CN114167555B - 一种面向高速光通信的6.4 Tbps硅基光引擎收发芯片组件 - Google Patents

一种面向高速光通信的6.4 Tbps硅基光引擎收发芯片组件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。该芯片组件可基于包含氮化硅工艺的绝缘体上硅(SOI)和磷化铟(InP)等半导体加工工艺制造而成。该光引擎收发组件以硅光芯片为基底，通过键合或倒装焊等方式将InP激光器和光放大器光芯片与硅光芯片实现异质集成。激光器作为泵浦光源，经超低损耗氮化硅谐振腔产生光孤子光频梳，从而可以作为多波长激光器，减少了单波长激光器芯片的使用，降低了光子引擎光芯片中的激光器功耗以及热传导，并且提升了光器件的集成度。此外，光频梳可以产生带宽覆盖范围广、波长数量多的光载波，因此可以实现基于波分复用技术的超大通信容量的硅基光引擎芯片。

Description

一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件
技术领域
本发明涉及一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，特别涉及多种不同材料平台的光子集成芯片。
背景技术
云计算、大数据、人工智能、物联网、工业互联网等技术的发展和应用，对数据处理、计算、存储、传递的需求不断提高。行业数字化和企业上云驱动流量呈指数增长，预计2025年全球IP流量将达到175ZB。超大规模数据中心(HDC)作为算力基础设施，通过边缘节点、新型服务器、新型存储、新型供电制冷等技术，模块化、预制化等建设方式，承载了新一代技术和平台的运转，已成为全球数据网络的关键枢纽。根据Arizton的报告显示，预计全球超大规模数据中心市场规模将在2026年达到1276.4亿美元，该市场将以超过4.02％的复合年增长率保持增长。截至2020年二季度末，全球HDC总数已增至541个，其中我国的占比为9％。
数据中心的建设和升级将增加对更高数据吞吐量以及更低能耗的交换机系统的需求。为满足数据中心带宽每年增长超50％的需求，以太网交换机ASIC芯片和光模块在单位容量成本、带宽密度和能效方面保持同步。由于面板式可插拔光模块(FPP)具有较强的灵活性、互操作性，以及丰富的多供应商生态系统，在数据中心内部署最为广泛。基于可插拔光模块的交换机I/O架构，交换机间的高速数据交换通过基于安装在前面板上的可插拔光模块完成，电交换芯片的串行器/解串器(SerDes)IC端口通过PCB高频走线至前面板光模块接口。从2010年至今，ASIC芯片和光模块的容量均增加了40倍，交换机ASIC芯片遵循摩尔定律，带宽从0.64Tbps增加到25.6Tbps，保持每两年翻一番；可插拔光模块从10Gbps增加到400Gbps，保持每4年翻两番。但SerDes芯片每3～4年翻一番，需通过高速并行(scale out)技术增加单通道速率或数量保持交换容量的同步增长。
目前，数据中心内互连以40G和100G的可插拔光模块为主，逐渐向400G、800G以及1.6T演进。随着交换机速率的快速提升，使用可插拔光模块会受到连接器密度、散热以及信号完整性等方面的限制，因此目前并未有支持800G及以上容量的可插拔光模块。此外，基于可插拔光收发光模块的交换机光I/O架构效率也正日益成为进一步提升带宽密度、降低单位容量成本和能耗效率方面的主要瓶颈。由于共封装技术可以将光引擎和交换机芯片封装在同一基板上，不需要RF走线和Re-driver/Re-timer等器件，从而降低功耗并使得交换机带宽持续增加，有望实现高集成度、低功耗和低成本的下一代高速光交换机研发方案。
大多数光引擎目前是基于粗波分复用技术，例如1.6T光引擎使用8个波长(单波长传输速率为200Gbps)，每个波长对应两个个激光器(一个主激光器，一个备份激光器)。然而，随着交换机速率的增长，光引擎的传输速率也需每两年翻倍。因此，传统的粗波分复用技术已经不能满足未来102.4T甚至204.8T的交换机速率需求。而使用基于光频梳的密集波分复用技术将大大提升单个光引擎的传输速率，不仅极大的减少了激光器的使用数量，而且降低了单个光引擎的功耗和体积，为实现碳中和做出非常大的贡献。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。本发明将采用具有SiN工艺的硅光集成技术，与InP基激光器和半导体光放大器进行异质集成，基于超低损耗SiN谐振腔产生光孤子光频梳以及密集波分复用技术，设计出传输速率为6.4Tbps的光引擎芯片，极大的推动了超高速、低功耗和小尺寸的光引擎收发芯片实用化。
本发明首先提供了一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其包括光发射芯片和光接收芯片，
所述光发射芯片包括两个DFB(Distributed-Feedback Laser,DFB Laser)激光器、2×1SiN光开关、超低损耗SiN微环谐振腔、半导体光放大器(Semiconductor OpticalAmplifier,SOA)、SiN解波分复用器(DMUX)、32个硅光载流子耗尽型调制器、SiN波分复用器(MUX)、Si-SiN波导过渡结构和SiN光纤端面耦合器；
其中，DFB激光器和半导体光放大器通过键合方式与硅光芯片集成，两个DFB激光器作为超低损耗SiN微环谐振腔的泵浦光源，由2×1SiN光开关在两个DFB激光器之间进行切换，超低损耗SiN微环谐振腔内部的四波混频非线性效应产生光频梳(一系列等频率间隔的光载波)，半导体光放大器设置在SiN谐振腔的输出端，用于提升链路增益；SiN解波分复用器对光频梳中的光载波进行选择，选择频率间隔为200GHz的32根光频梳作为光载波；32路光载波分别被对应的32个硅光载流子耗尽型调制器调制，32路被调制的光载波经Si-SiN波导过渡结构与SiN波分复用器连接并合成一路光信号，再经SiN光纤端面耦合器耦合入单模光纤中进行传输；
所述光接收芯片基底为硅光芯片基底，包括InP基半导体光放大器、SiN解波分复用器、Si-SiN波导过渡结构、32个锗硅光电探测器(Ge Photodiode,GePD)以及SiN光纤端面耦合器；
InP基半导体光放大器通过键合方式与硅光芯片集成，光纤中传输的光信号经SiN光纤端面耦合器耦合到光接收芯片中，并由片上InP基半导体光放大器对链路损耗进行放大补偿，被放大的光信号经SiN解波分复用器解复用为32路光信号，并经由Si-SiN波导过渡结构输入到对应的GePD进行直接强度检测。
作为本发明的优选方案，所述光发射芯片中的硅光载流子耗尽型调制器为硅基载流子耗尽型马赫增德尔调制器(Mach-Zehnder Modulator,MZM)、硅基载流子耗尽型微环调制器(Micro-Ring Modulator,MRM)或锗硅电吸收调制器(GeSi Electrical AbsorptionModulator,EAM)。
作为本发明的优选方案，所述光发射芯片中的硅光载流子耗尽型调制器使用四电平、六电平或八电平幅度直接强度调制格式(4or 6/8Pulse Amplitude Modulation,PAM4or PAM6/8)对硅光载流子耗尽型调制器进行调制，数字调制速率为200Gbps，对应32路光载波可以实现6.4Tbps总通信容量。
作为本发明的优选方案，所述光接收芯片中的InP基半导体光放大器的放大系数为20-30dB。
作为本发明的优选方案，所述的SiN波分复用器和SiN解波分复用器为氮化硅微环谐振腔、非对称马赫增德尔干涉仪或衍射刻蚀光栅。
作为本发明的优选方案，所述的两个DFB激光器芯片中，一个为主DFB激光器，一个为从DFB激光器；当主DFB激光器光信号功率满足预设输出阈值时，启动主DFB激光器作为超低插损SiN微环谐振腔的泵浦光源；
当主DFB激光器光信号功率低于预设输出阈值时，启动从DFB激光器作为超低插损SiN微环谐振腔的泵浦光源，并对2×1SiN光开关的热移相器进行调控，使从DFB激光器输出的泵浦光输入到超低插损SiN微环谐振腔中。
与现有技术相比，该光引擎收发组件以硅光芯片为基底，通过键合或倒装焊等方式将InP激光器和光放大器光芯片与硅光芯片实现异质集成。激光器作为泵浦光源，经超低损耗氮化硅谐振腔产生光孤子光频梳，从而可以作为多波长激光器，减少了单波长激光器芯片的使用，降低了光子引擎光芯片中的激光器功耗以及热传导，并且提升了光器件的集成度。此外，光频梳可以产生带宽覆盖范围广、波长数量多的光载波，因此可以实现基于波分复用技术的超大通信容量的硅基光引擎芯片。
由于直接强度调制-监测方式具有结构简单、成本低等优势，基于目前硅基调制器插损、带宽、调制效率等性能，本发明使用四电平(或六电平、八电平)幅度直接强度调制格式(4or6/8Pulse Amplitude Modulation,PAM4 or PAM6/8)对调制器进行调制，数字调制速率为200Gbps。因此，对应32路光载波可以实现6.4Tbps总通信容量。
本发明中，大部分无源器件采用氮化硅材料是由于其低损耗和非常大的光功率容限，这对于降低链路损耗，提高链路增益作用显著。调制器和探测器采用硅基材料是由于其工艺平台可以制备高速调制探测器件，而氮化硅目前不具备此功能。
本发明使用基于DFB激光器和超低损耗SiN谐振腔产生光频梳的原因是由于该方案和方法降低了基于波分复用器技术而带来过多激光器的使用，从而降低整个发射芯片的功耗和热传导，过多激光器的使用将增大整个发射芯片的尺寸，对于芯片以及模块的小型化非常不利。
附图说明
图1是本发明光引擎示意图，其中(a)是光引擎的发射端；(b)是光引擎的接收端。
图2是SiN级联微环谐振腔实现的MUX和DMUX结构示意图。
图3是SiN刻蚀衍射光栅实现的MUX和DMUX结构示意图。
图4是SiN网格滤波器实现的MUX和DMUX结构示意图。
图5硅基载流子耗尽型MZM、MRM结构和GeSi EAM结构示意图，其中(a)是硅基载流子耗尽型MZM结构，(b)是硅基载流子耗尽型MRM结构，(c)是GeSi EAM结构。
图6是Si-SiN波导过渡结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
如图1-6所示，本实施例面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件包括光发射芯片(发射端)和光接收芯片(接收端)。
如图1所示，本发明在光引擎发射端所采用的技术方案是：以硅光芯片作为基底，设计并制备InP基DFB激光器和InP基SOA。通过键合或倒装焊方式将DFB激光器和SOA集成在硅光芯片上，分别作为激发光频梳的泵浦光和补偿光链路损耗的光放大器。设计并制备超低损耗SiN微环谐振腔，同时要求其波导的群速度色散在很宽的波长范围内非常平坦，并满足作为基于光学四波混频非线性产生光频梳的介质。InP基SOA将所需范围内的光频梳功率进行放大，以此提高光链路增益从而提高链路的信噪比，降低误码率。设计并制备SiN基DMUX，使用该器件从光频梳中选择出所需要的32路光载波λ1-λ32。
设计并制备低插损、大带宽、高调制效率硅光调制器。硅基调制器可以由硅基载流子耗尽型MZM、MRM和GeSi EAM实现。图5中(a)是硅基载流子耗尽型MZM结构示意。图5中(b)是硅基载流子耗尽型MRM结构示意，图5中(c)是GeSi EAM结构示意。其中，硅基载流子耗尽型MZM由一个1×2SiN基MMI、一个2×2SiN基MMI、两个载流子耗尽型PN结调制臂以及两个硅光热移相器组成。硅基载流子耗尽型MRM谐振腔分为调制区和加热区构成。电信号调制区实现电光调制，加热区一般用以调控MRM的工作点。电信号经对应的硅基调制器对这32路光载波分别调制。驱动电信号为单波长200Gbps的PAM4信号(或PAM6、PAM8)。
设计并制备SiN基MUX和SiN光纤端面耦合器。SiN基MUX将这32路被调制的光信号合成一路光信号并经SiN端面耦合器耦合到一根单模光纤并传输。SiN基2×1光开关由一个2×2SiN多模耦合干涉仪(Multimode-interforemeter,MMI)、一个2×1SiN基MMI和两个热光移相器组成。通过调控2×1光开关上下臂的相位差实现两个激光器光路的切换。
如图1中(b)所示，本发明在光引擎接收端所采用的技术方案是：一路包含32种波长的光信号经SiN光纤端面耦合器从单模光纤耦合到光引擎接收端。光引擎接收端InP基SOA用来放大接收到的光信号，提高链路信噪比，降低误码率。放大后的光信号经SiN基DMUX解复用为32路光信号。每一种波长对应的光信号经SiN-Si波导过渡结构耦合入对应的GePD中并解调为电信号。使用SiN光纤端面耦合器、光开关、MUX以及DMUX可以提高光功率容限，增大链路信噪比同时避免光器件的光学非线性。
本实施例中的SiN基MUX和DMUX可以由级联微环谐振腔、刻蚀衍射光栅和网格滤波器实现。图2是SiN级联微环谐振腔实现的MUX和DMUX结构示意图。图3是SiN刻蚀衍射光栅实现的MUX和DMUX结构示意图。图4是SiN网格滤波器实现的MUX和DMUX结构示意图。
由于MUX是氮化硅波导制备而成，硅基调制器由硅波导制备而成，因此两种不同材料制备的光波导之间需要通过SiN-Si波导过渡结构连接。硅基光波导和SiN波导之间的耦合由Si-SiN或SiN-Si完成。本实施例的是Si-SiN波导过渡结构如图6所示，图6中(a)是Si-SiN波导过渡结构的三维结构。图6中(b)是俯视状态。图6中(c)是Si-SiN波导过渡结构的截面。
本发明面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件的工作流程如下：
1)在光引擎发射端，通过对主DFB激光器施加驱动电压，使其产生的泵浦光经SiN光开关输入到SiN谐振腔中，经四波混频非线性产生频率间隔为200GHz的光学频率梳。一旦主DFB激光器由于工作寿命等原因不能正常工作(光信号功率低于预设输出阈值)，外围反馈控制电路启动备用从DFB激光器并对光开关的热移相器进行调控，使从DFB激光器输出的泵浦光输入到SiN微环谐振腔中。
2)通过外围温度控制电路反馈控制SiN谐振腔的温度，使其产生稳定的光频梳。
3)对InP基SOA施加驱动电压，将产生的光频梳功率进行放大，提高光链路的信噪比，降低信号的误码率。
4)SiN基DMUX选择光频梳中所需要的32种光载波。
5)对应的每一种光载波经对应的硅基调制器被电信号调制。
6)32路被调整的光信号经SiN基MUX合成一路，经SiN基光纤端面耦合器耦合入单模光纤并进行传输。
7)32路光信号经SiN基光纤端面耦合器耦合入光引擎接收端并由施加驱动电压的InP基SOA放大，用以提高信噪比，降低误码率。
8)放大后的含有32种光载波的光信号经SiN基DMUX解复用后由对应的GePD进行强度直接检测，解调出对应的电信号。
经过对调制器的行波电极以及PN结移相器的设计，硅光调制器和锗硅光电探测器的工作带宽均可以达到40GHz以上的同时可以实现高消光比和低功耗。基于该性能，本发明发射端使用PAM-4/6/8等脉冲幅度调制格式，接收端采用强度直接检测解调方式，则单波长可以达到200Gbps的传输速率。因此在发射端芯片，使用32路光载波可以实现6.4Tbps的总传输速率，在接收端芯片，可以实现6.4Tbps的解调速率，即实现了6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于包括光发射芯片和光接收芯片；
所述光发射芯片包括两个DFB激光器、2×1SiN光开关、超低损耗SiN微环谐振腔、半导体光放大器、SiN解波分复用器、32个硅光载流子耗尽型调制器、SiN波分复用器、Si-SiN波导过渡结构和SiN光纤端面耦合器；
其中，DFB激光器和半导体光放大器通过键合方式与硅光芯片集成，两个DFB激光器作为超低损耗SiN微环谐振腔的泵浦光源，由2×1SiN光开关在两个DFB激光器之间进行切换，超低损耗SiN微环谐振腔内部的四波混频非线性效应产生光频梳，半导体光放大器设置在SiN谐振腔的输出端，用于提升链路增益；SiN解波分复用器对光频梳中的光载波进行选择，选择频率间隔为200GHz的32根光频梳作为光载波；32路光载波分别被对应的32个硅光载流子耗尽型调制器调制，32路被调制的光载波经Si-SiN波导过渡结构与SiN波分复用器连接并合成一路光信号，再经SiN光纤端面耦合器耦合入单模光纤中进行传输；
所述光接收芯片基底为硅光芯片基底，包括InP基半导体光放大器、SiN解波分复用器、Si-SiN波导过渡结构、32个锗硅光电探测器以及SiN光纤端面耦合器；
InP基半导体光放大器通过键合方式与硅光芯片集成，光纤中传输的光信号经SiN光纤端面耦合器耦合到光接收芯片中，并由片上InP基半导体光放大器对链路损耗进行放大补偿，被放大的光信号经SiN解波分复用器解复用为32路光信号，并经由Si-SiN波导过渡结构输入到对应的GePD进行直接强度检测。
2.根据权利要求1所述的面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于，所述光发射芯片中的硅光载流子耗尽型调制器为硅基载流子耗尽型马赫增德尔调制器、硅基载流子耗尽型微环调制器或锗硅电吸收调制器。
3.根据权利要求1所述的面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于，所述光发射芯片中的硅光载流子耗尽型调制器使用四电平、六电平或八电平幅度直接强度调制格式对硅光载流子耗尽型调制器进行调制，数字调制速率为200Gbps，对应32路光载波可以实现6.4Tbps总通信容量。
4.根据权利要求1所述的面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于，所述光接收芯片中的InP基半导体光放大器的放大系数为20-30dB。
5.根据权利要求1所述的面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于，所述的SiN波分复用器和SiN解波分复用器为氮化硅微环谐振腔、非对称马赫增德尔干涉仪或衍射刻蚀光栅。
6.根据权利要求1所述的面向高速光通信的6.4Tbps硅基光引擎收发芯片组件，其特征在于，所述的两个DFB激光器中，一个为主DFB激光器，一个为从DFB激光器；当主DFB激光器光信号功率满足预设输出阈值时，启动主DFB激光器作为超低损耗SiN微环谐振腔的泵浦光源；
当主DFB激光器光信号功率低于预设输出阈值时，启动从DFB激光器作为超低损耗SiN微环谐振腔的泵浦光源，并对2×1SiN光开关的热移相器进行调控，使从DFB激光器输出的泵浦光输入到超低损耗SiN微环谐振腔中。
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CN115166493B (zh) * 2022-09-06 2022-11-15 中诚华隆计算机技术有限公司 一种芯片内部检测排障方法
CN116743259B (zh) * 2023-08-14 2023-11-14 之江实验室 异质异构集成光发射芯片
CN117728895B (zh) * 2024-02-07 2024-05-10 深圳市光为光通信科技有限公司 一种低功耗驱动的400g dr4硅光子板集成光模块

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108347283B (zh) * 2018-03-09 2023-09-29 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于微腔光孤子晶体频梳的相干光通信系统
CN208656776U (zh) * 2018-05-16 2019-03-26 苏州易缆微光电技术有限公司 硅基集成光收发模块芯片
US11233596B2 (en) * 2018-07-12 2022-01-25 Ayar Labs, Inc. Optical multiplexer/demultiplexer module and associated methods
US10754091B1 (en) * 2019-03-18 2020-08-25 Inphi Corporation Integrated coherent optical transceiver, light engine
CN112003648A (zh) * 2020-08-07 2020-11-27 中国电子科技集团公司电子科学研究院 集成光发射器件

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