CN113675302B - 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池 - Google Patents

一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池 Download PDF

Info

Publication number
CN113675302B
CN113675302B CN202110949069.9A CN202110949069A CN113675302B CN 113675302 B CN113675302 B CN 113675302B CN 202110949069 A CN202110949069 A CN 202110949069A CN 113675302 B CN113675302 B CN 113675302B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tco film
layer
metal
layers
depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110949069.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113675302A (zh
Inventor
田得雨
陈刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Technology Co Ltd
Tianjin Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Zhuhai Fushan Aixu Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Technology Co Ltd
Tianjin Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Zhuhai Fushan Aixu Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd, Guangdong Aiko Technology Co Ltd, Tianjin Aiko Solar Energy Technology Co Ltd, Zhuhai Fushan Aixu Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN202110949069.9A priority Critical patent/CN113675302B/zh
Publication of CN113675302A publication Critical patent/CN113675302A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113675302B publication Critical patent/CN113675302B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种HJT电池的加工方法以及一种HJT电池，加工方法包括以下步骤：在硅衬底的正面、背面分别沉积非晶硅本征层；在正面的非晶硅本征层上沉积第一传输层，在背面的非晶硅本征层上沉积第二传输层；分别在第一传输层和第二传输层上沉积多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极。制备而成的HJT太阳能电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。

Description

一种HJT电池的加工方法以及一种HJT电池
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种HJT电池的加工方法以及一种HJT电池。
背景技术
HJT太阳能电池具有高效率、工艺简单、抗PID、低温度系数、高发电量、低光衰等特性，可提高光伏组件的可靠性和稳定性。另外HJT太阳能电池是对称结构，双面均可发电，双面率达90％以上，较之于单面太阳能电池，可以多输出至少30-40％的电力，因此HJT电池被视为下一代太阳电池主流产品。
现有HJT太阳能电池在制作过程中，在电池基底上镀TCO膜层，再在TCO膜层上直接沉积金属种子层并电镀成金属栅线，但通过该制作方式制备而成的太阳能电池，其结合力不佳，在制备或者使用过程中容易栅线脱落，且其拉力偏低，仅仅只有0.8N左右，同时后续在镀铜和固定工艺中的退火窗口较低，不易于加工制造，另外需要使用单独增加的镀铜工艺腔，导致PVD镀膜阶段的设备成本大大增加。
发明内容
本发明提供一种HJT电池的加工方法，旨在解决现有加工方法制备而成的HJT太阳能电池结合力不佳，在制备或者使用过程中容易栅线脱落，且其拉力偏低，仅仅只有0.8N左右，同时后续在镀铜和固定工艺中的退火窗口较低，不易于加工制造，另外需要使用单独增加的镀铜工艺腔，导致PVD镀膜阶段的设备成本大大增加的技术问题。
本发明是这样实现的，提供一种HJT电池的加工方法，包括以下步骤：
在硅衬底的正面、背面分别沉积非晶硅本征层；
在正面的非晶硅本征层上沉积第一传输层，在背面的非晶硅本征层上沉积第二传输层；
分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；
分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极。
更进一步地，所述分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层的步骤，具体包括：
分别在所述第一传输层和所述第二传输层上依次沉积第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。
更进一步地，所述第一TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层的厚度在5nm至25nm范围内。
更进一步地，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为60％、20％、20％。
更进一步地，所述分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极的步骤，具体包括：
分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层；
分别在所述金属种子层上沉积金属栅线；
分别在所述金属栅线上沉积金属保护层。
本发明还提供一种HJT电池，包括：
硅衬底；
分别设置在所述硅衬底正面、背面的非晶硅本征层；
设置在正面的非晶硅本征层上的第一传输层，设置在背面的非晶硅本征层上的第二传输层；
分别设置在所述第一传输层和所述第二传输层上的多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；
分别设置在最外侧的TCO膜层上的金属电极。
更进一步地，所述TCO膜层设有三层，由内到外依次为第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。
更进一步地，述第一TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层的厚度在5nm至25nm范围内。
更进一步地，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为60％、20％、20％。
更进一步地，所述金属电极为铜电极。
本发明的有益效果在于，在重掺杂有金属氧化物的最外侧TCO膜层上制备金属电极，金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT太阳能电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
附图说明
图1是本发明实施例提供的HJT电池的加工方法的流程框图；
图2是本发明实施例提供的HJT电池的加工方法的另一流程框图；
图3是本发明实施例提供的HJT电池的加工方法的再一流程框图；
图4是本发明实施例提供的HJT电池的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种HJT电池的加工方法，在重掺杂有金属氧化物的最外侧TCO膜层上制备金属电极50，金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
实施例一
参考图1，本实施例一提供一种HJT电池的加工方法，包括以下步骤：
步骤10、在硅衬底的正面、背面分别沉积非晶硅本征层；
步骤20、在正面的非晶硅本征层上沉积第一传输层，在背面的非晶硅本征层上沉积第二传输层；
步骤30、分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；
步骤40、分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极。
TCO膜层(透明导电氧化物，transparentconductiveoxide)主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。
在本实施例中，先是选取硅衬底10，硅衬底10可采用n型单晶硅片，再在硅衬底10上进行双面制绒，接着在硅衬底10的正面、背面分别沉积非晶硅本征层20，并在正面的非晶硅本征层20上沉积第一传输层31，在背面的非晶硅本征层20上沉积第二传输层32。在制备第一传输层31和第二传输层32之后，在第一传输层31上沉积多层TCO膜层，并在第二传输层32上沉积多层TCO膜层，接着在正面、背面最外侧的TCO膜层上制备金属电极50。
需要说明的是，第一传输层31可为n型非晶硅层或者p型非晶硅层，第二传输层32可为p型非晶硅层或者n型非晶硅层。具体来说，当在正面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层；当在正面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层。
其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
具体地，参考图2，所述分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层的步骤，具体包括：
步骤31、分别在所述第一传输层和所述第二传输层上依次沉积第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。
在电池正面、背面分别沉积第一传输层31和第二传输层32后，再分别在第一传输层31和第二传输层32上依次沉积第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在三层TCO膜层中，第一TCO膜层41位于最内侧，第三TCO膜层43位于最外侧，第二TCO膜层42位于第一TCO膜层41和第三TCO膜层43之间。
其中，第三TCO膜层43掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内。在重金属掺杂的第三TCO膜层43上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
在本实施例中，所述第一TCO膜层41的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层42的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层43的厚度在5nm至25nm范围内。优选地，第一TCO膜层41的厚度为35nm，第二TCO膜层42的厚度为30nm，第三TCO膜层43的厚度为15nm。
在本实施例中，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为银占60％、镍占20％、锡占20％。
具体地，参考图3，所述分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极的步骤，具体包括：
步骤41、分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层；
步骤42、分别在所述金属种子层上沉积金属栅线；
步骤43、分别在所述金属栅线上沉积金属保护层。
在本实施例中，在制备好正面、背面最外侧的TCO膜层(可理解为如上述的第三TCO膜层43)后，先分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层，再在镀好的金属种子层上沉积金属栅线，最后在金属栅线上沉积金属保护层。在重金属掺杂的最外侧的TCO膜层上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
其中，金属种子层可选为铜种子层，则沉积后的金属栅线即为铜栅线。当然，在其他实施例中，金属种子层也可选为其他，例如银种子层，则沉积后的金属栅线即为银栅线。
其中，金属保护层可选为镍保护层。当然，在其他实施例中，金属保护层也可选为其他，例如银保护层。
实施例二
参考图4，本实施例二提供一种HJT电池，包括：
硅衬底10；
分别设置在所述硅衬底10正面、背面的非晶硅本征层20；
设置在正面的非晶硅本征层20上的第一传输层31，设置在背面的非晶硅本征层20上的第二传输层32；
分别设置在所述第一传输层31和所述第二传输层32上的多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；
分别设置在最外侧的TCO膜层上的金属电极50。
TCO膜层(透明导电氧化物，transparentconductiveoxide)主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。
在本实施例中，先是选取硅衬底10，硅衬底10可采用n型单晶硅片，再在硅衬底10上进行双面制绒，接着在硅衬底10的正面、背面分别沉积非晶硅本征层20，并在正面的非晶硅本征层20上沉积第一传输层31，在背面的非晶硅本征层20上沉积第二传输层32。在制备第一传输层31和第二传输层32之后，在第一传输层31上沉积多层TCO膜层，并在第二传输层32上沉积多层TCO膜层，接着在正面、背面最外侧的TCO膜层上制备金属电极50，从而制备如上所述的HJT电池。
需要说明的是，第一传输层31可为n型非晶硅层或者p型非晶硅层，第二传输层32可为p型非晶硅层或者n型非晶硅层。具体来说，当在正面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层；当在正面的非晶硅本征层20上沉积p型非晶硅层时，在背面的非晶硅本征层20上沉积n型非晶硅层。
其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内，制备而成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
在本实施例中，所述TCO膜层设有三层，由内到外依次为第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在制备过程中，先在电池正面、背面分别沉积第一传输层31和第二传输层32，再分别在第一传输层31和第二传输层32上依次沉积第一TCO膜层41、第二TCO膜层42和第三TCO膜层43。在三层TCO膜层中，第一TCO膜层41位于最内侧，第三TCO膜层43位于最外侧，第二TCO膜层42位于第一TCO膜层41和第三TCO膜层43之间。
其中，第三TCO膜层43掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内。在重金属掺杂的第三TCO膜层43上制备金属电极50后，制成的HJT电池可以获得较佳的结合力，在制备或者使用过程中能有效避免发生栅线脱落的情况，且能获得较高的栅线拉力，同时能获得较大的退火窗口，有利于加工制造，并能够带来较高的电池填充因子(FF)和较高电池效率(Eff)，另外无需使用单独的镀铜工艺腔，大大降低了生产成本。
在本实施例中，所述第一TCO膜层41的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层42的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层43的厚度在5nm至25nm范围内。优选地，第一TCO膜层41的厚度为35nm，第二TCO膜层42的厚度为30nm，第三TCO膜层43的厚度为15nm。
在本实施例中，所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为银占60％、镍占20％、锡占20％。
其中，所述金属电极50为铜电极。当然，在其他实施例中，金属电极50也可选为其他，例如银电极等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种HJT电池的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅衬底的正面、背面分别沉积非晶硅本征层；
在正面的非晶硅本征层上沉积第一传输层，在背面的非晶硅本征层上沉积第二传输层；
分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为60％、20％、20％；
分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极；所述分别在最外侧的TCO膜层上制备金属电极的步骤，具体包括：
分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层；
分别在所述金属种子层上沉积金属栅线；
分别在所述金属栅线上沉积金属保护层。
2.如权利要求1所述的HJT电池的加工方法，其特征在于，所述分别在所述第一传输层和所述第二传输层上沉积多层TCO膜层的步骤，具体包括：
分别在所述第一传输层和所述第二传输层上依次沉积第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。
3.如权利要求2所述的HJT电池的加工方法，其特征在于，所述第一TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层的厚度在5nm至25nm范围内。
4.一种HJT电池，其特征在于，包括：
硅衬底；
分别设置在所述硅衬底正面、背面的非晶硅本征层；
设置在正面的非晶硅本征层上的第一传输层，设置在背面的非晶硅本征层上的第二传输层；
分别设置在所述第一传输层和所述第二传输层上的多层TCO膜层，其中，位于最外侧的TCO膜层掺杂有金属氧化物，且金属氧化物的质量比重在0.5％至5.5％范围内；所述金属氧化物包含有银、镍、锡，且银、镍、锡的比例为60％、20％、20％；
分别设置在最外侧的TCO膜层上的金属电极；所述金属电极由以下步骤制成：
分别在最外侧的TCO膜层上镀金属种子层；
分别在所述金属种子层上沉积金属栅线；
分别在所述金属栅线上沉积金属保护层。
5.如权利要求4所述的HJT电池，其特征在于，所述TCO膜层设有三层，由内到外依次为第一TCO膜层、第二TCO膜层和第三TCO膜层。
6.如权利要求5所述的HJT电池，其特征在于，述第一TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第二TCO膜层的厚度在10nm至40nm范围内，所述第三TCO膜层的厚度在5nm至25nm范围内。
7.如权利要求4所述的HJT电池，其特征在于，所述金属电极为铜电极。
CN202110949069.9A 2021-08-18 2021-08-18 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池 Active CN113675302B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110949069.9A CN113675302B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110949069.9A CN113675302B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113675302A CN113675302A (zh) 2021-11-19
CN113675302B true CN113675302B (zh) 2024-04-26

Family

ID=78543563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110949069.9A Active CN113675302B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113675302B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101997040A (zh) * 2009-08-13 2011-03-30 杜邦太阳能有限公司 用于制造具有带有纹理表面的透明传导氧化物层的多层结构的工艺和借此制成的结构
CN211376648U (zh) * 2020-01-21 2020-08-28 江苏爱康能源研究院有限公司 具有双层tco导电膜的异质结太阳能电池结构
CN212848449U (zh) * 2020-08-21 2021-03-30 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司 异质结太阳能电池
CN213519988U (zh) * 2020-11-02 2021-06-22 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 异质结太阳能电池串
CN113224182A (zh) * 2021-05-28 2021-08-06 中威新能源(成都)有限公司 一种异质结太阳电池及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9123861B2 (en) * 2011-12-21 2015-09-01 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery, manufacturing method thereof, and solar battery module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101997040A (zh) * 2009-08-13 2011-03-30 杜邦太阳能有限公司 用于制造具有带有纹理表面的透明传导氧化物层的多层结构的工艺和借此制成的结构
CN211376648U (zh) * 2020-01-21 2020-08-28 江苏爱康能源研究院有限公司 具有双层tco导电膜的异质结太阳能电池结构
CN212848449U (zh) * 2020-08-21 2021-03-30 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司 异质结太阳能电池
CN213519988U (zh) * 2020-11-02 2021-06-22 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 异质结太阳能电池串
CN113224182A (zh) * 2021-05-28 2021-08-06 中威新能源(成都)有限公司 一种异质结太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113675302A (zh) 2021-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140261660A1 (en) TCOs for Heterojunction Solar Cells
CN205863192U (zh) 一种采用双tco膜层的硅基异质结太阳能电池
US20230261120A1 (en) Heterojunction battery, preparation method therefor, and application thereof
CN111916523A (zh) 异质结太阳能电池及其组件、制备方法
CN217280794U (zh) 一种光伏电池
JP2010087205A (ja) 多接合型薄膜光電変換装置
CN108615775B (zh) 一种叉指背接触异质结单晶硅电池
CN208655672U (zh) 异质结太阳能电池
CN113224182A (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN109004045B (zh) 一种碲化镉太阳能电池及其制备方法
CN113675302B (zh) 一种hjt电池的加工方法以及一种hjt电池
EP4345914A1 (en) Heterojunction cell, and photovoltaic module cell string and manufacturing method therefor
KR101474487B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20240162364A1 (en) Transparent conductive oxide film and heterojunction solar cell
CN102956722A (zh) 一种薄膜太阳能电池
CN113506842B (zh) 异质结太阳能电池的制备方法
CN108666387B (zh) 一种背接触异质结n型单晶硅太阳电池
CN114203851A (zh) 异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法
CN114361281A (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
CN112216747A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用
CN111180593A (zh) 硅基双面有机/无机异质结太阳能电池及其制备方法
CN109801994B (zh) 一种提升碲化镉电池性能的方法
CN216488077U (zh) 一种异质结太阳电池
CN220627813U (zh) 一种透明导电氧化物薄膜及晶体硅异质结太阳电池
CN218160390U (zh) 一种具备钝化介质氧化膜的hjt电池结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant