CN113690366A - Sot-mram存储单元及其制备方法 - Google Patents
Sot-mram存储单元及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113690366A CN113690366A CN202110945619.XA CN202110945619A CN113690366A CN 113690366 A CN113690366 A CN 113690366A CN 202110945619 A CN202110945619 A CN 202110945619A CN 113690366 A CN113690366 A CN 113690366A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- tunnel junction
- magnetic tunnel
- sot
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 174
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，该SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且环绕于磁性隧道结四周侧壁的铁磁层，铁磁层为面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。
Description
技术领域
本发明涉及MRAM存储器技术领域，尤其涉及一种SOT-MRAM存储单元及其制备方法。
背景技术
随着自旋电子学的迅猛发展，自旋轨道耦合效应(Spin-Orbit Coupling，SOC)越来越受到人们的广泛关注，主要包括自旋霍尔效应和界面Edelstein效应及其逆效应，可实现电压可控的电流和自旋流的相互转化。而自旋轨道矩(Spin-Orbit Torque，SOT)基于SOC效应，利用电荷流诱导的自旋流产生自旋转移力矩，从而达到调控磁性存储单元的目的。由于其读写路径分开化，因此具有能耗低，写入速度快，磁矩翻转性强，效率高，稳定性高等优良性能，在磁存储器件等领域展现出巨大的前景。
自旋轨道矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)是利用自旋流产生的SOT作为信息写入方式，既保持了MRAM高速度和低功耗等优异特性，又实现了读写路径的分离，更有利于提高器件的抗击穿和长寿命等性能。
目前对于采用性能优异的具有垂直磁各向异性的磁性隧道结作为基本存储单元的SOT-MRAM来说，单独的自旋轨道矩无法实现确定性的定向磁化翻转，一般需要在特定方向上的外加磁场帮助下，才能够实现磁性隧道结中垂直自由层的确定性磁矩翻转和信息写入。但是外加磁场的引入增加了电路复杂度和可靠性风险，不利于器件的集成。因此如何使自旋轨道矩能够在无外加磁场的条件下完成确定性的磁化翻转并实现与现有CMOS工艺兼容的集成应用，仍是本领域一个亟待解决的技术问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种SOT-MRAM存储单元，能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。
一方面，本发明提供一种SOT-MRAM存储单元，包括：
磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，所述自由层具有方向可变的垂直磁化，所述参考层具有方向固定的垂直磁化；
自旋轨道耦合层，位于所述磁性隧道结下方，与所述自由层接触，所述自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使所述自由层磁化翻转；
位于所述自旋轨道耦合层上方且环绕于所述磁性隧道结四周侧壁的铁磁层，所述铁磁层为面内水平磁化，磁化方向平行于所述自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对所述磁性隧道结产生一个水平磁场。
可选地，所述铁磁层的材料为Fe、FeCo和FeN中的一种。
可选地，所述自旋轨道矩耦合层的材料为重金属、掺杂重金属、重金属合金或者拓扑绝缘体。
可选地，还包括：
反铁磁层，环绕于所述铁磁层四周侧壁，用于钉扎所述铁磁层的磁化方向。
可选地，所述反铁磁层的材料为IrMn或者PtMn。
可选地，还包括：
保护层，环绕于所述反铁磁层四周侧壁。
可选地，所述保护层的材料为Ta或者Ru。
可选地，还包括：绝缘介质层，环绕于所述磁性隧道结四周侧壁和顶部，位于所述磁性隧道结和所述铁磁层之间并覆盖于所述自旋轨道耦合层表面。
另一方面，本发明提供一种SOT-MRAM存储单元的制备方法，包括：
提供基底；
在所述基底上沉积形成自旋轨道耦合层；
在所述自旋轨道矩耦合层上形成磁性隧道结，所述磁性隧道结包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，所述自由层具有方向可变的垂直磁化，所述参考层具有方向固定的垂直磁化；
在所述自旋轨道矩耦合层表面以及所述磁性隧道结表面依次共形地沉积形成绝缘介质层、铁磁层、反铁磁层和保护层；
利用各向异性刻蚀工艺对所述保护层、所述反铁磁层和所述铁磁层进行刻蚀，直至在所述绝缘介质层的四周侧壁形成从内向外依次包括铁磁层/反铁磁层/保护层的环状层叠结构；
在真空条件下进行磁场退火，使得所述铁磁层的磁化方向为水平方向且平行于所述自旋轨道矩耦合层中在写数据时通过的写电流方向。
可选地，所述各向异性刻蚀工艺使用Ar作为刻蚀气体。
本发明提供的SOT-MRAM存储单元，在磁性隧道结四周设置有环状铁磁层，该铁磁层的磁化方向固定地平行于自旋轨道耦合层中流过的写电流方向，从而环状铁磁层对磁性隧道结产生了一个平行于写电流方向的水平磁场，写电流的正负方向可以实现对自由层的磁矩进行上下地定向翻转。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的SOT-MRAM存储单元的结构示意图；
图2至图5为本发明一实施例提供的SOT-MRAM存储单元制备方法各步骤的剖面结构示意图；
图6为对应图5所示剖面结构的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
图1示出了本发明实施例提供的一种SOT-MRAM存储单元的立体视图。如图1所示，该SOT-MRAM存储单元包括磁性隧道结101、自旋轨道耦合层102以及环绕于磁性隧道结101四周侧壁的铁磁层103。具体地，磁性隧道结101包括最基本的三明治结构，即包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层(图中为示出)，其中自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化。磁性隧道结101一般为圆柱形。自旋轨道耦合层102位于磁性隧道结101下方，与磁性隧道结101的自由层接触，自旋轨道耦合层102用于利用自旋霍尔效应产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转。铁磁层103位于自旋轨道矩耦合层102上方且环绕于磁性隧道结101四周侧壁，铁磁层103的高度小于磁性隧道结101的高度，从磁性隧道结101的底部开始向上延伸。铁磁层103具有面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层102中在写数据时通过的写电流方向，以对磁性隧道结101产生一个水平磁场。
可选地，参考图1，作为一种实施方式，该SOT-MRAM存储单元还可以包括反铁磁层104，反铁磁层104环绕于铁磁层103四周侧壁，高度一般与铁磁层103是相同的。反铁磁层104用于钉扎铁磁层103的磁化方向。
进一步地，环绕于反铁磁层104四周侧壁还可以设置保护层105，用于防止反铁磁层104发生氧化。
在上述实施例中，磁性隧道结101的自由层和参考层使用铁磁材料，如Fe，FeCo，FeCoB。势垒层较常用的是MgO。自旋轨道矩耦合层102的材料为重金属、掺杂重金属、重金属合金或者拓扑绝缘体。铁磁层103的材料为Fe、FeCo和FeN中的一种。反铁磁层104的材料为IrMn或者PtMn。保护层105的材料为Ta或者Ru。
另外说明的是，考虑到器件的制备工艺，会存在绝缘介质层(图中未示出)环绕于磁性隧道结101四周侧壁和顶部，位于磁性隧道结101和铁磁层103之间并覆盖于自旋轨道耦合层102表面。
本发明提供的SOT-MRAM存储单元，在磁性隧道结四周设置有环状铁磁层，该铁磁层的磁化方向固定地平行于自旋轨道耦合层中流过的写电流方向，从而环状铁磁层对磁性隧道结产生了一个平行于写电流方向的水平磁场，写电流的正负方向可以实现对自由层的磁矩进行上下地定向翻转。
对于上述实施例提供的SOT-MRAM存储单元，本发明实施例还提供一种SOT-MRAM存储单元的制备方法，图2～图5示出了制备过程中各步骤的结构剖面图。
如图2所示，提供基底201，在基底201上沉积形成自旋轨道耦合层202。可利用利用PVD等薄膜生长工艺生长Ta、Pt等，得到自旋轨道耦合层。接着在在自旋轨道矩耦合层202上生长磁性隧道结各层薄膜，利用光刻和刻蚀把磁性隧道结各层薄膜加工成磁性隧道结203，磁性隧道结203一般为圆柱形，磁性隧道结203至少包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化。
如图3所示，在自旋轨道矩耦合层202暴露的表面以及磁性隧道结203表面共形地形成绝缘介质层204，该绝缘介质层204可以是SiN，用于保护磁性隧道结203。
接着，参考图4，在绝缘介质层204上依次沉积形成高磁化强度的铁磁层205、反铁磁层206和保护层207，其中铁磁层205可以是Fe、FeCo和FeN中的一种，反铁磁层206的材料可以是IrMn或者PtMn，保护层207的材料可以是Ta或者Ru等。
然后，如图5所示，利用各向异性刻蚀工艺对保护层207、反铁磁层206和铁磁层205进行刻蚀，直至在绝缘介质层204的四周侧壁形成从内向外依次包括铁磁层2051/反铁磁层2061/保护层2071的环状层叠结构。从图5可以看出，层叠结构的高度要小于磁性隧道结203的高度。铁磁层2051/反铁磁层2061/保护层2071表面可以保持平齐。具体地，各向异性刻蚀工艺使用Ar作为刻蚀气体。
最后，在真空条件下进行磁场退火，使得环状铁磁层2051的磁化方向为水平方向且平行于自旋轨道矩耦合层中在写数据时通过的写电流方向。在磁场退火下，铁磁层被反铁磁层钉扎到一个水平方向，该铁磁层可以对磁性隧道结施加一个水平磁场，从而导致自旋轨道耦合层中正负电流写入时产生的自旋轨道矩可以定向翻转自由层磁矩。
另外，为便于理解，图6示出了从图5虚线位置向下俯视，可以得到的俯视图。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种SOT-MRAM存储单元，其特征在于，包括：
磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，所述自由层具有方向可变的垂直磁化，所述参考层具有方向固定的垂直磁化；
自旋轨道耦合层，位于所述磁性隧道结下方，与所述自由层接触，所述自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使所述自由层磁化翻转；
位于所述自旋轨道耦合层上方且环绕于所述磁性隧道结四周侧壁的铁磁层，所述铁磁层为面内水平磁化，磁化方向平行于所述自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对所述磁性隧道结产生一个水平磁场。
2.根据权利要求1所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述铁磁层的材料为Fe、FeCo和FeN中的一种。
3.根据权利要求1所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述自旋轨道矩耦合层的材料为重金属、掺杂重金属、重金属合金或者拓扑绝缘体。
4.根据权利要求1所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，还包括：
反铁磁层，环绕于所述铁磁层四周侧壁，用于钉扎所述铁磁层的磁化方向。
5.根据权利要求4所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述反铁磁层的材料为IrMn或者PtMn。
6.根据权利要求4所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，还包括：
保护层，环绕于所述反铁磁层四周侧壁。
7.根据权利要求6所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述保护层的材料为Ta或者Ru。
8.根据权利要求1所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，还包括：绝缘介质层，环绕于所述磁性隧道结四周侧壁和顶部，位于所述磁性隧道结和所述铁磁层之间并覆盖于所述自旋轨道耦合层表面。
9.一种SOT-MRAM存储单元的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上沉积形成自旋轨道耦合层；
在所述自旋轨道矩耦合层上形成磁性隧道结，所述磁性隧道结包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，所述自由层具有方向可变的垂直磁化，所述参考层具有方向固定的垂直磁化；
在所述自旋轨道矩耦合层表面以及所述磁性隧道结表面依次共形地沉积形成绝缘介质层、铁磁层、反铁磁层和保护层；
利用各向异性刻蚀工艺对所述保护层、所述反铁磁层和所述铁磁层进行刻蚀，直至在所述绝缘介质层的四周侧壁形成从内向外依次包括铁磁层/反铁磁层/保护层的环状层叠结构；
在真空条件下进行磁场退火，使得所述铁磁层的磁化方向为水平方向且平行于所述自旋轨道矩耦合层中在写数据时通过的写电流方向。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺使用Ar作为刻蚀气体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110945619.XA CN113690366A (zh) | 2021-08-17 | 2021-08-17 | Sot-mram存储单元及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110945619.XA CN113690366A (zh) | 2021-08-17 | 2021-08-17 | Sot-mram存储单元及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113690366A true CN113690366A (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=78580377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110945619.XA Pending CN113690366A (zh) | 2021-08-17 | 2021-08-17 | Sot-mram存储单元及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113690366A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023124497A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 浙江驰拓科技有限公司 | 一种sot-mram存储单元及其制备方法、sot-mram |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105161613A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于双势垒结构的磁存储器件 |
| US9218864B1 (en) * | 2014-10-04 | 2015-12-22 | Ge Yi | Magnetoresistive random access memory cell and 3D memory cell array |
| CN105426157A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-23 | 中电海康集团有限公司 | 一种基于自旋霍尔效应的随机码生成器 |
| US20160300999A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Ge Yi | Magnetoresistive Random Access Memory Cell |
| US20170125078A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | HGST Netherlands B.V. | Three Terminal Spin Orbit Torque Memory Cell with In-Stack MAGNETIC LAYER THAT PROVIDES Magnetic Bias Field AND SPIN ORBIT TORQUE VIA Anomalous Hall Effect |
| CN111490156A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 浙江驰拓科技有限公司 | 自旋轨道力矩磁存储器件及其制备方法 |
| CN111864060A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 浙江驰拓科技有限公司 | 基于自旋轨道矩的存储单元 |
-
2021
- 2021-08-17 CN CN202110945619.XA patent/CN113690366A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9218864B1 (en) * | 2014-10-04 | 2015-12-22 | Ge Yi | Magnetoresistive random access memory cell and 3D memory cell array |
| US20160300999A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Ge Yi | Magnetoresistive Random Access Memory Cell |
| CN105161613A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于双势垒结构的磁存储器件 |
| US20170125078A1 (en) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | HGST Netherlands B.V. | Three Terminal Spin Orbit Torque Memory Cell with In-Stack MAGNETIC LAYER THAT PROVIDES Magnetic Bias Field AND SPIN ORBIT TORQUE VIA Anomalous Hall Effect |
| CN105426157A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-23 | 中电海康集团有限公司 | 一种基于自旋霍尔效应的随机码生成器 |
| CN111490156A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-04 | 浙江驰拓科技有限公司 | 自旋轨道力矩磁存储器件及其制备方法 |
| CN111864060A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-30 | 浙江驰拓科技有限公司 | 基于自旋轨道矩的存储单元 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023124497A1 (zh) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 浙江驰拓科技有限公司 | 一种sot-mram存储单元及其制备方法、sot-mram |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108232003B (zh) | 一种垂直型磁电阻元件及其制造方法 | |
| US9935258B2 (en) | Thermally tolerant perpendicular magnetic anisotropy coupled elements for spin-transfer torque switching device | |
| CN106575701B (zh) | 垂直磁性元件的杂散场的自补偿 | |
| JP6182993B2 (ja) | 記憶素子、記憶装置、記憶素子の製造方法、磁気ヘッド | |
| KR102374642B1 (ko) | 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| CN102687215B (zh) | 磁性叠层设计 | |
| CN102414756B (zh) | 具有辅助层的磁性叠层 | |
| CN111864060B (zh) | 基于自旋轨道矩的存储单元 | |
| CN105280214A (zh) | 电流驱动型磁随机存取存储器和自旋逻辑器件 | |
| CN104813472A (zh) | 具有增强稳定性的垂直自旋转移扭矩存储器(sttm)器件以及其形成方法 | |
| US11521776B2 (en) | Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method | |
| CN103999219A (zh) | 具有半金属的自旋转移扭矩存储器(sttm)设备以及写入和读取设备的方法 | |
| CN109994598B (zh) | 自旋轨道转矩型磁化旋转元件及磁阻效应元件 | |
| CN113690367A (zh) | Sot-mram存储单元及其制备方法 | |
| US20150249207A1 (en) | Storage cell, storage device, and magnetic head | |
| US9231196B2 (en) | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same | |
| US20120267736A1 (en) | Method And System For Providing A Magnetic Junction Having An Engineered Barrier Layer | |
| CN113690366A (zh) | Sot-mram存储单元及其制备方法 | |
| TW201429012A (zh) | 具有地形平滑電極的自旋轉移扭矩記憶體（ｓｔｔｍ）裝置及其形成方法 | |
| CN111370438B (zh) | 磁性存储器阵列 | |
| CN110890458B (zh) | 一种提高磁性随机存储器写入效率的方法 | |
| US12096700B2 (en) | Spintronic device with synthetic antiferromagnet hybrid storage layer | |
| CN110265427B (zh) | Stt-mram存储器及其制备方法 | |
| CN106663466A (zh) | 具有用于在其中的磁性层上引发应变的界面的自旋转移矩存储器和自旋逻辑器件 | |
| KR20180038944A (ko) | 자기 장치에 사용 가능한 자기 접합 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |