CN113707827A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括衬底基板、发光层及封装层。其中，发光层位于衬底基板的一侧，发光层包括多个发光单元；封装层位于发光层远离衬底基板的一侧且覆盖多个发光单元，封装层包括沿远离发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。上述显示面板中，由于第一透明金属氧化物层的材料可以为透明金属氧化物，第一透明金属氧化物可以根据需求做薄，从而降低封装层整体的厚度，进而改善了显示面板的多个发光单元之间的光学串扰，改善了显示面板的显示性能。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

由于具有自发光、对比度高、视角宽、功耗低、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性，有机发光器件作为新一代显示装置的基础，受到越来越多的关注。

相关技术中，显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括发光层，发光层包括多个间隔分布的发光器件。而由于相邻的发光器件之间的间距较小等因素，多个发光器件间可能出现光学串扰，从而影响显示面板的显示性能。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，以改善显示面板的多个发光器件之间的光学串扰，从而改善显示面板的显示性能。具体技术方案如下：

本申请实施例的第一方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板的显示区包括衬底基板、发光层及封装层。其中，所述发光层位于所述衬底基板的一侧，所述发光层包括多个发光单元；所述封装层位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧且覆盖所述多个发光单元，所述封装层包括沿远离所述发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。

一些实施例中，所述第一透明金属氧化物层的厚度为10nm至1000nm。

一些实施例中，所述多个发光单元中的至少一个发光单元包括阳极层。有机发光层及复合阴极层。其中，所述阳极层位于所述衬底基板的一侧；所述有机发光层位于所述阳极层的远离所述衬底基板的一侧；所述复合阴极层位于所述有机发光层的远离所述衬底基板的一侧，所述复合阴极层包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的第一金属层和第二透明金属氧化物层。

一些实施例中，所述第一透明金属氧化物层通过过孔与所述第二透明金属氧化物层连接。

一些实施例中，所述第一金属层的厚度为8nm至20nm，所述第二透明金属氧化物层的厚度为80nm至500nm。

一些实施例中，所述多个发光单元的复合阴极层连接为一体结构。

一些实施例中，所述显示区包括摄像头区域，所述摄像头区域内相邻发光单元的阳极层之间具有间隙，且所述摄像头区域内多个发光单元的第一金属层包括至少一个透光区，所述至少一个透光区与至少两个相邻的阳极层之间的间隙相对应。

一些实施例中，所述有机发光层包括沿远离所述阳极层的方向依次分布的空穴注入层、电子阻挡层、有机发光子层、空穴阻挡层及电子传输层。

一些实施例中，所述显示面板的显示区还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板的一侧，所述像素界定层限定出多个像素开口，所述发光单元置于所述像素开口内。

一些实施例中，所述显示面板的显示区还包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层位于所述发光层靠近所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管阵列层包括多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路与所述多个发光单元一一对应。

本申请实施例的第二方面提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成发光层，所述发光层包括多个发光单元；

在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成封装层，所述封装层覆盖所述多个发光单元，所述封装层包括沿远离所述发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。

本申请实施例的第三方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。

本申请实施例有益效果：

本申请实施例提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置，显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区。显示面板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的发光层及位于发光层上的封装层。其中，发光层包括多个发光单元，封装层覆盖多个发光单元。本申请实施例提供的显示面板中，封装层包裹住发光层的多个发光单元，以对多个发光单元进行封装，降低水汽等进入发光层的概率。封装层包括层叠设置的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。其中，由于第一透明金属氧化物层的材料可以为透明金属氧化物，当第一无机封装层在制作过程中因产生微粒等因素造成缺陷时，采用较薄的透明金属氧化物即可覆盖缺陷，因此第一透明金属氧化物可以根据需求做薄，从而降低封装层整体的厚度。封装层整体的厚度减小，发光单元产生的光线传输路径变短，从而降低了发光单元产生的光线进入相邻发光单元内的可能性，进而改善了显示面板的多个发光单元之间的光学串扰，改善了显示面板的显示性能。

当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。

图1为相关技术中一种显示面板的结构示意图；

图2为本申请一些实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3为沿图2中A-A方向的一种剖面图；

图4为沿图2中A-A方向的一种部分剖面图；

图5为本申请实施例提供的显示面板与的相关技术中显示面板光谱对比图；

图6为沿图2中B-B方向的一种部分剖面图；

图7为沿图2中A-A方向的另一种部分剖面图；

图8为本申请一些实施例提供的一种显示面板的制作方法的一种流程图。

附图标号：100-显示区；110-非显示区；120-摄像头区域；1-衬底基板；2-发光层；21-发光单元；211-阳极层；212-有机发光层；2121-空穴注入层；2122-电子阻挡层；2123-有机发光子层；2124-空穴阻挡层；2125-电子传输层；213-复合阴极层；2131-第一金属层；2131a-透光区；2132-第二透明金属氧化物层；3-封装层；31-第一无机封装层；32-第一透明金属氧化物层；33-第二无机封装层；4-像素界定层；5-隔垫物层；6-光取出层；7-薄膜晶体管阵列层；71-像素驱动电路；711-缓冲层；712-有源层；713-第一绝缘层；714-第二金属层；7141-栅极；715-第二绝缘层；716-层间绝缘层；717-第三金属层；7171-源极；7172-漏极；718-钝化层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

相关技术中，如图1所示，显示面板的封装层3’包括第一无机封装层31’、有机封装层32’及第二无机封装层33’。第一无及封装层31’在制作过程中可能会因为掩膜版等产生微粒等原因造成第一无机封装层31’的表面产生缺陷，因此需要加厚有机封装层32’的厚度以覆盖第一无机封装层31’表面的缺陷，这使得有机封装层32’的厚度较厚(如10um)，从而使得封装层3’整体较厚。基于此，当显示面板内的发光器件发光时，发光器件产生的光线的传播路径较长，使得发光器件产生的光线可能进入相邻的发光器件。例如，如图1所示，发光器件A产生的光线能够进入与其相邻的发光器件B内并由发光器件B上方射出，因此当点亮发光器件A时，会造成显示面板上发光器件A与发光器件B对应的区域同时点亮，从而造成相邻光学器件之间产生光学串扰，影响显示面板的显示性能。

为降低显示面板的多个发光器件之间的光学串扰，改善显示面板的显示性能，本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，下面将结合附图对本申请实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置进行详细说明。其中，显示面板包括但不限于电致发光显示面板、光致发光显示面板等。进一步的，在该显示面板为电致发光显示面板的情况下，电致发光显示面板可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光显示面板)或QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点电致发光显示面板)。在该显示面板为光致发光显示面板的情况下，光致发光显示面板可以为量子点光致发光显示面板。

如图2-图4所示，本申请实施例提供的显示面板包括显示区100和围绕显示区100的非显示区110。显示面板包括衬底基板1、发光层2及封装层3。其中，发光层2位于衬底基板1的一侧，发光层2包括多个发光单元21。封装层3位于发光层2远离衬底基板1的一侧且覆盖多个发光单元21，封装层3包括沿远离发光层2的方向依次分布的第一无机封装层31、第一透明金属氧化物层32及第二无机封装层33。

本申请实施例提供的显示面板中，封装层3包裹住发光层2的多个发光单元21，以对多个发光单元21进行封装，降低水汽等进入发光层2的概率。封装层3包括层叠设置的第一无机封装层31、第一透明金属氧化物层32及第二无机封装层33。其中，由于第一透明金属氧化物层32的材料可以为透明金属氧化物，当第一无机封装层31在制作过程中因产生微粒等因素造成第一无机封装层31表面产生缺陷时，采用较薄的透明金属氧化物即可覆盖缺陷，因此第一透明金属氧化物可以根据需求做薄，从而降低封装层3整体的厚度。封装层3整体的厚度减小，发光单元21产生的光线传输路径变短，从而降低了发光单元21产生的光线进入相邻发光单元21内的可能性，进而改善了显示面板的多个发光单元21之间的光学串扰，改善了显示面板的显示性能。

进一步的，封装层3可以为薄膜封装层。第一透明金属氧化物层32的材料包括但不限于IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)等。第一透明金属氧化物层32采用透明金属氧化物还能够降低对光线的遮挡，提升显示面板的透过率。此外，由于透明金属氧化物具有较强的抗水氧能力，采用第一透明金属氧化物层32能够提升封装层3的封装性能。此外，第一无机封装层31及第二无机封装层33的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。

一些实施例中，第一透明金属氧化物层32的厚度为10nm至1000nm。示例性的，第一透明金属氧化物层32的厚度为10nm。第一透明金属氧化物层32的厚度还可以根据实际需求设定为其他数值，本申请实施例对此不作具体限定。相关技术中，有机封装层的厚度多为10um，由此可知，本申请实施例中的第一透明金属氧化物32侧的厚度远小于有机封装层的厚度，从而降低了包含第一透明金属氧化物层32的封装层3的厚度。

一些实施例中，第一无机封装层31及第二无机封装层33的厚度为300nm至1500nm。示例性的，第一无机封装层31的厚度为1000nm，第二无机封装层33的厚度为600nm。第一无机封装层31及第二无机封装层33的厚度还可以根据实际需求设定为其他数值，本申请实施例对此不作具体限定。

一些实施例中，如图7所示，显示面板还包括像素界定层4，像素界定层4位于衬底基板1的一侧，像素界定层4限定出多个像素开口，发光单元21置于像素开口内。像素界定层4限定出多个像素开口，每一发光单元21置于一个像素开口内，从而将多个发光单元21中迁移率较高的膜层隔断开，例如将发光单元21中的有机发光层212隔断开。

一些实施例中，如图7所示，显示面板还包括隔垫物层5，隔垫物层5位于像素界定层4远离衬底基板1的一侧。隔垫物层5包括多个隔垫结构，每一隔垫结构位于相邻的发光单元21间，多个隔垫结构不仅用于将多个发光单元21隔断开，还用于在蒸镀形成发光单元21的有机发光层212时支撑掩膜版。其中，像素界定层4与隔垫物层5可以通过一次掩膜工艺曝光显影后得到。像素界定层4与隔垫物层5也可以分次形成，具体的，首先在衬底基板1的一侧形成像素界定层4，然后对像素界定层4进行曝光显影等图案化处理。然后在像素界定层4的远离衬底基板1的一侧形成隔垫物层5，再对隔垫物层5进行曝光显影等图案化处理。像素界定层4的材料与隔垫物层5的材料可以相同也可以不同，像素界定层4及隔垫物层5的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、氧化硅、氮化硅等中的一种或多种，本公开的实施例对此不做限定。

一些实施例中，如图3和图4所示，多个发光单元21中的至少一个发光单元21包括阳极层211、有机发光层212及复合阴极层213。其中，阳极层211位于衬底基板1的一侧。有机发光层212位于阳极层211的远离衬底基板1的一侧。复合阴极层213位于有机发光层212的远离衬底基板1的一侧，复合阴极层213包括沿远离衬底基板1的方向依次设置的第一金属层2131和第二透明金属氧化物层2132。

本申请实施例中，阳极层211及第一金属层2131的材料包括材料可以为铝、镁、银等金属材料。第二透明金属氧化物层2132的材料包括但不限于IZO、ITO、IGZO等。相关技术中，为将多个发光单元21中的迁移率较高的膜层隔断开，多在发光单元21间设置隔断结构，如像素界定层4及隔垫物层5等，而隔断结构易于造成发光单元21的阴极层断裂，从而造成阴极断路。为避免阴极层断裂，多对阴极层进行加厚处理，而阴极层的加厚会导致发光层2的效率降低且使得阴极层的透过率降低。本申请实施例提供的显示面板中，复合阴极层213包括第一金属层2131及第二透明金属氧化层2132，增加了复合阴极层213的厚度，降低了复合阴极层213断裂的概率。此外，由于第二透明金属氧化物层2132为透明结构，在增加复合阴极层213的厚度的同时不会对复合阴极层213的透光率及显示面板的器件效率造成影响。

具体的，如图5所示，图5为相关技术中显示面板与本申请实施例提供的显示面板的光谱对比图。其中，图5的纵坐标表示光强相对强度，单位为a.u.，图5的横坐标为波长，单位为nm。由图5可知，相较于相关技术中显示面板的器件效率，本申请实施例提供的显示面板的器件效率高出10％左右。由此可知，采用复合阴极层213能够在增加阴极层的厚度的同时不对显示面板的器件效率造成影响。

一些实施例中，第一金属层2131的厚度为8nm至20nm，第二透明金属氧化物层2132的厚度为80nm至500nm。示例性的，第一金属层2131的厚度为12nm，第二透明金属氧化物2132的厚度为100nm。基于此，在增加了复合阴极层213的厚度的同时，使得复合阴极层213中不透光的第一金属层2131的厚度较小。降低了复合阴极层213对显示面板的透过率及器件效率的影响。第一金属层2131及第二透明金属氧化物层2132的厚度还可以根据实际需求设定为其他数值，本申请实施例对此不作具体限定。

一些实施例中，第一透明金属氧化物层32通过过孔30与第二透明金属氧化物层2132连接。将第一透明金属氧化物32与第二透明金属氧化物2132连接，降低了复合阴极层213的电阻，从而改善了因复合阴极层213电阻较大导致阴极电荷无法及时导走，从而导致显示面板出现横纹的现象。

一些实施例中，多个发光单元21的复合阴极层213连接为一体结构。各个发光单元21或一些发光单元21的阴极层212可以连接为一体结构从而具有等电势。

一些实施例中，如图2和图6所示，显示区100包括摄像头区域120，摄像头区域120内相邻发光单元21的阳极层211之间具有间隙，且摄像头区域120内多个发光单元21的第一金属层2131包括至少一个透光区2131a，至少一个透光区2131a与至少两个相邻的阳极层211之间的间隙相对应。

本申请实施例中，屏下摄像头120内也具有间隔分布的多个发光单元21，每一发光单元21的阳极层211为不透光结构，相邻发光单元211的阳极层211之间具有间隙，光线经由阳极层211之间的间隙透过。多个发光单元21的复合阴极层213连接为一体结构，且一体结构的复合阴极层213的第一金属层2131上包括经过图案化处理后得到的至少一个透光区2131a，至少一个透光区2131a与至少两个阳极层211间的间隙对应。也就是，透光区2131a在衬底基板1上的正投影与至少两个阳极层211间的间隙在衬底基板1上的正投影至少存在部分重叠，从而使得光线经过阳极层211之间的间隙后能够从透光区2131a经过。其中，可以对第一金属层2131进行刻蚀等图案化处理后形成多个透光区2131a，每一透光区2131a均与相邻的阳极层211之间的间隙对应，从而进一步提升摄像头区域120的透过率。

此外，由于复合阴极层213包括层叠设置的第一金属层2131和第二透明氧化物金属层2132。在第一金属层2131上形成透光区2131a后，多个发光单元21的第二透明氧化物金属层2132仍连接为一体结构，使得多个发光单元21的复合阴极层213仍连接为一体结构而具有等电势。

一些实施例中，第二透明金属氧化物层2132的折射率大于第一无机封装层31的折射率，以提升显示面板的光取出率，从而进一步提高显示面板的透过率。

具体的，以第二透明金属氧化物层2132的材料为IZO，且第一无机封装层31侧材料为SiO为例，如表1所示，相较于不具有低折射率的层结构的显示面板，采用高折射率材料(IZO)与低折射率材料(SiO)的层结构交替设置的显示面板的红蓝绿这三种光学器件的性能更优。

表一

一些实施例中，如图4所示，有机发光层212包括沿远离阳极层211的方向依次分布的空穴注入层2121、电子阻挡层2122、有机发光子层2123、空穴阻挡层2124及电子传输层2125。其中，电子传输层2125可以用于在制作复合阴极层213时的防损层，以对有机发光层212进行保护，降低复合阴极层213制作时对有机发光层212的损伤。具体的，复合阴极层213中的第二透明金属氧化物层2132多采用sputter(溅射)工艺形成，而在sputter工艺过程中存在中性粒子和带电粒子，中性粒子和带电粒子在磁场及电场的作用下会对有机发光层212的表面造成碰撞从而引起有机发光层212表面损伤。基于此，电子传输层2125可以在第二透明金属氧化物层2132的制作过程中对有机发光层212进行保护，降低sputter工艺对有机发光层212的影响。其中，电子传输层2125的厚度可以为20nm至50nm，示例性的，电子传输层的厚度可以为30nm。

一些实施例中，电子传输层2125可以为MoO₃防损层。

一些实施例中，如图4所示，显示面板还包括光取出层6。光取出层6位于复合阴极层213与封装层3之间，以提高显示面板的光取出率，从而进一步提高显示面板的透过率。

一些实施例中，显示面板还包括薄膜晶体管阵列层7，薄膜晶体管阵列层7位于发光层2靠近衬底基板1的一侧，薄膜晶体管阵列层7包括多个像素驱动电路71，多个像素驱动电路71与多个发光单元21一一对应。多个像素驱动电路71用于驱动多个发光单元21。其中，像素驱动电路71可以为顶栅结构，像素驱动电路也可以为底栅结构或双栅结构，本申请实施例对此不作具体限定。

一些实施例中，如图7所示，每一像素驱动电路71包括位于衬底基板1一侧且沿远离衬底基板1的方向依次设置的缓冲层711、有源层712、第一绝缘层713、第二金属层714、第二绝缘层715、层间绝缘层716、第三金属层717和钝化层718。以像素驱动电路71为底栅结构为例，如图5所示，第二金属层714包括栅极7141，第三金属层717包括源极7171和漏极7172，源极7171及漏极7172通过过孔与有源层712连接。其中，第二金属层714和第三金属层717的材料包括铝、镁、银等金属材料或包含铝、镁、银等金属材料的合金材料，本申请实施例对此不作具体限定。第一绝缘层713和第二绝缘层715的材料可以包括SiN(氮化硅)、SiO(氧化硅)、SiO₂(二氧化硅)等中的一种或多种，本公开实施例对此不作具体限定。

进一步的，封装层3包裹住多个发光单元21及多个像素驱动电路71，以对多个发光单元21及多个像素驱动电路71进行封装，降低水汽进入发光层2及薄膜晶体管阵列层7的概率。

本申请实施例还提供了一种显示面板的制作方法，如图8所示，该制作方法包括以下步骤。

步骤S801，提供一衬底基板。

步骤S802，在衬底基板的一侧形成发光层，发光层包括多个发光单元。

步骤S803，在发光层远离衬底基板的一侧形成封装层，封装层覆盖多个发光单元，封装层包括沿远离发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。

通过本申请实施例提供的制作方法制作的显示面板中，由于第一透明金属氧化物层的材料可以为透明金属氧化物，当第一无机封装层在制作过程中因产生微粒等因素造成第一无机封装层表面产生缺陷时，采用较薄的透明金属氧化物即可覆盖缺陷，因此第一透明金属氧化物可以根据需求做薄，从而降低封装层整体的厚度。封装层整体的厚度减小，发光单元产生的光线传输路径变短，从而降低了发光单元产生的光线进入相邻发光单元内的可能性，进而改善了显示面板的多个发光单元之间的光学串扰，改善了显示面板的显示性能。

本申请实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述实施例提供的显示面板。本申请实施例中，显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。由于本申请实施例提供的显示装置包括上述实施例提供的显示面板，本申请实施例提供的显示装置也具有上述显示面板的光学串扰较少、显示性能较好等优点。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请的保护范围内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示面板包括：

衬底基板；

发光层，所述发光层位于所述衬底基板的一侧，所述发光层包括多个发光单元；

封装层，所述封装层位于所述发光层远离所述衬底基板的一侧且覆盖所述多个发光单元，所述封装层包括沿远离所述发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层的厚度为10nm至1000nm。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个发光单元中的至少一个发光单元包括：

阳极层，所述阳极层位于所述衬底基板的一侧；

有机发光层，所述有机发光层位于所述阳极层的远离所述衬底基板的一侧；

复合阴极层，所述复合阴极层位于所述有机发光层的远离所述衬底基板的一侧，所述复合阴极层包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的第一金属层和第二透明金属氧化物层。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层通过过孔与所述第二透明金属氧化物层连接。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层的厚度为8nm至20nm，所述第二透明金属氧化物层的厚度为80nm至500nm。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述多个发光单元的复合阴极层连接为一体结构。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括摄像头区域，所述摄像头区域内相邻发光单元的阳极层之间具有间隙，且所述摄像头区域内多个发光单元的第一金属层包括至少一个透光区，所述至少一个透光区与至少两个相邻的阳极层之间的间隙相对应。

8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光层包括沿远离所述阳极层的方向依次分布的空穴注入层、电子阻挡层、有机发光子层、空穴阻挡层及电子传输层。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板的一侧，所述像素界定层限定出多个像素开口，所述发光单元置于所述像素开口内。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层位于所述发光层靠近所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管阵列层包括多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路与所述多个发光单元一一对应。

11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成发光层，所述发光层包括多个发光单元；

在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成封装层，所述封装层覆盖所述多个发光单元，所述封装层包括沿远离所述发光层的方向依次分布的第一无机封装层、第一透明金属氧化物层及第二无机封装层。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一项所述的显示面板。

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