CN113707703A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，以解决相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。该显示面板包括衬底，透明导电层设置于衬底上，透明导电层包括位于发光区的辅助电极和位于透明区的连接部，辅助电极和连接部电连接；透明间隔层设置于透明导电层远离衬底的一侧，透明间隔层包括位于发光区的第一支撑部和位于透明区的第二支撑部，第一支撑部和第二支撑部之间形成隔离槽；发光器件包括第一电极层、发光功能层和第二电极层，第一电极层位于发光区，发光功能层在隔离槽处断开，第二电极层透明，且穿过隔离槽与连接部电连接。本公开实施例提供的显示面板用于显示装置。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，有机发光二极管技术越来越多的应用于透明显示中。透明显示是显示技术一个重要的个性化显示领域，是指在透明状态下进行图像显示，观看者不仅可以看到显示装置中的影像，而且可以看到显示装置背后的景象，可实现虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)和增强现实(Augmented Reality，简称AR)。
采用OLED技术的透明显示装置通常是将每个像素单元区域划分为发光区和透明区，发光区设置像素驱动电路和发光器件实现图像显示，透明区实现光线透过。在透明显示装置中，为了保证透明显示装置的透过率，透明显示装置中的阴极层的厚度较薄，需要制作辅助阴极降低电阻。
在一些相关技术中，辅助阴极与源漏极同层制作，且至少部分位于透明区，阳极反射层包括位于透明区的连接电极，阴极层通过连接电极与辅助阴极位于透明区的部分电连接，从而实现阴极层与辅助阴极的电连接，有效的降低阴极层的电阻。但是，连接电极和辅助阴极位于透明区的部分会对光造成遮挡，减小了透明区中光可透过的面积，降低了透明显示装置透明显示的效果。
发明内容
本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。
一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括衬底、透明导电层、透明间隔层、像素驱动电路和发光器件。所述透明导电层设置于所述衬底上；所述透明导电层包括位于所述发光区的辅助电极和位于所述透明区的连接部，所述辅助电极和所述连接部电连接。所述透明间隔层设置于所述透明导电层远离所述衬底的一侧；所述透明间隔层包括至少位于所述发光区的第一支撑部和位于所述透明区的第二支撑部，所述第一支撑部和所述第二支撑部之间形成隔离槽，所述隔离槽贯穿所述透明间隔层且暴露所述连接部。所述像素驱动电路设置于所述第一支撑部上，且位于所述发光区。所述发光器件设置于所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧；所述发光器件包括依次设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层位于所述发光区，所述发光功能层在所述隔离槽处断开，所述第二电极层透明，且穿过所述隔离槽与所述连接部电连接。
在一些实施例中，所述显示面板还包括遮光图案，所述遮光图案设置于所述辅助电极和所述衬底之间，且位于所述发光区。所述遮光图案与所述辅助电极电连接，所述像素驱动电路在所述衬底上的正投影，位于所述遮光图案在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中，所述显示面板还包括透明的存储电容器，所述存储电容器设置于所述透明区。
在一些实施例中，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影和所述连接部在所述衬底上的正投影，围绕所述存储电容器在所述衬底上的正投影的至少部分边界设置。
在一些实施例中，所述存储电容器包括沿所述衬底的厚度方向相对设置的第一极板和第二极板；所述第一极板位于所述透明导电层；所述显示面板还包括透明的半导体层，所述半导体层设置于所述透明间隔层远离所述衬底的一侧；所述像素驱动电路包括多个晶体管，所述半导体层包括位于所述发光区的所述多个晶体管的有源层和第二极板。
在一些实施例中，所述显示面板还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述透明间隔层与所述半导体层之间。所述缓冲层包括至少位于所述发光区的第一缓冲部和位于所述透明区的第二缓冲部，所述第一缓冲部位于所述第一支撑部和所述像素驱动电路之间，所述第二缓冲部位于所述第一极板和所述第二极板之间。其中，所述第一极板在所述衬底上的正投影位于所述第二缓冲部在所述衬底上的正投影之内，以使所述连接部和所述第一极板隔开。
在一些实施例中，所述透明导电层还包括第一连接线，所述第一连接线的一端与所述第一极板电连接，另一端与所述像素驱动电路电连接。
在一些实施例中，所述半导体层还包括第二连接线，所述第二连接线的一端与所述第二极板电连接，另一端与所述像素驱动电路电连接。
在一些实施例中，所述显示面板还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述半导体层远离所述衬底的一侧。所述层间绝缘层包括至少位于所述发光区的第一绝缘部和位于所述透明区的第二绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二极板在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘部在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中，所述显示面板还包括阻挡垫，所述阻挡垫设置于所述第二支撑部远离所述衬底的一侧，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影，位于所述阻挡垫在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中，所述显示面板包括半导体层，所述半导体层包括位于所述透明区的支撑图案，所述支撑图案设置于所述第二支撑部远离所述衬底的一侧；所述阻挡垫包括所述支撑图案。
在一些实施例中，所述透明间隔层的材料包括透明的有机材料；和/或，所述透明间隔层与所述半导体层的刻蚀选择比大于1。
在一些实施例中，所述显示面板包括缓冲层和层间绝缘层。所述缓冲层包括位于所述透明区的第三缓冲部，所述第三缓冲部设置于所述第二支撑部与所述支撑图案之间。层间绝缘层还包括位于所述透明区的第三绝缘部，所述第三绝缘部设置于所述支撑图案远离所述衬底的一侧；所述阻挡垫还包括所述第三缓冲部和所述第三绝缘部。
在一些实施例中，所述发光功能层覆盖所述发光区和所述透明区，且暴露所述第二支撑部和所述阻挡垫的侧面及所述连接部位于第一区域的表面；所述第一区域为所述阻挡垫在所述衬底上的正投影，超出所述第二支撑部在所述衬底上的正投影的边界的至少部分区域。所述第二电极层覆盖所述发光功能层的表面及侧面、所述第二支撑部和所述阻挡垫的侧面、及所述连接部暴露的表面。
在一些实施例中，所述辅助电极与连接部一体设置。或，所述透明导电层还包括第三连接线，所述第三连接线的一端与所述连接部电连接，另一端与所述辅助电极电连接。
本公开的一些实施例提供的显示面板，发光功能层在隔离槽处断开，透明的第二电极层可在发光功能层断开的区域与位于透明区的连接部电连接，辅助电极和连接部电连接，以使得第二电极层与辅助电极电连接，从而降低第二电极层的电阻。这样的话，实现第二电极层与辅助电极的跨膜层电连接的工艺过程中，无需采用激光打孔工艺，降低工艺成本。与相关技术相比，本公开的提供的显示面板，由于透明导电层包括连接部，即连接部为透明的，因此，不会对透射过透明区的光造成遮挡，不会减小透明区中光可透过的面积，避免了相关技术中连接电极和辅助阴极在透明区会对光造成遮挡，解决了相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。
另一方面，提供一种显示面板的制备方法。所述显示面板包括多个像素单元区域，每个像素单元区域包括发光区和透明区；所述制备方法包括：在衬底上形成透明导电层；所述透明导电层包括位于所述发光区的辅助电极和位于所述透明区的连接部，所述辅助电极和所述连接部电连接。在所述透明导电层远离所述衬底的一侧形成初始透明间隔层；所述初始透明间隔层包括至少位于所述发光区的第一支撑部和位于所述透明区的第二初始支撑部，所述第一支撑部和所述第二初始支撑部之间形成初始隔离槽，所述初始隔离槽贯穿所述初始透明间隔层且暴露所述连接部。在所述初始透明间隔层远离所述衬底的一侧形成像素驱动电路；所述像素驱动电路位于所述发光区。在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成发光器件；所述发光器件包括依次设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层位于所述发光区，所述发光功能层在基于所述初始隔离槽形成的隔离槽处断开，所述第二电极层透明，且穿过所述隔离槽与所述连接部电连接。
在一些实施例中，在形成所述透明导电层的过程中，还形成存储电容器的第一极板；所述连接部围绕所述第一极板的至少部分边界。在形成所述初始透明间隔层的过程中，所述初始透明间隔层覆盖在所述第一极板上方及周围的部分被去除。在形成所述透明间隔层和形成所述像素驱动电路之间，还包括：形成覆盖所述发光区和所述透明区的缓冲薄膜。
形成所述像素驱动电路，包括：在所述缓冲薄膜远离所述衬底的一侧形成半导体层；所述半导体层包括所述像素驱动电路的多个晶体管的有源层、所述存储电容器的第二极板和支撑图案；所述第二极板和第一极板相对设置；所述支撑图案设置于所述第二初始支撑部远离所述衬底的一侧。在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述发光区和所述透明区的层间绝缘薄膜。图案化所述缓冲薄膜、所述层间绝缘薄膜和所述初始透明间隔层，形成缓冲层、层间绝缘层和透明间隔层；所述透明间隔层包括第二支撑部，所述第二支撑部由所述初始透明间隔层的第二初始支撑部经图案化形成；所述缓冲层包括第一缓冲部、第二缓冲部和第三缓冲部，所述第一缓冲部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二缓冲部位于所述第一极板和所述第二极板之间，所述第三缓冲部设置于所述第二支撑部与所述支撑图案之间；所述层间绝缘层包括第一绝缘部、第二绝缘部和第三绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二极板在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘部在所述衬底上的正投影内，所述第三绝缘部设置于所述支撑图案远离所述衬底的一侧。
其中，所述初始隔离槽经图案化形成隔离槽。所述第三缓冲部、所述支撑图案和所述第三绝缘部形成阻挡垫，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影位于所述阻挡垫在所述衬底上的正投影内。所述初始透明间隔层与所述支撑图案的刻蚀选择比大于1。
在一些实施例中，在所述在所述衬底上形成透明导电层之前，所述制备方法还包括：在所述衬底上形成遮光图案；所述遮光图案设置于所述辅助电极和所述衬底之间，且位于所述发光区；所述遮光图案与所述辅助电极电连接，所述像素驱动电路在所述衬底上的正投影，位于所述遮光图案在所述衬底上的正投影内。
另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括上述任一实施例所述的显示面板。
本公开的一些实施例提供的显示面板的制备方法和显示装置的有益效果与上述技术方案提供的显示面板的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；
图2为根据一些实施例的显示面板的结构图；
图3为图2所示的一种显示面板沿A-A＇向的局部剖面图；
图4为根据一些实施例的显示面板的一个像素单元区域的放大图；
图5为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图6为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图7为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图8为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图9为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图10为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图11为根据一些实施例的显示面板的制备方法的制备步骤图；
图12为图2所示的一种显示面板的一个像素单元区域沿B-B＇向的剖面图；
图13为根据一些实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图14为根据一些实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图15为根据一些实施例的显示面板的制备方法的流程图；
图16为根据一些实施例的显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
如图1所示，本公开的一些实施例提供了一种显示装置100，显示装置100是被配置为可视化的显示电子信息的装置或者设备。
示例性的，显示装置100可以是智能手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑以及其他可穿戴电子设备(例如手表)等任何具有显示功能的产品或部件。
其中，显示装置100可以为电致发光显示装置或光致发光显示装置。在显示装置100为电致发光显示装置的情况下，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Display，简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum DotLight Emitting Display，简称QLED)。在显示装置100为光致发光显示装置的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示装置。
此外，根据用户能否看到显示装置100的背面进行划分，显示装置100可以是透明的显示装置或不透明的显示装置(可以称为单侧显示装置)。其中，透明的显示装置100包括透明的显示面板1。
在一些实施例中，如图2所示，显示面板1具有显示区A和位于显示区A至少一侧的周边区B，附图2以周边区B包围显示区A为例进行示意。
其中，显示区A为显示图像的区域，包括多个像素单元区域A1，每个像素单元区域A1包括发光区A11和透明区A12，发光区A11被配置为设置多个子像素P，以使得观看者可以看到显示面板1中的影像，透明区A12所包括的膜层均为透明的，以使得观看者可以看到显示面板1背后的景象。周边区B为不显示的区域，周边区B被配置为设置显示驱动电路，例如，栅极驱动电路200和源极驱动电路300。
其中，如图3所示，显示面板1包括显示基板10和用于封装显示基板10的封装层20。
此处，封装层20可以为封装薄膜，也可以为封装基板。
在一些实施例中，参见图2、图3和图12，每个子像素P均包括设置于衬底11上的发光器件15和像素驱动电路14，像素驱动电路14包括多个晶体管141。晶体管141包括有源层181、源极231、漏极232、栅极211及栅绝缘层19，源极231和漏极232分别与有源层181接触。沿垂直于衬底11且远离衬底11的方向，发光器件15包括第一电极层151、发光功能层152和第二电极层153。
示例性的，如图3所示，第一电极层151为发光器件15的阳极，第二电极层153为发光器件15的阴极。第一电极层151和多个晶体管141中作为驱动晶体管的晶体管141的源极231或漏极232电连接。图3中以第一电极151和晶体管141的漏极电连接进行示意。
在一些实施例中，发光功能层152仅包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层152除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)和空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的至少一个。
在一些实施例中，如图3所示，显示基板10还包括第一平坦层30，第一平坦层设置于像素驱动电路14远离衬底11的一侧。
在一些实施例中，如图3所示，显示基板10还包括第二平坦层40，第二平坦层40设置于发光器件15远离衬底11的一侧。
本公开的一些实施例提供了一种显示面板1。如图4和图12所示，显示面板1包括多个像素单元区域A1，每个像素单元区域A1包括发光区A11和透明区A12。其中，显示面板1包括衬底11、透明导电层12、透明间隔层13、像素驱动电路14和发光器件15。
如图12所示，透明导电层12设置于衬底11上。透明导电层12包括位于发光区A11的辅助电极121和位于透明区A12的连接部122，辅助电极121和连接部122电连接。
需要说明的是，透明导电层12的透射率大于90％。示例性地，透明导电层12的透射率为95％、96％、97％、98％、99％中的一种。其中，透明导电层12的材料可以为透明的导电材料，例如，透明导电层12的材料包括氧化铟锡，本公开不限于此。
如图12所示，透明间隔层13设置于透明导电层12远离衬底11的一侧。透明间隔层13包括至少位于发光区A11的第一支撑部131和位于透明区A12的第二支撑部132，第一支撑部131和第二支撑部132之间形成隔离槽S1，隔离槽S1贯穿透明间隔层13且暴露连接部122。
需要说明的是，透明间隔层13的透射率大于90％。示例性地，透明间隔层13的透射率为95％、96％、97％、98％、99％中的一种。其中，透明间隔层13的材料可以为透明的有机材料，例如，透明间隔层13的材料包括有机硅氧烷，本公开不限于此。
如图12所示，像素驱动电路14设置于第一支撑部131上，且位于发光区A11。
请继续参阅图12，发光器件15设置于像素驱动电路14远离衬底11的一侧。发光器件15包括依次设置的第一电极层151、发光功能层152和第二电极层153，第一电极层151位于发光区A11，发光功能层152在隔离槽S1处断开，第二电极层153透明，且穿过隔离槽S1与连接部122电连接。
需要说明的是，第一电极层151为不透明的电极，第一电极层151的反射率大于或等于50％；第二电极层153的透射率大于90％。应理解，第一电极层151的反射率越高，显示面板1的显示效果越好，第二电极层153的透射率越高，显示面板1的透明显示的效果。
此外，第一电极层151的材料包括金属，例如，第一电极层151的材料包括铝、铜、钼中的至少一种，本公开不限于此。第二电极层153的材料包括透明导电层，例如，第二电极层153的材料包括铟锌氧化物，本公开不限于此。
由上述可知，本公开的一些实施例提供的显示面板1，发光功能层152在隔离槽S1处断开，透明的第二电极层153可在发光功能层152断开的区域与位于透明区A12的连接部122电连接，辅助电极121和连接部122电连接，以使得第二电极层153与辅助电极121电连接，从而降低第二电极层153的电阻。这样的话，实现第二电极层153与辅助电极121的跨膜层电连接的工艺过程中，无需采用激光打孔工艺，降低工艺成本。
与相关技术相比，本公开的提供的显示面板1，由于透明导电层12包括连接部122，即连接部122为透明的，因此，不会对透射过透明区A12的光造成遮挡，不会减小透明区A12中光可透过的面积，避免了相关技术中连接电极和辅助阴极在透明区A12会对光造成遮挡，解决了相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。
其中，辅助电极121和连接部122电连接的方式并不为唯一。在一些实施例中，辅助电极121与连接部122一体设置。在另一些实施例中，如图4和图5所示，透明导电层12还包括第三连接线125，第三连接线125的一端与连接部122电连接，另一端与辅助电极121电连接。
在一些实施例中，如图12所示，显示面板1还包括遮光图案16，遮光图案16设置于辅助电极121和衬底11之间，且位于发光区A11。像素驱动电路14在衬底11上的正投影，位于遮光图案16在衬底11上的正投影内，以防止像素驱动电路14中的有源层受环境光照射老化，影响晶体管141的性能。
需要说明的是，遮光图案16的材料可以为不透明的高导电材料；示例性地，遮光图案16的材料包括金属；例如，遮光图案16的材料包括铜、银、铝中的至少一种，本公开不限于此。
此外，遮光图案16与辅助电极121电连接，即遮光图案16不仅起到遮光保护像素驱动电路14输出不受环境光照的影响，而且还可以起到辅助电极121的作用，从而进一步地降低第二电极层153的电阻。
需要说明的是，遮光图案16与辅助阴极121电连接的方式不止一种。在一些实施例中，如图12所示，遮光图案16在衬底11上的正投影，与辅助阴极121在衬底11上的正投影至少部分重合，使遮光图案16与辅助阴极121形成直接的电接触，从而实现遮光图案16与辅助阴极121的电连接，工艺成本较低。
在一些实施例中，如图2和图4所示，显示面板1还包括周边区B，多个像素单元区域A1的发光区A11沿第一方向Y并列设置，遮光图案16包括沿第一方向Y延伸的多条第一导电线161，多条第一导电线161延伸至周边区B，且每相邻的两条第一导电线161在周边区B电连接，以将所有的辅助电极121、连接部122及每个子像素P对应的遮光图案16电连接，从而进一步地降低第二电极层153的电阻。
在一些实施例中，如图4和图12所示，显示面板1还包括透明的存储电容器Cst，存储电容器Cst设置于透明区A12。在这种情况下，发光区A11无需预留存储电容器Cst的设置位置；也就是说，发光区A11的面积相对地可以设置的更小。这样的话，可以增大透明区A12的面积，以实现更好的透明显示的效果；也可以相应地降低每个像素单元区域A1的面积，以实现更好的像素密度，实现更佳的显示效果，具体采用哪种方式可以根据实际需求进行选择，本公开在此不做限定。
在一些实施例中，如图4和图12所示，第二支撑部132在衬底11上的正投影和连接部122在衬底11上的正投影，围绕存储电容器Cst在衬底11上的正投影至少部分边界设置。示例性地，第二支撑部132和连接部122在衬底11上的正投影近似框形或环形，存储电容器Cst位于框形或环形的内侧。
此处，发光功能层153还在框形或环形的内侧断开，具体结构在下文描述，在此不做赘述。这样的话，可以提高第二电极层153与连接部122的接触面积，进一步地降低第二电极层153的电阻。
需要说明的是，在第二支撑部132和连接部122在衬底11上的正投影近似框形或环形的情况下，第二支撑部132和连接部122需要设有避让开口，以便于存储电容器Cst与像素驱动电路14电连接。
在一些实施例中，参见图4和图12，存储电容器Cst包括沿衬底11的厚度方向相对设置的第一极板123和第二极板182。其中，第一极板123位于透明导电层12，以这种方式设置，在形成透明导电层12的辅助阴极121和连接部122的工艺过程中，还可以形成透明的存储电容器Cst的第一极板123，工艺成本低。
在一些实施例中，透明导电层12还包括第一连接线(图4中未示意出)，第一连接线(图4中未示意出)的一端与第一极板123电连接，另一端与像素驱动电路14电连接。以这种方式设置，第一极板123与像素驱动电路14之间实现电连接的走线均为透明的，不会影响对投射过透明区A12的光造成遮挡，影响透明显示效果；同时，在形成透明导电层12的辅助阴极121、连接部122和存储电容器Cst的第一极板123的工艺过程中，还可以形成第一连接线(图4中未示意出)，工艺成本低。
需要说明的是，根据不同的电路设计，第一极板123通过第一连接线(图中4未示意出)与像素驱动电路14中的不同的信号端连接。在一些实施例中，第一极板123通过第一连接线124与像素驱动电路14中第一电压信端VSS电连接。其中，第一电压信端VSS用于传输恒定的低电压信号。
在一些实施例中，如图3和图12所示，显示面板1还包括透明的半导体层18，半导体层18设置于透明间隔层13远离衬底11的一侧。像素驱动电路14包括多个晶体管141，半导体层18设置于透明间隔层13远离衬底11的一侧。其中，半导体层18包括至少位于发光区A11的多个晶体管141的有源层181。
在此基础上，半导体层18还包括位于透明区A12的第二极板182，第二极板182在衬底11上的正投影，与第一极板123在衬底11上的正投影至少部分重合，以形成存储电容器Cst。
需要说明的是，为形成透明的存储电容器Cst，第二极板182为透明的。也就是说，半导体层18为透明的半导体材料；示例性地，半导体层18的材料包括透明的氧化物；例如，半导体层18的材料包括铟镓锌氧化物和/或氧化铟锡锌，本公开不限于此。
在一些实施例中，参见图4和图12，半导体层18还包括第二连接线183，第二连接线183的一端与第二极板182电连接，另一端与像素驱动电路14电连接。以这种方式设置，第二极板182与像素驱动电路14之间实现电连接的走线均为透明的，不会影响对投射过透明区A12的光造成遮挡，影响透明显示效果；同时，在形成半导体层18的有源层181和第二极板182的工艺过程中，还可以形成第二连接线183，工艺成本较低。
需要说明的是，根据不同的电路设计，第二极板182通过第二连接线183与像素驱动电路14中的驱动晶体管的连接位置不同。在一些实施例中，第二极板182通过第二连接线183与驱动晶体管的源极231或漏极232电连接。此外，上述第一连接线在透明区A12的走线可以参考第二连接线183在透明区A12的走线，例如，第一连接线位于透明区A12的部分在衬底11上的正投影，与第二连接线183位于透明区A12的部分在衬底11上的正投影近似重合。
其中，显示面板1还包括缓冲层17，缓冲层17设置于透明间隔层13与半导体层18之间。缓冲层17包括第一缓冲部171，第一缓冲部171至少位于发光区，且第一缓冲部171位于第一支撑部131和像素驱动电路14之间，以对第一缓冲部171远离衬底1的一侧的像素驱动电路14起到保护的作用。
在此基础上，参见图12，缓冲层17还包括位于透明区A12的第二缓冲部172，第二缓冲部172位于第一极板123和第二极板182之间，以使第一极板123和存储电容器Cst的第二极板182隔开；第一极板123在衬底11上的正投影位于第二缓冲部172在衬底11上的正投影内，以使连接部122和第一极板123隔开。以这种方式设置，存储电容器Cst的第一极板123和存储电容器Cst的第二极板182之间的绝缘层不需要单独制作，在形成缓冲层的第一缓冲部171的工艺过程中，还可以形成覆盖第一极板123的第二缓冲部172，工艺成本低。
需要说明的是，缓冲层17的材料可以为透明的无机材料，示例性地，缓冲层17的材料包括硅氧化物；例如，缓冲层17的材料包括二氧化硅，本公开不限于此。
如图12所示，显示面板1包括设置于半导体层18远离衬底11的一侧层间绝缘层22，层间绝缘层22包括至少位于发光区A11的第一绝缘部221和位于透明区A12的第二绝缘部222，第一绝缘部221位于第一支撑部131和第一电极层151之间，第二极板182在衬底11上的正投影位于第二绝缘部222在衬底11上的正投影内。
其中，沿远离衬底1的方向，显示面板1还包括依次设置的栅绝缘层19、栅导电层21和源漏导电层23。栅导电层19包括多个晶体管141的栅极211，栅绝缘层19覆盖半导体层18的有源层181，以使栅导电层21的栅极211与半导体层181的有源层181隔开。源漏导电层23包括多个晶体管141的源极231和漏极232。第一绝缘部221覆盖栅导电层21和半导体层18，以使栅导电层21和半导体层18与源漏导电层23隔开。
这样，在形成层间绝缘层22的第一绝缘部221的工艺过程中，还可以形成第二绝缘部222，工艺成本低。
需要说明的是，栅导电层19的材料包括金属，例如，栅导电层19的材料包括铝、铜、钼中的至少一种，本公开不限于此。源漏导电层23的材料包括金属，例如，源漏导电层23的材料包括铝、铜、钼中的至少一种，本公开不限于此。栅绝缘层19的材料可以为无机材料，示例性地，栅绝缘层19的材料包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料中的任一种；例如，栅绝缘层19的材料包括二氧化硅，本公开不限于此。层间绝缘层22的材料可以为透明的无机材料，示例性地，层间绝缘层22的材料包括硅氧化物；例如，层间绝缘层22的材料包括二氧化硅，本公开不限于此。
在一些实施例中，如图11和图12所示，显示面板1还包括阻挡垫24，阻挡垫24设置于第二支撑部132远离衬底11的一侧，第二支撑部132在衬底11上的正投影，位于阻挡垫24在衬底11上的正投影内，以形成工字形结构。这样的话，在通过蒸镀的工艺形成发光功能层152的工艺过程中，发光功能层152在阻挡垫24的遮挡下，不会形成在连接部122的第一区域M1，第一区域M1为阻挡垫24在衬底11上的正投影，与第二支撑部132在衬底11上的正投影不重合的区域。也就是说，在形成发光功能层152的工艺过程中，发光功能层152在隔离槽S1处自然断开，暴露部分连接部122，以便于后续工艺过程中的第二电极层153与连接部122电连接，工艺成本较低。
示例性地，发光功能层152覆盖发光区A11和透明区A12，且暴露第二支撑部132和阻挡垫24的侧面及连接部122位于第一区域M1的表面。第一区域M1为阻挡垫24在衬底11上的正投影，超出第二支撑部132在衬底11上的正投影的边界的至少部分区域。第二电极层153覆盖发光功能层152的表面及侧面、第二支撑部132和阻挡垫24的侧面、连接部122暴露的表面。需要说明的是，第二电极层153可以利用溅射工艺向隔离槽S1内沉积形成。
需要说明的是，在第二支撑部132和连接部122在衬底11上的正投影近似框形或环形的情况下，发光功能层153对应框形或环形的内外侧均断开，可以增大第二电极层153与连接部122的接触面积，从而进一步地降低第二电极层153的电阻。
其中，半导体层18还包括位于透明区A12的支撑图案184，支撑图案184设置于第二支撑部132远离衬底11的一侧，阻挡垫24包括支撑图案184。这样的话，在形成半导体层18的工艺过程中，还可以形成阻挡垫24，工艺成本较低。
为了使得第二支撑部132在衬底11上的正投影，位于阻挡垫24在衬底11上的正投影内，透明间隔层13与半导体层18的刻蚀选择比大于1，即同一刻蚀条件下，透明间隔层13的刻蚀速率比半导体层18的刻蚀速率大。
在一些实施例中，如图11和图12所示，缓冲层17还包括位于透明区A12的第三缓冲部173，第三缓冲部173设置于第二支撑部132与支撑图案184之间。层间绝缘层22还包括位于透明区A12的第三绝缘部223，第三绝缘部223设置于支撑图案184远离衬底11的一侧。
此时，阻挡垫24包括第三缓冲部173、支撑图案184、第三绝缘部223中的至少一者。这样，由于缓冲层17和层间绝缘层22在工艺过程中均为整层设置，在刻蚀后，保留了第三缓冲部173和第三绝缘部223，工艺成本较低。
如图13所示，本公开的一些实施例还提供了一种显示面板1的制备方法。该制备方法包括S1～S4。
S1，在衬底11上形成透明导电层12。
上述步骤中，参见图5，透明导电层12包括位于发光区A11的辅助电极121和位于透明区A12的连接部122，辅助电极121和连接部122电连接。
需要说明的是，透明导电层12所采用的材料可以参考上述技术方案提供的显示面板，在此不做赘述。
S2，在透明导电层12远离衬底11的一侧形成初始透明间隔层130。
上述步骤中，参见图6，初始透明间隔层130包括至少位于发光区的第一支撑部131和位于透明区的第二初始支撑部133，第一支撑部131和第二初始支撑部133之间形成初始隔离槽S2，初始隔离槽S2贯穿初始透明间隔层130且暴露连接部122。
需要说明的是，初始透明间隔层130所采用的材料可以参考上述技术方案提供的显示面板1，在此不做赘述。
S3，参见图7～图9，在初始透明间隔层130远离衬底11的一侧形成像素驱动电路14。
上述步骤中，像素驱动电路14位于发光区A11。
S4，参见图10～图12，在像素驱动电路14远离衬底11的一侧形成发光器件15。
上述步骤中，发光器件15包括依次设置的第一电极层151、发光功能层152和第二电极层153，第一电极层151位于发光区A11，发光功能层152在基于初始隔离槽S2形成的隔离槽S1处断开。第二电极层153透明，且穿过隔离槽S2与连接部122电连接。
与现有技术相比，本公开提供的显示面板1的制备方法的有益效果与上述技术方案提供的显示面板1的有益效果相同，在此不做赘述。
在一些实施例中，在S1中，还形成存储电容器Cst的第一极板123。连接部122围绕第一极板123的至少部分边界。相应地，在S2中，初始透明间隔层130覆盖在第一极板123上方及周围的部分被去除。
在此基础上，参见图14，在S3和S4之间，上述制备方法还包括S5。
S5，形成覆盖发光区A11和透明区A12的缓冲薄膜171。
上述步骤中，缓冲薄膜170覆盖整个发光区A11和透明区A12。缓冲薄膜170的材料所采用的材料可以参考上述技术方案提供的显示面板1中的缓冲层17，在此不做赘述。
在一些实施例中，参见图15，S4包括S41～S43。
S41，参见图7，在缓冲薄膜170远离衬底的一侧形成半导体层18。
上述步骤中，半导体层18包括像素驱动电路14的多个晶体管141的有源层181、存储电容器Cst的第二极板182和支撑图案184。第二极板182和第一极板123相对设置，支撑图案184设置于第二初始支撑部133远离衬底11的一侧。
S42，参见图8、图9和图10，在半导体层18远离衬底11的一侧形成覆盖发光区A11和透明区A12的层间绝缘薄膜220。
需要说明的是，层间绝缘薄膜220所采用的材料可以参考上述技术方案提供的显示面板1中的层间绝缘薄层22，在此不做赘述。
S43，参见图10和图11，图案化缓冲薄膜170、层间绝缘薄膜220和初始透明间隔层130，形成缓冲层17、层间绝缘层22和透明间隔层13。
上述步骤中，透明间隔层13包括第二支撑部132，第二支撑部132由初始透明间隔层130的第二初始支撑部133经图案化形成。缓冲层17包括第一缓冲部171、第二缓冲部172和第三缓冲部173，第一缓冲部171位于第一支撑部131和第一电极层151之间，第二缓冲部172位于第一极板123和第二极板182之间，第三缓冲部173设置于第二支撑部132与支撑图案184之间。层间绝缘层22包括第一绝缘部221、第二绝缘部222和第三绝缘部223，第一绝缘部221位于第一支撑部131和第一电极层151之间，第二极板184在衬底11上的正投影位于第二绝缘部222在衬底11上的正投影内，第三绝缘部223设置于支撑图案184远离衬底11的一侧。
其中，初始隔离槽S2经图案化形成隔离槽S1。第三缓冲部173、支撑图案184和第三绝缘部223形成阻挡垫24，第二支撑部132在衬底11上的正投影位于阻挡垫24在衬底11上的正投影内。初始透明间隔层130与支撑图案184的刻蚀选择比大于1，即同一刻蚀条件下，透明间隔层13的刻蚀速率比半导体层18中的支撑图案184的刻蚀速率大。
在一些实施例中，在S1之前，如图16所示，制备方法还包括S6。
S6，在衬底11上形成遮光图案16。
上述步骤中，遮光图案16设置于辅助电极121和衬底11之间，且位于发光区A11。遮光图案16与辅助电极121电连接，像素驱动电路14在衬底11上的正投影，位于遮光图案16在衬底11上的正投影内。
如图1所示，本公开的一些实施例还提供了一种显示装置100，包括上述任一实施例的显示面板1或由上述任一实施例的显示面板的制备方法制作而成。
与现有技术相比，本公开提供的显示装置100的有益效果与上述技术方案提供的显示面板1的有益效果相同，在此不做赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括多个像素单元区域，每个像素单元区域包括发光区和透明区；
所述显示面板包括：
衬底；
透明导电层，设置于所述衬底上；所述透明导电层包括位于所述发光区的辅助电极和位于所述透明区的连接部，所述辅助电极和所述连接部电连接；
透明间隔层，设置于所述透明导电层远离所述衬底的一侧；所述透明间隔层包括至少位于所述发光区的第一支撑部和位于所述透明区的第二支撑部，所述第一支撑部和所述第二支撑部之间形成隔离槽，所述隔离槽贯穿所述透明间隔层且暴露所述连接部；
像素驱动电路，设置于所述第一支撑部上，且位于所述发光区；
发光器件，设置于所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧；所述发光器件包括依次设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层位于所述发光区，所述发光功能层在所述隔离槽处断开，所述第二电极层透明，且穿过所述隔离槽与所述连接部电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
遮光图案，设置于所述辅助电极和所述衬底之间，且位于所述发光区；所述遮光图案与所述辅助电极电连接，所述像素驱动电路在所述衬底上的正投影，位于所述遮光图案在所述衬底上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
透明的存储电容器，设置于所述透明区。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影和所述连接部在所述衬底上的正投影，围绕所述存储电容器在所述衬底上的正投影的至少部分边界设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述存储电容器包括沿所述衬底的厚度方向相对设置的第一极板和第二极板；
所述第一极板位于所述透明导电层；
所述显示面板还包括：
透明的半导体层，设置于所述透明间隔层远离所述衬底的一侧；所述像素驱动电路包括多个晶体管，所述半导体层包括位于所述发光区的所述多个晶体管的有源层，和所述第二极板。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：
缓冲层，设置于所述透明间隔层与所述半导体层之间；所述缓冲层包括至少位于所述发光区的第一缓冲部，和位于所述透明区的第二缓冲部，所述第一缓冲部位于所述第一支撑部和所述像素驱动电路之间，所述第二缓冲部位于所述第一极板和所述第二极板之间；
其中，所述第一极板在所述衬底上的正投影位于所述第二缓冲部在所述衬底上的正投影内，以使所述连接部和所述第一极板隔开。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述透明导电层还包括第一连接线，所述第一连接线的一端与所述第一极板电连接，另一端与所述像素驱动电路电连接。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层还包括第二连接线，所述第二连接线的一端与所述第二极板电连接，另一端与所述像素驱动电路电连接。
9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：
层间绝缘层，设置于所述半导体层远离所述衬底的一侧；所述层间绝缘层包括至少位于所述发光区的第一绝缘部，和位于所述透明区的第二绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二极板在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘部在所述衬底上的正投影内。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：
阻挡垫，设置于所述第二支撑部远离所述衬底的一侧，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影位于所述阻挡垫在所述衬底上的正投影内。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括半导体层，所述半导体层包括位于所述透明区的支撑图案，所述支撑图案设置于所述第二支撑部远离所述衬底的一侧；
所述阻挡垫包括所述支撑图案。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述透明间隔层的材料包括透明的有机材料；和/或，
所述透明间隔层与所述半导体层的刻蚀选择比大于1。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括缓冲层和层间绝缘层；
所述缓冲层包括位于所述透明区的第三缓冲部，所述第三缓冲部设置于所述第二支撑部与所述支撑图案之间；
层间绝缘层还包括位于所述透明区的第三绝缘部，所述第三绝缘部设置于所述支撑图案远离所述衬底的一侧；
所述阻挡垫还包括所述第三缓冲部和所述第三绝缘部。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层覆盖所述发光区和所述透明区，且暴露所述第二支撑部和所述阻挡垫的侧面及所述连接部位于第一区域的表面；所述第一区域为所述阻挡垫在所述衬底上的正投影，超出所述第二支撑部在所述衬底上的正投影的边界的至少部分区域；
所述第二电极层覆盖所述发光功能层的表面及侧面、所述第二支撑部和所述阻挡垫的侧面、及所述连接部暴露的表面。
15.根据权利要求1～9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极与连接部一体设置；
或，所述透明导电层包括第三连接线，所述第三连接线的一端与所述连接部电连接，另一端与所述辅助电极电连接。
16.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括多个像素单元区域，每个像素单元区域包括发光区和透明区；所述制备方法包括：
在衬底上形成透明导电层；所述透明导电层包括位于所述发光区的辅助电极和位于所述透明区的连接部，所述辅助电极和所述连接部电连接；
在所述透明导电层远离所述衬底的一侧形成初始透明间隔层；所述初始透明间隔层包括至少位于所述发光区的第一支撑部和位于所述透明区的第二初始支撑部，所述第一支撑部和所述第二初始支撑部之间形成初始隔离槽，所述初始隔离槽贯穿所述初始透明间隔层且暴露所述连接部；
在所述初始透明间隔层远离所述衬底的一侧形成像素驱动电路；所述像素驱动电路位于所述发光区；
在所述像素驱动电路远离所述衬底的一侧形成发光器件；所述发光器件包括依次设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层，所述第一电极层位于所述发光区，所述发光功能层在基于所述初始隔离槽形成的隔离槽处断开，所述第二电极层透明，且穿过所述隔离槽与所述连接部电连接。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在形成所述透明导电层的过程中，还形成存储电容器的第一极板；所述连接部围绕所述第一极板的至少部分边界；
在形成所述初始透明间隔层的过程中，所述初始透明间隔层覆盖在所述第一极板上方及周围的部分被去除；
在形成所述透明间隔层和形成所述像素驱动电路之间，还包括：形成覆盖所述发光区和所述透明区的缓冲薄膜；
形成所述像素驱动电路，包括：
在所述缓冲薄膜远离所述衬底的一侧形成半导体层；所述半导体层包括所述像素驱动电路的多个晶体管的有源层、所述存储电容器的第二极板和支撑图案；所述第二极板和第一极板相对设置；所述支撑图案设置于所述第二初始支撑部远离所述衬底的一侧；
在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述发光区和所述透明区的层间绝缘薄膜；
图案化所述缓冲薄膜、所述层间绝缘薄膜和所述初始透明间隔层，形成缓冲层、层间绝缘层和透明间隔层；所述透明间隔层包括第二支撑部，所述第二支撑部由所述初始透明间隔层的第二初始支撑部经图案化形成；所述缓冲层包括第一缓冲部、第二缓冲部和第三缓冲部，所述第一缓冲部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二缓冲部位于所述第一极板和所述第二极板之间，所述第三缓冲部设置于所述第二支撑部与所述支撑图案之间；所述层间绝缘层包括第一绝缘部、第二绝缘部和第三绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一支撑部和所述第一电极层之间，所述第二极板在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘部在所述衬底上的正投影内，所述第三绝缘部设置于所述支撑图案远离所述衬底的一侧；
其中，所述初始隔离槽经图案化形成隔离槽；
所述第三缓冲部、所述支撑图案和所述第三绝缘部形成阻挡垫，所述第二支撑部在所述衬底上的正投影位于所述阻挡垫在所述衬底上的正投影内；
所述初始透明间隔层与所述支撑图案的刻蚀选择比大于1。
18.根据权利要求16或17所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成透明导电层之前，还包括：
在所述衬底上形成遮光图案；所述遮光图案设置于所述辅助电极和所述衬底之间，且位于所述发光区；所述遮光图案与所述辅助电极电连接，所述像素驱动电路在所述衬底上的正投影，位于所述遮光图案在所述衬底上的正投影内。
19.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板为如权利要求1～15中任一项所述的显示面板，或由权利要求16～18中任一项所述的显示面板的制备方法制作而成。
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