CN113678269A - 用于太阳能电池的基板、太阳能电池及太阳能电池制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明关于制造太阳能电池的方法，太阳能电池中形成有分割部，分割部用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块，此方法包含：准备基板的工艺、第一基板蚀刻工艺、第二基板蚀刻工艺以及第三基板蚀刻工艺。第一基板蚀刻工艺是在基板的一表面形成第一凹槽。第二基板蚀刻工艺是在第一凹槽中形成第二凹槽。第三基板蚀刻工艺是蚀刻包含第二凹槽的基板。分割部可包含第一凹槽及第二凹槽。本发明关于由此方法制造的太阳能电池及用于太阳能电池的基板。

Description

用于太阳能电池的基板、太阳能电池及太阳能电池制造方法
技术领域
本发明关于太阳能电池，并关于将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池结合的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是根据半导体的特性将光能转换成电能的装置。
太阳能电池具有正型(P型)半导体与负型(N型)半导体彼此结合的PN结结构(PNjunction structure)。当阳光入射至具有PN结结构的太阳能电池时，通过入射阳光的能量在半导体内会产生空穴和电子。此时，由于在PN结产生的电场，空穴(+)会移动至P型半导体，电子(-)会移动至N型半导体，从而产生电位以产生电力。
太阳能电池可分类成薄膜型(thin film type)太阳能电池及晶片型(wafertype)太阳能电池。
晶片型太阳能电池是通过使用诸如硅晶片的半导体材料作为基板制作而成的太阳能电池，薄膜型太阳能电池是通过在诸如玻璃的基板上形成薄膜型半导体制作而成的太阳能电池。
晶片型太阳能电池具有优于薄膜型太阳能电池的效率，但相较于晶片型太阳能电池，薄膜型太阳能电池具有制造成本较低的优点。
因此，已提出一种将晶片型太阳能电池与薄膜型太阳能电池结合的太阳能电池。在下文中，将参考附图说明已知的太阳能电池。
图1a至图1c为说明已知的制造太阳能电池的方法的工艺示意侧视图。
首先，如图1a所示，准备基板100。于此，基板100可选自硅晶片及玻璃的其中之一。
随后，如图1b所示，通过在基板100上形成多个薄膜层200来执行电池制造工艺。各个薄膜层200可为选自半导体层及导体层之中的一层体。
随后，如图1c所示，形成分割部300，分割部300用以将形成有多个薄膜层200的电池分割成单元电池。分割部300可通过使用激光的划线工艺(scribing process)来形成。划线工艺可通过将激光束照射到电池上的划线装置300a来进行。
于此，已知的制造太阳能电池的方法是在基板100上形成多个薄膜层，接着再进行划线工艺。因此，已知的制造太阳能电池的方法具有以下问题。
第一，已知的制造太阳能电池的方法使得多个薄膜层200在激光经由划线工艺照射到的部分彼此结合。因此，在已知的制造太阳能电池的方法中，会发生层间短路现象(layer short phenomenon)，层间短路现象会阻碍空穴(+)与电子(-)在多个薄膜层200之间移动，进而造成太阳能电池能够产生的电力减少的问题。
第二，已知的制造太阳能电池的方法使得由划线工艺所致的颗粒400及裂缝500在电池中形成。因此，已知的制造太阳能电池的方法具有因颗粒400及裂缝500而使太阳能电池成品的质量下降的问题。
发明内容
【技术问题】
本发明被设计以解决上述问题，本发明是关于太阳能电池以及制造太阳能电池的方法，其可减少发生层间短路现象的可能性。
本发明是关于太阳能电池以及制造太阳能电池的方法，其可降低因形成于基板的颗粒及裂缝造成太阳能电池成品的质量下降的程度。
【技术手段】
本发明可包含以下要件，以解决上述技术问题。
根据本发明的制造太阳能电池的方法，太阳能电池中形成有分割部，分割部用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块，并可包含：准备基板的工艺；第一基板蚀刻工艺，在基板的一表面形成第一凹槽；第二基板蚀刻工艺，在第一凹槽中形成第二凹槽；以及第三基板蚀刻工艺，蚀刻包含第二凹槽的基板。分割部可包含第一凹槽及第二凹槽。
根据本发明的制造太阳能电池的方法，可包含：准备基板的工艺，基板中形成有基板分割部，基板分割部包含第一凹槽及第二凹槽，第一凹槽在第一方向上形成于基板的一表面，第二凹槽在第一方向上形成于第一凹槽；以及在形成有基板分割部的基板形成薄膜的工艺。
根据本发明的制造太阳能电池的方法，可包含：基板准备工艺，准备基板，多个直线凹槽部形成于基板的顶面；在基板形成太阳能电池的电池的工艺；以及分割工艺，沿直线凹槽部分割基板。各个直线凹槽部可为用以将基板分割成多个区块的基板分割部。
根据本发明的制造太阳能电池的方法，可包含：基板准备工艺，准备基板，多个直线凹槽部形成于基板的顶面，且太阳能电池的电池形成于基板；涂布工艺，在各个直线凹槽部的周围涂布导体材料；以及裁切工艺，沿直线凹槽部的其中之一分割基板。
根据本发明的制造太阳能电池的方法，可包含：电池安装工艺，在用于制造太阳能电池的处理空间中安装电池，其中多个薄膜形成于基板，基板中形成有基板分割部；涂布工艺，在电池涂布导体材料；裁切工艺，将电池分割成多个单元电池；以及接合工艺，将分割的单元电池接合。
根据本发明的太阳能电池，可包含：基板，具有导体极性；以及第一薄膜层，形成于基板。基板可包含基板分割部，基板分割部在第一薄膜层形成之前形成于基板的一表面，基板分割部具有在向下方向上逐渐减小的尺寸。第一薄膜层可包含插入至基板分割部中的第一分割件。
根据本发明的太阳能电池，可包含：多个单元电池，各个单元电池包含多个薄膜层，形成于基板。各个单元电池可包含：电池顶面，设置于向上方向上；电池截面凹槽，形成于电池顶面；第一截面，设置为面对电池截面凹槽；以及第二截面，连接各个第一截面与电池顶面。第一截面与第二截面之间的夹角可小于或等于180度。
根据本发明的用于太阳能电池的基板，可包含：基板主体，具有导体极性；第一凹槽，形成于基板主体；第二凹槽，与第一凹槽连通以扩大面对第一凹槽的蚀刻面；以及防损坏部，形成为相对于蚀刻面呈阶梯状并形成有第二凹槽，第二凹槽自防损坏部向内设置。
【有利功效】
根据本发明，可获得以下功效。
实施本发明可减少发生层间短路现象的可能性，从而增加产生的电力。
实施本发明可自电池移除颗粒及裂缝，从而提升太阳能电池成品的质量。
附图简单说明
图1a至图1c为说明已知的制造太阳能电池的方法的工艺侧视示意图。
图2为根据本发明的制造太阳能电池的方法的流程示意图。
图3a为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的基板安装工艺的工艺前视剖面示意图。
图3b为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的第一基板蚀刻工艺的工艺前视剖面示意图。
图3c为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的一实施例的工艺前视剖面示意图，在此实施例中由于进行第一基板蚀刻工艺而造成颗粒及裂缝形成于电池中。
图3d为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中，在基板进行第三基板蚀刻工艺的工艺前视剖面示意图。
图3e为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的一实施例的工艺前视剖面示意图，在此实施例中在基板进行第一薄膜层形成工艺。
图3f为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的一实施例的工艺前视剖面示意图，在此实施例中在第一薄膜层进行第二薄膜层形成工艺。
图3g为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的一实施例的工艺前视剖面示意图，在此实施例中在第二薄膜层进行第三薄膜层形成工艺。
图4为图3d中的部分A的放大图。
图5a为根据本发明的用于太阳能电池的基板的立体示意图。
图5b为根据本发明的用于太阳能电池的基板的前视示意图。
图5c为图5b中沿线I-I绘示的侧视剖面示意图。
图5d为说明根据本发明的用于太阳能电池的基板中的一剖面的立体示意图。
图6a及图6b为说明根据本发明的太阳能电池中的一实施例的前视剖面示意图，在此实施例中多个薄膜层形成于基板。
图7a为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的涂布工艺的工艺侧视示意图。
图7b为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中的裁切工艺的工艺侧视示意图。
图7c为说明根据本发明的制造太阳能电池的方法中，在太阳能电池进行接合工艺与固化工艺的工艺侧视示意图。
图8为图7c中的部分B的放大图。
实施方式
本领域的普通技术人员可充分理解本发明的多个实施例的特征可部分或整体地彼此结合或组合，并可彼此多样地相互操作或被技术驱动。本发明的实施例可彼此独立实施，或可以相互依赖的关系一起实施。在描述位置关系时，举例而言，除非使用“恰好”或“直接”，当在两个组件之间的位置关系被描述为“在～上”、“在～之上”、“在～之下”及“相邻于～”时，一个或多个其他组件可设置于这两个组件之间。在描述时间关系时，举例而言，除非使用“恰好”或“直接”，当时间顺序被描述为“在～之后”、“随后～”、“接着～”及“在～之前”时，可包含不连续的情况。
在下文中，将参考附图并详细说明根据本发明的制造太阳能电池的方法的一实施例。
根据本发明的制造太阳能电池的方法用于制造将阳光的光能转换成电能的太阳能电池。根据本发明的制造太阳能电池的方法可用以制造晶片型太阳能电池及薄膜型太阳能电池。根据本发明的制造太阳能电池的方法可用以形成分割部，分割部用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块。在下文中，将说明由根据本发明的制造太阳能电池的方法来制造晶片型太阳能电池的一实施例，但对本领域的普通技术人员显而易见的是也可由根据本发明的制造太阳能电池的方法来制造薄膜型太阳能电池。
请参考图2及图3a，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含基板安装工艺S100。
基板安装工艺S100可为将基板2安装在用于制造太阳能电池的处理空间中的工艺。也就是说，基板安装工艺S100可为为了制造太阳能电池准备基板2的工艺。基板安装工艺S100可由基板装载装置(未绘示)进行，基板装载装置将基板2装载于处理空间中。处理空间可在内部容纳制造太阳能电池所需的制造装置(未绘示)，处理空间可整体地作为空腔实施。基板2可使多个薄膜层能够堆叠于其上，基板2可具有特定导体极性。基板2可由硅晶片形成。举例而言，基板2可由N型硅晶片或P型硅晶片形成。虽然未绘示，但基板2的一个表面2a可具有凹凸结构。基板2可包含顶面、底面及侧面，基板2的顶面安装于处理空间中并设置于向上方向中，基板2的底面设置于与向上方向相对的向下方向，基板2的侧面连接基板2的各个顶面与底面。在此情况下，基板2的一个表面2a可对应于基板2的顶面、基板2的底面及基板2的侧面的其中一个表面。举例而言，当基板2的一个表面2a对应于基板2的顶面时，基板2的另一表面2b可对应于基板2的底面。在此情况下，形成于基板2的一个表面2a与基板2的另一表面2b的各个薄膜层可形成为凹凸结构。
请参考图2及图3b，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含第一基板蚀刻工艺S200。
第一基板蚀刻工艺S200可为在基板2中形成第一凹槽2c的工艺(绘示于图3b)。举例而言，第一基板蚀刻工艺S200可为对基板2照射激光的划线工艺(scribing process)。当第一基板蚀刻工艺S200为使用激光的划线工艺时，第一基板蚀刻工艺S200可由划线装置1a进行。图3b中以单点虚线(one-dot-dashed line)绘示的箭头示意性表示由划线装置1a照射的激光。在本说明书中，第一基板蚀刻工艺S200被描述为在基板2的一个表面2a进行，但此仅为示例，也可在基板2的另一表面2b进行第一基板蚀刻工艺S200。
在下文中，第一基板蚀刻工艺S200被描述为作为划线工艺实施，但此仅为示例，第一基板蚀刻工艺S200也可由以下方式进行：在一蚀刻槽(未绘示)中溶蚀(digest)基板2以形成第一凹槽2c的工艺、干蚀刻工艺或使用掩模的工艺。
第一基板蚀刻工艺S200可通过对基板2照射激光来进行。第一基板蚀刻工艺S200可通过在基板2的一个表面2a照射激光来进行。因此，第一凹槽2c可通过移除基板2的特定区域来形成。经由第一基板蚀刻工艺S200形成的第一凹槽2c可为自基板2的一个表面2a凹陷特定深度的凹槽。可自基板2的一个表面2a在第一方向上形成第一凹槽2c。第一方向可为自基板2的一个表面2a至基板2的另一表面2b的方向。第一凹槽2c可被形成为自基板2的一个表面2a的一侧延伸至基板2的一个表面2a的另一侧。图3b示意性说明第一凹槽2c形成于基板2的实施例。当想要在基板2形成多个第一凹槽2c时，第一基板蚀刻工艺S200可由多个基板划线装置1a来进行。因此，本发明的制造太阳能电池的方法可减少第一基板蚀刻工艺S200花费的时间。当想要在基板2形成多个第一凹槽2c时，第一基板蚀刻工艺S200可通过移动一个基板划线装置1a来进行。
随着第一基板蚀刻工艺S200进行，第一凹槽2c可被形成为自基板2的一个表面2a具有第一深度。第一深度可为第一凹槽2c相对于分离方向的尺寸，分离方向为基板2的一个表面2a与基板2的另一表面2b分离的方向。随着第一基板蚀刻工艺S200进行，第一凹槽2c可形成为具有第一长度。第一长度可为第一凹槽2c相对于第一方向的尺寸。第一长度与第一深度可具有相同的数值。
可在第一薄膜层3形成于基板2之前进行第一基板蚀刻工艺S200。因此，相较于在一个或多个薄膜层形成于基板2之后再照射激光的已知技术，根据本发明的制造太阳能电池的方法可提供防止由接合薄膜层所造成的层间短路现象的抑制力(preventive force)。据此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可实现增加太阳能电池能够产生的电力的效果。
请参考图2及图5a至图5d，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含第二基板蚀刻工艺S300。图5b及图5c中绘示的点并非说明构造的剖面，而是用于说明分割构造。并且，图5a、图2c及图5d中绘示的两条单点虚线用于省略基板2相对于在形成有第一凹槽2c的划线方向上的长度。
第二基板蚀刻工艺S300是为了扩大面对第一凹槽2c的蚀刻面2e而形成第二凹槽2d的工艺。第二基板蚀刻工艺S300可为在第一凹槽2c中形成第二凹槽2d的工艺。也就是说，随着第二基板蚀刻工艺S300进行，第二凹槽2d可与第一凹槽2c连通。蚀刻面2e可通过执行形成第一凹槽2c的工艺来形成。可在第一凹槽2c形成之后再进行第二基板蚀刻工艺S300。第二基板蚀刻工艺S300可通过对基板2照射激光来进行。第二基板蚀刻工艺S300可通过将基板中面对第一凹槽2c的一部分蚀刻来进行。形成第一凹槽2c的工艺与第二基板蚀刻工艺S300皆可由使用激光的划线装置1a来进行。
在根据本发明的制造太阳能电池的方法中，随着第二基板蚀刻工艺S300进行，蚀刻面2e可经由第二凹槽2d扩大。蚀刻面2e可具有质量优于基板剖面2g(如图5c及5d所示)的剖面，其中基板剖面2g由将基板2分割成两个或多个区块而形成，因此根据本发明的制造太阳能电池的方法可提升太阳能电池成品的整体质量。
随着第二基板蚀刻工艺S300进行，第二凹槽2d可被形成为自基板2的一个表面2a具有第二深度。第二深度可为第一凹槽2c的尺寸与第二凹槽2d的尺寸相对于分离方向的和。第二深度可形成为大于第一深度。随着第二基板蚀刻工艺S300进行，第二凹槽2d可形成为具有第二长度。第二长度可为第二凹槽2d相对于第一方向的尺寸。第二长度可形成为小于第一长度。
随着第二基板蚀刻工艺S300进行，防损坏部2f可被形成为相对于蚀刻面2e具有阶梯高度(step height)。随着第二凹槽2d形成，可形成防损坏部2f。防损坏部2f可对基板2提供支撑力以防止损坏，例如基板2被分割成两个或更多个区块。因此，即使在运送基板2的过程中，当装设于处理空间中的处理装置与基板2之间发生诸如碰撞的物理冲击，根据本发明的制造太阳能电池的方法仍可减少基板2损坏的可能性。据此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可提升制造太阳能电池的处理稳定性。
请参考图2及图3c至图3g，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含第三基板蚀刻工艺S400。
第三基板蚀刻工艺S400是蚀刻基板2的一个表面2a的工艺。第三基板蚀刻工艺S400可通过将包含第二凹槽2d的基板2的一个表面2a蚀刻特定厚度来进行。第三基板蚀刻工艺S400可由蚀刻装置(未绘示)来进行，蚀刻装置蚀刻基板2的一个表面2a。可在第一基板蚀刻工艺S200之后再进行第三基板蚀刻工艺S400。在本说明书中，第三基板蚀刻工艺S400被描述为在基板2的一个表面2a进行，但此仅为示例，也可在基板2的另一表面2b或同时在基板2的一个表面2a与基板2的另一表面2b的每一个进行第三基板蚀刻工艺S400。
进行第三基板蚀刻工艺S400的蚀刻装置可使用湿蚀刻工艺来蚀刻基板2的一个表面2a。湿蚀刻工艺可作为使用喷嘴(未绘示)将特定蚀刻剂喷洒于基板2的工艺来进行。在使用喷嘴(未绘示)将特定蚀刻剂喷洒于基板2的情况下，第三基板蚀刻工艺S400可通过将基板2运送到运送辊(transport roller)(未绘示)来连续进行。蚀刻剂可包含选自由氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、亚磷酸(H3PO3)、过氧化氢(H2O2)及草酸(C2H2O4)组成的群组中的至少一蚀刻材料。湿蚀刻工艺可作为将蚀刻剂储存于蚀刻槽并在蚀刻剂中溶蚀基板2的工艺来进行。
在第三基板蚀刻工艺S400作为在蚀刻剂中溶蚀基板2的工艺进行的情况下，第三基板蚀刻工艺S400可为沿形成有第一凹槽2c的划线方向移动蚀刻剂的工艺。因此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可在进行第三基板蚀刻工艺S400的过程中同样实现第一凹槽2c的厚度L3(如图5b及图5c所示)对基板2的厚度(如图5b及图5c所示)的比例。第一凹槽2c的厚度L3的值可与各个第一深度与第一长度的值相同。
请参考图3c及图3d，第三基板蚀刻工艺S400可包含移除形成于基板2的一个表面2a的颗粒210(如图3c所示)的工艺。移除颗粒的工艺可通过蚀刻基板2的一个表面2a来进行。因此，实施根据本发明的制造太阳能电池的方法可自电池移除颗粒210，从而提升太阳能电池的质量。
请参考图3c及图3d，第三基板蚀刻工艺S400可包含形成基板分割部的工艺。形成基板分割部的工艺可通过蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a来进行。因此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可移除形成于面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a的裂缝220(如图3c所示)。据此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可提升太阳能电池成品的质量。
随着形成基板分割部的工艺进行，基板分割部20(如图3d所示)可形成于第一凹槽2c形成的位置。基板分割部20形成于各个第一凹槽2c与第二凹槽2d形成的位置，因此基板分割部20可包含第一凹槽2c及第二凹槽2d。基板分割部20可为用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块的分割部。基板分割部20的尺寸可大于各个第一凹槽2c与第二凹槽2d的尺寸。基板分割部20可被形成为使得其尺寸在向下方向上逐渐减小。举例而言，基板分割部20可形成为具有在向下方向上逐渐变尖的尖端状。基板2可经由通过第三基板蚀刻工艺S400形成的基板分割部20而被分割成多个区块。基板分割部20可被实施为自基板2的一个表面2a整体凹陷特定深度的凹槽。
在形成基板分割部的工艺与移除颗粒的工艺中，并不指定特别的顺序。也就是说，可在移除颗粒的工艺之前进行形成基板分割部的工艺，或者可同时进行形成基板分割部的工艺与移除颗粒的工艺。
请参考图3d，形成基板分割部的工艺可包含形成第一分割面的工艺。
形成第一分割面的工艺是形成面对基板分割部20的第一分割面21的工艺。形成第一分割面的工艺可随着蚀刻装置蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a而进行。随着形成第一分割面的工艺进行，第一分割面21可被形成为相对于基板2的一个表面2a倾斜。
请参考图3d，形成基板分割部的工艺可包含形成第二分割面的工艺。
形成第二分割面的工艺是形成连接第一分割面21的第二分割面22的工艺。第二分割面22可被设置为面对基板分割部20。形成第二分割面的工艺可随着蚀刻装置蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a而进行。随着形成第二分割面的工艺进行，第二分割面22可被形成为相对于基板2的一个表面2a倾斜。随着形成第二分割面的工艺进行，第二分割面22与第一分割面21可彼此连接以形成尖端，尖端在向下方向上逐渐变尖。也就是说，第二分割面22与第一分割面21连接之处的连接点CP可形成有一拐角(corner)。连接点CP可被设置为相对于第一轴向方向自基板2的一个表面2a分离约46.8微米(μm)的第一分离距离。第一轴向方向可为平行于激光照射的方向的方向并平行于各个向上方向与向下方向。
请参考图3d，形成基板分割部的工艺可包含形成第一连接表面的工艺。
形成第一连接表面的工艺是形成连接各个第一分割面21与基板2的一个表面2a的第一连接表面23的工艺。第一连接表面23可被设置为面对基板分割部20。形成第一连接表面23的工艺可随着蚀刻装置蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a而进行。随着形成第一连接表面的工艺进行，第一连接表面23可被设置为相对于基板2的一个表面2a倾斜。举例而言，第一连接表面23与基板2的一个表面2a之间的夹角可为约90度。
随着形成第一连接表面的工艺进行，第一连接表面23与第一分割面21之间的夹角θ1(如图4所示)可小于或约等于180度。随着形成第一连接表面的工艺进行，第一连接表面23与第一分割面21连接之处的部分可形成有一拐角。第一连接表面23与第一分割面21连接之处的部分可被设置为相对于第一轴向方向自连接点CP分离约29.8微米(μm)的第二分离距离。也就是说，第二分离距离可形成为短于第一分离距离。
请参考图3d，形成基板分割部的工艺可包含形成第二连接表面的工艺。
形成第二连接表面的工艺是形成连接各个第二分割面22与基板2的一个表面2a的第二连接表面24的工艺。第二连接表面24可被设置为面对基板分割部20。形成第二连接表面24的工艺可随着蚀刻装置蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a而进行。随着形成第二连接表面的工艺进行，第二连接表面24可被设置为相对于基板2的一个表面2a倾斜。举例而言，第二连接表面24与基板2的一个表面2a之间的夹角可为约90度。随着形成第二连接表面的工艺进行，第二连接表面24可被设置为与第一连接表面23平行。第二连接表面24可被设置为相对于第二轴向方向自第一连接表面23分离约50.8微米(μm)的第三分离距离，其中第二轴向方向垂直于第一轴向方向。
随着形成第二连接表面的工艺进行，第二连接表面24与第二分割面22之间的夹角可小于或等于180度。随着形成第二连接表面的工艺进行，第二连接表面24与第二分割面22连接之处的部分可形成有一拐角。
在形成第二连接表面的工艺、形成第一连接表面的工艺、形成第二分割面的工艺与形成第一分割面的工艺中，并不指定特别的顺序。举例而言，形成第一分割面的工艺、形成第二分割面的工艺、形成第一连接表面的工艺及形成第二连接表面的工艺可依序进行。形成第一分割面的工艺、形成第二分割面的工艺、形成第一连接表面的工艺及形成第二连接表面的工艺可同时进行。
在下文中，将参考附图说明在根据本发明的制造太阳能电池的方法中使用喷嘴的第三基板蚀刻工艺S400的一实施例。
首先，如图3a所示，准备基板2。
随后，如图3b所示，进行对基板2的一个表面2a照射激光的第一基板蚀刻工艺S200。因此，第一凹槽2c可形成于基板2。在此情况下，如图3c所示，颗粒210可能形成于基板2的一个表面2a，并且裂缝220可能形成于面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a。
随后，在基板2的一个表面2a进行第三基板蚀刻工艺S400。随着第三基板蚀刻工艺S400进行，可将基板2自基板2的一个表面2a蚀刻特定深度，因此可自基板2的一个表面2a移除形成于其上的颗粒210。据此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可减少在形成于基板2的这些薄膜层之间发生层间短路的可能性。
随后，进行第三基板蚀刻工艺S400直到第一凹槽2c形成的位置。随着第三基板蚀刻工艺S400进行，基板分割部20可形成为大于第一凹槽2c，因此可蚀刻面对第一凹槽2c的基板2的一个表面2a。据此，实施根据本发明的制造太阳能电池的方法可移除裂缝220。
随后，如图3d所示，第三基板蚀刻工艺S400可在基板2的一个表面2a的整个表面进行。据此，在根据本发明的制造太阳能电池的方法中，便可完成第三基板蚀刻工艺S400。
请参考图2及图3e，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含第一薄膜层形成工艺S500。
第一薄膜层形成工艺S500是在基板2形成第一薄膜层3的工艺。随着第一薄膜层形成工艺S500进行，第一薄膜层3可堆叠于基板2的一个表面2a。可在第一基板蚀刻工艺S200与第三基板蚀刻工艺S400之后再在基板2进行第一薄膜层形成工艺S500。通过第一薄膜层形成工艺S500形成的第一薄膜层可为半导体层，半导体层以薄膜型式形成于基板2。第一薄膜层3可沿基板2形成PN结。因此，当基板2包含N型硅晶片时，第一薄膜层3可由P型半导体层形成。第一薄膜层3可通过使用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺或其他相似的工艺形成。第一薄膜层3可形成为依序堆叠有P型半导体材料、I型半导体材料及N型半导体材料的PIN结构。当第一薄膜层3以此方式形成于PIN结构中时，P型半导体材料与N型半导体材料会使I型半导体材料耗尽(deplete)而在其中产生电场，从而使由阳光产生的空穴及电子因电场而飘移并分别被收集于P型半导体材料与N型半导体材料。在第一薄膜层3形成于PIN结构中的情况下，较佳为P型半导体材料形成于第一薄膜层3，并接着再形成I型半导体材料及N型半导体材料。由于空穴的飘移能力(drift mobility)通常低于电子的飘移能力，因此这么做的原因是在于将P型半导体材料形成于接近光接收表面的位置以根据入射光来最大化收集效率。根据本发明的制造太阳能电池的方法可形成第一薄膜层3以具有堆叠型结构。举例而言，根据本发明的制造太阳能电池的方法可形成第一薄膜层3以具有串联[串联(PIN/PIN)]型或三重[三重(PIN/PIN/PIN)]型的堆叠型结构。
第一薄膜层形成工艺S500可在基板2的一个表面2a进行。第一薄膜层形成工艺S500可在基板2的另一表面2b进行。举例而言，第一薄膜层形成工艺S500可为在基板2的一个表面2a形成N型半导体层3a(如图6a及图6b所示)并在基板2的另一表面2b形成P型半导体层3b(如图6a及图6b所示)的工艺。在第一薄膜层3堆叠于基板2的一个表面2a与另一表面2b中的每一个的情况下，可通过使用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition，PECVD)工艺与溅镀(sputtering)工艺形成第一薄膜层3。在此情况下，在基板2的一个表面2a形成第一薄膜层3的工艺与在基板2的另一表面2b形成第一薄膜层3的工艺中，并不指定特别的顺序。
请参考图3e，第一薄膜层形成工艺S500可包含形成第一薄膜分割部的工艺与形成第一分割件的工艺。
形成第一薄膜分割部的工艺是在第一薄膜层3形成第一薄膜分割部30的工艺。形成第一薄膜分割部的工艺可通过蚀刻第一薄膜层3的一个表面来进行。随着形成第一薄膜分割部的工艺进行，第一薄膜分割部30可形成于第一薄膜层3的一个表面。第一薄膜层3可经由第一薄膜分割部30而被分割成多个区块。第一薄膜分割部30可形成于基板分割部20的对应位置。第一薄膜分割部30可为用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块的分割部。第一薄膜分割部30可为自第一薄膜层3的一个表面整体凹陷特定深度的凹槽。第一薄膜分割部30可具有在向下方向上逐渐减小的尺寸。
形成第一分割件的工艺是形成插入至基板分割部20中的第一分割件31的工艺。形成第一分割件的工艺可通过在基板2堆叠第一薄膜层3来进行。随着形成第一分割件的工艺进行，第一分割件31可形成于第一薄膜层3的另一表面。第一分割件31可形成为对应于基板分割部20的形状。举例而言，在基板分割部形成为其尺寸在向下方向上逐渐变窄的形状的情况下，第一分割件31可形成为其尺寸在向下方向上逐渐变窄的形状。
在形成第一分割件的工艺与形成第一薄膜分割部的工艺中，并不指定特别的顺序。举例而言，可在形成第一薄膜分割部的工艺之前进行形成第一分割件的工艺，形成第一分割件的工艺与形成第一薄膜分割部的工艺也可同时进行。
请参考图3f，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含第二薄膜层形成工艺。
第二薄膜层形成工艺可为在第一薄膜层3形成第二薄膜层4的工艺。随着第二薄膜层形成工艺进行，第二薄膜层4可堆叠于第一薄膜层3的一个表面。可在第一薄膜层形成工艺S500之后再进行第二薄膜层形成工艺。由第二薄膜层形成工艺形成的第二薄膜层4可为透明导体层。举例而言，第二薄膜层4可为透明导体氧化物(transparent conductiveoxide，TCO)层。在第一薄膜层形成工艺S500是在基板2的一个表面2a形成N型半导体层3a(如图6a及6b所示)与在基板2的另一表面2b形成P型半导体层3b(如图6a及6b所示)的工艺的情况下，第二薄膜层形成工艺可为在N型半导体层3a形成第一透明导体氧化物层4a(如图6a及6b所示)与在P型半导体层3b形成第二透明导体氧化物层4b(如图6a及6b所示)的工艺。第二薄膜层4可保护第一薄膜层3、收集产生于基板的载流子(例如空穴(+))并使收集的载流子向上方移动。向上方向为与向下方向相对的方向。第二薄膜层可包含透明导体材料，例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、ZnOH、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2C或SnO2:F。可使用溅镀工艺或有机金属化学气相沉积(metalorganic chemical vapor deposition，MOCVD)工艺由诸如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al或Ag的透明导体材料形成第二薄膜层。第二薄膜层4具有散射阳光的功能以使阳光能以各种角度传递，从而增加光线再入射(re-incident)至第一薄膜层的比例。根据本发明的制造太阳能电池的方法可不形成第二薄膜层并可仅形成第一薄膜层。也就是说，根据本发明的制造太阳能电池的方法可选择性地形成第二薄膜层4。
请参考图3f，第二薄膜层形成工艺可包含形成第二薄膜分割部的工艺与形成第二分割件的工艺。
形成第二薄膜分割部的工艺是在第二薄膜层4形成第二薄膜分割部40的工艺。形成第二薄膜分割部40的工艺可通过蚀刻第二薄膜层4来进行。随着形成第二薄膜分割部的工艺进行，第二薄膜分割部40可形成于第二薄膜层4的一个表面。第二薄膜层4可经由第二薄膜分割部40而被分割成多个区块。第二薄膜分割部40可形成于基板分割部20的对应位置。第二薄膜分割部40可为用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块的分割部。第二薄膜分割部40可为自第二薄膜层4的一个表面整体凹陷特定深度的凹槽。第二薄膜分割部40可具有在向下方向上逐渐减小的尺寸。
形成第二分割件的工艺是形成插入至基板分割部20中的第二分割件41的工艺。形成第二分割件的工艺可通过在基板2堆叠第二薄膜层4来进行。随着形成第二分割件的工艺进行，第二分割件41可形成于第二薄膜层4的另一表面。第二分割件41可形成为对应第一薄膜分割部30的形状。举例而言，在第一薄膜分割部30形成为其尺寸在向下方向上逐渐变窄的形状的情况下，第二分割件41可形成为其尺寸在向下方向上逐渐变窄的形状。
在形成第二分割件的工艺与形成第二薄膜分割部的工艺中，并不指定特别的顺序。举例而言，可在形成第二薄膜分割部的工艺之前进行形成第二分割件的工艺，形成第二分割件的工艺与形成第二薄膜分割部的工艺也可同时进行。
请参考图3d至图3g，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含电池制造工艺。
电池制造工艺是在基板2形成多个薄膜层的工艺。随着电池制造工艺进行，可形成多个薄膜层堆叠于基板2的电池20a。可在第一薄膜层形成工艺S500之后再进行电池制造工艺。在仅有两个薄膜层堆叠于基板2的情况下，电池制造工艺可为与第二薄膜层形成工艺相同的工艺。在N个(N为2以上的整数)薄膜层堆叠于基板2的情况下，根据本发明的制造太阳能电池的方法包含形成N个薄膜分割部的工艺及形成N个分割件的工艺。各个薄膜分割部可约等同于第一薄膜分割部30。分割件可约等同于第一分割件31。
在图3g中，三个薄膜层3、4、5绘示为堆叠于基板2，但此仅为示例，也可有四个以上的薄膜层堆叠于基板2。如图3g所示，在三个薄膜层形成于基板2的情况下，第一薄膜层3可为本征半导体层、第二薄膜层4可为半导体层，第三薄膜层5可为透明导体层。在此情况下，第三薄膜层5可为钙钛矿(perovskite)层5a(如图6a及图6b所示)。可使用等离子体增强化学气相沉积工艺通过在基板2的一个表面2a形成本征(I)型非晶硅层的工艺来形成第一薄膜层3。
此外，在图3g中，三个薄膜层3、4、5绘示为堆叠于基板2的一个表面2a，但此仅为示例，三个薄膜层3、4、5可仅形成于基板2的另一表面2b或形成于基板2的一个表面2a与另一表面2b中的每一个。在此情况下，可通过使用等离子体增强化学气相沉积工艺与溅镀工艺在基板2的一个表面2a与另一表面2b中的每一个形成多个薄膜层。在基板2的一个表面2a形成多个薄膜层的工艺与在基板2的另一表面2b成多个薄膜层的工艺中，并不指定特别的顺序。
根据本发明的制造太阳能电池的方法可被实施为：可使得蚀刻薄膜层的一个表面的薄膜蚀刻工艺在多个薄膜层形成于基板2的任何时间点被连续地进行。举例而言，在第一薄膜层3形成于基板2之后，可进行对第一薄膜层3照射激光的工艺，并可连续地进行蚀刻第一薄膜层3的一个表面的工艺。因此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可被实施为：可使得形成于第一薄膜层3的颗粒及裂缝可自第一薄膜层3移除。同样，在第二薄膜层4形成于第一薄膜层3之后，可进行对第二薄膜层4照射激光的工艺，并可连续地进行蚀刻第二薄膜层4的一个表面的工艺。因此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可被实施为：可使得形成于第二薄膜层4的颗粒及裂缝可自第二薄膜层4移除。如上所述，根据本发明的制造太阳能电池的方法可被实施为：可使得蚀刻薄膜层的一个表面的薄膜蚀刻工艺在多个薄膜层形成于基板2的任何时间点可被进行，从而提升蚀刻工艺的完成度，以提升太阳能电池成品的质量。
请参考图2，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含电池安装工艺S600。
电池安装工艺S600可为在处理空间中安装电池20a(其中多个薄膜层形成于基板2上，并且基板2中形成有基板分割部20)的工艺。电池安装工艺S600可由装载装置(未绘示)进行，装载装置将电池20a装载于处理空间中。在多个薄膜层形成于基板2的情况下，可在电池制造工艺之后再进行电池安装工艺S600。
请参考图2及图7a，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含涂布工艺S700。
涂布工艺S700可为将导体材料10b涂布于电池20a的工艺。导体材料10b可为具有导体性的材料，例如透明导体薄膜(transparent conductive film，TCF)。可在电池安装工艺S600之后再进行涂布工艺S700。涂布工艺S700可在电池20a的一个表面进行。涂布工艺S700也可在电池20a的另一表面进行。涂布工艺S700可通过安装于处理空间中的导体材料涂布机来进行。如图7a所示，涂布工艺S700可通过多个导体材料涂布机1b来进行。因此，根据本发明的制造太阳能电池的方法可将多个导体材料10b涂布于电池20a的整个表面，从而减少涂布工艺S700花费的时间。
随着涂布工艺S700进行，导体材料10b可涂布于电池20a。在仅有第一薄膜层3堆叠于基板2的情况下，随着涂布工艺S700进行，导体材料10b可涂布于第一薄膜层3。在N个薄膜层堆叠于基板2的情况下，随着涂布工艺S700进行，导体材料10b可涂布于N个薄膜层。
请参考图2及图7b，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含裁切工艺S800。
裁切工艺S800是将电池20a分割成多个单元电池20b的工艺。可在涂布工艺S700之后再进行裁切工艺S800。如图7b所示，在要将电池20a分割成五个单元电池20b、20b'、20b”、20b”'、20b””的情况下，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含四次裁切工艺S800。也就是说，在要将电池20a分割成M个(M为2以上的整数)单元电池20b的情况下，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含(M-1)次裁切工艺S800。在N个薄膜层堆叠于基板2的情况下，裁切工艺S800通过经由第N个薄膜分割部将电池20a分割成单元电池20b来进行。举例而言，如图3g所示，在三个薄膜层堆叠于基板2的情况下，可经由电池分割部50将电池20a切割成单元电池20b来进行裁切工艺S800。电池分割部50可形成于基板分割部20的对应位置。电池分割部50可为用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块的分割部。裁切工艺S800可通过将电池20a分割成单元电池20b的裁切机器(未绘示)来进行。
请参考图2及图7c，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含接合工艺S900。
接合工艺S900是将分割的单元电池20b接合的工艺。接合工艺S900可通过使用导体材料10b将分割的单元电池20b接合来进行。在经由裁切工艺S800将电池20a分割成五个单元电池20b、20b'、20b”、20b”'、20b””的情况下，如图7c所示，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含四次接合工艺S900。也就是说，在要接合M个(M为2以上的整数)单元电池20b的情况下，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含(M-1)次接合工艺S900。如图7c所示，接合工艺S900可包含将第一单元电池20b的一侧的一表面接合于第二单元电池20b'的一侧的另一表面的工艺、将第二单元电池20b'的另一侧的一表面接合于第三单元电池20b”的一侧的另一表面的工艺、将第三单元电池20b”的另一侧的一表面接合于第四单元电池20b”'的一侧的另一表面的工艺，以及将第四单元电池20b”'的另一侧的一表面接合于第五单元电池20b””的一侧的另一表面的工艺。各个单元电池20b的一侧与另一侧可设置于关于单元电池20b的中点彼此相对的位置。接合工艺S900可通过移动单元电池20b的运送机器(未绘示)来进行。
请参考图2及图7c，根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含固化工艺S1000。
固化工艺S1000是将接合的单元电池20b固化的工艺。可在接合工艺S900之后再进行固化工艺S1000。固化工艺S1000可通过加热装置(未绘示)来进行，加热装置将接合的单元电池20b加热。随着固化工艺S1000进行，可制造太阳能电池10，太阳能电池10具有单元电池20b彼此连接的模块型态。在图7c中，绘示太阳能电池10具有五个单元电池20b，但此仅为示例，太阳能电池10也可具有两个以上四个以下的单元电池20b，或者可具有六个以上的单元电池20b。
根据本发明的制造太阳能电池的方法可包含准备基板的工艺及形成薄膜的工艺。
准备基板的工艺是准备形成有基板分割部20的基板2的工艺，基板分割部20包含第一凹槽2c及第二凹槽2d。准备基板的工艺可在基板安装工艺S100之后再进行，并可在第一薄膜层形成工艺S500之前进行。准备基板的工艺可包含第一基板蚀刻工艺S200、第二基板蚀刻工艺S300及第三基板蚀刻工艺S400。准备基板的工艺可通过划线装置1a及蚀刻装置(未绘示)来进行。
形成薄膜的工艺是在基板2形成薄膜层的工艺，基板2具有形成于其中的基板分割部20。可在准备基板的工艺之后再进行形成薄膜的工艺。在仅有第一薄膜层3堆叠于基板2的情况下，形成薄膜层的工艺可约等同于第一薄膜层形成工艺S500。在多个薄膜层堆叠于基板2的情况下，形成薄膜层的工艺可约等同于电池制造工艺。
根据本发明的一变化实施例的制造太阳能电池的方法包含基板安装工艺S100、第一基板蚀刻工艺S200、第二基板蚀刻工艺S300、第三基板蚀刻工艺S400及形成太阳能电池的电池的工艺。基板安装工艺S100、第一基板蚀刻工艺S200、第二基板蚀刻工艺S300及第三基板蚀刻工艺S400可约等同于上述说明内容，因此以下仅说明主要差异。
第一基板蚀刻工艺S200可为在基板2的顶面形成多个直线凹槽部的工艺。通过进行第一基板蚀刻工艺S200形成的直线凹槽部可为用以将基板分割成多个区块的基板分割部20。可在基板安装工艺S100之后再进行第一基板蚀刻工艺S200。基板2的顶面可为与基板2的一个表面2a相同的面。
第三基板蚀刻工艺S400可为蚀刻基板2的顶面及多个直线凹槽部的工艺。可在第一基板蚀刻工艺S200之后再进行第三基板蚀刻工艺S400。第三基板蚀刻工艺S400可通过蚀刻装置来进行。
形成太阳能电池的电池的工艺可为在基板2的顶面形成一个或多个薄膜层的工艺。可在第三基板蚀刻工艺S400之后再进行形成太阳能电池的电池的工艺。在仅有一薄膜层堆叠于基板2的顶面的情况下，形成太阳能电池的电池的工艺可约等同于第一薄膜层形成工艺S500。在多个薄膜层堆叠于基板2的顶面的情况下，形成太阳能电池的电池的工艺可约等同于电池制造工艺。
根据本发明的另一变化实施例的制造太阳能电池的方法可包含基板准备工艺、形成太阳能电池的电池的工艺及分割工艺。形成太阳能电池的电池的工艺如上所述，因此以下省略其详细说明。
基板准备工艺可为准备基板2的工艺，其中多个直线凹槽部形成于基板2的顶面。基板准备工艺可为基板安装工艺S100、第一基板蚀刻工艺S200及在处理空间中准备已进行第三基板蚀刻工艺S400的基板2。可在第三基板蚀刻工艺S400之后再进行基板准备工艺。
分割工艺可为沿多个直线凹槽部分割基板2的工艺。可在形成太阳能电池的电池的工艺之后再进行分割工艺。分割工艺可约等同于裁切工艺S800。
根据本发明的另一变化实施例的制造太阳能电池的方法可包含基板准备工艺、涂布工艺S700及裁切工艺S800。基板准备工艺、涂布工艺S700及裁切工艺S800如上所述，因此以下仅说明主要差异。
基板准备工艺可为准备基板的工艺，其中多个直线凹槽部形成于基板2的顶面，并且形成有太阳能电池的电池。也就是说，基板准备工艺可为准备基板的工艺，其中形成多个直线凹槽部，并且堆叠有一个或多个薄膜层。可在形成太阳能电池的电池的工艺之后再进行基板准备工艺。
涂布工艺S700可为在各个直线凹槽部的周围涂布导体材料10b的工艺。可在基板准备工艺之后再进行涂布工艺S700。
裁切工艺S800可为沿多个直线凹槽部的其中之一将基板2分割成两个区块的工艺。可在涂布工艺S700之后再进行裁切工艺S800。由进行裁切工艺S800分割而得的两个区块的每一个可约等同于单元电池20b。
在下文中，将参考附图并详细说明根据本发明的太阳能电池。
根据本发明的太阳能电池1经由使用光能产生电力。根据本发明的太阳能电池1(如图3e至图3f所示)可通过根据本发明的制造太阳能电池的方法来制造。根据本发明的太阳能电池1可通过完成电池制造工艺而制造。
请参考图3e至图3f，根据本发明的太阳能电池1可包含基板2及第一薄膜层3。
基板2可具有特定导体极性。基板2可由硅晶片形成。第一薄膜层3可堆叠于基板2的一个表面2a。基板分割部20可形成于基板2的一个表面2a。基板分割部20具有在向下方向上逐渐减小的尺寸。基板分割部20可通过进行第一基板蚀刻工艺S200形成。
第一薄膜层3形成于基板2。第一薄膜层3可堆叠于基板2的一个表面2a。包含于第一薄膜层3的第一分割件31可插入至基板分割部20。第一分割件31可形成为对应于基板分割部20的形状。举例而言，第一分割件31可被形成为使得其尺寸在向下方向上逐渐减小。第一分割件31可通过进行第一薄膜层形成工艺S500形成。
以上描述根据本发明的太阳能电池1包含基板2及第一薄膜层3，但此仅为示例，根据本发明的太阳能电池1可如图3f所示包含基板2及两个薄膜层3、4，或可如图3g所示包含基板2及三个薄膜层3、4、5。
在下文中，将参考附图并详细说明在根据本发明的太阳能电池1中的一实施例，在此实施例中多个薄膜层形成于基板2。
请参考图6a及图6b，根据本发明的太阳能电池1可包含基板2、N型半导体层3a、第一透明导体氧化物层4a、钙钛矿层5a、P型半导体层3b及第二透明导体氧化物层4b。N型半导体层3a堆叠于基板2的顶面，第一透明导体氧化物层4a堆叠于N型半导体层3a，钙钛矿层5a堆叠于第一透明导体氧化物层4a，P型半导体层3b堆叠于基板2的底面，第二透明导体氧化物层4b堆叠于P型半导体层3b。在此情况下，电池分割部50可形成于基板2的底面。因此，相较于电池分割部50形成于基板2的顶面的一实施例，根据本发明的太阳能电池1可提供防止钙钛矿材料、透明导体氧化物材料及N型半导体材料在进行划线工艺时因重力而流至电池分割部50的抑制力。
在下文中，将参考附图说明在根据本发明一实施例的太阳能电池。
请参考图7c及图8，根据本发明一实施例的太阳能电池10(如图7c所示)可由根据本发明的制造太阳能电池的方法来制造。根据本发明一实施例的太阳能电池10可通过完成固化工艺S1000而制造。根据本发明一实施例的太阳能电池10可为单元电池20b彼此连接的模块型态。在下文中，将参考附图并详细说明根据本发明一实施例的太阳能电池10中的各个单元电池20b。
请参考图8，各个单元电池20b可包含电池顶面20b1、电池截面凹槽20b2、第一截面20b3、第二截面20b4及第三截面20b5。
电池顶面20b1设置于向上方向上。电池顶面20b1可对应地设置于向上方向上的单元电池20b的一表面。导体材料10b可涂布于电池顶面20b1。在N个薄膜层堆叠于基板2的情况下，电池顶面20b1可为与第N个薄膜层的一表面相同的面。
电池截面凹槽20b2通过将电池20a分割成多个单元电池20b形成。电池截面凹槽20b2可为电池分割部50的一部分。电池截面凹槽20b2形成于电池顶面20b1。电池截面凹槽20b2可自电池顶面20b1凹陷特定深度。电池截面凹槽20b2可为具有在向下方向上逐渐延伸并逐渐减小的尺寸。
第一截面20b3设置为面对电池截面凹槽20b2。第一截面20b3可连接第二截面20b4。第一截面20b3与第二截面20b4连接之处的部分可形成有一拐角。第一截面20b3可被设置为相对于电池顶面20b1倾斜。第一截面20b3可连接各个第二截面20b4与第三截面20b5。
第二截面20b4连接各个第一截面20b3与电池顶面20b1。第二截面20b4与第一截面20b3之间的夹角θ2(如图8所示)可小于180度。第二截面20b4可被设置为相对于各个第一截面20b3与电池顶面20b1倾斜。第二截面20b4与电池顶面20b1连接之处的部分可形成有一拐角。第二截面20b4与电池顶面20b1之间的夹角可为约90度。
第三截面20b5连接第一截面20b3及电池底面。第三截面20b5可通过将电池20a分割成多个单元电池20b形成。第三截面20b5可由平面形成。电池底面可对应于向下方向上设置的单元电池20b的另一表面。第三截面20b5与第一截面20b3连接之处的部分可形成有一拐角。第三截面20b5可被设置为相对于各个第一截面20b3与电池底面倾斜。第三截面20b5与电池底面连接之处的部分可形成有一拐角。
在下文中，将参考附图并详细说明根据本发明的用于太阳能电池的基板2。
请参考图5a至图5d，根据本发明的用于太阳能电池的基板2通过在进行第三基板蚀刻工艺S400之前进行第一基板蚀刻工艺S200形成。根据本发明的用于太阳能电池的基板2可包含基板主体、第一凹槽2c、第二凹槽2d及防损坏部2f。
基板主体具有特定导体极性。基板主体可发挥作为根据本发明的用于太阳能电池的基板2的主体的功能。基板主体可形成根据本发明的用于太阳能电池的基板2的整体外观。
第一凹槽2c形成于基板主体。第一凹槽2c可通过将基板主体的一个表面2a蚀刻特定深度来形成。第一凹槽2c可形成为完全矩形的形状。第一凹槽2c可通过进行第一基板蚀刻工艺S200来形成。
第二凹槽2d形成于第一凹槽2c的内部。也就是说，第二凹槽2d可与第一凹槽2c连通。第二凹槽2d用于扩大面对第一凹槽2c的蚀刻面2e。因此，根据本发明的用于太阳能电池的基板2可扩大蚀刻面2e，蚀刻面2e具有质量优于基板剖面2g的剖面，从而提升太阳能电池成品的整体质量。第二凹槽2d可形成为完全矩形的形状。第二凹槽2d可通过进行第二基板蚀刻工艺S300来形成。
防损坏部2f可形成为相对于蚀刻面2e呈阶梯状并形成有第二凹槽2d，第二凹槽2d自防损坏部2f向内设置。防损坏部2f可限制蚀刻面2e的扩大，从而实现防止根据本发明的用于太阳能电池的基板2裂成多个区块。据此，即使当装设于处理空间中的处理装置与基板2之间发生诸如碰撞的物理冲击，根据本发明的用于太阳能电池的基板2仍可减少基板2损坏的可能性，从而提升制造太阳能电池的处理稳定性。
相对于形成第一凹槽2c的划线方向，防损坏部2f的尺寸可小于第二凹槽2d的尺寸。也就是说，相对于划线方向来说，第二凹槽2d的尺寸可大于防损坏部2f的尺寸。据此，根据本发明的用于太阳能电池的基板2可增加蚀刻面2e的扩大区域。
防损坏部2f可形成为具有第二厚度L2(如图5b及图5c所示)，第二厚度L2具有相当于或大于基板主体的第一厚度L1(如图5b及图5c所示)的1/2的数值，且第二厚度L2具有等于或小于第一厚度L1的数值。因此，根据本发明的用于太阳能电池的基板2可足以确保防止基板2被分割成多个区块。厚度方向平行于根据本发明的用于太阳能电池的基板2的高度整体增加或减少的方向，并垂直于划线方向。第二厚度L2可具有相当于或大于第一厚度L1的70％的数值。在此情况下，在防损坏部2f与基板2的一个表面2a之间的第三厚度L3(如图5b及图5c所示)可具有相当于或小于第一厚度L1的30％的数值。防损坏部2f可被形成为自蚀刻面2e凸出。
防损坏部2f可包含第一防护件2f1、第二防护件2f2及连接件2f3。
第一防护件2f1形成为相对于蚀刻面2e呈阶梯状。第一防护件2f1可形成在与第二凹槽2d相对的一侧，第一防护件2f1可防止根据本发明的用于太阳能电池的基板2的损坏。第一防护件2f1可形成为完全矩形的形状。
第二防护件2f2形成于与第一防护件2f1分开的位置。第二防护件2f2可形成为相对于蚀刻面2e呈阶梯状。第二防护件2f2可形成在与第二凹槽2d相对的另一侧，第二防护件2f2可防止根据本发明的用于太阳能电池的基板2的损坏。第二防护件2f2可形成为完全矩形的形状。
连接件2f3连接各个第一防护件2f1与第二防护件2f2。相对于连接件2f3、第二防护件2f2与第一防护件2f1来说，第二凹槽2d可设置于内部。连接件2f3可形成为完全矩形的形状。
连接件2f3可连接各个第一防护件2f1与第二防护件2f2，以通过连接件2f3、第一防护件2f1与第二防护件2f2形成阶梯状。举例而言，连接件2f3与第一防护件2f1之间的夹角和连接件2f3与第二防护件2f2之间的夹角可各为90度。连接件2f3可连接各个第一防护件2f1与第二防护件2f2以形成曲面。
如上所述的本发明不限于上述实施例与附图，在不脱离本发明的精神与范围内，本领域普通技术人员可清楚理解并可进行各种修改、变形及替换。

Claims (25)

1.一种制造一太阳能电池的方法，该太阳能电池中形成有一分割部，该分割部用以将用于制造该太阳能电池的一基板分割成多个区块，该方法包含：
准备该基板的工艺；
第一基板蚀刻工艺，在该基板的一表面形成一第一凹槽；
第二基板蚀刻工艺，在该第一凹槽中形成一第二凹槽；以及
第三基板蚀刻工艺，蚀刻包含该第二凹槽的该基板，
其中该分割部包含该第一凹槽及该第二凹槽。
2.如权利要求1所述的方法，还包含在进行该第三基板蚀刻工艺之后在该基板形成一第一薄膜层的第一薄膜层形成工艺，
其中
该第一基板蚀刻工艺是在该基板的顶面形成一N型半导体层并在该基板的底面形成一P型半导体层的工艺，并且
该第一基板蚀刻工艺、该第二基板蚀刻工艺与该第三基板蚀刻工艺的每一个在该基板的底面进行。
3.如权利要求1所述的方法，其中该第三基板蚀刻工艺包含在形成该第一凹槽的位置形成一基板分割部的工艺。
4.如权利要求3所述的方法，其中该基板分割部被形成为：使得该基板分割部的尺寸在下方向上逐渐减小。
5.如权利要求3所述的方法，其中形成该基板分割部的工艺包含形成面对该基板分割部的一第一分割面的工艺。
6.如权利要求5所述的方法，其中该第一分割面被形成为相对于该基板的表面倾斜。
7.如权利要求5所述的方法，其中
形成该基板分割部的工艺还包含形成一第二分割面的工艺，该第二分割面连接该第一分割面，并且
该第二分割面与该第一连接表面连接之处的连接点形成有一拐角。
8.如权利要求5所述的方法，其中
形成该基板分割部的工艺还包含形成一第一连接表面的工艺，该第一连接表面连接该第一分割面与该基板的表面的每一个，并且
该第一连接表面与该第一分割面之间的夹角被形成为小于或等于180度。
9.如权利要求3所述的方法，还包含在进行该第三基板蚀刻工艺之后在该基板形成一第一薄膜层的第一薄膜层形成工艺，
其中该第一薄膜层形成工艺包含形成插入至该基板分割部中的第一分割件的工艺。
10.如权利要求1所述的方法，其中该第一基板蚀刻工艺是使用激光的划线工艺。
11.如权利要求1所述的方法，其中该第三基板蚀刻工艺是湿蚀刻工艺。
12.如权利要求1所述的方法，其中
该第二基板蚀刻工艺是形成与该第一凹槽连通的该第二凹槽的工艺，以扩大面对该第一凹槽的蚀刻面，并且
通过进行该第二基板蚀刻工艺而形成相对于该蚀刻面呈阶梯状的防损坏部。
13.如权利要求1所述的方法，其中
该第一凹槽被形成为自该基板的表面具有第一深度，
该第二凹槽被形成为自该基板的表面具有第二深度，并且
该第二深度被形成为大于该第一深度。
14.如权利要求1所述的方法，其中
该第一凹槽被形成为相对于第一方向具有第一长度，该第一方向为自该基板的表面至该基板的另一表面，
该第二凹槽被形成为相对于该第一方向具有第二长度，并且
该第二长度被形成为小于该第一长度。
15.一种制造太阳能电池的方法，该方法包含：
准备一基板的工艺，该基板中形成有一基板分割部，该基板分割部包含一第一凹槽及一第二凹槽，该第一凹槽在第一方向上形成于该基板的一表面，该第二凹槽在该第一方向上形成于该第一凹槽；以及
在形成有该基板分割部的该基板形成一薄膜的工艺。
16.一种制造太阳能电池的方法，该方法包含：
基板准备工艺，准备一基板，多个直线凹槽部形成于该基板的顶面；
在该基板形成一太阳能电池的电池的工艺；以及
分割工艺，沿所述直线凹槽部分割该基板，
其中所述直线凹槽部的每一个是用以将该基板分割成多个区块的基板分割部。
17.一种制造太阳能电池的方法，该方法包含：
基板准备工艺，准备一基板，多个直线凹槽部形成于该基板的顶面，且一太阳能电池的电池形成于该基板；
涂布工艺，在所述直线凹槽部的每一个的周围涂布一导体材料；以及
裁切工艺，沿所述直线凹槽部的其中之一分割该基板。
18.一种制造太阳能电池的方法，该方法包含：
电池安装工艺，在用于制造一太阳能电池的一处理空间中安装一电池，其中多个薄膜形成于一基板，该基板中形成有一基板分割部；
涂布工艺，在该电池涂布一导体材料；
裁切工艺，将该电池分割成多个单元电池；以及
接合工艺，将分割的单元电池接合。
19.一种太阳能电池，包含：
一基板，具有一导体极性；以及
一第一薄膜层，形成于该基板，
其中
一基板分割部形成于该基板的一表面，该基板分割部用以将该基板分割成多个单元电池，
该基板分割部被形成为：使得该基板分割部的尺寸在向下方向上逐渐减小，并且
该第一薄膜层包含插入至该基板分割部中的第一分割件。
20.如权利要求19所述的太阳能电池，其中
所述单元电池的每一个包含：
一电池顶面，设置于向上方向上；
一电池截面凹槽，形成于该电池顶面；
一第一截面，设置为面对该电池截面凹槽；以及
一第二截面，连接该第一截面与该电池顶面的每一个，并且
该第一截面与该第二截面连接之处的一部分形成有一拐角。
21.如权利要求20所述的太阳能电池，其中该第一截面与该第二截面之间的夹角小于180度。
22.一种用于太阳能电池的基板，该基板包含：
一基板主体，具有一导体极性；
一第一凹槽，形成于该基板主体；
一第二凹槽，与该第一凹槽连通以扩大面对该第一凹槽的蚀刻面；以及
一防损坏部，形成为相对于该蚀刻面呈阶梯状并形成有该第二凹槽，该第二凹槽自该防损坏部向内设置。
23.如权利要求22所述的基板，其中相对于形成该第一凹槽的划线方向，该第二凹槽被形成为具有大于该防损坏部的尺寸。
24.如权利要求22所述的基板，其中该防损坏部形成为具有第二厚度，该第二厚度具有相当于或大于该基板主体的第一厚度的1/2的数值，且该第二厚度具有等于或小于该第一厚度的数值。
25.如权利要求22所述的基板，其中
该防损坏部包含一第一防护件、一第二防护件及一连接件，该第一防护件被形成为相对于该蚀刻面呈阶梯状，该第二防护件形成在与该第一防护件分开的位置，该连接件连接该第一防护件与该第二防护件的每一个，并且
该连接件连接该第一防护件与该第二防护件的每一个以通过该连接件、该第一防护件与该第二防护件呈阶梯状。
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