CN113741098A - 一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 - Google Patents
一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113741098A CN113741098A CN202111298831.8A CN202111298831A CN113741098A CN 113741098 A CN113741098 A CN 113741098A CN 202111298831 A CN202111298831 A CN 202111298831A CN 113741098 A CN113741098 A CN 113741098A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- utg
- layer
- light
- titanium dioxide
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种UTG‑QD型MINI‑LED板及其应用、制备方法和光学架构，解决现有光学利用率低的技术问题。UTG‑QD型MINI‑LED板包括UTG基板、QD量子点层和铜层，应用于制备光扩散板中。制备方法为在UTG基板入光面镀铜层及涂布二氧化钛粒子层，出光面构建微米级凹槽后涂布QD量子点层和扩散层，在扩散层粘合透明阻隔膜层或贴覆UTG层，铜层和二氧化钛粒子层上开孔。光学架构是在UTG‑QD型MINI‑LED板上贴覆增光膜层和扩散膜层，用锁合件锁合成光学架构。本发明可有效提高光线利用率，同时还能提升QD量子点的附着力和发光效率。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体涉及一种UTG-QD型MINI-LED板及其应用、制备方法和光学架构。
背景技术
传统直下式背光结构如附图13所示，主要包括PCB板，设置于PCB板上的蓝光LED，以及聚苯乙烯（PS）扩散板。所述聚苯乙烯（PS）扩散板从上至下位次覆盖有扩散膜、增光膜和QD膜。PS扩散板的主要功能是使入射光充分散射，实现更柔和、均匀的照射效果。采用聚苯乙烯制成的扩散板厚度和板材的刚性无法兼顾，板材太薄，支撑平面平整度不够，中间容易塌陷，导致直下式LED灯珠打上来的光混光不均匀，出现暗影，影响视觉效果；要达到需要的平整度，则需要在聚苯乙烯中增加一部分扩散粒子，又会导致厚度大于0.8mm。此外，如果用于大尺寸机种，扩散板下面必须增加支撑柱（如附图13所示），以减少板材的变形，不仅增加了成本，还会影响画面效果。此外，聚苯乙烯耐温性很低，一般70℃左右开始出现热变形，容易发黄，如果直下式背光模组灯珠和扩散板采用0间距，或者小间距，直接影响背光寿命和效果。由于灯珠散热问题，扩散板距灯珠的表面一般大于3mm，由此带来的问题是混光距离太大，影响整机的厚度和外观，并且LED灯珠的光学利用率太低，背光模组亮度低。光扩散板是通过化学或物理的手段，利用光线在行径途中遇到两个折射率（密度）相异的介质时，发生折射、反射与散射的物理现象，通过在PMMA、PC、PS、PP，hips等基材基础中添加无机或有机光扩散剂、或者通过基材表面的微特征结构的阵列排列人为调整光线、使光线发生不同方向的折射、反射、与散射，从而改变光的行进路线，实现入射光充分散色以此产生光学扩散的效果，光扩散板有三种。一般广泛应用在液晶显示与LED照明及成像显示系统中。
因此，提供一种扩散板结构，其挺度高，平整度好，混光距离小，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的之一在于，提供一种UTG-QD型MINI-LED板，其挺度高，平整度好，利用其制备扩散板，混光距离小。
本发明的目的之二在于，提供该UTG-QD型MINI-LED板的应用。
本发明的目的之三在于，提供该UTG-QD型MINI-LED板的制备方法。
本发明的目的之四在于，提供包括有该UTG-QD型MINI-LED板的光学架构。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明提供的一种UTG-QD型MINI-LED板，包括UTG基板，以及均匀涂布于UTG基板出光面上的QD量子点层，UTG基板入光面上镀有一层铜层。
本发明所述的UTG-QD型MINI-LED板，UTG为超薄玻璃，QD为量子点， UTG-QD型MINI-LED板即为含有量子点的超薄玻璃MINI-LED板。
本发明直接在UTG表面均匀涂布量子点层，相比于现有技术，可有效减少透明阻隔膜层的使用，并且玻璃可以有效提高阻隔效果。UTG基板入光面上镀一层铜层，铜层主要用来蚀刻控制线路，铜层厚度根据需要导电线路多少来确定。
作为本发明优选的方案，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。LED贴片发出的光线中有一部分会穿透铜层朝着UTG基板入光面相反的方向照射，这部分光线将被二氧化钛粒子层反射后又穿透铜层，最后照射至UTG基板的出光面，如此可有效提高LED贴片光照利用率。
申请人经过大量试验，付出了创造性的劳动后，意外地发现二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %时、并在二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm时、且在二氧化钛粒子层的厚度为30μm时，二氧化钛粒子层具有良好的反射效果。
作为本发明进一步优选的方案，铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；优选地，铜层上蚀刻有控制线路。蓝光LED灯带出光面位于开孔位置，并且蓝光LED灯带出光面与二氧化钛粒子层外表面齐平，两者之间的间距为0，如此可有效提高光照利用率。
作为本发明优选的方案，所述UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个凹槽，凹槽表面均匀涂布有QD量子点；所述凹槽为倒锥形凹槽、或者是半球形凹槽。
作为本发明进一步优选的方案，所述凹槽的大小为微米级；优选地，所有凹槽的尺寸、形状一致。
作为本发明进一步优选的方案，倒锥形凹槽的深度为10~50μm，优选为30μm；优选地，相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm，优选为150μm；优选地，倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。
作为本发明进一步优选的方案，所述半球形凹槽的半径为10~50μm，优选为15μm；优选地，相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为50~200μm，优选为150μm。
作为本发明进一步优选的方案，所述QD量子点层的厚度为30~150μm；优选为30~120μm。
本发明采用表面有微米级别凹槽的UTG板，将QD量子点涂布于凹槽中，不仅能提升QD量子点的附着力，并且利用凹槽的聚光效果，提升QD量子点的发光效率。
作为本发明进一步优选的方案，所述UTG-QD型MINI-LED板从内至外还依次包括有：覆盖于QD量子点层上的扩散层、以及覆盖于扩散层上的透明阻隔膜层或UTG层。
作为本发明进一步优选的方案，所述扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635；申请人经过大量试验，付出了创造性的劳动后，意外地发现扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635时，UTG-QD板具有良好的雾度和光透过率。本发明通过设置扩散层，将光线进行反射，散射，让光更好地进行扩散，更加均匀，减少LED灯珠的使用。
作为本发明进一步优选的方案，所述扩散层的厚度为50~120μm；所述扩散层的扩散粒子为二氧化硅或者有机硅；进一步优选地，所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；扩散层上覆盖为透明阻隔膜层时，透明阻隔膜层厚度为60~100μm；扩散层上覆盖为UTG层时，UTG层厚度为30~70μm，并且，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接；所述扩散层表面涂覆有一层10~20μm的OC胶，所述透明阻隔膜层通过OC胶与所述扩散层相粘贴。透明阻隔膜层可采用通用阻隔膜，主要用于隔水隔氧，其透过率优选92%以上。
本发明提供的UTG-QD型MINI-LED板在制备光扩散板中的应用。
本发明的部分实施方案中，所述光扩散板用于电视、手机、车载显示器、计算机显示器的制备。
本发明提供的UTG-QD型MINI-LED板的制备方法，包括以下步骤：
S1. 在UTG基板入光面上镀上一层铜层，然后在铜层蚀刻出控制线路；
S2. 在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，二氧化钛粒子层中二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %；
S3. 在铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；
S4. 在UTG基板出光面通过激光加工、化学蚀刻或者贴膜的方式构建出均匀阵列布满于UTG基板外表面并且为微米级的凹槽；
S5. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式将包含QD量子点的涂布材料涂布于UTG出光面，室温晾干，在UTG出光面形成一层QD量子点层；所述涂布材料包括1~20wt%的QD量子点，1~10wt%的二氧化钛，余下物料为树脂；优选地，所述树脂为丙烯酸酯；
S6. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式在QD量子点层上涂布一层扩散层，室温晾干，所述扩散层的材料包括1-10 wt%的二氧化硅或有机硅材料，余量为树脂，所述树脂优选为丙烯酸酯；
S7. 在扩散层表面均匀涂一层10~20μm的OC胶，然后将透明阻隔膜粘合在一起，保护QD量子点的稳定性；或者，在扩散层表面贴覆一层UTG层，再通过激光将UTG层边缘与UTG基板边缘熔融密封粘接。
在步骤S4中，采用激光加工、化学蚀刻或者是带微结构的膜材都可以在UTG基板外表面构建出理想的微米级凹槽。
本发明通过上述方法，可以快速高效、精准地制备出符合上述要求的UTG-QD型MINI-LED板。
本发明提供的一种光学架构，它包括有：
上述的UTG-QD型MINI-LED板；
贴覆于UTG-QD型MINI-LED板中透明阻隔膜层表面、或者是UTG层表面的增光膜层；
贴覆于增光膜层表面的扩散膜层；
以及，用于将UTG-QD型MINI-LED板、增光膜层和扩散膜层锁合成光学架构的锁合件，所述锁合件优选塑胶框。
在透明阻隔膜层或者是UTG层表面贴覆增光膜，在增光膜表面贴覆扩散膜，提升画面亮度和均匀性，改善画面效果，然后再用塑胶框进行锁合，将膜片和UTG-QD 板组合成一个光学架构。结构稳固、画面亮度和均匀性好、画面效果佳。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明设计科学，构思巧妙，通过在UTG基板入光面镀铜层蚀刻控制线路，可有效降低UTG-QD型MINI-LED板整体厚度，在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，能有效将以此穿过UTG基板入光面和铜层的光线反射至UTG基板出光面，可有效提高光线利用率。通过在UTG基板出光面构造微米级凹槽，再直接在UTG表面均匀涂布QD量子点，在提升QD量子点的附着力的同时，也提升了QD量子点的发光效率。
本发明挺度高，平整度好，可有效减少PCB的使用，降低制造成本；LED混光距离几乎为0mm，LED蓝光直接透过玻璃混光，可有效减少能量损失；整体结构厚度可以做到1mm左右，极致超薄，外观新颖； OD混光距离较短，能量和色偏变化较低，加上TOMI合成的QD量子点，NTSC色域可以达到最佳；可以根据使用特性和使用场景，改变玻璃基板厚度，做到柔性，或者刚性，灵活多变； LED裸露在外，增加LED的散热，提升LED使用寿命；通过LED数量和驱动的改变，可以实现MINI-LED的Local Diming，增加分区，提升整体对比度，改善画质。
附图说明
附图1为本发明结构示意图。
附图2为附图1中A部放大图。
附图3为本发明UTG基板入光面处铜层和二氧化钛粒子层上开孔视图。
附图4为本发明结构示意图（UTG基板表面构建有锥角为60°的倒锥形凹槽）。
附图5为附图4中B部放大图。
附图6为本发明结构示意图（UTG基板表面构建有锥角为90°的倒锥形凹槽）。
附图7为本发明结构示意图（UTG基板表面构建有半球形凹槽）。
附图8为附图7中C部放大图。
附图9为本发明光学架构示意图。
附图10为附图9中D部放大图。
附图11为本发明背光结构示意图。
附图12为附图11中E部放大图。
附图13为现有技术直下式背光结构。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进一步详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如附图1、附图2和附图3所示 ，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，包括表面平整的UTG基板，以及均匀涂布于UTG上表面的QD量子点层；UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
其中，QD量子点层的厚度为30~150μm。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm。
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
铜层厚度由导电线路多少确定。
实施例2
如附图1、附图2和附图3所示 ，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，包括表面平整的UTG基板，以及均匀涂布于UTG上表面的QD量子点层；UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
其中，QD量子点层的厚度为30~150μm。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm。
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
铜层厚度由导电线路多少确定。
实施例3
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为10~50μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
实施例4
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为30μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
实施例5
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为10~50μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为150μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为55μm。
实施例6
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为30μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为150μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为55μm。
实施例7
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为10~50μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为40μm。
实施例8
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为30μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为55μm。
实施例9
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为10~50μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为150μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
实施例10
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为10~50μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为50~200μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度为50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为90μm。
实施例11
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为30μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为150μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为45μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为65μm。
实施例12
如附图3、附图4、附图5和附图6所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级倒锥形凹槽。倒锥形凹槽的深度为30μm；相邻两个倒锥形凹槽的中心点的水平距离为150μm；倒锥形凹槽的锥角为60°或90°。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖有UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为45μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为55μm。
实施例13
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为10~50μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为50~200μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，所述扩散层表面涂覆有一层10~20μm的OC胶，所述透明阻隔膜层通过OC胶与所述扩散层相粘贴，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为30μm。
实施例14
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为50~200μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，所述扩散层表面涂覆有一层10~20μm的OC胶，所述透明阻隔膜层通过OC胶与所述扩散层相粘贴，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
实施例15
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为10~50μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为150μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，所述扩散层表面涂覆有一层10~20μm的OC胶，所述透明阻隔膜层通过OC胶与所述扩散层相粘贴，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为85μm。
实施例16
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为150μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上粘合有透明阻隔膜层，所述扩散层表面涂覆有一层10~20μm的OC胶，所述透明阻隔膜层通过OC胶与所述扩散层相粘贴，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
透明阻隔膜层的厚度为60~100μm。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为65μm。
实施例17
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为10~50μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为50~200μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖为UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为20~100μm。
实施例18
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为50~200μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖为UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为70μm。
实施例19
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为150μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~150μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖为UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为45μm。
实施例20
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为150μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖为UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为30~70μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为55μm。
实施例21
如附图3、附图7和附图8所示，本实施例公开了一种UTG-QD型MINI-LED板，UTG基板以UTG为基材，并且UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个大小一致的微米级半球形凹槽。半球形凹槽的半径为15μm；相邻两个半球形凹槽的球心的水平距离为150μm。UTG基板出光面上均匀涂布有厚度为30~120μm的QD量子点层，所述QD量子点层上覆盖有扩散层、扩散层上覆盖为UTG层，凹槽表面均匀涂布有QD量子点。UTG基板入光面上镀有一层铜层，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔，铜层上蚀刻有控制线路。
扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635，厚度为50~120μm；所述扩散层透光率为85%以上，雾度50~80%，扩散层内扩散粒子浓度为1~5 wt %；
UTG层厚度为45μm，UTG层边缘与UTG基板边缘激光熔融密封粘接。
二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %，二氧化钛粒子层的厚度为65μm。
本发明将铜层沉积在UTG基板入光面上，厚度根据需要导电线路多少来确定，接着使用蚀刻工艺将控制线路蚀刻出来；在铜层下表面涂布一层高反射率的二氧化钛粒子层，二氧化钛粒子层的二氧化钛粒子浓度为1~20%，二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，将LED贴片位置处的铜层和二氧化钛粒子层镂空出来，利用二氧化钛的高反射率，将从UTG基板入光面处穿透铜层的光线反射至UTG基板出光面。
贴附LED，LED采用倒装或者正装的方式固定在UTG基板上，并且使用透明的环氧树脂将LED固定在UTG基板上，LED发光面正对铜层和二氧化钛粒子层的开孔，根据发光效果，采取不同LED发光芯片，将LED的发光效率提升到最大。
采用狭缝涂布或者喷墨的方式，将QD量子点涂布在UTG基板出光面上，然后再贴覆一层透明阻隔膜层（阻隔膜厚度在60~100μm）；或者贴上一层UTG层（UTG层厚度在30~70μm），并且利用激光，在UTG的边缘加工，使上下两片UTG熔融，相互粘接，将QD量子点封装在里面，阻隔氧气水分；
根据背光模组的画面效果，在透明阻隔膜层或者UTG层上表面涂布一层扩散层，扩散粒子采用二氧化硅或者有机硅，折射率在a.1.365~1.455，b.1.5103~1.635之间，浓度1~5%，透光率85%以上，雾度50~80%使光均匀，减少LED灯珠的使用；
根据QD板的出光效果和光学性能，在表面贴上增光膜和扩散膜，采用自由组合的方式将以上光学架构，采用双面胶粘合在一起。
实施例22
如附图9和附图10所示，本实施例公开了一种光学架构，它包括有：
上述UTG-QD型MINI-LED板；
贴覆于UTG-QD型MINI-LED板中透明阻隔膜层表面、或者是UTG层表面的增光膜层；
贴覆于增光膜层表面的扩散膜层；
以及，用于将UTG-QD型MINI-LED板、增光膜层和扩散膜层锁合成光学架构的塑胶框。
本实施例的UTG-QD型MINI-LED板的结构如实施例1或实施例2或实施例3或实施例4或实施例5或实施例6或实施例7或实施例8或实施例9或实施例10或实施例11或实施例12或实施例13或实施例14或实施例15或实施例16或实施例17或实施例18或实施例19或实施例20所示。附图9中UTG基板出光面仅示出倒锥形凹槽，当UTG基板出光面凹槽为半球形凹槽时，半球形凹槽部分请参照图7所示。
实施例23
如附图11和附图12所示，本实施例公开了一种背光结构，其包括UTG-QD型MINI-LED板、以及倒装或者正装固定于UTG-QD型MINI-LED板上的LED，LED出光面与铜层和二氧化钛粒子层上开孔正对。LED使用透明的环氧树脂贴附UTG-QD型MINI-LED板上。本实施例的UTG-QD型MINI-LED板的结构如实施例1或实施例2或实施例3或实施例4或实施例5或实施例6或实施例7或实施例8或实施例9或实施例10或实施例11或实施例12或实施例13或实施例14或实施例15或实施例16或实施例17或实施例18或实施例19或实施例20所示。附图11中UTG基板出光面仅示出倒锥形凹槽，当UTG基板出光面凹槽为半球形凹槽时，半球形凹槽部分请参照图7所示。
本发明提供的UTG-QD型MINI-LED板的制备方法，包括以下步骤：
S1. 在UTG基板入光面上镀上一层铜层，然后在铜层蚀刻出控制线路；
S2. 在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，二氧化钛粒子层中二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %；
S3. 在铜层和二氧化钛粒子层上开设设与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；
S4. 在UTG基板出光面通过激光加工、化学蚀刻或者贴膜的方式构建出均匀阵列布满于UTG基板外表面并且为微米级的凹槽；
S5. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式将包含QD量子点的涂布材料涂布于UTG出光面，室温晾干，在UTG出光面形成一层QD量子点层；所述涂布材料包括1~20wt%的QD量子点，1~10wt%的二氧化钛，余下物料为树脂；优选地，所述树脂为丙烯酸酯；
S6. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式在QD量子点层上涂布一层扩散层，室温晾干，所述扩散层的材料包括1-10 wt%的二氧化硅或有机硅材料，余量为树脂，所述树脂优选为丙烯酸酯；
S7. 在扩散层表面均匀涂一层10~20μm的OC胶，然后将透明阻隔膜粘合在一起，保护QD量子点的稳定性；或者，在扩散层表面贴覆一层UTG层，再通过激光将UTG层边缘与UTG基板边缘熔融密封粘接。
本发明设计科学，构思巧妙，通过在UTG基板入光面镀铜层蚀刻控制线路，可有效降低UTG-QD型MINI-LED板整体厚度，在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，能有效将以此穿过UTG基板入光面和铜层的光线反射至UTG基板出光面，可有效提高光线利用率。通过在UTG基板出光面构造微米级凹槽，再直接在UTG表面均匀涂布QD量子点，在提升QD量子点的附着力的同时，也提升了QD量子点的发光效率。
本发明挺度高，平整度好，可有效减少PCB的使用，降低制造成本；LED混光距离几乎为0mm，LED蓝光直接透过玻璃混光，可有效减少能量损失；整体结构厚度可以做到1mm左右，极致超薄，外观新颖； OD混光距离较短，能量和色偏变化较低，加上TOMI合成的QD量子点，NTSC色域可以达到最佳；可以根据使用特性和使用场景，改变玻璃基板厚度，做到柔性，或者刚性，灵活多变； LED裸露在外，增加LED的散热，提升LED使用寿命；通过LED数量和驱动的改变，可以实现MINI-LED的Local Diming，增加分区，提升整体对比度，改善画质。
本发明实用性强，商业效益显著，适于在本技术领域大力推广应用。
最后应说明的是：以上各实施例仅仅为本发明的较优实施例用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，当然更不是限制本发明的专利范围；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围；也就是说，但凡在本发明的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本发明一致的，均应当包含在本发明的保护范围之内；另外，将本发明的技术方案直接或间接的运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (13)
1.一种UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，包括UTG基板，以及均匀涂布于UTG基板出光面上的QD量子点层，UTG基板入光面上镀有一层铜层。
2.根据权利要求1所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层。
3.根据权利要求2所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔。
4.根据权利要求1所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个凹槽，凹槽表面均匀涂布有QD量子点；所述凹槽为倒锥形凹槽、或者是半球形凹槽。
5.根据权利要求4所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述凹槽的大小为微米级。
6.根据权利要求4所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，倒锥形凹槽的深度为10~50μm。
7.根据权利要求4所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述半球形凹槽的半径为10~50μm。
8.根据权利要求1~7任意一项所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述QD量子点层的厚度为30~150μm。
9.根据权利要求1~7任意一项所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述UTG-QD型MINI-LED板从内至外还依次包括有：覆盖于QD量子点层上的扩散层、以及覆盖于扩散层上的透明阻隔膜层或UTG层。
10.根据权利要求9所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635。
11.根据权利要求1~10任意一项所述的UTG-QD型MINI-LED板的应用，其特征在于，用于制备光扩散板。
12.根据权利要求1-10任意一项所述UTG-QD型MINI-LED板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1. 在UTG基板入光面上镀上一层铜层，然后在铜层蚀刻出控制线路；
S2. 在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，二氧化钛粒子层中二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %；
S3. 在铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；
S4. 在UTG基板出光面通过激光加工、化学蚀刻或者贴膜的方式构建出均匀阵列布满于UTG基板外表面并且为微米级的凹槽；
S5. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式将包含QD量子点的涂布材料涂布于UTG出光面，室温晾干，在UTG出光面形成一层QD量子点层；所述涂布材料包括1~20wt%的QD量子点，1~10wt%的二氧化钛，余下物料为树脂；
S6. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式在QD量子点层上涂布一层扩散层，室温晾干，所述扩散层的材料包括1-10 wt%的二氧化硅或有机硅材料，余量为树脂；
S7. 在扩散层表面均匀涂一层10~20μm的OC胶，然后将透明阻隔膜粘合在一起，保护QD量子点的稳定性；或者，在扩散层表面贴覆一层UTG层，再通过激光将UTG层边缘与UTG基板边缘熔融密封粘接。
13.一种光学架构，其特征在于，它包括有：
权利要求9或权利要求10中所述的UTG-QD型MINI-LED板；
贴覆于UTG-QD型MINI-LED板中透明阻隔膜层表面、或者是UTG层表面的增光膜层；
贴覆于增光膜层表面的扩散膜层；
以及，用于将UTG-QD型MINI-LED板、增光膜层和扩散膜层锁合成光学架构的锁合件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111298831.8A CN113741098B (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111298831.8A CN113741098B (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113741098A true CN113741098A (zh) | 2021-12-03 |
| CN113741098B CN113741098B (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=78727427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111298831.8A Active CN113741098B (zh) | 2021-11-04 | 2021-11-04 | 一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113741098B (zh) |
Citations (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010170897A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Videocon Global Ltd | エッジライト型部分駆動バックライトユニット及び液晶表示装置 |
| JP2010232101A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 導光体ユニット、照明装置および液晶表示装置 |
| US20110176328A1 (en) * | 2008-07-28 | 2011-07-21 | Munisamy Anandan | UV LED Based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD |
| CN102436019A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-05-02 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种光学上扩散膜及使用该光学上扩散膜的液晶显示背光源 |
| US20150062490A1 (en) * | 2012-01-13 | 2015-03-05 | Research Cooperation Foundation Of Yeungnam University | Backlight unit and liquid crystal display device including same |
| CN104819404A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 三星显示有限公司 | 背光组件以及包括该背光组件的显示装置 |
| US9146419B1 (en) * | 2014-06-24 | 2015-09-29 | Munisamy Anandan | Quantum rod based color pixel backlight for LCD |
| CN105158972A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 导光板及导光板的制备方法 |
| CN105470374A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 量子点封装结构及其制备方法 |
| US20160195773A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN107946425A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-04-20 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | 基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯 |
| CN108303819A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置 |
| CN108732817A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN108803138A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN109143682A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-04 | 上海中航光电子有限公司 | 背光模组和显示装置 |
| CN109301056A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种led光源及其制备方法、背光源、显示装置 |
| CN109471298A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种基于量子点的微型led液晶显示背光结构及其制备方法 |
| CN109557715A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-02 | 睿亚光电股份有限公司 | 背光装置 |
| CN109824249A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-05-31 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 一种3d玻璃制作方法 |
| CN109828408A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 新型背光模组结构及其应用 |
| CN109991777A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
| CN110007389A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-12 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 一种量子点复合导光板及背光模组 |
| CN209182545U (zh) * | 2019-01-28 | 2019-07-30 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种量子点玻璃导光板和背光模组 |
| CN209481549U (zh) * | 2019-01-26 | 2019-10-11 | 厦门玻尔科技有限公司 | 一种边缘抗水氧的量子点膜 |
| CN110908193A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-24 | 深圳市光科全息技术有限公司 | 一种应用于Mini—LED阵列光源的扩散薄膜 |
| CN111009617A (zh) * | 2018-10-05 | 2020-04-14 | 乐金显示有限公司 | 自发光显示装置 |
| CN111487810A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 面光源背光模组 |
| CN211858681U (zh) * | 2019-12-26 | 2020-11-03 | 四川欣富瑞科技发展有限公司 | 量子点膜 |
| WO2020241874A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 昭栄化学工業株式会社 | 半導体ナノ粒子複合体組成物、希釈組成物、半導体ナノ粒子複合体硬化膜、半導体ナノ粒子複合体パターニング膜、表示素子、および半導体ナノ粒子複合体分散液 |
| CN112241085A (zh) * | 2019-07-16 | 2021-01-19 | 三星显示有限公司 | 光源单元 |
| CN112863374A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-05-28 | 三星显示有限公司 | 显示面板和制造该显示面板的方法 |
| CN213581407U (zh) * | 2020-12-09 | 2021-06-29 | 阳明量子科技(深圳)有限公司 | 一种量子点复合光学薄膜 |
| CN113260815A (zh) * | 2019-01-03 | 2021-08-13 | 亮视技术公司 | 用于背光显示器的颜色转换膜和背光单元 |
-
2021
- 2021-11-04 CN CN202111298831.8A patent/CN113741098B/zh active Active
Patent Citations (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110176328A1 (en) * | 2008-07-28 | 2011-07-21 | Munisamy Anandan | UV LED Based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD |
| JP2010170897A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Videocon Global Ltd | エッジライト型部分駆動バックライトユニット及び液晶表示装置 |
| JP2010232101A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 導光体ユニット、照明装置および液晶表示装置 |
| CN102436019A (zh) * | 2011-10-29 | 2012-05-02 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种光学上扩散膜及使用该光学上扩散膜的液晶显示背光源 |
| US20150062490A1 (en) * | 2012-01-13 | 2015-03-05 | Research Cooperation Foundation Of Yeungnam University | Backlight unit and liquid crystal display device including same |
| CN104819404A (zh) * | 2014-02-05 | 2015-08-05 | 三星显示有限公司 | 背光组件以及包括该背光组件的显示装置 |
| US9146419B1 (en) * | 2014-06-24 | 2015-09-29 | Munisamy Anandan | Quantum rod based color pixel backlight for LCD |
| CN105470374A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 量子点封装结构及其制备方法 |
| US20160195773A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN105158972A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 导光板及导光板的制备方法 |
| CN108303819A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置 |
| CN109557715A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-02 | 睿亚光电股份有限公司 | 背光装置 |
| CN109828408A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 新型背光模组结构及其应用 |
| CN107946425A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-04-20 | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 | 基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯 |
| CN108732817A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN108803138A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN109143682A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-04 | 上海中航光电子有限公司 | 背光模组和显示装置 |
| CN109301056A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种led光源及其制备方法、背光源、显示装置 |
| CN111009617A (zh) * | 2018-10-05 | 2020-04-14 | 乐金显示有限公司 | 自发光显示装置 |
| CN109471298A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种基于量子点的微型led液晶显示背光结构及其制备方法 |
| CN113260815A (zh) * | 2019-01-03 | 2021-08-13 | 亮视技术公司 | 用于背光显示器的颜色转换膜和背光单元 |
| CN209481549U (zh) * | 2019-01-26 | 2019-10-11 | 厦门玻尔科技有限公司 | 一种边缘抗水氧的量子点膜 |
| CN209182545U (zh) * | 2019-01-28 | 2019-07-30 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种量子点玻璃导光板和背光模组 |
| CN110007389A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-12 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 一种量子点复合导光板及背光模组 |
| CN109824249A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-05-31 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 一种3d玻璃制作方法 |
| CN109991777A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背光模组及其制备方法和显示装置 |
| WO2020241874A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 昭栄化学工業株式会社 | 半導体ナノ粒子複合体組成物、希釈組成物、半導体ナノ粒子複合体硬化膜、半導体ナノ粒子複合体パターニング膜、表示素子、および半導体ナノ粒子複合体分散液 |
| CN112241085A (zh) * | 2019-07-16 | 2021-01-19 | 三星显示有限公司 | 光源单元 |
| CN112863374A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-05-28 | 三星显示有限公司 | 显示面板和制造该显示面板的方法 |
| CN110908193A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-24 | 深圳市光科全息技术有限公司 | 一种应用于Mini—LED阵列光源的扩散薄膜 |
| CN211858681U (zh) * | 2019-12-26 | 2020-11-03 | 四川欣富瑞科技发展有限公司 | 量子点膜 |
| CN111487810A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 面光源背光模组 |
| CN213581407U (zh) * | 2020-12-09 | 2021-06-29 | 阳明量子科技(深圳)有限公司 | 一种量子点复合光学薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113741098B (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10698263B2 (en) | Light source device and display unit | |
| US9715135B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| EP3690532A1 (en) | Backlight module, display screen and terminal | |
| WO2019200825A1 (zh) | 直下式背光模组及其制作方法 | |
| US8933871B2 (en) | Backlight unit and display device | |
| CN108732816B (zh) | 面光源背光模组及液晶显示面板 | |
| CN110456574A (zh) | 一种显示装置及背光模组 | |
| CN211980636U (zh) | 一种led背光模组和显示装置 | |
| US11320696B2 (en) | Backlight module, display, and mobile terminal | |
| CN214098031U (zh) | 一种显示装置 | |
| CN102081177A (zh) | 一种光学扩散膜及使用该光学扩散膜的液晶显示背光源 | |
| US20210333634A1 (en) | Backlight module and display device having the backlight module | |
| EP4143634A1 (en) | Display devices with tiled components | |
| CN211237579U (zh) | 一种led背光模组和显示装置 | |
| CN215416207U (zh) | 一种显示装置 | |
| CN105446008B (zh) | 显示装置 | |
| US20190129251A1 (en) | Lighting device and image display device | |
| CN111045253B (zh) | 背光模组及液晶显示装置 | |
| CN113741098B (zh) | 一种utg-qd型mini-led板及其应用、制备方法和光学架构 | |
| KR101718486B1 (ko) | 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 | |
| CN217655399U (zh) | Mini/Micro背光模组及显示装置 | |
| KR101832311B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| CN101740669B (zh) | 背光模块 | |
| CN110018594B (zh) | 背光模组及显示模组 | |
| CN114063346A (zh) | 一种显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |