CN113722959A - 芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质 - Google Patents

芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质 Download PDF

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CN113722959A CN202111007236.4A CN202111007236A CN113722959A CN 113722959 A CN113722959 A CN 113722959A CN 202111007236 A CN202111007236 A CN 202111007236A CN 113722959 A CN113722959 A CN 113722959A
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许杨柳
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Abstract

本发明公开了一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质，其中所述方法包括：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本发明，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。

Description

芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质
技术领域
本发明涉及终端技术领域，尤其涉及一种芯片翘曲变形量计算方法、装置、终端设备及介质。
背景技术
摄像头模组在正常工作时，成像芯片和摄像头模组中其他电子元器件发热会造成整个摄像头模组的温度分布不均匀。且还受摄像头模组安装位置的约束作用和摄像头模组中各种材料的热膨胀系数(coefficient thermal expansion，CTE)不一致等原因，会造成成像芯片的翘曲变形。然而，这种翘曲变形会改变光学焦距，从而造成摄像头模组拍照成像不清晰。
在摄像头模组前期设计阶段，为保证摄像头模组的清晰成像，设计师会根据成像芯片的翘曲变形量进行一定量的热变形补偿，从而保证成像芯片的清晰成像。因此，如何准确地计算摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量是目前亟需解决的重要问题。
发明内容
本申请实施例通过提供一种芯片翘曲变形量计算方法，能准确、便捷地计算出摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种芯片翘曲变形量计算方法，所述方法包括：
获取摄像头模组的几何模型；
对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述调用有限元分析软件对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；
调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；
在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；
对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；
根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：
确定所述摄像头模组的散热方式；
所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述方法还包括：
在判断到所述温度场分布异常时，生成与所述温度场分布对应的异常分析报告。
可选地，所述调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
在有限元分析软件的静力学模块中设置所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件；
采用热力耦合的方式对所述温度场分布进行第二网格划分和温度重映射，得到第二网格模型；
根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述材料参数包括以下中的至少一项：材料弹性模量、材料泊松比和材料热膨胀系数。
另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种芯片翘曲变形量计算装置，所述装置包括：获取模块和计算模块，其中：
所述获取模块，用于获取摄像头模组的几何模型；
所述计算模块，用于对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
关于本申请实施例未介绍或未描述的内容可对应参考前述方法实施例中的相关介绍，这里不再赘述。
另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种终端设备，其特征在于，包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上所述的芯片翘曲变形量计算方法。
另一方面，本申请通过本申请的一实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上所述的芯片翘曲变形量计算方法。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请通过获取摄像头模组的几何模型，对所述摄像头模组的几何模型依次进行温度场分布计算和翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本申请，能利用有限元分析软件直接、准确地计算出成像芯片的翘曲变形量，这样能提升翘曲变形量计算的准确性和便捷性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。
图2是本申请实施例提供的另一种芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。
图3是本申请实施例提供的一种摄像头模组中部分部件的几何模型的结构示意图。
图4是本申请实施例提供的一种流体区域的示意图。
图5是本申请实施例提供的一种温度场分布示意图。
图6是本申请实施例提供的一种有限元分析软件的内部处理流程图。
图7是本申请实施例提供的一种热仿真模块计算的温度场分布与静力学模块识别的温度边界分布的对比示意图。
图8是本申请实施例提供的一种摄像头模组中安装有成像芯片的柔性电路板的翘曲变形量的结果示意图。
图9是本申请实施例提供的一种成像芯片的翘曲变形量的结果示意图。
图10是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算装置的结构示意图。
图11是本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种芯片翘曲变形量计算方法，解决了现有技术中无法准确计算摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量的技术问题。
本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：获取摄像头模组的几何模型；对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
首先说明，本文中出现的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
请参见图1，是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。如图1所示的方法包括如下实施步骤：
S101、获取摄像头模组的几何模型。
本申请可利用预设的建模软件对摄像头模组进行三维建模，得到所述摄像头模组的几何模型。其中，所述建模软件为系统自定义设置的，例如Solidworks、CAD建模软件等。请参见图2是本申请实施例示出的一种可能的摄像头模组的几何模型的结构示意图。如图2具体示出摄像头模组中安装有成像芯片的柔性电路板(PCB板)的结构示意图。图2中浅色的中心区域10表示成像芯片、其余深色区域20表示PCB板，所述成像芯片10安装在所述PCB板20之上。所述PCB板的材料包括铜(Cu)和其他绝缘介质，例如油墨、聚丙烯(polypropylene，PP)、或其他绝缘材料等等。
S102、对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
在一具体实施方式中，请参见图3是本申请实施例提供的另一芯片翘曲变形量计算方法的流程示意图。如图3中，步骤S102的具体实施包括步骤S302～S303，其中S302：调用有限元分析软件(如ANSYS)中的热仿真模块(Icepak)，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。S303：调用有限元分析软件中的静力学模块(Mechanical)，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
下面介绍步骤S302和S303的具体实施方式。
在一具体实施方式中，S302 Icepak的热仿真计算中，本申请可先确定摄像头模组的冷却散热方式，所述散热方式为系统自定义设置的，其可包括但不限于空气自然对流散热、增加风扇散热、冷却水散热等方式。在确定到所述摄像头模组的散热方式后，即可确定到所述散热方式对应预先配置的散热参数，例如单位时间内的散热温度等等。本申请中以所述摄像头模组的散热方式为自然对流散热为例，进行后续相关内容的阐述。
接着，本申请可对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入到有限元分析软件中。进而在有限元分析软件中可为所述摄像头模组设置对应的散热边界条件、器件材料参数和一些预设的温度影响参数等。其中：
所述散热边界条件为系统自定义设置的散热约束条件，例如求解空气流体区域的设置、定义重力方向等。请参见图4示出一种流体区域设置的示意图。如图4中，本申请定义图4所示大小的空间区域为计算的流体区域，图示中6个外表面设置为敞开，即空气可以自由流通散热。设置重力方向为图示中Y轴的负方向等。
所述器件材料参数为所述摄像头模组中包括的各元器件的导电参数或材料参数等，例如其可包括但不限于各元器件的热功耗、各元器件材料的热导系数、或其他元器件参数等。
所述温度影响参数为在有限元分析软件中自定义设置的用于影响温度场分布计算的参数，其可包括但不限于自定义的环境温度、软件中湍流模型的模型参数、软件中辐射模型的模型参数、(结果)收敛精度、计算的迭代次数、温度监控点、或其他相关参数等。
进一步地，本申请可对几何清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型。其中，所述第一网格划分对应的网格大小为系统根据实际需求定义设置的，或者根据用户经验设置的网格大小经验值等，本申请不做限定。
最后，本申请根据所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，可选地还可包括所述散热方式，利用软件内部自身的算法(例如湍流或辐射算法等)对所述第一网格模型进行温度场分布计算，计算得到所述摄像头模组的温度场分布。请参见图5是本申请示出的一种可能的温度场分布示意图。如图5所示的温度场分布示意图中，摄像头模组的温度场分布处于45.0℃～48.2℃之间。
在可选实施例中，本申请可对计算的所述温度场分布进行收敛判断和结果判断，以判断计算的所述温度场分布是否出现异常。例如当温度场分布中的温度超过预设温度阈值时，则确定所述温度场分布出现异常；否则，确定所述温度场分布无异常。进一步可选地，本申请在判断到所述温度场分布异常时，可根据所述温度场分布生成对应的异常分析报告，以通知摄像头模组的温度场分布异常，进而提醒系统管理人员进行系统重设操作等。
在又一具体实施方式中，S303 Mechanical的翘曲变形量计算之前，本申请可建立热仿真模块(Icepak)与静力学模块(Mechanical)的热力耦合。具体地，本申请可将所述摄像头模组的几何模型分别与所述热仿真模块(Icepak)和所述静力学模块(Mechanical)进行关联，请参见图6示出一种几何模型与热仿真模块和静力学模型关联的示意图。如图6中，A代表摄像头模组的几何模型，B代表热仿真模块(Icepak)，C代表静力学模块(Mechanical)。本申请将热仿真模块(Icepak)计算的温度场分布作为静力学模块(Mechanical)输入的初始温度边界，将两者进行映射关联。关于图6中各模块的内部功能，例如setup(设置参数)、solution(计算结果)等功能介绍，本申请不做详述。
在S303 Mechanical的翘曲变形量计算中，本申请可在有限元分析软件中设置/定义所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件。其中，所述材料参数为用于描述所述摄像头模组中各元器件材料的参数，其可包括但不限于材料弹性模量、材料泊松比、材料热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)或其他材料参数等。所述温度边界条件包括但不限于器件接触条件、器件约束条件和温度约束条件等，所述接触条件用于定义所述摄像头模组中各元器件之间的接触属性或接触连接方式，例如焊接、胶水连接、螺钉固定连接等等。所述器件约束条件用于定义所述摄像头模组中各元器件的安装状态或安装方式，例如通过胶水粘连安装在手机上、或通过螺钉固定安装在车上等等。所述温度约束条件为Mechanical映射关联的所述热仿真计算模块计算的所述温度场分布。
进一步地，本申请可对所述温度场分布进行第二网格划分建立对应的网格模型，并采用热力耦合的方式将所述温度场分布的温度值重新映射到Mechanical建立的网格模型中，从而得到对应的第二网格模型。举例来说，请参见图7示出一种热仿真计算模块Icepak计算的所述温度场分布与静力学模块Mechanical温度重映射后的温度场分布的对比示意图。如图7中，热仿真计算模块Icepak计算的温度场分布处于45.0562℃～48.1898℃之间，而静力学模块Mechanical重映射识别到的温度场分布处于45.079℃～48.19℃之间。由此可见，静力学模块Mechanical温度重映射后的温度场分布更为精确。
最后，本申请根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，利用软件内部的自身算法对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
举例来说，引用图2所示例子，所述摄像头模组的几何模型为安装有成像芯片的柔性电路板(PCB板)的几何模型，请参见图8示出一种安装有成像芯片的柔性电路板的翘曲变形量的分布示意图。请一并参见图9单独示出成像芯片的翘曲变形量的分布示意图。如图8和图9中，本例以PCB板和成像芯片的材料参数为热膨胀系数CTE为例，其中PCB板的CTE为22ppm/℃、成像芯片的CTE为3.2ppm/℃。本申请有限元分析软件中的静力学模块Mechanical采用热力耦合的方式对温度场分布进行网格重划分和温度重映射得到第二网格模型，再根据提前设置的PCB板的CTE、成像芯片的CTE和温度边界条件等，对第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到图8所示整个PCB板和成像芯片在各位置处的翘曲变形量分布示意图。其中，图9单独示出图8中成像芯片在各位置处的翘曲变化量的分布示意图。
通过实施本申请，通过获取摄像头模组的几何模型，调用有限元分析软件ANSYS对所述摄像头模组的几何模型依次进行温度场分布计算和翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本申请，能利用有限元分析软件直接、准确地计算出成像芯片的翘曲变形量，这样能提升翘曲变形量计算的准确性和便捷性。
基于同一发明构思，本申请另一实施例提供一种实施本申请实施例中所述芯片翘曲变形量计算方法的装置和终端设备。
请参见图10，是本申请实施例提供的一种芯片翘曲变形量计算装置的结构示意图。如图10所示的芯片翘曲变形量计算装置10中包括获取模块1001和计算模块1002。其中：
所述获取模块1001，用于获取摄像头模组的几何模型；
所述计算模块1002，用于对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述计算模块1002具体用于：
调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；
调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述计算模块1002具体用于：
对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；
在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；
对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；
根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述计算模块1002还用于：
确定所述摄像头模组的散热方式；
所述计算模块1002具体用于：
根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述装置10还可包括生成模块1003，其中：
所述生成模块1003，用于在判断到所述温度场分布异常时，生成与所述温度场分布对应的异常分析报告。
可选地，所述计算模块1002具体用于：
在有限元分析软件的静力学模块中设置所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件；
采用热力耦合的方式对所述温度场分布进行第二网格划分和温度重映射，得到第二网格模型；
根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述材料参数包括以下中的至少一项：材料弹性模量、材料泊松比和材料热膨胀系数。
通过实施本申请，通过获取摄像头模组的几何模型，调用有限元分析软件ANSYS对所述摄像头模组的几何模型依次进行温度场分布计算和翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本申请，能利用有限元分析软件直接、准确地计算出成像芯片的翘曲变形量，这样能提升翘曲变形量计算的准确性和便捷性。
请一并参见11，是本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图。如图11所示的终端设备110包括：至少一个处理器1101、通信接口1102、用户接口1103和存储器1104，处理器1101、通信接口1102、用户接口1103和存储器1104可通过总线或者其它方式连接，本发明实施例以通过总线1105连接为例。其中，
处理器1101可以是通用处理器，例如中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。
通信接口1102可以为有线接口(例如以太网接口)或无线接口(例如蜂窝网络接口或使用无线局域网接口)，用于与其他终端或网站进行通信。本发明实施例中，通信接口1102具体用于获取摄像头模组的几何模型。
用户接口1103具体可为触控面板，包括触摸屏和触控屏，用于检测触控面板上的操作指令，用户接口1103也可以是物理按键或者鼠标。用户接口1103还可以为显示屏，用于输出、显示图像或数据。
存储器1104可以包括易失性存储器(Volatile Memory)，例如随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)；存储器也可以包括非易失性存储器(Non-VolatileMemory)，例如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)；存储器1104还可以包括上述种类的存储器的组合。存储器1104用于存储一组程序代码，处理器1101用于调用存储器1104中存储的程序代码，执行如下操作：
获取摄像头模组的几何模型；
对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述调用有限元分析软件对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；
调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；
在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；
对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；
根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：
确定所述摄像头模组的散热方式；
所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
可选地，所述处理器1101还用于：
在判断到所述温度场分布异常时，生成与所述温度场分布对应的异常分析报告。
可选地，所述调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
在有限元分析软件的静力学模块中设置所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件；
采用热力耦合的方式对所述温度场分布进行第二网格划分和温度重映射，得到第二网格模型；
根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
可选地，所述材料参数包括以下中的至少一项：材料弹性模量、材料泊松比和材料热膨胀系数。
由于本实施例所介绍的终端设备为实施本申请实施例中芯片翘曲变形量计算方法所采用的终端设备，故而基于本申请实施例中所介绍的芯片翘曲变形量计算方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的终端设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该终端设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中芯片翘曲变形量计算方法所采用的终端设备，都属于本申请所欲保护的范围。
上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：通过实施本申请，通过获取摄像头模组的几何模型，调用有限元分析软件ANSYS对所述摄像头模组的几何模型依次进行温度场分布计算和翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。采用本申请，能利用有限元分析软件直接、准确地计算出成像芯片的翘曲变形量，这样能提升翘曲变形量计算的准确性和便捷性。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，包括：
获取摄像头模组的几何模型；
对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
2.根据权利要求1所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布；
调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
3.根据权利要求2所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述调用有限元分析软件中的热仿真模块，对所述摄像头模组的几何模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
对所述摄像头模组的几何模型进行几何清理，并将清理后的所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件的热仿真模块中；
在所述有限元分析软件的热仿真模块中设置所述摄像头模组的散热边界条件、器件材料参数和预设的温度影响参数；
对清理后的所述摄像头模组的几何模型进行第一网格划分，得到第一网格模型；
根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
4.根据权利要求3所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述将所述摄像头模组的几何模型导入有限元分析软件中之前，所述方法还包括：
确定所述摄像头模组的散热方式；
所述根据设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布包括：
根据确定的所述散热方式、设置的所述散热边界条件、所述器件材料参数和所述温度影响参数，对所述第一网格模型进行温度场分布计算，得到所述摄像头模组的温度场分布。
5.根据权利要求3或4所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述方法还包括：
在判断到所述温度场分布异常时，生成与所述温度场分布对应的异常分析报告。
6.根据权利要求2所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述调用有限元分析软件中的静力学模块，对所述温度场分布进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量包括：
在有限元分析软件的静力学模块中设置所述摄像头模组的材料参数和温度边界条件；
采用热力耦合的方式对所述温度场分布进行第二网格划分和温度重映射，得到第二网格模型；
根据设置的所述材料参数和所述温度边界条件，对所述第二网格模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
7.根据权利要求6所述的芯片翘曲变形量计算方法，其特征在于，所述材料参数包括以下中的至少一项：材料弹性模量、材料泊松比和材料热膨胀系数。
8.一种芯片翘曲变形量计算装置，其特征在于，包括：获取模块和计算模块，其中：
所述获取模块，用于获取摄像头模组的几何模型；
所述计算模块，用于对所述摄像头模组的几何模型进行翘曲变形量计算，得到所述摄像头模组中成像芯片的翘曲变形量。
9.一种终端设备，其特征在于，包括：处理器、存储器、通信接口和总线；所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述总线连接并完成相互间的通信；所述存储器存储可执行程序代码；所述处理器通过读取所述存储器中存储的可执行程序代码来运行与所述可执行程序代码对应的程序，以用于执行如上权利要求1-7中任一项所述的芯片翘曲变形量计算方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序运行在终端设备时执行如上权利要求1-7中任一项所述的芯片翘曲变形量计算方法。
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