CN113745290A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113745290A
CN113745290A CN202110973882.XA CN202110973882A CN113745290A CN 113745290 A CN113745290 A CN 113745290A CN 202110973882 A CN202110973882 A CN 202110973882A CN 113745290 A CN113745290 A CN 113745290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
sub
inorganic film
pixel
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110973882.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113745290B (zh
Inventor
徐乾坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110973882.XA priority Critical patent/CN113745290B/zh
Publication of CN113745290A publication Critical patent/CN113745290A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113745290B publication Critical patent/CN113745290B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板具有发光区以及与所述发光区连接的开关区。在所述发光区中包括若干子像素,所述子像素均匀分布在所述发光区中。所述显示面板包括薄膜晶体管结构层和有机发光层。所述薄膜晶体管结构层中具有无机膜层,所述无机膜层从所述开关区延伸至所述发光区内。其中,所述子像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,所述第三子像素中无机膜层的厚度小于所述第二子像素中无机膜层的厚度,所述第二子像素中无机膜层的厚度小于所述第一子像素中无机膜层的厚度。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示设备领域,特别是一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-emitting Diode,有机发光二极管)显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术,它具有十分优异的显示性能,特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,再加上其生产设备投资远小于薄膜晶体管型液晶显示屏(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,TFT-LCD),得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
对于OLED器件,为了提高OLED出光效率而使用谐振腔结构,而谐振腔结构的长度和所需发出的光的波长相关性大。显示行业三原色红、绿、蓝分别对应不同的光线波长,业界现在普遍采用的方法是牺牲某个颜色的部分谐振腔结构带来的出光效率,使用统一的较合适的谐振腔长度。因工艺难度以及生产成本等问题下,很难在同一制备工艺中分别制备三种不同长度的腔长来分别对应红、绿、蓝三种颜色的光线。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中无法在一道制程中制备不同长度的腔长来分别对应不同颜色的光线、生产难度大以及会成本高等技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,所述显示面板具有发光区以及与所述发光区连接的开关区。在所述发光区中包括若干子像素,所述子像素间隔分布在所述发光区中。
所述显示面板包括薄膜晶体管结构层和有机发光层。所述薄膜晶体管结构层设于一基板上。所述薄膜晶体管结构层中具有无机膜层,所述无机膜层从所述开关区延伸至所述发光区内。所述有机发光层设于所述发光区内的无机膜层上,并且每一子像素内具有一有机发光层。其中,所述子像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,所述第三子像素中无机膜层的厚度小于所述第二子像素中无机膜层的厚度,所述第二子像素中无机膜层的厚度小于所述第一子像素中无机膜层的厚度。
进一步地,所述无机膜层中设有若干凹槽,所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。所述第一凹槽位于所述第一子像素中。所述第二凹槽位于所述第二子像素中所述。第三凹槽位于所述第三子像素中。所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度,所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。
进一步地,每一子像素中对应设有一半透明层,所述半透明层设于所述基板与所述无机膜层之间或设于所述无机膜层中,并位于所述凹槽远离所述有机发光层的一侧。所述半透明层的透射光谱为380-780微米。
进一步地,所述无机膜层包括缓冲层、层间介质层以及钝化层。所述缓冲层设于所述基板上。所述层间介质层设于所述缓冲层上。所述钝化层设于所述层间介质层上。
进一步地,所述薄膜晶体管结构层还包括平坦层,所述平坦层设于所述开关区的无机膜层上。
进一步地,所述平坦层中包含有机材料。所述凹槽设于所述无机膜层的所述钝化层中,所述平坦层设于所述钝化层上并且从所述开关区延伸至所述发光区,进而填充所述凹槽。
本发明中还提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法中包括以下步骤:
在一基板上制备薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层中的无机膜层从所述显示面板的开关区延伸至发光区;将所述发光区中的无机膜层图案化,使第三子像素中无机膜层的厚度小于第二子像素中无机膜层的厚度、所述第二子像素中无机膜层的厚度小于第一子像素中无机膜层的厚度;在所述发光区的无机膜层上制备有机发光层。
进一步地,将所述发光区中的无机膜层图案化步骤中包括:通过半色调掩膜工艺在所述开关区内的无机膜层上形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽;其中,所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度,所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。
进一步的,所述显示面板的制备方法中还包括在所述基板上或在所述无机膜层中制备半透明层步骤。
进一步的,所述显示面板的制备方法中还包括在所述无机膜层上沉积有机材料,形成平坦层步骤。
本发明的优点是:本发明的一种显示面板及其制备方法,通过在无机膜层中开设深度不同凹槽,从而使不同颜色的子像素中无机膜层的厚度不同,进而不同颜色的子像素中谐振腔的物理长度或光学长度不同。并且该显示面板制备方法仅通过一次刻蚀就可以制备不同区域厚度不同的无机膜层,无需增加新的制备步骤,降低了工艺难度以及生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中显示面板的层状结构示意图;
图2为本发明实施例1中发光区内显示面板的层状结构放大示意图;
图3为本发明实施例1中半透明层位于缓冲层与层间介质层之间时显示面板的层状结构示意图;
图4为本发明实施例1中半透明层位于层间介质层与钝化层之间时显示面板的层状结构示意图;
图5为本发明实施例1中有机发光层厚度相同时显示面板的层状结构示意图;
图6为本发明实施例1中步骤S10后的层状结构示意图;
图7为本发明实施例1中步骤S20后的层状结构示意图;
图8为本发明实施例1中步骤S30后的层状结构示意图;
图9为本发明实施例2中显示面板的层状结构示意图;
图10为本发明实施例2中发光区内显示面板的层状结构放大示意图。
图中部件表示如下:
显示面板1; 开关区1A;
发光区1B; 第一子像素101;
第二子像素102; 第三子像素103;
薄膜晶体管结构层10; 基板11;
导电走线层12; 遮光层121;
有源层122; 栅极层123;
源漏极层124; 无机膜层13;
缓冲层131; 层间介质层132;
栅极绝缘层133; 钝化层134;
平坦层14; 凹槽15;
第一凹槽151; 第二凹槽152;
第三凹槽153; 半透明层20;
有机发光层30; 第一发光层31;
第二发光层32; 第三发光层33;
第一电极层40; 第二电极层50;
像素限定层60。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例,证明本发明可以实施,所述发明实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明,使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的发明实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在附图中,结构相同的部件以相同数字标号表示,各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一部件的尺寸和厚度是任意示出的,本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰,附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。
此外,以下各发明实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定发明实施例。本发明中所提到的方向用语,例如,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等,仅是参考附加图式的方向,因此,使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
当某些部件被描述为“在”另一部件“上”时,所述部件可以直接置于所述另一部件上;也可以存在一中间部件,所述部件置于所述中间部件上,且所述中间部件置于另一部件上。当一个部件被描述为“安装至”或“连接至”另一部件时,二者可以理解为直接“安装”或“连接”,或者一个部件通过一中间部件间接“安装至”、或“连接至”另一个部件。
实施例1
本发明实施例中提供了一种显示面板1,所述显示面板1用于显示图像,可用作手机、笔记本电脑、平板电脑等电子设备的显示装置。
如图1所示,所述显示面板1具有开关区1A以及与所述开关区1A连接的发光区1B。在所述开关区1A中,所述显示面板1设有薄膜晶体管结构层10。在所述发光区1B中,所述显示面板1设有若干子像素,每一子像素中都具有一有机发光层30。所述有机发光层30用于提供光源,其与所述薄膜晶体管结构层10电连接,所述薄膜晶体管结构层10用于控制所述有机发光层30的开启或关闭。
所述薄膜晶体管结构层10中包括导电走线层12以及无机膜层13。所述导电走线层12中包括遮光层121、有源层122、栅极层123以及源漏极层124。所述无机膜层13中包括缓冲层131、层间介质层132、栅极绝缘层133以及钝化层134。
所述遮光层121设于一基板11的表面上。所述缓冲层131设于所述基板11的表面上,并覆盖所述遮光层121。所述有源层122设于所述缓冲层131远离所述遮光层121的一表面上,并与所述遮光层121相对应。所述栅极绝缘层133设于所述有源层122远离所述缓冲层131的一表面上。所述栅极层123设于所述栅极绝缘层133远离所述有源层122的一表面上。所述层间介质层132设于所述缓冲层131上,并覆盖所述有源层122、所述栅极绝缘层133以及所述栅极层123的裸露面。所述源漏极层124设于所述层间介质层132上,并穿过所述层间介质层132与所述有源层122电连接。所述钝化层134设于所述层间介质层132上,并覆盖所述源漏极层124。
所述缓冲层131、所述栅极绝缘层133、所述层间介质层132以及所述钝化层134有透明无机材料制成,所述透明无机材料可以为硅氧化物、硅氮化物等。所述缓冲层131、所述栅极绝缘层133、所述层间介质层132以及所述钝化层134用于绝缘保护所述显示面板1中的各导电走线层12,防止走线之间发生短路。同时,所述缓冲层131还能用于减缓生产运输过程中所产生的冲击力。
所述遮光层121由金属材料制成,其用于为所述有源层122遮光,防止光线影响所述有源层122的运作。所述有源层122可以为金属氧化物或低温多晶硅等半导体材料。所述栅极层123和所述源漏极层124为导电金属材料。当所述栅极层123通入电流电压时,其会产生电场,所述电场会促使所述有源层122的表面产生感应电荷,改变所述有源层122中导电沟道的宽度,从而达到控制源漏极层124电流的目的。
所述薄膜晶体管结构层10中还包括平坦层14,所述平坦层14设于所述钝化层134远离所述源漏极层124的一表面上,其用于将所述薄膜晶体管结构层10的表面平坦化。
所述显示面板1中还包括若干半透明层20,所述半透明层20均匀分布在所述发光区1B内的基板11上,并且每一子像素中对应设有一半透明层20。所述半透明层20的透射光谱为380-780纳米。所述薄膜晶体管结构层10中的无机膜层13从所述开关区1A延伸至所述发光区1B内的基板11上,并覆盖所述半透明层20。如图1所示,在本发明实施例中,所述半透明层20设于所述基板11与所述缓冲层131之间,但在本发明的其他实施例中,半透明层20还可以设于所述无机膜层13中,如图3-4中所示,所述半透明层20可以设于缓冲层131与层间介质层132之间或设于所述层间介质层132与所述钝化层134之间,而显示面板1中其他器件的结构与本发明实施例中的相似,因此不在此做过多赘述。
如图2所示,在所述发光区1B内,所述子像素包括第一子像素101、第二子像素102以及第三子像素103,所述第一子像素101可以发出红色光线,所述第二子像素102可以发出绿色光线,所述第三子像素103用于发出蓝色光线,通过三基色原理使所述显示面板1实现彩色显示。
如图1-2所示,所述无机膜层13中的钝化层134上设有凹槽15,所述凹槽15分为第一凹槽151、第二凹槽152和第三凹槽153。所述第一凹槽151设于所述第一子像素101内,所述第二凹槽152设于所述第二子像素102内,所述第三凹槽153设于所述第三子像素103内。其中,所述第一凹槽151的深度小于所述第二凹槽152的深度,所述第二凹槽152的深度小于所述第三凹槽153的深度,因此,所述第三子像素103内无机膜层13的厚度小于所述第二子像素102内无机膜层13的厚度,所述第二子像素102内无机膜层13的厚度小于所述第一子像素101内无机膜层13的厚度。
所述显示面板1中还设有像素限定层60、第一电极层40以及第二电极层50。
所述第一电极层40设于所述平坦层14上,并依次穿过所述平坦层14和所述钝化层134与所述源漏极层124连接。所述第一电极层40靠近所述凹槽15的发光区1B的一侧延伸至所述凹槽15中,覆盖所述凹槽15的底面。所述第一电极层40为阳极层,其为透明导电膜层,例如ITO导电膜、ZnO基TCO膜等。由于所述第一凹槽151、第二凹槽152与第三凹槽153的深度不同,使得位在所述凹槽15内的所述第一电极层40具有不同的高度,即不共平面。例如,位于第一凹槽151内的所述第一电极层40高于位于第二凹槽152内的所述第一电极层40;位于第二凹槽152内的所述第一电极层40高于位于第三凹槽153内的所述第一电极层40。
在所述开关区1A内,所述像素限定层60设于所述平坦层14上,并覆盖所述第一电极层40。在所述发光区1B内,所述像素限定层60设于相邻两个凹槽15之间,加大所述凹槽15的深度,并限定所述有机发光层30的发光面积。
所述有机发光层30设于所述凹槽15中,并与所述第一电极层40远离所述凹槽15的一表面上。所述有机发光层30包括第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33,分别用以发出红光、绿光以及蓝光。其中,所述第一发光层31设于所述第一凹槽151中,所述第二发光层32设于所述第二凹槽152中,所述第三发光层33设于所述第三凹槽153中。所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33的厚度相同或不相同。
所述第二电极层50设于所述有机发光层30远离所述第一电极层40的一表面上,所述第二电极层50为阴极层,其为具有反射性能的导电膜层,例如银金属层、铜金属层、铝金属层等。
所述第一电极层40与所述薄膜晶体管结构层10的源漏极层124电连接,通过所述薄膜晶体管结构层10控制所述有机发光层30的开启或关闭,为所述有机发光层30传输电能,激发所述有机发光层30发光。并且,具有反射性能的第二电极层50与半反射半透射的半透明层20之间形成一谐振腔,所述有机发光层30所发出的光线会在谐振腔中不断反射,并通过谐振作用使最终从所述半透明层20射出的光线中特定波长的光加强。而不同颜色的光线所需要的谐振腔长度不同,所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33所发出的光线颜色不同,故所述第一子像素101、所述第二子像素102和第三子像素103之间所需要的谐振腔长度也不同。
如图1所示,当所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33的厚度不同时,每一子像素中谐振腔的长度为所述第二电极层50底面至所述半透明层20顶面之间的光学长度,所述光学长度可以根据公式L=n1*l1+n2*l2+……nn*ln(n为膜层的折射率,l为膜层的厚度)计算得到。而通过此公式可以得知,不同谐振腔之间的物理长度、膜层数量以及各膜层的透射率相同时,可以通过改变其各膜层之间的厚度达到改变谐振腔光学长度的目的。因此,通过在所述钝化层134中开设深度不同的第一凹槽151、第二凹槽152和第三凹槽153,从而使不同子像素中无机膜层13的厚度不同,同时也使不同凹槽15中有机发光层30的厚度也不相同,进而达到所述第一子像素101、所述第二子像素102和第三子像素103中谐振腔长度不相等的目的。具体的,所述第一发光层31的厚度小于所述第二发光层32的厚度,所述第二发光层32的厚度小于所述第三发光层33的厚度。
如图5所示,当所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33的厚度相同时,每一子像素中谐振腔的长度为所述第二电极层50底面至所述半透明层20顶面之间的物理长度,通过在所述钝化层134中开设深度不同的第一凹槽151、第二凹槽152和第三凹槽153,从而使不同子像素中无机膜层13的厚度不同,即不同子像素中第二电极层50底面至半透明层20顶面之间的物理距离不同,从而所述第一子像素101、所述第二子像素102和第三子像素103中谐振腔长度不相等的目的。
本发明实施例中还提供一种显示面板1的制备方法,用以制备如图1所示的显示面板1,其包括以下步骤:
步骤S10)在一基板11上制备半透明层20:在一基板11上沉积一层透射光谱为380-780纳米的半透明半反射材料,并该层半透明半反射材料图案化,形成如图6所示的半透明层20。
步骤S20)在所述基板11上制备导线走线层和无机膜层13:通过薄膜晶体管制程在所述基板11上制备如图7所示的导电走线层12和无机膜层13。其中,所述导电走线层12制备在所述显示面板1的开关区1A内,所述无机膜层13全面覆盖所述基板11。
步骤S30)在所述无机膜层13上形成凹槽15:如图8所示,通过半色调(hal t tone)掩膜工艺将所述无机膜层13中的钝化层134图案化,形成若干凹槽15。所述凹槽15包括第一凹槽151、第二凹槽152以及第三凹槽153,所述第一凹槽151位于第一子像素101中,所述第二凹槽152位于第二子像素102中,第三凹槽153位于第三子像素103中。
步骤S40)在所述无机膜层13上制备平坦层14:在所述无机膜层13上沉积一层有机材料,并将该有机材料层图案化,形成所述平坦层14。所述导电走线层12、所述无机膜层13以及所述平坦层14组合形成所述薄膜晶体管结构层10。
步骤S50)在所述薄膜晶体管结构层10上制备有机发光层30及其电极层:在所述平坦层14上和所述凹槽15中制备一层透明导电层,形成第一电极层40。在所述凹槽15的第一电极层40上通过喷墨打印法等方式制备所述有机发光层30。在所述有机发光层30远离所述第一电极层40的一表面上沉积一层导电金属,形成第二电极层50。
其中,当所述半透明层设于无机膜层中时,可将步骤S10的制备顺序进行调整,根据所述半透明层的所处位置调整至缓冲层的制程后或层间介质层的制程后。
本发明实施例中所提供的显示面板及其制备方法,通过在无机膜层中开设深度不同凹槽,从而使不同颜色的子像素中无机膜层的厚度不同,进而不同颜色的子像素中谐振腔的物理长度或光学长度不同。并且该显示面板制备方法仅通过一次刻蚀就可以制备不同区域厚度不同的无机膜层,无需增加新的制备步骤,降低了工艺难度以及生产成本。
在本发明的其他实施例中,凹槽还可以设于缓冲层或层间介质层中,其层状结构与本发明实施例中所提供的显示面板相似,因此不在此做过多赘述。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
实施例2
本发明实施例中提供了一种显示面板1,所述显示面板1用于显示图像,可用作手机、笔记本电脑、平板电脑等电子设备的显示装置。
如图9所示,所述显示面板1具有开关区1A以及与所述开关区1A连接的发光区1B。在所述开关区1A中,所述显示面板1设有薄膜晶体管结构层10。在所述发光区1B中,所述显示面板1设有若干子像素,每一子像素中都具有一有机发光层30。所述有机发光层30用于提供光源,其与所述薄膜晶体管结构层10电连接,所述薄膜晶体管结构层10用于控制所述有机发光层30的开启或关闭。
所述薄膜晶体管结构层10中包括导电走线层12以及无机膜层13。所述导电走线层12中包括遮光层121、有源层122、栅极层123以及源漏极层124。所述无机膜层13中包括缓冲层131、层间介质层132、栅极绝缘层133以及钝化层134。
所述遮光层121设于一基板11的表面上。所述缓冲层131设于所述基板11的表面上,并覆盖所述遮光层121。所述有源层122设于所述缓冲层131远离所述遮光层121的一表面上,并与所述遮光层121相对应。所述栅极绝缘层133设于所述有源层122远离所述缓冲层131的一表面上。所述栅极层123设于所述栅极绝缘层133远离所述有源层122的一表面上。所述层间介质层132设于所述缓冲层131上,并覆盖所述有源层122、所述栅极绝缘层133以及所述栅极层123的裸露面。所述源漏极层124设于所述层间介质层132上,并穿过所述层间介质层132与所述有源层122电连接。所述钝化层134设于所述层间介质层132上,并覆盖所述源漏极层124。
所述缓冲层131、所述栅极绝缘层133、所述层间介质层132以及所述钝化层134有透明无机材料制成,所述透明无机材料可以为硅氧化物、硅氮化物等。所述缓冲层131、所述栅极绝缘层133、所述层间介质层132以及所述钝化层134用于绝缘保护所述显示面板1中的各导电走线层12,防止走线之间发生短路。同时,所述缓冲层131还能用于减缓生产运输过程中所产生的冲击力。
所述遮光层121由金属材料制成,其用于为所述有源层122遮光,防止光线影响所述有源层122的运作。所述有源层122可以为金属氧化物或低温多晶硅等半导体材料。所述栅极层123和所述源漏极层124为导电金属材料。当所述栅极层123通入电流电压时,其会产生电场,所述电场会促使所述有源层122的表面产生感应电荷,改变所述有源层122中导电沟道的宽度,从而达到控制源漏极层124电流的目的。
所述薄膜晶体管结构层10中还包括平坦层14,所述平坦层14设于所述钝化层134远离所述源漏极层124的一表面上,其用于将所述薄膜晶体管结构层10的表面平坦化。
所述显示面板1中还包括若干半透明层20,所述半透明层20均匀分布在所述发光区1B内的基板11上,并且每一子像素中对应设有一半透明层20。所述半透明层20的透射光谱为380-780纳米。所述薄膜晶体管结构层10中的无机膜层13从所述开关区1A延伸至所述发光区1B内的基板11上,并覆盖所述半透明层20。
如图10所示,在所述发光区1B内,所述子像素包括第一子像素101、第二子像素102以及第三子像素103,所述第一子像素101可以发出红色光线,所述第二子像素102可以发出绿色光线,所述第三子像素103用于发出蓝色光线,通过三基色原理使所述显示面板1实现彩色显示。
如图9-10所示,所述无机膜层13中的钝化层134上设有凹槽15,所述凹槽15分为第一凹槽151、第二凹槽152和第三凹槽153。所述第一凹槽151设于所述第一子像素101内,所述第二凹槽152设于所述第二子像素102内,所述第三凹槽153设于所述第三子像素103内。其中,所述第一凹槽151的深度小于所述第二凹槽152的深度,所述第二凹槽152的深度小于所述第三凹槽153的深度,因此,所述第三子像素103内无机膜层13的厚度小于所述第二子像素102内无机膜层13的厚度,所述第二子像素102内无机膜层13的厚度小于所述第一子像素101内无机膜层13的厚度。
所述平坦层14所述开关区1A延伸至所述发光区1B,并填充所述凹槽15,使所述发光区1B内的钝化层134表面也平坦化。
所述显示面板1中还设有像素限定层60、第一电极层40、第二电极层50以及有机发光层30。
所述第一电极层40设于所述平坦层14上,并依次穿过所述平坦层14和所述钝化层134与所述源漏极层124连接。所述第一电极层40靠近所述凹槽15的发光区1B的一侧延伸至所述凹槽15的上方。所述第一电极层40为阳极层,其为透明导电膜层,例如ITO导电膜、ZnO基TCO膜等。由于所述平坦层14补偿了所述第一凹槽151、第二凹槽152与第三凹槽153的深度差异,也使得本实施例中的所述第一电极层40在各个子像素中都具有相同的高度,即共平面。
在所述开关区1A内,所述像素限定层60设于所述平坦层14上,并覆盖所述第一电极层40。在所述发光区1B内,所述像素限定层60设于相邻两个第一电极层40之间,使相邻两个第一电极层40之间绝缘设置,并形成开口。
所述有机发光层30设于所述开口中的第一电极层40上。所述有机发光层30包括第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33,分别用以发出红光、绿光以及蓝光。其中,所述第一发光层31设于所述第一子像素101中,所述第二发光层32设于所述第二子像素102中,所述第三发光层33设于所述第三子像素103中。
所述第二电极层50设于所述有机发光层30远离所述第一电极层40的一表面上,所述第二电极层50为阴极层,其为具有反射性能的导电膜层,例如银金属层、铜金属层、铝金属层等。
所述第一电极层40与所述薄膜晶体管结构层10的源漏极层124电连接,通过所述薄膜晶体管结构层10控制所述有机发光层30的开启或关闭,为所述有机发光层30传输电能,激发所述有机发光层30发光。并且,具有反射性能的第二电极层50与半反射半透射的半透明层20之间形成一谐振腔,所述有机发光层30所发出的光线会在谐振腔中不断反射,并通过谐振作用使最终从所述半透明层20射出的光线中特定波长的光加强。而不同颜色的光线所需要的谐振腔长度不同,所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33所发出的光线颜色不同,故所述第一子像素101、所述第二子像素102和第三子像素103之间所需要的谐振腔长度也不同。
如图7所示,当所述第一发光层31、所述第二发光层32和所述第三发光层33的厚度不同时,每一子像素中谐振腔的长度为所述第二电极层50底面至所述半透明层20顶面之间的光学长度,所述光学长度可以根据公式L=n1*l1+n2*l2+……nn*ln(n为膜层的折射率,l为膜层的厚度)计算得到。而通过此公式可以得知,不同谐振腔之间的物理长度、膜层数量以及各膜层的透射率相同时,可以通过改变其各膜层之间的厚度达到改变谐振腔光学长度的目的。因此,通过在所述钝化层134中开设深度不同的第一凹槽151、第二凹槽152和第三凹槽153,从而使不同子像素中无机膜层13的厚度不同,同时也使填充在凹槽15中的平坦层14厚度也不相同。并且,在本发明实施例中,所述平坦层14采用有机材料制备而成,有机材料的折射率n为1.35-1.7左右。所述无机膜层13采用无机材料制备而成,无机材料的折射率n为1.4-2.5左右。通过折射率和厚度不同的有机材料与无机材料之间的配合,进而达到所述第一子像素101、所述第二子像素102和第三子像素103中谐振腔长度不相等的目的。具体的,所述第一凹槽151中的平坦层14的厚度小于所述第二凹槽152中的平坦层14厚度,所述第二凹槽152中的平坦层14厚度小于所述第三凹槽153中的平坦层14厚度。
本发明实施例中所提供的显示面板的制备方法与实施例1中所提供的显示面板制备方法相似,其区别在于在图案化平坦层时保留所述发光区中的平坦层,其余制备步骤以及制备顺序与实施例1中所提供的显示面板制备方法相似,因此不在此做过多赘述。
本发明实施例中所提供的显示面板及其制备方法,通过在无机膜层中开设深度不同凹槽,从而使不同颜色的子像素中无机膜层的厚度不同,同时也使填充在凹槽中的平坦层厚度也不相同,通过调整平坦层和钝化层的折射率和厚度,进而不同颜色的子像素中谐振腔光学长度不同。并且该显示面板制备方法仅通过一次刻蚀就可以制备不同区域厚度不同的无机膜层,无需增加新的制备步骤,降低了工艺难度以及生产成本。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明,但是应该理解的是,这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是,可以对示例性的实施例进行许多修改,并且可以设计出其他的布置,只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是,可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是,结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,具有发光区以及与所述发光区连接的开关区;
在所述发光区中包括若干子像素,所述子像素间隔分布在所述发光区中;
所述显示面板包括:
薄膜晶体管结构层,设于一基板上,其具有无机膜层,所述无机膜层从所述开关区延伸至所述发光区内;
有机发光层,设于所述发光区内的无机膜层上,并且每一子像素内具有一有机发光层;
其中,所述子像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素;
所述第三子像素中无机膜层的厚度小于所述第二子像素中无机膜层的厚度;
所述第二子像素中无机膜层的厚度小于所述第一子像素中无机膜层的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述无机膜层中设有若干凹槽,所述凹槽包括:
第一凹槽,位于所述第一子像素中;
第二凹槽,位于所述第二子像素中;
第三凹槽,位于所述第三子像素中;
所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度;
所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每一子像素中对应设有一半透明层,所述半透明层设于所述基板与所述无机膜层之间或设于所述无机膜层中,并位于所述凹槽远离所述有机发光层的一侧;
所述半透明层的透射光谱为380-780微米。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述无机膜层包括:
缓冲层,设于所述基板上;
层间介质层,设于所述缓冲层上;
钝化层,设于所述层间介质层上。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构层还包括平坦层,所述平坦层设于所述开关区的无机膜层上。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述平坦层中包含有机材料;
所述凹槽设于所述无机膜层的所述钝化层中,所述平坦层设于所述钝化层上并且从所述开关区延伸至所述发光区,进而填充所述凹槽。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在一基板上制备薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层中的无机膜层从所述显示面板的开关区延伸至发光区;
将所述发光区中的无机膜层图案化,使第三子像素中无机膜层的厚度小于第二子像素中无机膜层的厚度、所述第二子像素中无机膜层的厚度小于第一子像素中无机膜层的厚度;
在所述发光区的无机膜层上制备有机发光层。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,将所述发光区中的无机膜层图案化步骤中包括:通过半色调掩膜工艺在所述开关区内的无机膜层上形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽;其中,所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度,所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:在所述基板上或在所述无机膜层中制备半透明层。
10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:在所述无机膜层上沉积有机材料,形成平坦层。
CN202110973882.XA 2021-08-24 2021-08-24 显示面板及其制备方法 Active CN113745290B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110973882.XA CN113745290B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110973882.XA CN113745290B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113745290A true CN113745290A (zh) 2021-12-03
CN113745290B CN113745290B (zh) 2022-08-05

Family

ID=78732550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110973882.XA Active CN113745290B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113745290B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150069363A1 (en) * 2013-09-12 2015-03-12 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
CN109390375A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 三星显示有限公司 有机发光显示设备
WO2021017106A1 (zh) * 2019-08-01 2021-02-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150069363A1 (en) * 2013-09-12 2015-03-12 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
CN109390375A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 三星显示有限公司 有机发光显示设备
WO2021017106A1 (zh) * 2019-08-01 2021-02-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置
CN113078272A (zh) * 2020-01-06 2021-07-06 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN113745290B (zh) 2022-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8922112B2 (en) Light emitting device
KR101454752B1 (ko) 유기발광다이오드표시장치 및 그 제조 방법
KR101321878B1 (ko) 유기전계 발광소자
CN109728186B (zh) 有机发光二极管显示装置
KR102476117B1 (ko) 유기발광 표시장치
CN105720081A (zh) 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
CN104617124A (zh) 有机发光二极管显示器
US20120262943A1 (en) Display unit
CN101859794B (zh) 显示装置及制造显示装置的方法
CN109087933A (zh) 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备
TW201926676A (zh) 有機發光二極體顯示器
KR20190063963A (ko) 전계발광 표시장치
US10916605B2 (en) Display substrate, method of manufacturing the same, and display device
JP2008515130A (ja) 有機el表示装置
CN113812014B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示面板
KR20200134752A (ko) 발광 표시 장치
KR101904466B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP6564965B1 (ja) 有機el表示装置及びその製造方法
CN114267704A (zh) 显示面板以及移动终端
CN111415963B (zh) 显示面板及其制备方法
US11950450B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same and electronic device
CN113745290B (zh) 显示面板及其制备方法
KR20180077856A (ko) 전계발광 표시장치
JP2016170935A (ja) 電気光学装置の製造方法
KR101433589B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant