据线DL及/或扫描线SL可被遮光层204所覆盖，但第一间隔物102、第二间隔物202、数据线DL及/或扫描线SL可与遮光层204可形成在相同或不同的基板上。在一些实施例中，在第一基板100法线方向上(例如Z方向)上，第一间隔物102可与数据线DL及/或扫描线SL重叠。在一些实施例中，第一间隔物102与第二间隔物202重叠处(即第一部分102a)例如与数据线DL及扫描线SL交错的位置重叠，但不限于此。

请参照图5，图5显示根据本发明一些实施例中，电子装置10的上视结构示意图。详细而言，图5与图4相似，但所要描述的特征不同。应理解的是，为了清楚说明特定元件的特征，图中省略了电子装置10的部分元件，且附图中所绘制的虚实线可能并未完全呈现元件的上下关系。如图5所示，在一些实施例中，第二间隔物202的一部分不与第一间隔物102重叠。详细而言，第二间隔物202可包含第四部分202a、第五部分202b以及第六部分202c，第四部分202a于第二基板200的法线方向(例如Z方向)上与第一间隔物102重叠，第五部分202b以及第六部分202c与第四部分202a相邻，且第四部分202a连接于第五部分202b以及第六部分202c之间。在一些实施例中，第四部分202a具有第四长度B₂，第五部分202b具有第五长度D_c，第六部分202c具有第六长度D_d，且第五长度D_c大于或等于第四长度B₂(第五长度D_c≥第四长度B₂)，第六长度D_d大于或等于第四长度B₂(第六长度D_d≥第四长度B₂)。

值得注意的是，第二间隔物202的第五部分202b及第六部分202c可作为对侧的第一间隔物102的位移缓冲区，减少面板受到外力作用时第一间隔物102位移至第二间隔物202外的区域的机率，降低第二基板200上的层别(例如配向层，未绘示)被第一间隔物102刮伤的机率。

在一些实施例中，第五部分202b的第五长度D_c大于或等于10微米(第五长度D_c≥10微米)，或大于或等于12微米、14微米、16微米或18微米，但不限于此。在一些实施例中，第六部分202c的第六长度D_d大于或等于10微米(第六长度D_d≥10微米)，或大于或等于11微米、13微米、15微米或17微米，但不限于此。

在一些实施例中，第五长度D_c与第四长度B₂的比值大于或等于1.4(第五长度D_c/第四长度B₂≥1.4)，或大于或等于1.5、1.6、1.7或1.8，但不限于此。在一些实施例中，第六长度D_d与第四长度B₂的比值大于或等于1.4(第六长度D_d/第四长度B₂≥1.4)，或大于或等于1.5、1.6、1.7或1.8，但不限于此。

在一些实施例中，第五部分202b的第五长度D_c与第六部分202c的第六长度D_d比值介于0.6至1.7之间(0.6≤第五长度D_c/第六长度D_d≤1.7)、或介于0.8至1.5之间(0.8≤第五长度D_c/第六长度D_d≤1.5)，例如，0.9、1、1.1、1.2、1.3或1.4，但不限于此。需注意的是，前述第四长度B₂、第五长度D_c及第六长度D_d是在同一张影像(例如OM影像)上，且于同一条参考线上所测量，参考线可为平行于第一基板100的表面(例如图中的XY平面)上的朝任一方向延伸的线，只要于该参考线上的第四长度B₂、第五长度D_c及第六长度D_d符合上述第五长度D_c大于或等于第四长度B₂，且第六长度D_d大于或等于第四长度B₂的关系。根据一些实施例，第二间隔物02的延伸方向E₂₀₂可作为参考线，换言之，可于第二间隔物102的延伸方向E₂₀₂上，测量前述第四长度B₂、第五长度D_c及第六长度D_d，但不限于此。

在一些实施例中，第二间隔物202于延伸方向E₂₀₂上具有一长度L₂，长度L₂例如为第四长度B₂、第五长度D_c及第六长度D_d于延伸方向E₂₀₂上的总和。在一些实施例中，第二间隔物202的长度L₂与宽度W₂的比值大于或等于3(长度L₂/宽度W₂≥3)，或大于或等于3.5、4或4.5，但不限于此。在一些实施例中，第二间隔物202的总长度L₂与第四部分202a的第四长度B₂的比值介于3至8之间(3<长度L₂/第四长度B₂<8)或介于4至7之间(4<长度L₂/第四长度B₂<7)，例如，5或6，但不限于此。

承前述，根据一些实施例，第二间隔物202经设计以具有特定的尺寸，可提升位移缓冲的效果，降低第一基板100上的层别(例如配向层，未绘示)被第二间隔物202刮伤的机率。

如图5所示，在一些实施例中，第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂与第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂不同。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于45度至90度之间(45度≤夹角≤90度)，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于60度至90度之间(60度≤夹角≤90度)，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间的夹角约介于80度至90度之间(80度≤夹角≤90度)。在一些实施例中，第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂与扫描线SL的延伸方向E₂实质上相同。在一些实施例中，在Z方向(例如第二基板200法线方向)上，第二间隔物202可与数据线DL及/或扫描线SL重叠，上述的重叠指两者间至少部分重叠，由此可在占用像素单元的开口区较少的情况下，将第二间隔物202的长度适当地延长以增加第一间隔物102可位移的缓冲空间。在一些实施例中，第二间隔物202与第一间隔物102重叠处(即第四部分202a)例如与数据线DL及扫描线SL交错的位置重叠，但不限于此。

请参照图6，图6显示根据本发明一些实施例中，电子装置10的剖面结构示意图，图6所示的剖面结构可对应于图4中的截线A-A’。应理解的是，为了清楚说明，图中省略了电子装置10的部分元件。如图6所示，第一间隔物102以及第二间隔物202设置于第一基板100与第二基板200之间，第一间隔物102与第二间隔物202相互接触(或对顶)。在一些实施例中，平坦层110设置于第一间隔物102与第一基板100之间。在一些实施例中，平坦层210设置于第二间隔物202与第二基板200之间。在一些实施例中，平坦层110可提供平坦的表面供第一间隔物102设置，提高第一间隔物102的结构平坦度。在一些实施例中，平坦层210可提供平坦的表面供第二间隔物202设置，提高第二间隔物202的结构平坦度。在一些实施例中，平坦层210可设置于第二间隔物202与遮光层204之间。应注意的是，若第一间隔物102的结构不平整，易使对侧之间隔物(例如第二间隔物202)因外力作用而位移，影响设置于第一基板100上的其他层别(例如第一配向层AL₁，但不限于此)。应注意的是，若第二间隔物202的结构不平整，易使对侧之间隔物(例如第一间隔物102)因外力作用而位移，影响设置于第二基板200上的其他层别(例如第二配向层AL₂，但不限于此)。再者，平坦层210的材料可与前述平坦层110的材料相似，于此不再重复。再者，平坦层210的材料可与平坦层110的材料相同或不同。在其他实施例中(未绘示)，可选择性移除上述的平坦层110或平坦层210。

在一些实施例中，第一间隔物102及部分平坦层110上可形成或设置第一配向层AL₁，第二间隔物202及部分平坦层210上可形成或设置第二配向层AL₂。在一些实施例中，介质层(例如液晶层或其它介质层，未绘示)可设置于第一配向层AL₁与第二配向层AL₂之间。在一些实施例(未绘示)，对应于第一间隔物102上的第一配向层AL₁的厚度小于对应于平坦层110上的厚度。在一些实施例(未绘示)，对应于第二间隔物202上的第二配向层AL₂的厚度小于对应于平坦层210上的厚度。在一些实施例中，在剖面中，第一间隔物102及/或第二间隔物202可具有弧形边缘，但不限于此。

请参照图7以及图8，图7以及图8显示根据本发明一些实施例中，电子装置的第一间隔物102与第二间隔物202的上视结构示意图。如图7所示，在一些实施例中，第一间隔物102可具有长条状结构，第二间隔物202可具有圆柱状结构，但不限于此。如图8所示，在一些实施例中，第一间隔物102可具有圆柱状结构，第二间隔物202可具有长条状结构，但不限于此。在图7及图8之实施例中，第一间隔物102可具有不与第二间隔物202重叠的部分，而第二间隔物202也具有不与第一间隔物102重叠的部分，如上所述，此些部分可作为第一间隔物102及/或第二间隔物202的位移缓冲区。

应理解的是，根据本发明实施例，第一间隔物102以及第二间隔物202的形状并不限于图7以及图8所绘示的态样，根据一些实施例，第一间隔物102以及第二间隔物202可根据需求而具有其它任意合适的形状(例如矩形、多边形或弧边形，但不限于此)，只要第一间隔物102的配置可符合前述第二长度D_a大于或等于第一长度B₁以及第三长度D_b大于或等于第一长度B₁的关系，或第二间隔物202的配置可符合前述第五长度D_c大于或等于第四长度B₂以及第六长度D_d大于或等于第四长度B₂的关系即可。

请参照图9，图9显示根据本发明一些实施例中，电子装置的第一间隔物102、第二间隔物202、数据线DL以及第一通孔V₁的上视结构示意图。如图9所示，在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与第二间隔物202的延伸方向E₂₀₂之间具有夹角θ，夹角θ介于45度至90度之间(45度≤夹角θ≤90度)、或介于60度至90度之间(60度≤夹角θ≤90度)、或介于80度至90度之间(80度≤夹角θ≤90度)，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102的延伸方向E₁₀₂与数据线DL的延伸方向之间的夹角(未绘示)介于0度至45度之间(0度≤夹角θ≤45度)、介于10度至45度之间(10度≤夹角θ≤45度)或介于10度至30度之间(10度≤夹角θ≤30度)，但不限于此。在一些实施例中，第一间隔物102与第二间隔物202的重叠处大致上位于相邻的两个第一通孔V₁之间，第一间隔物102与第二间隔物202的重叠处大致上位于相邻的两个第一通孔V₁的连线上，且该连线可例如大致平行于X方向，但不限于此。

根据本发明实施例，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各元件的宽度、长度、厚度或元件之间的距离。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的元件的任一剖面影像，并测量该元件于影像中的宽度、长度、厚度或元件之间的距离。

虽然结合以上实施例已公开了本发明，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作更动、替代与润饰。本发明实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。本发明的任一实施例或权利要求不需达成本发明所公开的全部目的、优点、特点。

Claims

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

第一间隔物，设置于所述第一基板上；以及

第二间隔物，设置于所述第二基板上并且位于所述第一间隔物与所述第二基板之间，所述第一间隔物的一部分不与所述第二间隔物重叠，所述第一间隔物包括：

第一部分，在所述第一基板的法线方向上与所述第二间隔物重叠；

第二部分；以及

第三部分，所述第一部分连接于所述第二部分以及所述第三部分之间；

其中，所述第一部分具有第一长度，所述第二部分具有第二长度，所述第三部分具有第三长度，所述第二长度大于或等于所述第一长度，且所述第三长度大于或等于所述第一长度。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二间隔物包括：

第四部分，在所述第二基板的法线方向上与所述第一间隔物重叠；

第五部分；以及

第六部分，所述第四部分连接于所述第五部分与所述第六部分之间；

其中，所述第四部分具有第四长度，所述第五部分具有第五长度，所述第六部分具有第六长度，所述第五长度大于或等于所述第四长度，且所述第六长度大于或等于所述第四长度。

3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：平坦层，设置于所述第一间隔物与所述第一基板之间。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

平坦层，设置于所述第二间隔物与所述第二基板之间。

5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二长度大于或等于10微米，或所述第三长度大于或等于10微米。

6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二长度与所述第一长度的比值大于或等于1.4，或所述第三长度与所述第一长度的比值大于或等于1.4。

7.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第五长度与所述第四长度的比值大于或等于1.4，或所述第六长度与所述第四长度的比值大于或等于1.4。

8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一间隔物的长度与宽度的比值大于或等于3。

9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一间隔物的延伸方向与所述第二间隔物的延伸方向不同。

10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

数据线，设置于所述第一基板上，其中所述第一间隔物的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。