CN113740961B - 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 - Google Patents
一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113740961B CN113740961B CN202110990948.6A CN202110990948A CN113740961B CN 113740961 B CN113740961 B CN 113740961B CN 202110990948 A CN202110990948 A CN 202110990948A CN 113740961 B CN113740961 B CN 113740961B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical waveguide
- light
- waveguide core
- absorber
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 22
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/003—Light absorbing elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1347—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion implantation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12126—Light absorber
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片，该光吸收器包括波导包层、介质光波导核心和吸收材料层，其中，波导包层包围该介质光波导核心和该吸收材料层，介质光波导核心包括第一端部和第二端部，介质光波导核心的径向尺寸从所述第一端部到所述第二端部逐渐变小，吸收材料层的材料可以是金属或者硅，能够位于该介质光波导核心上层，或位于该介质光波导核心侧方，又或者位于该介质光波导核心下层，该光吸收器可以减小反向反射，使光能够尽可能地被完全吸收。
Description
技术领域
本发明涉及集成光学元器件领域，尤其涉及一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片。
背景技术
光学吸收器，也称为光学消除器或光沉，是集成光学元器件中的重要组件。它们用于以低回波损耗(反射)消除不希望的光。在硅基集成光子学技术中，硅(Si)波导作为半导体波导，可以通过离子注入工艺掺杂形成光吸收器，这样光可以通过自由载流子吸收来消除。除硅波导外，一些介质光波导(如二氧化硅、聚合物、氮化硅、氮化铝等波导)也广泛应用于集成光子学技术。介质光波导通常不能像硅波导那样掺杂形成吸收器；因此，目前一种简单的方法是使过渡结构将光从介质光波导传输到硅，然后使用掺杂硅作为吸收器，但是这样就会引入额外的过渡结构，使元器件结构变得复杂。目前另一种方法是使用吸收材料，如锗(Ge)。硅上锗广泛应用于集成光学元器件中，可以用作光电探测器，但锗外延生长会影响集成光学元器件的良率，进而影响成本。此外，介质光波导和锗吸收器的表面可以引入一些不需要的反向反射。因此，亟需一种新型的集成介质光波导的光吸收器以改善上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成波导的光学吸收器和光吸收芯片，用于减小反向反射，使光能够尽可能地被完全吸收。
第一方面，本发明提供一种集成介质光波导的光吸收器，该光吸收器包括波导包层、介质光波导核心和吸收材料层，波导包层包围该介质光波导核心和该吸收材料层，介质光波导核心包括第一端部和第二端部，介质光波导核心的径向尺寸从所述第一端部到所述第二端部逐渐变小，吸收材料层，能够位于所述波导上层，或位于所述波导侧方，又或者位于所述波导下层，该光吸收器可以减小反向反射，使光能够尽可能地被完全吸收。
可选的，介质光波导的形状为锥形或者楔形。因为锥形或者楔形的介质光波导使得光模尺寸逐渐增大，当光模式轮廓扩展到越来越大时，光模式的尾部开始接触上面的吸收材料层，因吸收材料层引入吸收，从而衰减了沿波导传播的光功率。而绝热模式渐变足够光滑，以避免突变，因此可以显著减小反向反射。
可选的，介质光波导核心从一侧到另一侧的宽度逐渐改变，介质波导的材料可以是但不限定于如二氧化硅、聚合物、氮化硅、氮化铝等。
可选的，介质光波导核心在空间上呈螺旋状或折叠环状设置，这样有助于节省光集成电路元器件上的空间，光集成电路元器件的集成化程度更高。
可选的，吸收材料层的材料为金属。而且，该光吸收器不需要使用离子注入掺杂工艺，也不需要引入锗等其他材料，使其结构易于制造。
可选地，吸收材料层的材料为硅，硅可以用于吸收某一波长的光(如可见光波段)。
可选地，该硅上可以通过离子注入掺杂工艺形成有PN结或PIN结。这样可以通过加反偏电压将光吸收后转换成的自由载流子移走。
第二方面，本发明提供一种光吸收芯片，包括偏振旋转器和如第一方面所述的光吸收器；该偏振旋转器，用于能够将输入的TE偏振光旋转90度转换成TM偏振光，并输出所述TM偏振光；该光吸收器，用于吸收TM偏振光。因为光吸收器的TM偏振光的吸收效率更高，所以该结构能够更有效地吸收光波。
附图说明
图1为本发明提供的一种光吸收器的立体图；
图2为本发明提供的一种光吸收器的俯视图、侧视图和剖面图；
图3为本发明提供的另一种光吸收器的立体图；
图4至图6为本发明提供的另一种光吸收器的立体图；
图7为本发明提供的一种光介质波导的空间设置方式俯视图；
图8为本发明提供的一种光模式强度剖视图；
图9为本发明提供的一种光吸收芯片的吸收方式示意图。
图中标号：
10、波导包层；
20、介质光波导核心；
30、吸收材料层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
实施例一
针对现有技术存在的问题，本发明的实施例一提供了一种集成介质光波导的光吸收器，如图1所示，包括：波导包层10、介质光波导核心20、吸收材料层30。
其中，波导包层10包围介质光波导核心20和吸收材料层30；介质光波导核心20包括第一端部和第二端部，介质光波导核心20的径向尺寸从第一端部到所述第二端部逐渐变小；吸收材料层30，位于该介质光波导核心上层。另外，图2为图1中的光吸收器的俯视图、侧视图和剖面图，俯视图如图2中的(a)所示，侧视图如图2中的(b)所示，剖面图如图2中的(c)所示。
示例性地，第一端部的径向尺寸的取值范围为[500nm，2000nm]，第二端部的径向尺寸的取值范围为[100nm，200nm]。
值得说明的是，图1是以楔形的介质光波导核心20为例进行示意，需要说明的是，该介质光波导核心20还可以是锥形，如图3所示。
另一种可能的实施方式下，如图4所示该吸收材料层30还可以位于该介质光波导核心20的一侧；又或者，如图5所示，吸收材料层30位于该介质光波导核心20的下层；再或者，如图6所示，该吸收材料层30还可以位于该介质光波导核心20的两侧。
可选的，介质光波导核心20可以在空间上呈螺旋状或折叠环状设置，呈螺旋状的光吸收器的俯视图如图7中的(a)所示，呈折叠环状的光吸收器的俯视图如图7中的(b)所示，这样设置有助于节省光集成电路元器件上的空间，光集成电路元器件的集成化程度更高。
可选地，本发明中的吸收材料层30和介质光波导核心20可以由标准的集成光子学代工厂提供，因此其结构与标准的工艺流程相兼容。该吸收材料层30的材料可以是金属，例如，可以是但不限定于铝、铜或钨，该光吸收器不需要植入，也不需要引进锗等其他材料，使其结构易于制造。介质波导的材料可以是但不限定于如二氧化硅、聚合物、氮化硅、氮化铝等。
可选地，该吸收材料层30还可以是硅层，硅层可以用于吸收某一波长的光(如可见光波段)，将光转换为自由载流子。如图2所示，介质光波导核心20的下层设有硅层，该硅层可以吸收通过介质光波导核心20传播的可见光，硅层可以是SOI衬底上的顶部硅。
可选地，该硅层上可以通过离子注入掺杂工艺形成有PN结或PIN结，从而通过施加反向偏置电压扫出光被硅吸收而转换成的自由载流子。
实施例二
实施例二是基于实施例一的方案，其改进之处在于，本发明还提供一种光吸收芯片，该光吸收芯片包括偏振旋转器和光吸收器，该光吸收器如实施例一所述。偏振旋转器，用于将输入的横电场(transverse electric，TE)模偏振光旋转90度转换成横磁场(transverse magnetic，TM)模偏振光，并输出所述TM偏振光。光吸收器，用于吸收所述TM偏振光。因为光吸收器的TM偏振光的吸收效率更高，所以该结构能够更有效地吸收光波。
如图8中的(a)和图8中的(b)分别显示了TE和TM极化的狭窄氮化硅波导截面下的模拟模式强度剖面；图8中的(c)和图8中的(d)分别显示在波导上方引入吸收材料层后的模拟模式强度轮廓；可以看出，吸收材料层对光模分布有干扰，根据试验数据，TM模偏振光比TE模偏振光的损失高，例如高10倍，因此光吸收器对TM模偏振光的吸收效率要好得多。
如图9所示，基于上述光吸收芯片，光波的偏振首先从TE模偏振光转换为TM模偏振光，然后光吸收器能够更有效地吸收TM模偏振光。
值得说明的是，上述光吸收器、光吸收芯片可以应用于光传感，光计算，光通信，光存储，光雷达等场景，对此本发明并不做限制。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。
Claims (3)
1.一种集成介质光波导的光吸收器，其特征在于，包括：
波导包层，所述波导包层全包围介质光波导核心和吸收材料层；
介质光波导核心，所述介质光波导核心包括第一端部和第二端部，所述介质光波导核心的径向尺寸从所述第一端部到所述第二端部逐渐变小；所述介质光波导核心在空间上呈螺旋状设置或呈折叠环状设置；
吸收材料层，位于所述介质光波导核心上层，或位于所述介质光波导核心侧方，又或者位于所述介质光波导核心下层；
所述吸收材料层为金属或硅；所述硅通过离子注入工艺掺杂形成PN结或PIN结；所述PN结或PIN结用于通过加反偏电压将光吸收后转换成的自由载流子移走；所述介质光波导核心的一侧或两侧设有所述吸收材料层。
2.根据权利要求1所述的光吸收器，其特征在于，所述介质光波导核心的形状为锥形或者楔形。
3.一种光吸收芯片，其特征在于，包括偏振旋转器和如权利要求1至2任一项所述的光吸收器；
所述偏振旋转器，用于将输入的横电场TE模偏振光旋转90度转换成横磁场TM模偏振光，并输出所述TM偏振光；
所述光吸收器，用于吸收所述TM偏振光。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110990948.6A CN113740961B (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
| US18/266,321 US20240027686A1 (en) | 2021-08-26 | 2022-02-25 | Optical absorber and optical absorption chip integrated with dielectric optical waveguide |
| PCT/CN2022/078003 WO2023024466A1 (zh) | 2021-08-26 | 2022-02-25 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
| JP2023574778A JP2024519546A (ja) | 2021-08-26 | 2022-02-25 | 集積媒体光導波路の光吸収体及び光吸収チップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110990948.6A CN113740961B (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113740961A CN113740961A (zh) | 2021-12-03 |
| CN113740961B true CN113740961B (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=78733267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110990948.6A Active CN113740961B (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240027686A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024519546A (zh) |
| CN (1) | CN113740961B (zh) |
| WO (1) | WO2023024466A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113740961B (zh) * | 2021-08-26 | 2022-10-21 | 赛丽科技(苏州)有限公司 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107167874A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-09-15 | 中国科学技术大学 | 能量吸收器 |
| CN110600985A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-20 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 波导结构、光器件及波导结构的制作方法 |
| CN111736260A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种偏振器件及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101788400B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2017-10-20 | 한국과학기술원 | 평면형 광파 회로 기반의 집적 광학 칩 |
| US10359569B2 (en) * | 2016-05-09 | 2019-07-23 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Optical waveguide termination having a doped, light-absorbing slab |
| CN113544493A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-10-22 | 宽腾矽公司 | 用于集成装置的光学吸收滤光器 |
| US11079544B2 (en) * | 2019-08-05 | 2021-08-03 | Globalfoundries U.S. Inc. | Waveguide absorbers |
| CN113740961B (zh) * | 2021-08-26 | 2022-10-21 | 赛丽科技(苏州)有限公司 | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 |
-
2021
- 2021-08-26 CN CN202110990948.6A patent/CN113740961B/zh active Active
-
2022
- 2022-02-25 WO PCT/CN2022/078003 patent/WO2023024466A1/zh active Application Filing
- 2022-02-25 JP JP2023574778A patent/JP2024519546A/ja active Pending
- 2022-02-25 US US18/266,321 patent/US20240027686A1/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107167874A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-09-15 | 中国科学技术大学 | 能量吸收器 |
| CN110600985A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-20 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 波导结构、光器件及波导结构的制作方法 |
| CN111736260A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种偏振器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024519546A (ja) | 2024-05-15 |
| US20240027686A1 (en) | 2024-01-25 |
| WO2023024466A1 (zh) | 2023-03-02 |
| CN113740961A (zh) | 2021-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10847665B2 (en) | Germanium metal-contact-free near-IR photodetector | |
| US10580923B2 (en) | Optical semiconductor device and optical transceiver | |
| US9176291B2 (en) | Grating coupler for inter-chip optical coupling | |
| US11923466B2 (en) | Photodetector with integrated reflective grating structure | |
| CN107532967B (zh) | 用于测试光学器件性能的系统和测试光学装置的方法 | |
| KR101464817B1 (ko) | 측벽 광검출기 | |
| CN113740961B (zh) | 一种集成介质光波导的光吸收器和光吸收芯片 | |
| WO2019089437A1 (en) | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices | |
| FR3063151A1 (fr) | Dispositif de couplage optique a large bande passante et a pertes de puissance reduites | |
| CN101939689B (zh) | 带有弱导光波导模式的电吸收调制器 | |
| CN114068736B (zh) | 光电探测器 | |
| US11495700B2 (en) | Photodetectors and semiconductor devices | |
| Ono et al. | Waveguide butt-joint Germanium photodetector with lateral PIN structure for 1600nm wavelengths receiving | |
| CN114335207B (zh) | 一种基于双层亚波长光栅的锗硅光电探测器 | |
| JP2006171157A (ja) | 光導波装置、光導波モジュール及び光・電気複合デバイス | |
| CN217766908U (zh) | 集成三维波导的光学组件及光芯片 | |
| Huang et al. | 64Gbps PAM4 modulation for a low energy Si-Ge waveguide APD with distributed Bragg reflectors | |
| CN114220881B (zh) | 光电探测器 | |
| JPH04263475A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| Kurczveil et al. | A compact, high-speed, highly efficient hybrid silicon photodetector | |
| CN115144959A (zh) | 集成三维波导的光学组件及光芯片 | |
| CN115101609B (zh) | 一种基于定向耦合器的锗硅光电探测器 | |
| Ives et al. | A wideband on-chip radiator driven by a traveling-wave photodetector | |
| US20230014187A1 (en) | Semiconductor photodetector, receiver, and integrated optical device | |
| JP3030394B2 (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |