CN113674272A - 图像检测方法与装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种图像检测方法与装置，涉及图像处理技术。该图像检测方法，可以预先根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组，再查找每组像素点对应的调节参数。由于高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点，是根据每组像素点对应的调节参数调节的。如此，可以使得光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点的像素值更接近标准晶圆SEM图像的像素点的像素值。那么，获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成的第二增强图像，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的增强效果良好。

Description

图像检测方法与装置
技术领域
本申请涉及图像处理技术，尤其涉及一种图像检测方法与装置。
背景技术
在集成电路芯片制造领域中，通常在对膜层进行光刻或刻蚀步骤后，需要检测光刻或刻蚀的晶圆是否存在缺陷。其中，对光刻或刻蚀的晶圆的检测方式之一为：利用扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)扫描晶圆，得到光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；再对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像反锐化掩膜处理，得到更清晰的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。最后，识别反锐化掩膜处理后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像是否存在异常。
目前，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的反锐化掩膜处理方式为：首先，对初始的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像低通滤波模糊处理，使得初始的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的高频部分受到抑制。然后，将初始的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点与低通滤波模糊处理后的图像中的像素点相减，得到高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。在高通滤波后的图像中，光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的低频部分受到抑制，而光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的高频部分被突出保留下来。最后，将高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像用调节参数放大，再与初始的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像叠加，以实现反锐化掩膜处理，如此，就提升了光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的高频部分，而光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的低频部分不受影响。进而，可以达到增强光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的效果。
可以理解地，在上述的过程中，是利用同一个设定的调节参数对高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像整体进行放大。这样，根据放大的高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像得到的反锐化掩膜处理的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，相对于初始的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的增强的效果不够好。如此，会导致最终反锐化掩膜处理后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的识别结果的可靠性也不高。
发明内容
本申请提供一种图像检测方法与装置，用以解决反锐化掩膜处理后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的识别结果的可靠性也不高的问题。
第一方面，本申请提供一种图像检测方法，方法包括：
获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度；
根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组；
根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数，其中，每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，第一增强图像为标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个调节参数用于调节第一增强图像中的一组像素点；
对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
利用每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值；
将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
第二方面，本申请还提供一种图像检测装置，装置包括：
图像获取单元，用于获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
参数计算单元，用于计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度；
像素分组单元，用于根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组；
参数查找单元，用于根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数，其中，每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，第一增强图像为标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个调节参数用于调节第一增强图像中的一组像素点；
高通滤波单元，用于对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
图像调节单元，用于利用每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值；
像素叠加单元，用于将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括：
处理器；
用于存储处理器可执行指令的存储器；
其中，处理器被配置为执行指令，以实现如本申请第一方面提供的图像检测方法。
第四方面，本申请提供了一种存储介质，当存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行如本申请第一方面提供的图像检测方法。
本申请提供的图像检测方法，可以预先根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组，再查找每组像素点对应的调节参数。由于高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点，是根据每组像素点对应的调节参数调节的。如此，可以使得光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点的像素值更接近标准晶圆SEM图像的像素点的像素值。那么，获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成的第二增强图像，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的增强效果良好。如此，会提高检测第二增强图像中的电路芯片的布设是否存在异常的可靠性。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1为本申请实施例提供的图像采集装置与服务器的交互示意图；
图2为本申请实施例提供的图像检测方法的流程图；
图3为本申请实施例提供的图像检测装置的功能模块示意图；
图4为本申请实施例提供的电子设备的功能模块框图。
通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
技术术语：
边缘检测：可以检测出图像中所有灰度值变化较大的点，而且将这些点连接起来就构成了若干线条，这些线条就是检测出的图像的边缘。
本申请提供的图像检测方法，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。
请参阅图1，本申请实施例提供了一种图像检测方法，应用于电子设备100，如图1所示，电子设备100与图像采集模块200通信连接，以便进行数据交互。具体地，如图2所示，所述方法包括：
S21：电子设备100获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
其中，图像采集模块200可以对电路芯片拍摄，生成光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。其中，电路芯片布设有多个电子元件。多个电子元件可以包括如包括电阻、电容、二极管、以及三极管等，在此不作限定。然后，图像采集模块200向电子设备100发送光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。进而，电子设备100可以接收到光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
S22：电子设备100计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度。
具体地，电子设备100可以调用Robert算法或Sobel算法或拉普拉斯算法，计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度。一种实施方式中，在计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度之前，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像降噪处理。如对电路芯片高斯卷积滤波，以实现图像降噪处理。
可选地，还可以对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的边缘强度中值滤波，以去除光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的边缘孤立点。以利用5*5的中值滤波器为例，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的边缘强度中值滤波的过程可以为：根据利用中值滤波器的滤波窗口中的25个像素点的像素值大小排序位于中间的像素点的边缘强度，代替25个像素点的位置排序位于中间的像素点的边缘强度，即可完成中值滤波。
S23：根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组。
对于S23包括但不限于以下两种实现方式：
第一种：
步骤1：电子设备100对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整。
例如，对于光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的其中10个像素点的边缘强度分别为20.1、20.2、30.1、35.8、35.1、64.1、50.2、70.1，则取整后的边缘强度为：20、20、30、35、35、64、50、70。
步骤2：电子设备100将取整后的边缘强度相等的像素点归为一组。
结合步骤1中举例，分组结果可以为：边缘强度为[20、20]的像素点为一组、边缘强度为[30]的像素点为一组、边缘强度为[35、35]的像素点为一组、边缘强度为[64]的像素点为一组、边缘强度为[50]的像素点为一组、边缘强度为[70]的像素点为一组。
第二种：
步骤1：电子设备100对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整。
例如，对于光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的其中10个像素点的边缘强度分别为20.1、20.2、30.1、35.8、35.1、64.1、50.2、70.1，则取整后的边缘强度为：20、20、30、35、35、64、50、70。
步骤2：电子设备100将光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度小于预设阈值且取整后的边缘强度相等的像素点归为一组。
步骤3：电子设备100将光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度大于预设阈值的像素点归为一组。
对于步骤2和步骤3而言，结合步骤1中的举例，假设预设阈值为63，小于预设阈值63的取整后的边缘强度包括20、20、30、35、35；大于预设阈值63的取整后的边缘强度包括64、70。
结合步骤1中举例，分组结果可以为：边缘强度为[20、20]的像素点为一组、边缘强度为[30]的像素点为一组、边缘强度为[35、35]的像素点为一组、边缘强度为[50]的像素点为一组、边缘强度为[64、70]的像素点为一组。
S24：电子设备100根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数。
具体地，电子设备100预存储有边缘强度与调节参数的映射关系。如此，可以根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数。
其中，每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值。其中，第一增强图像为标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个调节参数用于调节第一增强图像中的一组像素点。
具体地，获取调节参数的方式可以为：先对标准晶圆SEM图像f(ai，bi)添加噪声，生成含噪声图像f’(ai，bi)，再对含噪声图像f’(ai，bi)高通滤波，得到高通滤波图像H{f’(ai，bi)}，再将含噪声图像f’(ai，bi)与高通滤波图像H{f’(ai，bi)}叠加，生成被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}。例如，可以根据调节参数λ(ai，bi)调节被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}中的每个像素点的像素值，例如，可以根据公式f’(ai，bi)+λ(ai，bi)*H{f’(ai，bi)调节图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}中的每个像素点的像素值，如此，可以达到调节整个被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}的目的。
在调节参数满足公式
Figure BDA0003248111110000061
的情况下，使得第一增强图像在被调节参数调节后的清晰程度与标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，f[ai，bj]为标准晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值、f′[ai，bj]对标准晶圆SEM图像添加高斯噪声后的噪声图像中属于同一组的像素点的像素值，H{f[ai，bj]}为高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值，λ为同一组的像素点对应的调节参数。
其中，公式
Figure BDA0003248111110000062
的含义为：使得被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}中的像素坐标为(ai，bi)的像素值与标准晶圆SEM图像像素坐标为(ai，bi)的像素值的差值最小的调节参数为λ。通过对被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}中的每个像素点的像素值配置调节参数进行调节(可以理解地，属于同一组的像素点被配置的调节参数相同)，可以使得被反锐化掩膜处理后的图像f’(ai，bi)+H{f’(ai，bi)}与标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值。
S25：电子设备100对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
其中，高通滤波器可以采用7*7的卷积核，高通滤波器的矩阵中心点的值可以为0.98，高通滤波器的非矩阵中心的均可以为-0.02。在高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的低频部分受到抑制，而光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的高频部分被突出保留下来。
S26：电子设备100利用每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。其中，每个调节参数用于调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值。
例如，高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像具有n组像素点，那么，可以利用调节参数λ1调节第1组像素点中每个像素点的像素值，调节参数λ2调节第2组像素点中每个像素点的像素值，调节参数λ3调节第3组像素点中每个像素点的像素值，......，调节参数λn调节第n组像素点中每个像素点的像素值，如此，可以实现调节高通滤波后的整个光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
S27：电子设备100将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
一种可能的实施方式中，可以根据公式
Figure BDA0003248111110000071
H{g[xi，yj]}，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，再将光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节参数调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，得到第二增强图像。其中，g′[x，y]为第二增强图像，g[xi，yj]为获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值，λ[xi，yj]为光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素坐标为[xi，yj]的像素点对应的调节参数，H{g[xi，yj]}为高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值。
高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点，是根据每组像素点对应的调节参数调节的。如此，可以使得光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点的像素值更接近标准晶圆SEM图像的像素点的像素值。那么，获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成的第二增强图像，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的增强效果良好，清晰度高。
最后，电子设备100识别第二增强图像中的电路芯片的布设是否存在异常，如果是，电子设备100生成提示信息，其中，提示信息用于指示电路芯片的布设存在异常。
电子设备100将提示信息发送至用户终端显示，以使得工作人员得知电路芯片的布设存在异常，需要废弃存在异常的电路芯片或者对电路芯片进行维修。具体地，提示信息可以包含存在异常的电子元件和消除异常的解决方案。
本申请实施例提供的图像检测方法，可以预先根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组，再查找每组像素点对应的调节参数。由于高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点，是根据每组像素点对应的调节参数调节的。如此，可以使得光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每组像素点的像素值更接近标准晶圆SEM图像的像素点的像素值。那么，获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成的第二增强图像，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的边缘和细节的增强效果良好。如此，会提高检测第二增强图像中的电路芯片的布设是否存在异常的可靠性。
如图3所示，本申请实施例还提供一种图像检测装置300，应用于电子设备100，如图1所示，电子设备100与图像采集装置300通信连接，以便进行数据交互。需要说明的是，本申请实施例所提供的图像检测装置300，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本申请实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。所述装置300包括图像获取单元301、参数计算单元302、像素分组单元303、参数查找单元304、高通滤波单元305、图像调节单元306、像素叠加单元307、以及图像识别单元308，其中，
图像获取单元301，用于获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
另外，所述装置300还可以包括：降噪处理单元，用于对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像降噪处理。
参数计算单元302，用于计算光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度。
像素分组单元303，用于根据每个像素点的边缘强度的大小，对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组。
其中，像素分组单元303可以包括但不限于以下两种方式：
第一种：像素分组单元303，可以具体用于对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整；将取整后的边缘强度相等的像素点归为一组。
第二种：像素分组单元303，可以具体用于将对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整；将光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度小于预设阈值且取整后的边缘强度相等的像素点归为一组；将光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度大于预设阈值的像素点归为一组。
参数查找单元304，用于查找每组像素点对应的调节参数。
其中，每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值。其中，第一增强图像为标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个调节参数用于调节第一增强图像中的一组像素点。
具体地，在调节参数满足公式
Figure BDA0003248111110000091
Figure BDA0003248111110000092
的情况下，使得第一增强图像在被调节参数调节后的清晰程度与标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，f[ai，bj]为标准晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值、f′[ai，bj]对标准晶圆SEM图像添加高斯噪声后的噪声图像中属于同一组的像素点的像素值，H{f[ai，bj]}为高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值，λ为同一组的像素点对应的调节参数。
高通滤波单元305，用于对光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
图像调节单元306，用于利用每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值。
一种可能的实施方式中，图像调节单元306，可以具体用于根据公式
Figure BDA0003248111110000093
Figure BDA0003248111110000094
调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像。
像素叠加单元307，用于将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
一种可能的实施方式中，像素叠加单元307，可以具体用于光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节参数调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，得到第二增强图像。其中，g′[x，y]为第二增强图像，g[xi，yj]为光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值，λ[xi，yj]为光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点对应的调节参数，H{g[xi，yj]}为高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值。
图4是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。请参考图4，在硬件层面，该电子设备包括处理器，可选地还包括内部总线、网络接口、存储器。其中，存储器可能包含内存，例如高速随机存取存储器(Random-Access Memory，RAM)，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少1个磁盘存储器等。当然，该电子设备还可能包括其他业务所需要的硬件。例如，该电子设备可以是电子设备100。
处理器、网络接口和存储器可以通过内部总线相互连接，该内部总线可以是ISA(Industry Standard Architecture，工业标准体系结构)总线、PCI(PeripheralComponent Interconnect，外设部件互连标准)总线或EISA(Extended Industry StandardArchitecture，扩展工业标准结构)总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图4中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
存储器，用于存放程序。具体地，程序可以包括程序代码，所述程序代码包括计算机操作指令。存储器可以包括内存和非易失性存储器，并向处理器提供指令和数据。
处理器从非易失性存储器中读取对应的计算机程序到内存中然后运行，在逻辑层面上形成用于数据处理装置300。处理器，执行存储器所存放的程序，并具体用于执行以下操作：
获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
计算所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度；
根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组；
根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数，其中，所述每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得所述第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，所述第一增强图像为所述标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个所述调节参数用于调节所述第一增强图像中的一组像素点；
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
利用所述每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节所述高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值；
将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
上述如本申请图2所示实施例揭示的图像检测装置执行的方法可以应用于处理器中，或者由处理器实现。处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(Network Processor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
该电子设备还可执行图2的方法，并实现图像检测装置在图2所示实施例的功能，本申请在此不再赘述。
当然，除了软件实现方式之外，本申请的电子设备并不排除其他实现方式，比如逻辑器件抑或软硬件结合的方式等等，也就是说以下处理流程的执行主体并不限定于各个逻辑单元，也可以是硬件或逻辑器件。
本申请还提出了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储一个或多个程序，该一个或多个程序包括指令，该指令当被包括多个应用程序的电子设备执行时，能够使该电子设备执行图2所示实施例的方法。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如本申请图2所示的图像检测方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求书来限制。

Claims (10)

1.一种图像检测方法，其特征在于，所述方法包括：
获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
计算所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度；
根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组；
根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数，其中，所述每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得所述第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，所述第一增强图像为所述标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个所述调节参数用于调节所述第一增强图像中的一组像素点；
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
利用所述每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节所述高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值；
将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述调节参数满足公式
Figure FDA0003248111100000011
Figure FDA0003248111100000012
的情况下，使得所述第一增强图像在被所述调节参数调节后的清晰程度与所述标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，f[ai，bj]为所述标准晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值、f′[ai，bj]对所述标准晶圆SEM图像添加高斯噪声后的噪声图像中属于同一组的像素点的像素值，H{f[ai，bj]}为所述高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中属于同一组的像素点的像素值，λ为同一组的像素点对应的调节参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；将所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节参数调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像，包括：
根据公式
Figure FDA0003248111100000021
调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，再将所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节参数调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，得到第二增强图像，其中，g′[x，y]为所述第二增强图像，g[xi，yj]为所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值，λ[xi，yj]为所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点对应的调节参数，H{g[xi，yj]}为所述高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组，包括：
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整；
将取整后的边缘强度相等的像素点归为一组。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组，包括：
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度取整；
将所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度小于预设阈值且取整后的边缘强度相等的像素点归为一组；
将所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中，取整后的边缘强度大于预设阈值的像素点归为一组。
6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，在所述根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组之前，所述方法还包括：
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的边缘强度中值滤波。
7.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，在所述根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组之前，所述方法还包括：
对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像降噪处理。
8.一种图像检测装置，其特征在于，所述装置包括：
图像获取单元，用于获取光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
参数计算单元，用于计算所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中每个像素点的边缘强度；
像素分组单元，用于根据所述每个像素点的边缘强度的大小，对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的每个像素点分组；
参数查找单元，用于根据边缘强度，查找每组像素点对应的调节参数，其中，所述每组像素点对应的调节参数在调节设定的第一增强图像后，使得所述第一增强图像的清晰程度与设定的标准晶圆SEM图像的清晰程度的差值小于预设的阈值，其中，所述第一增强图像为所述标准晶圆SEM图像的被反锐化掩膜处理后的图像，每个所述调节参数用于调节所述第一增强图像中的一组像素点；
高通滤波单元，用于对所述光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像高通滤波，获得高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像；
图像调节单元，用于利用所述每组像素点对应的调节参数，调节高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像，其中，每个调节参数用于调节所述高通滤波后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的一组像素点的像素值；
像素叠加单元，用于将获取的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像中的像素点的像素值与被调节后的光刻/刻蚀后的晶圆SEM图像的像素点的像素值叠加，生成第二增强图像。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；
其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现如权利要求1至7中任一项所述的图像检测方法。
10.一种存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行如权利要求1至7中任一项所述的图像检测方法。
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