CN113707823A - 显示装置及显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括：阳极；发光单元，设于所述阳极上，且包括多个发光结构以及多个电荷生成结构，多个所述电荷生成层以及多个所述发光结构层叠设置，其中，相邻的两个所述发光结构之间设有一所述电荷生成结构；阴极，设于所述发光单元远离所述阳极的一侧。本公开能够提高出射光强度。

Description

显示装置及显示面板

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示装置由于具有全固态结构、自发光、响应速度快、亮度高、全视角、可柔性显示等一系列优点，因而成为目前极具竞争力和良好发展前景的一类显示装置。然而，目前的OLED显示装置存在出射光强度较弱的问题。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示装置及显示面板，能够提高出射光强度。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：

阳极；

发光单元，设于所述阳极上，且包括多个发光结构以及多个电荷生成结构，多个所述电荷生成层以及多个所述发光结构层叠设置，其中，相邻的两个所述发光结构之间设有一所述电荷生成结构；

阴极，设于所述发光单元远离所述阳极的一侧；

其中，多个所述发光结构的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内，多个所述发光结构包括第一发光结构、第二发光结构以及至少一个第三发光结构；所述第一发光结构位于所述发光单元靠近所述阳极的一侧，并与所述阳极接触；所述第二发光结构位于所述发光单元靠近所述阴极的一侧，并与所述阴极接触；所述第三发光结构位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间。

进一步地，所述发光结构包括发光材料层，所述电荷生成结构的厚度小于所述发光材料层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括电子传输层，所述电荷生成结构的厚度小于所述第二发光结构的电子传输层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括电子传输层，所述电荷生成结构的厚度大于所述第一发光结构的电子传输层的厚度，和/或，所述电荷生成结构的厚度大于所述第三发光结构的电子传输层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括电子传输层，所述第二发光结构的电子传输层的厚度大于所述第一发光结构的电子传输层的厚度，和/或，所述第二发光结构的电子传输层的厚度大于所述第三发光结构的电子传输层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括空穴传输层，所述电荷生成结构的厚度大于所述第二发光结构的空穴传输层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括空穴传输层，所述电荷生成结构的厚度小于所述第一发光结构的空穴传输层的厚度，和/或，所述电荷生成结构的厚度小于所述第三发光结构的空穴传输层的厚度。

进一步地，所述发光结构包括空穴传输层，所述第二发光结构的空穴传输层的厚度小于所述第一发光结构的空穴传输层的厚度，和/或，所述第二发光结构的空穴传输层的厚度小于所述第三发光结构的空穴传输层的厚度。

进一步地，所述电荷生成结构包括层叠设置的第一电荷生成层和第二电荷生成层，所述第一电荷生成层的导电类型与所述第二电荷生成层的导电类型不同；对于一所述电荷生成结构，所述电荷生成结构中的所述第一电荷生成层位于所述第二电荷生成层靠近所述阳极的一侧。

进一步地，所述第一电荷生成层的厚度等于所述第二电荷生成层的厚度的两倍。

进一步地，所述阴极为Mg/Ag电极，所述第一电荷生成层的厚度小于等于所述阴极的厚度。

进一步地，所述第一电荷生成层包括客体材料，所述第一电荷生成层中所述客体材料的掺杂浓度小于等于4％。

进一步地，所述第一电荷生成层包括主体材料，所述主体材料的最高占据分子轨道能级为5eV-7eV，最低未占分子轨道能级为2eV-4eV。

进一步地，所述第一发光结构包括空穴注入层，所述第二电荷生成层的厚度大于等于所述第一发光结构中的所述空穴注入层的厚度。

进一步地，所述阳极和所述阴极中一个是反射电极，另一个是半透半反电极。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

本公开的的显示装置及显示面板，发光单元包括多个发光结构以及多个电荷生成结构，多个电荷生成结构以及多个发光结构层叠设置，任意相邻的两个发光结构之间均设有一电荷生成结构，且由于多个发光结构的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内，从而使该显示面板形成叠层器件，进而提高了显示面板的出射光强度。

附图说明

图1是本公开实施方式的显示面板的示意图。

附图标记说明：1、阳极；101、Ag金属层；102、ITO层；2、阴极；3、发光结构；301、第一发光结构；302、第二发光结构；303、第三发光结构；4、电荷生成结构；401、第一电荷生成层；402、第二电荷生成层；5、空穴注入层；6、空穴传输层；7、电子阻挡层；8、发光材料层；9、电子传输层；10、电子注入层；11、光取出层；12、空穴阻挡层。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。

在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本公开说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

如图1所示，本公开实施方式提供一种显示面板。该显示面板可以包括阳极1、发光单元以及阴极2，其中：

该发光单元设于阳极1上，且包括多个发光结构3以及多个电荷生成结构4。多个电荷生成结构4以及多个发光结构3层叠设置。其中，任意相邻的两个发光结构3之间均设有一电荷生成结构4。该阴极2设于发光单元远离阳极1的一侧。多个发光结构3的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内。多个发光结构3包括第一发光结构301、第二发光结构302以及至少一个第三发光结构303。该第一发光结构301位于发光单元靠近阳极1的一侧，并与阳极1接触。该第二发光结构302位于发光单元靠近阴极2的一侧，并与阴极2接触。该第三发光结构303位于第一发光结构301与第二发光结构302之间。

本公开实施方式的显示面板，发光单元包括多个发光结构3以及多个电荷生成结构4，多个电荷生成结构4以及多个发光结构3层叠设置，任意相邻的两个发光结构3之间均设有一电荷生成结构4，且由于多个发光结构3的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内，从而使该显示面板形成叠层器件，进而提高了显示面板的出射光强度。

下面对本公开实施方式的显示面板的各部分进行详细说明：

该阳极1可以与阴极2相对设置。该阳极1可以为反射电极，该阴极2可以为半透半反电极，从而在阳极1和阴极2之间形成光学谐振腔，以提高发光单元的出光强度。在本公开其它实施方式中，该阳极1可以为半透半反电极，该阴极2可以为反射电极。举例而言，该阳极1可以由层叠的Ag金属层101与ITO层102构成，该Ag金属层101的厚度可以为1000埃，该ITO层102的厚度可以为100埃-150埃；该阴极2为半透半反电极，并为Mg/Ag电极，该Mg/Ag电极的厚度可以为100埃-150埃。

本公开的显示面板还可以包括驱动背板。该阳极1可以设于驱动背板上。该驱动背板可以包括衬底和驱动电路层。该衬底可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底可以为玻璃衬底或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。当然，该衬底还可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底。该驱动电路层可以设于衬底上。该驱动电路层可以包括多个驱动晶体管。该驱动晶体管可以为薄膜晶体管，但本公开实施方式不限于此。该薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，当然，该薄膜晶体管还可以为底栅型薄膜晶体管。以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例，该驱动电路层可以包括有源层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源极以及漏极。该有源层可以设于衬底上。该栅绝缘层可以设于衬底上，并覆盖有源层。该栅电极可以设于栅绝缘层远离衬底的一侧。该层间绝缘层可以设在栅绝缘层上，并覆盖栅电极。该源极和漏极可以设在层间绝缘层上，并经由穿过层间绝缘层和栅绝缘层的过孔连接至有源层。此外，该驱动背板还可以包括平坦化层。该平坦化层可以设于驱动电路层背向衬底的表面，且覆盖上述驱动晶体管的源极和漏极。该阳极1可以设于平坦化层上，并经由穿过平坦化层的过孔连接至驱动晶体管的源极或漏极。

该发光单元设于阳极1上。该发光单元可以包括多个发光结构3以及多个电荷生成结构4。该多个发光结构3的出射光波长均位于蓝光波段，即多个发光结构3的出射光颜色均为蓝色，也就是说，该多个发光结构3的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内。多个电荷生成结构4以及多个发光结构3层叠设置。该发光结构3与电荷生成结构4交错排列，且任意两个相邻的发光结构3之间均设有一电荷生成结构4。多个发光结构3可以包括第一发光结构301、第二发光结构302以及至少一个第三发光结构303。该第一发光结构301设于阳极1上，并与阳极1接触。该第三发光结构303设于第一发光结构301远离阳极1的一侧。该第二发光结构302设于第三发光结构303远离阳极1的一侧，并与阴极2接触。该第三发光结构303的数量可以为一个、两个、三个或更多个。其中，多个第三发光结构303均位于第一发光结构301与第二发光结构302之间。

上述的各发光结构3可以包括空穴传输层6、发光材料层8以及电子传输层9。各发光结构3的发光材料层8位于空穴传输层6与电子传输层9之间，且各发光结构3的发光材料层8的厚度可以相同。该发光材料层8可以为有机电致发光材料层。各发光结构3的发光材料层8的厚度可以相同。上述电荷生成结构4的厚度可以小于发光材料层8的厚度，即电荷生成结构4的厚度较小，发光材料层8的厚度较大，如此设置，可以使发光材料层8为激子的复合及能量的转移提供了较大空间，解决由于激子浓度过高所导致激子淬灭的问题。此外，各发光结构3还可以包括电子阻挡层7和空穴阻挡层12。各发光结构3的电子阻挡层7位于各发光结构3的发光材料层8与各发光结构3的空穴传输层6之间；各发光结构3的空穴阻挡层12位于各发光结构3的发光材料层8与各发光结构3的电子传输层9之间。各发光结构3的电子阻挡层7的厚度可以相同。各发光结构3的空穴阻挡层12的厚度可以相同。该电子阻挡层7与空穴阻挡层12是为了调整电学平衡，提高效率，厚度均较薄，而迁移率都较低。

该第一发光结构301的空穴传输层6位于阳极1与第一发光结构301的发光材料层8之间。该第一发光结构301还可以包括空穴注入层5，且第一发光结构301的空穴注入层5位于阳极1与第一发光结构301的空穴传输层6之间。该第一发光结构301所需的空穴由阳极1注入，该第一发光结构301所需的电子由电荷生成结构4注入。

该第二发光结构302的发光材料层8位于阴极2与第二发光结构302的空穴传输层6之间。该第二发光结构302还可以包括电子注入层10，且该第二发光结构302的电子注入层10位于阴极2与第二发光结构302的电子传输层9之间。该第二发光结构302所需的空穴由电荷生成结构4注入，该第二发光结构302所需的电子由阴极2注入。

该第三发光结构303的空穴传输层6位于第三发光结构303的发光材料层8与第一发光结构301之间。该第三发光结构303所需的空穴和电子均由电荷生成结构4注入。

该第二发光结构302的空穴传输层6的厚度可以小于第一发光结构301的空穴传输层6的厚度。由于第二发光结构302所需的空穴由电荷生成结构4注入，第一发光结构301所需的空穴由阳极1注入，进而导致第二发光结构302的空穴的注入效率小于第一发光结构301的空穴的注入效率，本公开使第二发光结构302的空穴传输层6的厚度小于第一发光结构301的空穴传输层6的厚度，以提高第二发光结构302的空穴的传输效率，从而可以促进载流子平衡。当然，该第二发光结构302的空穴传输层6的厚度也可以小于第三发光结构303的空穴传输层6的厚度。该电荷生成结构4的厚度可以大于第二发光结构302的空穴传输层6的厚度，该电荷生成结构4的厚度可以小于第一发光结构301的空穴传输层6的厚度，该电荷生成结构4的厚度可以小于第三发光结构303的空穴传输层6的厚度。

该第二发光结构302的电子传输层9的厚度可以大于第一发光结构301的电子传输层9的厚度。由于第二发光结构302所需的电子由阴极2注入，第一发光结构301所需的电子由电荷生成结构4注入，进而导致第二发光结构302的电子的注入效率大于第一发光结构301的电子的注入效率，本公开使第二发光结构302的电子传输层9的厚度大于第一发光结构301的电子传输层9的厚度，以减小第二发光结构302的电子的传输效率，从而可以促进载流子平衡。当然，该第二发光结构302的电子传输层9的厚度也可以大于第三发光结构303的电子传输层9的厚度。该电荷生成结构4的厚度可以小于第二发光结构302的电子传输层9的厚度，该电荷生成结构4的厚度可以大于第一发光结构301的电子传输层9的厚度，该电荷生成结构4的厚度可以大于第三发光结构303的电子传输层9的厚度，如此设置，可以避免电荷生成结构4的厚度较大，可以减少电荷生成结构4中金属的含量，进而减少被金属吸收的光，以提高出光效率。

该电荷生成结构4可以包括层叠设置的第一电荷生成层401和第二电荷生成层402。该第一电荷生成层401的导电类型与第二电荷生成层402的导电类型不同。对于一电荷生成结构4，电荷生成结构4中的第一电荷生成层401位于第二电荷生成层402靠近阳极1的一侧，也就是说，该第一电荷生成层401为n型的电荷生成层(n-CGL)，该第二电荷生成层402为p型的电荷生成层(p-CGL)。该第一发光结构301所需的电子由第一电荷生成层401注入；该第二发光结构302所需的空穴由第二电荷生成层402注入；该第三发光结构303所需的电子由第一电荷生成层401注入，该第三发光结构303所需的空穴由第二电荷生成层402注入。

该第一电荷生成层401包括主体材料和客体材料。该第一电荷生成层401的主体材料可以为电子传输型材料。进一步地，该第一电荷生成层401的主体材料可以为n型的电子传输型材料。该第一电荷生成层401的客体材料可以为金属材料，例如，Yb(镱)，但本公开不限于此，还可以为其它金属或金属化合物，例如Cs(铯)、Li(锂)等。该第一电荷生成层401中客体材料的掺杂浓度小于等于4％，例如掺杂浓度可以为2.6％、3％、4％等。由于客体材料为金属，其对光有较强的吸收，本公开是掺杂浓度小于等于4％，降低客体材料对光的吸收。该第一电荷生成层401的主体材料的最高占据分子轨道能级(HOMO能级)为5eV-7eV，最低未占分子轨道能级(LUMO能级)为2eV-4eV。该第一电荷生成层401的主体材料的LUMO能级需比普通的电子传输型材料深，掺杂客体材料后使得能级发生弯曲，LUMO能级变深，但由于客体材料的掺杂使得电子注入变好，LUMO能级不宜过深，否则电子注入不进去。此外，该第一电荷生成层401的客体材料可以与阴极2的材料不同。第二发光结构302的电子注入层10中也掺杂有金属。该第一电荷生成层401的客体材料可以与第二发光结构302的电子注入层10中掺杂的金属相同或不同。

以阴极2为Mg/Ag电极为例，该第一电荷生成层401的厚度可以小于等于阴极2的厚度。由于第一电荷生成层401是金属掺杂在n型的主体材料中，所以第一电荷生成层401的厚度越薄，电阻会越小，电子注入会越好，但第一电荷生成层401不宜过薄，否则能级弯曲处容易被破坏。该第一电荷生成层401的厚度可以等于第二电荷生成层402的厚度的两倍，如此设置，既可以解决由于第二电荷生成层402的厚度较小所导致的空穴注入差的问题，还可以解决由于第二电荷生成层402的厚度较大所导致的空穴电子复合效率降低的问题。在第二电荷生成层402的厚度较大时，空穴电子复合界面远离空穴传输层6，导致空穴电子复合效率降低。此外，上述的第二电荷生成层402的厚度大于等于第一发光结构301中的空穴注入层5的厚度。该第二电荷生成层402作空穴注入时，其HOMO能级发生弯曲，厚度过薄时弯曲较难发生，不易形成空穴注入，所以第二电荷生成层402需要具备一定的厚度才可以形成空穴注入。

此外，本公开实施方式的显示面板还可以包括光取出层11(CPL)和色转换层。该光取出层11可以位于阴极2背向阳极1的一侧。该色转换层可以位于光取出层11背向阳极1的一侧。该色转换层可以为量子点层。

本公开实施方式还提供一种显示装置。该显示装置可以包括上述任一实施方式所述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视等。由于本公开实施方式的显示装置所包含的显示面板与上述显示面板的实施方式中的显示面板相同，其具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。

以上所述仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任何形式上的限制，虽然本公开已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阳极；

发光单元，设于所述阳极上，且包括多个发光结构以及多个电荷生成结构，多个所述电荷生成层以及多个所述发光结构层叠设置，其中，相邻的两个所述发光结构之间设有一所述电荷生成结构；

阴极，设于所述发光单元远离所述阳极的一侧；

其中，多个所述发光结构的出射光波长均位于380nm-500nm波长范围内，多个所述发光结构包括第一发光结构、第二发光结构以及至少一个第三发光结构；所述第一发光结构位于所述发光单元靠近所述阳极的一侧，并与所述阳极接触；所述第二发光结构位于所述发光单元靠近所述阴极的一侧，并与所述阴极接触；所述第三发光结构位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括发光材料层，所述电荷生成结构的厚度小于所述发光材料层的厚度。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括电子传输层，所述电荷生成结构的厚度小于所述第二发光结构的电子传输层的厚度。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括电子传输层，所述电荷生成结构的厚度大于所述第一发光结构的电子传输层的厚度，和/或，所述电荷生成结构的厚度大于所述第三发光结构的电子传输层的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括电子传输层，所述第二发光结构的电子传输层的厚度大于所述第一发光结构的电子传输层的厚度，和/或，所述第二发光结构的电子传输层的厚度大于所述第三发光结构的电子传输层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括空穴传输层，所述电荷生成结构的厚度大于所述第二发光结构的空穴传输层的厚度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括空穴传输层，所述电荷生成结构的厚度小于所述第一发光结构的空穴传输层的厚度，和/或，所述电荷生成结构的厚度小于所述第三发光结构的空穴传输层的厚度。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光结构包括空穴传输层，所述第二发光结构的空穴传输层的厚度小于所述第一发光结构的空穴传输层的厚度，和/或，所述第二发光结构的空穴传输层的厚度小于所述第三发光结构的空穴传输层的厚度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电荷生成结构包括层叠设置的第一电荷生成层和第二电荷生成层，所述第一电荷生成层的导电类型与所述第二电荷生成层的导电类型不同；对于一所述电荷生成结构，所述电荷生成结构中的所述第一电荷生成层位于所述第二电荷生成层靠近所述阳极的一侧。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一电荷生成层的厚度等于所述第二电荷生成层的厚度的两倍。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述阴极为Mg/Ag电极，所述第一电荷生成层的厚度小于等于所述阴极的厚度。

12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一电荷生成层包括客体材料，所述第一电荷生成层中所述客体材料的掺杂浓度小于等于4％。

13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一电荷生成层包括主体材料，所述主体材料的最高占据分子轨道能级为5eV-7eV，最低未占分子轨道能级为2eV-4eV。

14.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光结构包括空穴注入层，所述第二电荷生成层的厚度大于等于所述第一发光结构中的所述空穴注入层的厚度。

15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极和所述阴极中一个是反射电极，另一个是半透半反电极。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。

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