CN113750681A - 一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法 - Google Patents

一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法，属于多晶硅生产尾气处理技术领域，通过在内热触发管的下端部套设气胀扩张囊环,气胀扩张囊环与内热触发管内部的鼓气腔相连通，当弧形滤气板内的吸附填料趋近吸附饱和，尾气因不能及时排出而通过气胀扩张囊环导入鼓气腔，逐渐增大的气压对热触发机构触发使其加热，内热触发管温度逐渐升高并传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变，其顶部移至导料板方，此时导料板与储料箱相连通，与此同时，更料板内的电磁阀开启，弧形滤气板内所吸附饱和的吸附填料通过更料板向下导出，以此自动实现对弧形滤气板进行更换填料，而更换掉的吸附填料落入至脱附体内进行脱附冷凝、回收处理。

Description

一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法
技术领域
本发明涉及多晶硅生产尾气处理技术领域，更具体地说，涉及一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法。
背景技术
高纯多晶硅是当今发展微电子产业和太阳能产业的重要基础原材料。随着国内多晶硅产业飞速发展，规模、产量的不断扩大，随之而来的多晶硅在生产过程中排出的预处理尾气、废液和其它副产物的安全和环保问题日益突出。
国内外多晶硅厂处理多晶硅生产预处理尾气的方法大多为“水解法”，即用水喷淋多晶硅生产预处理尾气，多晶硅生产预处理尾气中的氯硅烷与水反应，生成酸性废水，氮气和氢气则排，而所产生的大量酸性废水若处理不当，依旧会污染环境。
解决现有技术存在的问题的关键在于如何对多晶硅生产预处理尾气中的氯硅烷、氢气和氮气实现充分的回收利用，尤其是如何将氯硅烷、氢气和氮气进行有效地分离。现有技术中多采用吸附填料对预处理尾气中的氯硅烷进行吸附，而当吸附填料达到饱和状态时，还需要人工进行手动更换，且人工不易及时察觉吸附状态，从而往往难以及时对填料进行更换。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种多晶硅尾气处理装置及其处理方法，通过在内热触发管的下端部套设气胀扩张囊环,气胀扩张囊环与内热触发管内部的鼓气腔相连通，当弧形滤气板内的吸附填料趋近吸附饱和，尾气因不能及时排出而通过气胀扩张囊环导入鼓气腔，逐渐增大的气压对热触发机构触发使其加热，内热触发管温度逐渐升高并传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变，其顶部移至导料板方，此时导料板与储料箱相连通，与此同时，更料板内的电磁阀开启，弧形滤气板内所吸附饱和的吸附填料通过更料板向下导出，以此自动实现对弧形滤气板进行更换填料，而更换掉的吸附填料落入至脱附体内进行脱附冷凝、回收处理。
2.技术方案
为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。
一种多晶硅尾气处理装置，包括处理箱，所述处理箱的底端设有贯穿至其内部的进气管，所述处理箱的内部固定安装有内热触发管，所述内热触发管的上端部通过衔接套固定套设有弧形滤气板，所述弧形滤气板的前后两侧壁分别与处理箱的内壁相密封衔接，所述弧形滤气板的左右两侧均均开设有过滤腔，所述过滤腔内填充有吸附填料，所述弧形滤气板的左右底端两侧均固定连接有更料板，所述更料板与弧形滤气板相连通处设有电磁阀，两个所述更料板的底端设有相互连接的脱附体，所述处理箱的顶端设有外箱壳，所述外箱壳的内部安装有一对用于吸附填料存储的储料箱，所述弧形滤气板的上端两侧均连接有与过滤腔相连通的导料板，两个所述导料板的顶端分别连接与两个储料箱的对端部所述内热触发管的底端部套设有气胀扩张囊环，所述内热触发管的内部开设有与气胀扩张囊环相连通设置的鼓气腔，所述鼓气腔内安装有热触发机构，所述鼓气腔的顶部填充有位于热触发机构顶部的导热气体，所述鼓气腔的顶端连接有两侧均连接有热形变触发体，所述热形变触发体的顶端密封衔接于储料箱的底端部，且热形变触发体的顶端位于导料板的顶端部。
进一步的，所述吸附填料采用陶瓷制成的球状颗粒，所述球状颗粒的孔隙内填充有活性炭粉末，利用活性炭与陶瓷配合，对流经预处理尾气中的氯硅烷进行吸附。
进一步的，所述脱附体包括固定连接于两个更料板底端的脱附网板，所述脱附网板为矩形网状结构，所述脱附网板的左右两侧均固定连接有导流罩，位于所述一对脱附网板之间的导流罩连接有鼓气箱，所述鼓气箱外接有鼓气泵，当弧形滤气板内部的吸附填料达到吸附饱和时，此时电磁阀开启，吸附填料通过更料板落入至脱附网板内，利用鼓气泵对吸附填料上所吸附到的氯硅烷进行鼓气脱附，氯硅烷随气体的冲击从吸附填料上脱附下来构成脱附气体。
进一步的，多个所述导流罩呈梯形结构，位于所述脱附网板外侧的导流罩内嵌设安装有冷凝管，且位于脱附网板外侧的导流罩的底端开设有排流口，利用冷凝管对脱附气体进行降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出。
进一步的，所述气胀扩张囊环包括套设于内热触发管上的环形套，所述环形套采用弹性材料制成，所述气胀扩张囊环上开设有多个扩张进气孔，当弧形滤气板达到一定的吸附饱和后，预处理尾气逐步通过气胀扩张囊环上的扩张进气孔导入至内热触发管的鼓气腔内，以此作为热触发机构触发的条件。
进一步的，所述热触发机构包括固定连接于内热触发管下端部的固定环，所述固定环与气胀扩张囊环位置对应设置，所述固定环的上端分布有多个拉伸弹簧，多个所述拉伸弹簧上连接有与内热触发管内壁活动密封衔接的下触片，所述下触片的上方设有固定连接于内热触发管内部的上触片，所述上触片与下触片接触性电连接，所述上触片上安装有电热丝。
进一步的，所述内热触发管的外壁上设有与下触片相电连接的蓄电池，所述导热气体填充于位于所述上触片顶端的鼓气腔内，导入至鼓气腔底部的预处理尾气向上顶撑下触片，下触片向上运动并与上触片相贴合，实现上触片与下触片之间的电性连接，以此实现电热丝的启动，电热丝加热后并配合导热气体将热量传递至热形变触发体处，以此作为热形变触发体的触发条件。
进一步的，所述热形变触发体包括套设于鼓气腔顶端部的导热柱，所述导热柱的顶端贯穿至内热触发管的顶端，所述导热柱的内部连接有两组记忆合金杆，每组所述记忆合金杆均设置有多个，所述记忆合金杆采用记忆合金材质制成，每组所述记忆合金杆的顶端贯穿外箱壳并固定连接有上移动片，所述上移动片活动衔接于储料箱的底端部，所述上移动片位于导料板的上方，在自然温度环境下，记忆合金杆处于拉伸状态，当该弧形滤气板达到吸附饱和后，经过触发操作使得内热触发管内部温度升高，此时，记忆合金杆因达到其变态温度后，而恢复至其初始的弯曲相态，当记忆合金杆弯曲后向下拉动上移动片，上移动片运动至导料板的顶端下部后，此时，储料箱内的吸附填料则通过导料板向下导出。
进一步的，所述储料箱与内热触发管顶端相连通处设有位于上移动片下方的下固定片，所述下固定片上开设有用于记忆合金杆贯穿的相变孔，所述下固定片上嵌设安装有与电磁阀信号连接的触发开关，所述电磁阀外接有计时单元，当上移动片下拉后并与下固定片相接触，从而对触发开关进行启动，此时弧形滤气板内吸附饱和后的吸附填料通过更料板导出，以便为从导料板处导入的新的吸附填料腾出空间，技术人员可根据实际情况对电磁阀的开闭时间实现作以限定，当上移动片对下固定片上的触发开关触动后，电磁阀打开，以有效实现能够将弧形滤气板内所饱和的吸附填料排尽。
一种多晶硅尾气的处理方法,包括以下步骤：
S1、将待处理的多晶硅生产尾气进行增压、降温得到预处理尾气；
S2、将预处理尾气通过进气管导入至处理箱内，利用弧形滤气板内的吸附填料对预处理尾气中的氯硅烷进行吸附，通过处理箱顶端的排气口排出氮气和氢气；
S3、当吸附填充层达到吸附饱和时，逐渐气压增大的气体通过气胀扩张囊环导入至内热触发管的鼓气腔内，利用气压对热触发机构进行触发实现加热处理，热处理后的内热触发管将高温传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变后运动至导料板的下方，此时导料板与储料箱内部相连通，储料箱内部的吸附填料导入导料板处；
S4、当热形变触发体受热形变后，更料板内的电磁阀被启动，弧形滤气板内的吸附填料通过更料板导入至脱附体处进行脱附，得到脱附气体；
S5、脱附气体流经位于脱附网板外侧的导流罩处后，降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出，即完成该多晶硅尾气处理。
3.有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
(1)本方案通过在内热触发管的下端部套设气胀扩张囊环,气胀扩张囊环与内热触发管内部的鼓气腔相连通，当弧形滤气板内的吸附填料趋近吸附饱和，尾气因不能及时排出而通过气胀扩张囊环导入鼓气腔，逐渐增大的气压对热触发机构触发使其加热，内热触发管温度逐渐升高并传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变，其顶部移至导料板方，此时导料板与储料箱相连通，与此同时，更料板内的电磁阀开启，弧形滤气板内所吸附饱和的吸附填料通过更料板向下导出，以此自动实现对弧形滤气板进行更换填料，而更换掉的吸附填料落入至脱附体内进行脱附冷凝、回收处理。
(2)吸附填料采用陶瓷制成的球状颗粒，球状颗粒的孔隙内填充有活性炭粉末，利用活性炭与陶瓷配合，对流经预处理尾气中的氯硅烷进行吸附。
(3)脱附体包括固定连接于两个更料板底端的脱附网板，脱附网板为矩形网状结构，脱附网板的左右两侧均固定连接有导流罩，位于一对脱附网板之间的导流罩连接有鼓气箱，鼓气箱外接有鼓气泵，当弧形滤气板内部的吸附填料达到吸附饱和时，此时电磁阀开启，吸附填料通过更料板落入至脱附网板内，利用鼓气泵对吸附填料上所吸附到的氯硅烷进行鼓气脱附，氯硅烷随气体的冲击从吸附填料上脱附下来构成脱附气体。
(4)多个导流罩呈梯形结构，位于脱附网板外侧的导流罩内嵌设安装有冷凝管，且位于脱附网板外侧的导流罩的底端开设有排流口，利用冷凝管对脱附气体进行降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出。
(5)气胀扩张囊环包括套设于内热触发管上的环形套，环形套采用弹性材料制成，气胀扩张囊环上开设有多个扩张进气孔，当弧形滤气板达到一定的吸附饱和后，预处理尾气逐步通过气胀扩张囊环上的扩张进气孔导入至内热触发管的鼓气腔内，以此作为热触发机构触发的条件。
(6)热触发机构包括固定连接于内热触发管下端部的固定环，固定环与气胀扩张囊环位置对应设置，固定环的上端分布有多个拉伸弹簧，多个拉伸弹簧上连接有与内热触发管内壁活动密封衔接的下触片，下触片的上方设有固定连接于内热触发管内部的上触片，上触片与下触片接触性电连接，上触片上安装有电热丝，内热触发管的外壁上设有与下触片相电连接的蓄电池，导热气体填充于位于上触片顶端的鼓气腔内，导入至鼓气腔底部的预处理尾气向上顶撑下触片，下触片向上运动并与上触片相贴合，实现上触片与下触片之间的电性连接，以此实现电热丝的启动，电热丝加热后并配合导热气体将热量传递至热形变触发体处，以此作为热形变触发体的触发条件。
(7)热形变触发体包括套设于鼓气腔顶端部的导热柱，导热柱的顶端贯穿至内热触发管的顶端，导热柱的内部连接有两组记忆合金杆，每组记忆合金杆均设置有多个，记忆合金杆采用记忆合金材质制成，每组记忆合金杆的顶端贯穿外箱壳并固定连接有上移动片，上移动片活动衔接于储料箱的底端部，上移动片位于导料板的上方，在自然温度环境下，记忆合金杆处于拉伸状态，当该弧形滤气板达到吸附饱和后，经过触发操作使得内热触发管内部温度升高，此时，记忆合金杆因达到其变态温度后，而恢复至其初始的弯曲相态，当记忆合金杆弯曲后向下拉动上移动片，上移动片运动至导料板的顶端下部后，此时，储料箱内的吸附填料则通过导料板向下导出。
(8)储料箱与内热触发管顶端相连通处设有位于上移动片下方的下固定片，下固定片上开设有用于记忆合金杆贯穿的相变孔，下固定片上嵌设安装有与电磁阀信号连接的触发开关，电磁阀外接有计时单元，当上移动片下拉后并与下固定片相接触，从而对触发开关进行启动，此时弧形滤气板内吸附饱和后的吸附填料通过更料板导出，以便为从导料板处导入的新的吸附填料腾出空间，技术人员可根据实际情况对电磁阀的开闭时间实现作以限定，当上移动片对下固定片上的触发开关触动后，电磁阀打开，以有效实现能够将弧形滤气板内所饱和的吸附填料排尽。
附图说明
图1为本发明的立体图一；
图2为本发明的立体图二；
图3为本发明的处理箱与外箱壳相拆分时的立体图一；
图4为本发明的处理箱与外箱壳相拆分时的立体图二；
图5为本发明的内部示意图；
图6为图5中A处结构示意图；
图7为本发明的内热触发管处的内部示意图。
图中标号说明：
1处理箱、2内热触发管、3衔接套、4弧形滤气板、5更料板、501电磁阀、6进气管、7脱附网板、8导流罩、9鼓气泵、10外箱壳、11储料箱、12 导料板、13气胀扩张囊环、14下触片、15上触片、16拉伸弹簧、17记忆合金杆、18下固定片、19上移动片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图；对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例；而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例；都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶 /底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1：
请参阅图1-2和图5，一种多晶硅尾气处理装置，包括处理箱1，处理箱 1的底端设有贯穿至其内部的进气管6，处理箱1的内部固定安装有内热触发管2，内热触发管2的上端部通过衔接套3固定套设有弧形滤气板4，弧形滤气板4的前后两侧壁分别与处理箱1的内壁相密封衔接，弧形滤气板4的左右两侧均均开设有过滤腔，过滤腔内填充有吸附填料，吸附填料采用陶瓷制成的球状颗粒，球状颗粒的孔隙内填充有活性炭粉末，利用活性炭与陶瓷配合，对流经的预处理尾气中的氯硅烷进行吸附。
弧形滤气板4的左右底端两侧均固定连接有更料板5，更料板5与弧形滤气板4相连通处设有电磁阀501，两个更料板5的底端设有相互连接的脱附体，脱附体包括固定连接于两个更料板5底端的脱附网板7，脱附网板7为矩形网状结构，用于对球状结构的吸附填料起到承载作用，脱附网板7的左右两侧均固定连接有导流罩8，位于一对脱附网板7之间的导流罩8连接有鼓气箱，鼓气箱外接有鼓气泵9，当弧形滤气板4内部的吸附填料达到吸附饱和时，此时电磁阀501被开启，吸附填料通过更料板5落入至脱附网板7内，利用鼓气泵9对吸附填料上所吸附到的氯硅烷进行鼓气脱附，氯硅烷随强大气的冲击从吸附填料上脱附下来构成脱附气体。
多个导流罩8呈梯形结构，位于脱附网板7外侧的导流罩8内嵌设安装有冷凝管，且位于脱附网板7外侧的导流罩8的底端开设有排流口，利用冷凝管对脱附气体进行降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出，位于脱附网板7外侧的导流罩8的具体长度可根据实际需要进行设定，以满足在脱附气体流经过程中足以实现降温冷凝。
请参阅图1和图3-5，处理箱1的顶端设有外箱壳10，外箱壳10的内部安装有一对用于吸附填料存储的储料箱11，弧形滤气板4的上端两侧均连接有与过滤腔相连通的导料板12，两个导料板12的顶端分别连接于两个储料箱 11的下端部，导料板12为弧形结构，且倾斜向下设置，以利于提高吸附填料补给的顺畅性，内热触发管2的底端部套设有气胀扩张囊环13，内热触发管 2的内部开设有与气胀扩张囊环13相连通设置的鼓气腔，鼓气腔内安装有热触发机构，气胀扩张囊环13包括套设于内热触发管2上的环形套，环形套采用弹性材料制成，气胀扩张囊环13上开设有多个扩张进气孔，扩张进气孔具有弹性，当弧形滤气板4达到一定的吸附饱和后，预处理尾气在气压增大后逐渐通过气胀扩张囊环13上的扩张进气孔导入至内热触发管2的鼓气腔内，以此作为热触发机构触发的条件。
鼓气腔的顶部填充有位于热触发机构顶部的导热气体，鼓气腔的顶端连接有两侧均连接有热形变触发体，热形变触发体的顶端密封衔接于储料箱11 的底端部，且热形变触发体的顶端位于导料板12的顶端部。
请参阅图5和图7，具体的，热触发机构包括固定连接于内热触发管2下端部的固定环，固定环与气胀扩张囊环13位置对应设置，固定环的上端分布有多个拉伸弹簧16，多个拉伸弹簧16上连接有与内热触发管2内壁活动密封衔接的下触片14，下触片14的上方设有固定连接于内热触发管2内部的上触片 15，上触片15与下触片14接触性电连接，上触片15上安装有电热丝，内热触发管2的外壁上设有与下触片14相电连接的蓄电池，导热气体填充于位于上触片15顶端的鼓气腔内，导入至鼓气腔底部的预处理尾气向上顶撑下触片 14，下触片14向上运动并与上触片15相贴合，实现上触片15与下触片14 之间的电性连接，以此实现电热丝的启动，电热丝加热后并配合导热气体将热量传递至热形变触发体处，以此作为热形变触发体的触发条件。
请参阅图5-6，其中，热形变触发体包括套设于鼓气腔顶端部的导热柱，导热柱的顶端贯穿至内热触发管2的顶端，导热柱的内部连接有两组记忆合金杆17，每组记忆合金杆17均设置有多个，记忆合金杆17采用记忆合金材质制成，每组记忆合金杆17的顶端贯穿外箱壳10并固定连接有上移动片19，上移动片19活动衔接于储料箱11的底端部，上移动片19位于导料板12的上方，在自然温度环境下，记忆合金杆17处于拉伸状态，当该弧形滤气板4达到吸附饱和后，经过触发操作使得内热触发管2内部温度升高，此时，利用记忆合金杆17具有的变态温度，记忆合金杆17因达到其变态温度后，而恢复至其初始的弯曲相态，当记忆合金杆17弯曲后向下拉动上移动片19，上移动片19运动至导料板12的顶端下部后，此时，储料箱11内的吸附填料则通过导料板12向下导出，实现对弧形滤气板4内的吸附填料进行更换，记忆合金杆17具有超强的记忆功能，且同时具有很强的机械强度，足以对存储于储料箱11内的轻质的吸附填料起到承托作用。
在此，需要补充的是，储料箱11与内热触发管2顶端相连通处设有位于上移动片19下方的下固定片18，下固定片18上开设有用于记忆合金杆17贯穿的相变孔，下固定片18上嵌设安装有与电磁阀501信号连接的触发开关，电磁阀501外接有计时单元，当上移动片19下拉后并与下固定片18相接触，从而对触发开关进行启动，此时弧形滤气板4内吸附饱和后的吸附填料通过更料板5导出，以便为从导料板12处导入的新的吸附填料腾出空间，技术人员可根据实际情况对电磁阀501的开闭时间实现作以限定，当上移动片19对下固定片18上的触发开关触动后，电磁阀501打开，以有效实现能够将弧形滤气板4内所饱和的吸附填料排尽，计时单元采用计时器，计时器外接单片机，来实现对电磁阀501启闭时间进行智能控制，此为现有技术中所常用的技术手段，在此不做过多赘述。
请参阅图5，一种多晶硅尾气的处理方法，包括以下步骤：
S1、将待处理的多晶硅生产尾气进行增压、降温得到预处理尾气；
S2、将预处理尾气通过进气管6导入至处理箱1内，利用弧形滤气板4 内的吸附填料对预处理尾气中的氯硅烷进行吸附，通过处理箱1顶端的排气口排出氮气和氢气；
S3、当吸附填充层达到吸附饱和时，逐渐气压增大的气体通过气胀扩张囊环13导入至内热触发管2的鼓气腔内，利用气压对热触发机构进行触发实现加热处理，热处理后的内热触发管2将高温传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变后运动至导料板12的下方，此时导料板12与储料箱11内部相连通，储料箱11内部的吸附填料导入导料板12处；
S4、当热形变触发体受热形变后，更料板5内的电磁阀501被启动，弧形滤气板4内的吸附填料通过更料板5导入至脱附体处进行脱附，得到脱附气体；
S5、脱附气体流经位于脱附网板7外侧的导流罩8处后，降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出，即完成该多晶硅尾气处理。
以上；仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此；任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内；根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变；都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种多晶硅尾气处理装置，包括处理箱(1)，所述处理箱(1)的底端设有贯穿至其内部的进气管(6)，其特征在于：所述处理箱(1)的内部固定安装有内热触发管(2)，所述内热触发管(2)的上端部通过衔接套(3)固定套设有弧形滤气板(4)，所述弧形滤气板(4)的前后两侧壁分别与处理箱(1)的内壁相密封衔接，所述弧形滤气板(4)的左右两侧均均开设有过滤腔，所述过滤腔内填充有吸附填料，所述弧形滤气板(4)的左右底端两侧均固定连接有更料板(5)，所述更料板(5)与弧形滤气板(4)相连通处设有电磁阀(501)，两个所述更料板(5)的底端设有相互连接的脱附体；
所述处理箱(1)的顶端设有外箱壳(10)，所述外箱壳(10)的内部安装有一对用于吸附填料存储的储料箱(11)，所述弧形滤气板(4)的上端两侧均连接有与过滤腔相连通的导料板(12)，两个所述导料板(12)的顶端分别连接与两个储料箱(11)的对端部所述内热触发管(2)的底端部套设有气胀扩张囊环(13)，所述内热触发管(2)的内部开设有与气胀扩张囊环(13)相连通设置的鼓气腔，所述鼓气腔内安装有热触发机构，所述鼓气腔的顶部填充有位于热触发机构顶部的导热气体，所述鼓气腔的顶端连接有两侧均连接有热形变触发体，所述热形变触发体的顶端密封衔接于储料箱(11)的底端部，且热形变触发体的顶端位于导料板(12)的顶端部。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述吸附填料采用陶瓷制成的球状颗粒，所述球状颗粒的孔隙内填充有活性炭粉末，利用活性炭与陶瓷配合，对流经预处理尾气中的氯硅烷进行吸附。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述脱附体包括固定连接于两个更料板(5)底端的脱附网板(7)，所述脱附网板(7)为矩形网状结构，所述脱附网板(7)的左右两侧均固定连接有导流罩(8)，位于所述一对脱附网板(7)之间的导流罩(8)连接有鼓气箱，所述鼓气箱外接有鼓气泵(9)。
4.根据权利要求3所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：多个所述导流罩(8)呈梯形结构，位于所述脱附网板(7)外侧的导流罩(8)内嵌设安装有冷凝管，且位于脱附网板(7)外侧的导流罩(8)的底端开设有排流口。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述气胀扩张囊环(13)包括套设于内热触发管(2)上的环形套，所述环形套采用弹性材料制成，所述气胀扩张囊环(13)上开设有多个扩张进气孔。
6.根据权利要求5所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述热触发机构包括固定连接于内热触发管(2)下端部的固定环，所述固定环与气胀扩张囊环(13)位置对应设置，所述固定环的上端分布有多个拉伸弹簧(16)，多个所述拉伸弹簧(16)上连接有与内热触发管(2)内壁活动密封衔接的下触片(14)，所述下触片(14)的上方设有固定连接于内热触发管(2)内部的上触片(15)，所述上触片(15)与下触片(14)接触性电连接，所述上触片(15)上安装有电热丝。
7.根据权利要求6所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述内热触发管(2)的外壁上设有与下触片(14)相电连接的蓄电池，所述导热气体填充于位于所述上触片(15)顶端的鼓气腔内。
8.根据权利要求7所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述热形变触发体包括套设于鼓气腔顶端部的导热柱，所述导热柱的顶端贯穿至内热触发管(2)的顶端，所述导热柱的内部连接有两组记忆合金杆(17)，每组所述记忆合金杆(17)均设置有多个，所述记忆合金杆(17)采用记忆合金材质制成，每组所述记忆合金杆(17)的顶端贯穿外箱壳(10)并固定连接有上移动片(19)，所述上移动片(19)活动衔接于储料箱(11)的底端部，所述上移动片(19)位于导料板(12)的上方。
9.根据权利要求8所述的一种多晶硅尾气处理装置，其特征在于：所述储料箱(11)与内热触发管(2)顶端相连通处设有位于上移动片(19)下方的下固定片(18)，所述下固定片(18)上开设有用于记忆合金杆(17)贯穿的相变孔，所述下固定片(18)上嵌设安装有与电磁阀(501)信号连接的触发开关，所述电磁阀(501)外接有计时单元。
10.根据权利要求1-9任一所述的一种多晶硅尾气的处理方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将待处理的多晶硅生产尾气进行增压、降温得到预处理尾气；
S2、将预处理尾气通过进气管(6)导入至处理箱(1)内，利用弧形滤气板(4)内的吸附填料对预处理尾气中的氯硅烷进行吸附，通过处理箱(1)顶端的排气口排出氮气和氢气；
S3、当吸附填充层达到吸附饱和时，逐渐气压增大的气体通过气胀扩张囊环(13)导入至内热触发管(2)的鼓气腔内，利用气压对热触发机构进行触发实现加热处理，热处理后的内热触发管(2)将高温传递至热形变触发体处，热形变触发体受热形变后运动至导料板(12)的下方，此时导料板(12)与储料箱(11)内部相连通，储料箱(11)内部的吸附填料导入导料板(12)处；
S4、当热形变触发体受热形变后，更料板(5)内的电磁阀(501)被启动，弧形滤气板(4)内的吸附填料通过更料板(5)导入至脱附体处进行脱附，得到脱附气体；
S5、脱附气体流经位于脱附网板(7)外侧的导流罩(8)处后，降温冷却，以此得到的液态氯硅烷从排流口溢出，即完成该多晶硅尾气处理。
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