CN113745964A - 外调激光器阵列单片光子集成芯片 - Google Patents

外调激光器阵列单片光子集成芯片 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种外调激光器阵列单片光子集成芯片，该芯片包括：半导体材料基底、八个分布式反馈激光器(DFB)、八个马赫曾德电光调制器(MZI)、一个阵列波导光栅(AWG)和一个半导体光放大器(SOA)；分布式反馈激光器、马赫曾德电光调制器、阵列波导光栅和半导体光放大器集成在同一半导体材料基底上，且任意两相邻部件间通过无源波导结构连接；每个马赫曾德电光调制器(MZI)的第一端与对应的分布式反馈激光器(DFB)连接，每个马赫曾德电光调制器(MZI)的第二端与阵列波导光栅(AWG)的第一端连接，阵列波导光栅(AWG)的第二端与半导体光放大器(SOA)连接。该芯片尺寸紧凑、封装成本低、功耗小，且可实现800Gbps的高速数据传输。

Description

外调激光器阵列单片光子集成芯片
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种外调激光器阵列单片光子集成芯片。
背景技术
目前，大数据、云计算、云存储、物联网等新兴互联网应用的快速发展对数据宽带传输的需求越来越大，导致数据中心流量指数增长，大幅提升了对高速率光模块的需求，从而推动了高速光电器件及芯片的发展。光模块的核心光电器件是光发射组件(TOSA)和光接收组件(ROSA)。光发射组件(TOSA)的工作原理是：由多个半导体激光器发射的激光信号通过波分复用芯片(MUX)，例如阵列波导光栅(AWG)、自由空间光滤波器等耦合到单一光纤输出端口，最后通过准直透镜或聚焦透镜输出光信号。随着数据传输速率从400G提高到800G，要同时保持TOSA组件中各光电器件的物理尺寸、功耗与成本，是目前面临的一项关键技术挑战。
相关技术中，100G、200G、400G光模块的主流技术通常是基于分立的TOSA组件，即半导体激光器芯片和波分复用芯片分别独立，在TOSA系统中组合使用。对于TOSA组件来说，其核心器件是用于产生激光信号的半导体激光器，常见的有直接调制激光器(DirectlyModulated Laser，简称DML)和电吸收调制激光器(Electlro-absorption ModulatedLaser，简称EML)。
其中，直接调制激光器(DML)是对激光器的驱动电流直接进行高速调制，从而产生对应的光信号。DML具有成本低、体积小、电路简单和功耗低等优点，但由于直接调制会引起频率啁啾，从而产生较大的色散代价，限制了光信号的远距离传输和高速传输。电吸收调制激光器(EML)由分布式反馈激光器(DFB)和电吸收调制器(EAM)单片集成，采用恒值电流驱动激光器发出直流光，再经过与EA调制器的波长匹配，以保证激光器的输出光在零调制偏压状态下可以基本无损地通过调制器。EML由于采用直流调制，不存在载流子涨落引起的啁啾效应，所以色散会比较低，更有利于远距离及高速传输，但是EML功耗较大，成本较高。
综上，相关技术中的基于DML和EML的分立TOSA组件无法满足下一代800G光通信的需求，因此，如何提供一种低功耗、低成本和高传输速率的TOSA组件成为了目前亟待解决的技术问题之一。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的目的在于提出一种外调激光器阵列单片光子集成芯片，通过将多个有源、无源器件集成到单一芯片上，由光子集成(PIC)技术制备的激光器阵列单片光子集成芯片体积小、成本低，且可以实现高速数据传输，解决了光发射组件功耗较大、成本较高的技术问题。
为达到上述目的，本发明实施例提出了一种外调激光器阵列单片光子集成芯片，包括：
半导体材料基底、八个分布式反馈激光器DFB、八个马赫曾德电光调制器MZI、一个阵列波导光栅AWG和一个半导体光放大器SOA，所述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA通过光子集成的方式集成在同一所述半导体材料基底上；
每个所述马赫曾德电光调制器MZI的第一端通过无源波导结构与对应的所述分布式反馈激光器DFB连接，每个所述马赫曾德电光调制器MZI的第二端通过无源波导结构与所述阵列波导光栅AWG的第一端连接，所述阵列波导光栅AWG的第二端通过无源波导结构与所述半导体光放大器SOA连接。
本发明实施例的外调激光器阵列单片光子集成芯片，通过光子集成技术将多个有源、无源器件集成到单一芯片上，实现激光光源和调制器的单片集成，该单片光子集成芯片体积小、成本低，并且通过8通道DFB半导体激光器阵列和AWG，满足IEEE 802.3波分复用的波长要求，实现800Gbps的高速数据传输。
另外，根据本发明上述实施例的外调激光器阵列单片光子集成芯片还可以具有以下附加的技术特征：
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述八个分布式反馈激光器DFB产生符合预设条件的光信号，并传输给所述八个马赫曾德电光调制器MZI；每个所述马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行高速外部调制后传输给所述阵列波导光栅AWG；所述阵列波导光栅AWG将接收到的八个通道的光信号耦合到一路光波导上并传输给所述半导体光放大器SOA，以实现波分复用；所述半导体光放大器SOA将复用的光信号进行放大。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述预设条件包括光信号的波长间隔满足IEEE802.3波分复用要求。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述半导体材料基底以III-V族化合物半导体材料为基底，通过多步MOCVD外延生长，将所述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA集成在同一III-V族化合物半导体材料基底上，以实现激光器、调制器和阵列波导光栅的单片集成。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述每个马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行50Gbps-PAM4高速调制，以使单通道数据传输速率达到100Gbps。
进一步地，在本发明的一个实施例中，作为基底的所述III-V族化合物半导体材料包括InP、GaAs、AlAs、InGaAsP、InGaAlAs和InGaAs中的任一种。
进一步地，在本发明的一个实施例中，所述集成芯片的工作波长在O波段或C波段，所述O波段的中心波长为1310nm，所述C波段的中心波长为1550nm。
本发明具有以下有益效果：
(1)实现激光光源和调制器的单片集成，体积小、成本低；
(2)通过8通道DFB的半导体激光器阵列和AWG，满足IEEE 802.3波分复用的波长要求，实现高速数据传输；
(3)通过大功率DFB激光器实现大功率的激光光源，并通过半导体光放大器对光信号进行进一步放大；
(4)通过MZI调制器对光信号进行50G PAM4高速调制，单通道数据传输速率达到100Gbps，最终实现8通道×100Gbps＝800G目标。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为根据本发明一个实施例的外调激光器阵列单片光子集成芯片的示意图。
附图标记：半导体材料基底-1；分布式反馈激光器DFB-2；马赫曾德电光调制器MZI-3；阵列波导光栅AWG-4；半导体光放大器SOA-5。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参照附图描述根据本发明实施例提出的外调激光器阵列单片光子集成芯片。
图1为根据本发明一个实施例的外调激光器阵列单片光子集成芯片的示意图。
如图1所示，该外调激光器阵列单片光子集成芯片包括半导体材料基底1、八个分布式反馈激光器(Distributed Feedback Laser，简称DFB)2、八个马赫曾德电光调制器(Mach-Zehnder Interferometer，简称MZI)3、一个阵列波导光栅(AWG)4和一个半导体光放大器(SOA)5。图1中上述各个部件之间相连接的实线是无源波导结构，通过无源波导结构连接上述各个部件，并进行光信号的传输，其中，光信号在各部件间的传输方向即为图1中的箭头指向。
具体而言，每个分布式反馈激光器分别对应一个马赫曾德电光调制器，阵列波导光栅是八通道的阵列波导光栅，每个马赫曾德电光调制器MZI的第一端通过无源波导结构与对应的分布式反馈激光器DFB连接，每个马赫曾德电光调制器MZI的第二端通过无源波导结构与阵列波导光栅AWG的第一端连接，阵列波导光栅AWG的第二端通过无源波导结构与半导体光放大器SOA连接。从而该集成芯片包含8个由DFB、MZI、AWG和SOA构成的数据传输通道。
需要说明的是，本发明由光子集成(PIC)技术制备单片光子集成芯片，将上述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA通过光子集成的方式集成在同一半导体材料基底上，以实现将多个有源、无源器件集成到单一芯片上。
在本发明的一个实施例中，实际应用时，八个分布式反馈激光器DFB产生符合预设条件的光信号，并传输给八个马赫曾德电光调制器MZI，每个马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行高速外部调制后传输给阵列波导光栅AWG，阵列波导光栅AWG将接收到的八个通道的光信号耦合到一路光波导上并传输给所述半导体光放大器SOA，以实现波分复用，半导体光放大器SOA将复用的光信号进行放大，其中，如上所述，光信号是通过无源波导结构在各部件间传输。
其中，预设条件包括光信号的波长间隔满足IEEE 802.3波分复用要求，即DFB激光器阵列产生波长间隔满足IEEE 802.3波分复用要求的光源。
在本发明的一个实施例中，半导体材料基底以III-V族化合物半导体材料为基底，通过多步MOCVD外延生长，将上述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA集成在同一III-V族化合物半导体材料基底上，以实现激光器、调制器和阵列波导光栅的单片集成。
其中，III-V族化合物半导体材料可以是InP、GaAs、AlAs、InGaAsP、InGaAlAs和InGaAs中的任一种，即本申请可以以属于III-V族化合物半导体材料中的任意一种材料作为基底，具体选取其中的哪一种可以根据实际情况确定，此处不做限制。
在本发明的一个实施例中，每个马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行50Gbps-PAM4高速调制，以使单通道数据传输速率达到100Gbps。
进一步的，阵列波导光栅AWG将接收到的八个通道的光信号耦合到一路光波导上后，则实现了8通道×100Gbps＝800Gbps的高速数据传输的目标。
在本发明的一个实施例中，该外调激光器阵列单片光子集成芯片的工作波长在O波段或C波段，其中，O波段的中心波长为1310nm，C波段的中心波长为1550nm。
为了更加清楚的说明本发明的外调激光器阵列单片光子集成芯片，下面以一个具体的实施例进行说明。
本发明首先以III-V族化合物半导体材料(例如：InP、GaAs、InGaAs、AlAs、InGaAsP和InGaAlAs中的任一种材料等)为基底，通过多步MOCVD外延生长，将各种有源、无源光学元件(包括半导体激光器、光放大器、光调制器、AWG波长复用/解复用器、无源光波导以及高速光电探测器等)单片集成在晶圆上，即将大功率DFB激光器和高速MZI调制器单片集成，可实现大功率、高速率、低成本、小型化的800G光通信光发射模块，并通过系统深入地权衡器件设计和优化结构参数，实现高功率、低成本、小型化，工作在通讯波段(如：1310nm，1550nm)的高速调制激光器阵列单片集成芯片。该芯片包括III-V族化合物半导体材料基底、8个分布反馈(DFB)半导体激光器、8个马赫曾德电光调制器(MZI)、1个阵列波导光栅(AWG)、1个半导体光放大器(SOA)，各个部件之间通过无源波导结构连接，并进行光信号的传输。DFB激光器阵列产生波长间隔满足IEEE 802.3波分复用要求的光源，MZI调制器对八个通道的光进行高速外部调制，AWG将八通道光信号耦合到一路光波导上实现波分复用，SOA将复用的光信号进行放大。
该芯片通过选取大功率的DFB激光器实现大功率的激光光源，并通过半导体光放大器对光信号进行进一步放大，再通过MZI调制器对光信号进行50G PAM4高速调制，单通道数据传输速率达到100Gbps，最终实现8通道×100Gbps＝800G目标。
根据本发明实施例提出的外调激光器阵列单片光子集成芯片，通过光子集成技术将多个有源、无源器件集成到单一芯片上，实现激光光源和调制器的单片集成，该单片光子集成芯片体积小、成本低，并且通过8通道DFB半导体激光器阵列和AWG，满足IEEE 802.3波分复用波段要求，实现800Gbps的高速数据传输。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (7)

1.一种外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，包括：
半导体材料基底、八个分布式反馈激光器DFB、八个马赫曾德电光调制器MZI、一个阵列波导光栅AWG和一个半导体光放大器SOA；所述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA通过光子集成的方式集成在同一所述半导体材料基底上；
每个所述马赫曾德电光调制器MZI的第一端通过无源波导结构与对应的所述分布式反馈激光器DFB连接，每个所述马赫曾德电光调制器MZI的第二端通过无源波导结构与所述阵列波导光栅AWG的第一端连接，所述阵列波导光栅AWG的第二端通过无源波导结构与所述半导体光放大器SOA连接。
2.根据权利要求1所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，
所述八个分布式反馈激光器DFB产生符合预设条件的光信号，并传输给所述八个马赫曾德电光调制器MZI；每个所述马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行高速外部调制后传输给所述阵列波导光栅AWG；所述阵列波导光栅AWG将接收到的八个通道的光信号耦合到一路光波导上并传输给所述半导体光放大器SOA，以实现波分复用；所述半导体光放大器SOA将复用的光信号进行放大。
3.根据权利要求2所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，所述预设条件包括光信号的波长间隔满足IEEE 802.3波分复用要求。
4.根据权利要求1所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，
所述半导体材料基底以III-V族化合物半导体材料为基底，通过多步MOCVD外延生长，将所述分布式反馈激光器DFB、马赫曾德电光调制器MZI、阵列波导光栅AWG和半导体光放大器SOA集成在同一III-V族化合物半导体材料基底上，以实现激光器、调制器和阵列波导光栅的单片集成。
5.根据权利要求2所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，
所述每个马赫曾德电光调制器MZI将对应通道上接收的光信号进行50Gbps-PAM4高速调制，以使单通道数据传输速率达到100Gbps。
6.根据权利要求4所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，作为基底的所述III-V族化合物半导体材料包括InP、GaAs、AlAs、InGaAsP、InGaAlAs和InGaAs中的任一种。
7.根据权利要求1所述的外调激光器阵列单片光子集成芯片，其特征在于，所述集成芯片的工作波长在O波段或C波段，所述O波段的中心波长为1310nm，所述C波段的中心波长为1550nm。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030095737A1 (en) * 2001-10-09 2003-05-22 Welch David F. Transmitter photonic integrated circuits (TxPIC) and optical transport networks employing TxPICs
CN105281200A (zh) * 2015-10-09 2016-01-27 南京大学（苏州）高新技术研究院 基于rec技术的集成高速数字调制wdm-pon光模块
CN108110613A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 中国科学院半导体研究所 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030095737A1 (en) * 2001-10-09 2003-05-22 Welch David F. Transmitter photonic integrated circuits (TxPIC) and optical transport networks employing TxPICs
CN105281200A (zh) * 2015-10-09 2016-01-27 南京大学（苏州）高新技术研究院 基于rec技术的集成高速数字调制wdm-pon光模块
CN108110613A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 中国科学院半导体研究所 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法

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