CN113659972B - 驱动电路以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本发明不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

Description

驱动电路以及电子设备

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种驱动电路以及电子设备。

背景技术

GaN晶体管作为第三代器件，具有更小的体积，更高的工作频率，开关损耗低，适合高频工作。

现有技术的半桥式系统，一般将两个晶体管开关串联，通过在上管和下管之间设置足够的死区时间，避免上管和下管的同时导通，例如图1中采用半桥式驱动器，对输入到H1个L1端口的两个控制信号设置死区时间，避免G1和G2同时导通；虽然死区时间的设置实现起来更加容易，但是对于GaN半桥式系统来讲，由于GaN晶体管工作频率高、周期短，一般设置的死区时间只有几纳秒，工艺的误差很容易导致上管和下管，设置过长的死区时间又会导致系统损耗增加。

发明内容

本发明提供一种驱动电路以及电子设备，以解决GaN半桥式系统控制准确度低、损耗高的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种驱动电路，用于驱动第一开关与第二开关，还包括：第一控制模块、第二控制模块；

所述第一控制模块接入第一控制信号，所述第一控制模块连接所述第一开关的控制极；所述第一控制模块用于：监测所述第二开关的控制极的信号，根据所述第一控制信号以及所述第二开关的控制极的信号，产生第一开关驱动信号，并利用所述第一开关驱动信号驱动所述第一开关的通断；

所述第二控制模块接入第二控制信号，所述第二控制模块连接所述第二开关的控制极；所述第二控制模块用于：监测所述第一开关的控制极的信号，根据所述第二控制信号以及所述第一开关的控制极的信号，产生第二开关驱动信号，并利用所述第二开关驱动信号驱动所述第二开关的通断；

第一电源向所述第一开关的第一极供电，所述第一开关的第二极连接所述第二开关的第一极，所述第二开关的第二极连接地；

负载并联于所述第二开关的第一极与地之间。

可选的，所述第一控制模块包括第一逻辑单元、电平位移单元；所述第二控制模块包括检测与电平位移单元、第二逻辑单元；

所述第一逻辑单元的第一输入端接入所述第一控制信号，所述第一逻辑单元的第二输入端连接所述第二逻辑单元的输出端，所述第一逻辑单元的输出端连接所述电平位移单元；所述第一逻辑单元用于：根据所述第一控制信号以及所述第二逻辑单元产生的第二开关驱动信号，生成控制电平，并将所述控制电平反馈至所述电平位移单元；

所述电平位移单元连接所述第一开关的第二极，所述电平位移单元直接或间接连接所述第一开关的控制极，所述电平位移单元用于：根据所述第一开关的第二极的电压，将所述控制电平提升到目标电平区间，得到所述第一开关驱动信号，以驱动所述第一开关的通断；

所述检测与电平位移单元连接所述电平位移单元与所述第一开关的控制极之间，所述检测与电平位移单元连接所述第二逻辑单元的第一输入端；所述检测与电平位移单元用于：检测所述第一开关的控制极的信号，将所述第一开关的控制极的信号进行降压，并将降压后得到的第一开关的开关状态信号反馈至所述第二逻辑单元；所述开关状态信号表征了对应开关的通断状态；

所述第二逻辑单元的第二输入端接入所述第二控制信号，所述第二逻辑单元的输出端直接或间接连接所述第二开关的控制极，所述第二逻辑单元用于：根据所述第一开关的开关状态信号以及所述第二控制信号，产生所述第二开关驱动信号，以驱动所述第二开关的通断。

可选的，所述控制电平包括第一控制电平和第二控制电平；所述第二开关驱动信号包括第一电平和第二电平；

所述第一逻辑单元具体用于：

当所述第二开关驱动信号为所述第二电平时，根据所述第一控制信号，产生所述控制电平，控制所述第一开关的通断；

当所述第二开关驱动信号为所述第一电平时，产生所述第二控制电平，以使所述第一开关处于所述关断状态；

所述第二逻辑单元具体用于：

当所述第一开关的开关状态信号表征出所述第一开关处于所述关断状态时，根据所述第二控制信号，产生所述第二开关驱动信号，驱动所述第二开关的通断；

当所述第一开关的开关状态信号表征出所述第一开关处于所述导通状态时，产生所述第二电平，驱动所述第二开关处于所述关断状态。

可选的，所述第一控制模块还包括第一反相器、第二反相器，所述检测与电平位移单元包括第一检测开关、第二检测开关、电平位移子单元；

所述第一反相器的第一端连接所述电平位移单元，所述第一反相器连接所述第一开关的第二极，所述第一反相器连接所述第二反相器；

所述第二反相器连接所述第一开关的第二极，所述第二反相器连接所述第一开关的控制极；

所述第一检测开关的控制极连接所述第一反相器与所述第二反相器之间，所述第一检测开关的第一极连接第二电源，所述第一检测开关的第二极连接所述电平位移子单元；所述第一检测开关用于：当所述第一开关处于导通状态时导通，当所述第一开关处于关断状态时关断；

所述第二检测开关的控制极连接所述第二反相器与所述第一开关的控制极之间，所述第二检测开关的第一极连接所述第二电源，所述第二检测开关的第二极连接所述电平位移子单元；所述第二检测开关用于：当所述第一开关处于所述关断状态时导通，当所述第一开关处于所述导通状态时关断；

所述电平位移子单元连接所述第二逻辑单元的第二输入端；

所述电平位移子单元用于：

当所述第一检测开关导通时，将所述第一检测开关的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关的导通状态信号，并将所述第一开关的导通状态信号反馈至所述第二逻辑单元；

当所述第一检测开关关断时，将所述第二检测开关的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关的关断状态信号，并将所述第一开关的关断状态信号反馈至所述第二逻辑单元。

可选的，所述驱动电路还包括电容和二极管，

所述二极管的正极连接第二电源，所述二极管的负极连接所述第一检测开关的第一极和所述第二检测开关的第一极，

所述电容的第一端连接所述二极管的负极，所述电容的第二端连接所述第一开关的第二极。

可选的，所述电平位移子单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的第一极连接所述第一检测开关的第二极；所述第一晶体管的控制极和所述第二晶体管的控制极连接所述第二电源；

所述第一晶体管的第二极连接所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的控制极；

所述第二晶体管的第一极连接所述第二检测开关的第二极，所述第二晶体管的第二极连接所述第三晶体管的控制极和所述第四晶体管的第一极；

所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极接地；

所述第一晶体管的第二极连接所述第二逻辑单元。

可选的，所述电平位移子单元还包括第三反相器、第四反相器；

所述第三反相的输入端连接所述第一晶体管的第二极，所述第三反相器的输出端连接所述第四反相器的输入端，所述第四反相器的输出端连接所述第二逻辑单元。

可选的，所述第二控制模块还包括第五反相器、第六反相器；

所述第五反相器的连接所述第二逻辑单元的输出端，所述第五反相器连接第二电源，所述第五反相器连接所述第二开关的第二极，所述第五反相器连接所述第六反相器；

所述第六反相器的连接所述第二电源，所述第六反相器连接所述第二开关的第二极，所述第六反相器连接所述第二开关的控制极。

可选的，所述驱动电路还包括输出匹配模块，

所述输出匹配模块连接所述第一开关的第二极，所述输出匹配模块连接地；

所述负载并联于所述输出匹配模块与地之间。

根据本发明的第二方面，提供了一种电子设备，包括本发明第一方面及其可选方案所述的驱动电路。

本发明提供的驱动电路以及电子设备，在控制第一开关和第二开关的通断时，不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，相比于部分方案中，在驱动第一开关和第二开关时设置死区时间，以开关的实际通断状态为控制条件，可以及时、准确地检测到两个开关通断状态的改变，避免了由于公差造成的两个开关同时导通，控制更加灵活、准确；

因此，本发明提供的驱动电路以及电子设备，可以有效避免两个开关的同时导通，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中GaN半桥式系统的电路示意图；

图2是本发明一实施例中驱动电路的电路示意图一；

图3是本发明一实施例中驱动电路的电路示意图二；

图4是本发明一实施例中驱动电路的电路示意图三；

图5是本发明一实施例中驱动电路的电路示意图四；

图6是本发明一实施例中驱动电路的电路示意图五。

附图标记说明：

1-第一控制模块；2-第二控制模块；3-输出匹配模块；

11-第一逻辑单元；12-电平位移单元；21-检测与电平位移单元；22-第二逻辑单元；211-电平位移子单元；

GaN1-第一开关；GaN2-第一开关；PWM1-第一控制信号；PWM2-第二控制信号；

Vcc1-第一电源；Vcc2-第二电源；

U1-第一反相器；U2-第二反相器；U3-第三反相器；U4-第四反相器；U5-第五反相器；U6-第六反相器；

P1-第一检测开关；P2-第二检测开关；N1-第一晶体管；N2-第二晶体管；N3-第三晶体管；N4-第四晶体管；

D-二极管；C1-电容；L-匹配电感；C2-匹配电容。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

请参考图2，本发明一实施例提供了一种驱动电路，用于驱动第一开关GaN1与第二开关GaN2，还包括：第一控制模块1、第二控制模块2；

所述第一控制模块1接入第一控制信号PWM1，所述第一控制模块连接所述第一开关GaN1的控制极；所述第一控制模块1用于：监测所述第二开关GaN2的控制极的信号，根据所述第一控制信号PWM1以及所述第二开关GaN2的控制极的信号，产生第一开关驱动信号，并利用所述第一开关驱动信号驱动所述第一开关GaN1的通断；

所述第二控制模块2接入第二控制信号PWM2，所述第二控制模块2连接所述第二开关GaN2的控制极；所述第二控制模块2用于：监测所述第一开关GaN1的控制极的信号，根据所述第二控制信号PWM2以及所述第一开关GaN1的控制极的信号，产生第二开关驱动信号，并利用所述第二开关驱动信号驱动所述第二开关GaN2的通断；

第一电源Vcc1向所述第一开关GaN1的第一极供电，所述第一开关GaN1的第二极连接所述第二开关GaN2的第一极，所述第二开关GaN2的第二极连接地；

负载并联于所述第二开关GaN2的第一极与地之间(可例如连接于图1中的Out+与Out-之间。

其中的，第一控制模块1检测第二开关GaN2的控制极的信号，可以理解为，第二开关GaN2的控制极的信号可以表征第二开关GaN2是处于导通状态还是关断状态，进而，检测第二开关GaN2的控制极的信号可以得到第二开关GaN2的开关状态，然后第一控制模块1根据检测到的第二开关GaN2的开关状态与第一控制信号PWM1，产生第一开关驱动信号；第一控制模块1在检测第二开关GaN2的控制极的信号时，可以直接连接第二开关GaN2的控制极，得到表征第二开关通断状态的开关状态信号，也可以连接第二控制模块2的输出端，即接收到第二开关驱动信号；

第二控制模块2检测第一开关GaN1的控制极的信号同理。

本发明在控制第一开关和第二开关的通断时，不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，相比于部分方案中，在驱动第一开关和第二开关时设置死区时间，以开关的实际通断状态为控制条件，可以及时、准确地检测到两个开关通断状态的改变，避免了由于公差造成的两个开关同时导通，控制更加灵活、准确；

因此，本发明提供的驱动电路，可以有效避免两个开关的同时导通，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

一种举例中，其中的第一开关GaN1和第二开关GaN2为GaN管，进一步地，第一开关GaN1的第一极和第二开关GaN2的控制极可以理解为GaN管的栅极，第一开关GaN1的第一极和第二开关GaN2的第一极可以理解为GaN管的漏极，第一开关GaN1的第二极和第二开关GaN2的第二极可以理解为GaN管的源极。

一种举例中，驱动第一开关GaN1与第二开关GaN2的导通的电压可以是相等的，也可以是不相等的。

一种举例中，第一电源Vcc1直接连接第一开关GaN1的第一极，一种举例中，第一电源Vcc1经过DCDC降压变换后，连接第一开关GaN1的第一极，进一步举例中，第一电源Vcc1为48V，降压后为12V。

请参考图3，一种实施方式中，所述第一控制模块1包括第一逻辑单元11、电平位移单元12；所述第二控制模块2包括检测与电平位移单元21、第二逻辑单元22；

所述第一逻辑单元11的第一输入端接入所述第一控制信号PWM1，所述第一逻辑单元11的第二输入端连接所述第二逻辑单元22的输出端，所述第一逻辑单元11的输出端连接所述电平位移单元12；所述第一逻辑单元11用于：根据所述第一控制信号PWM1以及所述第二逻辑单元22产生的第二开关驱动信号，生成控制电平，并将所述控制电平反馈至所述电平位移单元12；

所述电平位移单元12连接所述第一开关GaN1的第二极，所述电平位移单元12直接或间接连接所述第一开关GaN1的控制极，所述电平位移单元12用于：根据所述第一开关GaN1的第二极的电压，将所述控制电平提升到目标电平区间，得到所述第一开关驱动信号，以驱动所述第一开关GaN1的通断；其中的控制电平提升为第一驱动信号后，控制电平的高电平与低电平的差值和第一驱动信号的搞电平与低电平的差值是相等的，即电平位移单元12对控制电平的提升为等量的提升，而不等量或等比例地提升；

所述检测与电平位移单元21连接所述电平位移单元12与所述第一开关GaN1的控制极之间，所述检测与电平位移单元21连接所述第二逻辑单元22的第一输入端；所述检测与电平位移单元21用于：检测所述第一开关GaN1的控制极的信号，将所述第一开关GaN1的控制极的信号进行降压，并将降压后得到的第一开关GaN1的开关状态信号反馈至所述第二逻辑单元22；所述开关状态信号表征了对应开关的通断状态；其中的通断状态包括导通状态和关断状态；对于第一开关GaN1的控制极的信号的降压，可以将其降压至升压前的控制电平，也可以将压制能够匹配第二逻辑单元22功能的电压范围，即电平位移单元12的升压量和检测与电平位移单元21的降压量可以是对应相等的，也可以是不相等的；

所述第二逻辑单元22的第二输入端接入所述第二控制信号PWM2，所述第二逻辑单元22的输出端直接或间接连接所述第二开关GaN2的控制极，所述第二逻辑单元22用于：根据所述第一开关GaN1的开关状态信号以及所述第二控制信号PWM2，产生所述第二开关驱动信号，以驱动所述第二开关GaN2的通断；

其中的第一逻辑单元11可以理解为能够对第一控制信号PWM1以及第二开关驱动信号进行逻辑运算的逻辑门电路，可以为单个器件，例如或非门，也可以包括多个器件，例如或门和非门的组合，再例如采用逻辑门以及触发器的组合等；第二逻辑单元22同理，第一逻辑单元11与第二逻辑单元22可以相同，也可以采用不同的器件，只要能实现对应的功能即可。

以上实施方式中，通过电平位移单元，将控制电平根据第一开关的第二极的电压提升到目标电平区间，使得第一开关驱动信号可以适配浮动的第一开关的第二极的电压，以确保第一开关在需要被驱动导通时，能够打开。

一种实施方式中，所述控制电平包括第一控制电平和第二控制电平；所述第二开关驱动信号包括第一电平和第二电平；其中，第一控制电平与第一电平可以相等，第二控制电平与第二电平可以相等；

所述第一逻辑单元11具体用于：

当所述第二开关驱动信号为所述第二电平时，根据所述第一控制信号，产生所述控制电平，控制所述第一开关GaN1的通断；

当所述第二开关驱动信号为所述第一电平时，产生所述第二控制电平，以使所述第一开关GaN1处于所述关断状态；

所述第二逻辑单元22具体用于：

当所述第一开关GaN1的开关状态信号表征出所述第一开关GaN1处于所述关断状态时，根据所述第二控制信号PWM2，产生所述第二开关驱动信号，驱动所述第二开关GaN2的通断；

当所述第一开关GaN1的开关状态信号表征出所述第一开关GaN1处于所述导通状态时，产生所述第二电平，驱动所述第二开关GaN2处于所述关断状态。

一种举例中，第一开关GaN1与第二开关GaN2为N型GaN管，第一控制电平与第一电平为高电平，第二控制电平与第二电平为低电平。

请参考图4，一种实施方式中，所述第一控制模块1还包括第一反相器U1、第二反相器U2，所述检测与电平位移单元21包括第一检测开关P1、第二检测开关P2、电平位移子单元211；

所述第一反相器U1的第一端连接所述电平位移单元12，所述第一反相器U1连接所述第一开关GaN1的第二极，所述第一反相器U1连接所述第二反相器U2；

所述第二反相器U2连接所述第一开关GaN1的第二极，所述第二反相器U2连接所述第一开关GaN1的控制极；

所述第一检测开关P1的控制极连接所述第一反相器U1与所述第二反相器U2之间，所述第一检测开关P1的第一极连接第二电源Vcc2，所述第一检测开关P1的第二极连接所述电平位移子单元211；所述第一检测开关P1用于：当所述第一开关GaN1处于导通状态时导通，当所述第一开关GaN1处于关断状态时关断；

所述第二检测开关P2的控制极连接所述第二反相器U2与所述第一开关GaN1的控制极之间，所述第二检测开关P2的第一极连接所述第二电源Vcc2，所述第二检测开关的第二极连接所述电平位移子单元；所述第二检测开关用于：当所述第一开关GaN1处于所述关断状态时导通，当所述第一开关GaN1处于所述导通状态时关断；

所述电平位移子单元211连接所述第二逻辑单元22的第二输入端；

所述电平位移子单元211用于：

当所述第一检测开关P1导通时，将所述第一检测开关P1的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关GaN1的导通状态信号，并将所述第一开关GaN1的导通状态信号反馈至所述第二逻辑单元22；

当所述第一检测开关P1关断时，将所述第二检测开关P2的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关GaN1的关断状态信号，并将所述第一开关GaN1的关断状态信号反馈至所述第二逻辑单元22。

以上实施方式中，将第一反相器与第二反相器串联在电平位移单元与第一开关的控制极之间，可以用来向第一检测开关与第二检测开关反馈第一开关的控制极的信号，即两个检测开关的通断可以反映第一开关的通断，也可以多级反相器串联形成缓冲器，加强电平位移单元产生的第一开关驱动信号的电流的驱动能力，驱动第一开关的通断。

一种举例中，第一检测开关P1和第二检测开关P2为PMOS管，第一检测开关P1的控制极和第二检测开关P2的控制极为PMOS管的栅极，第一检测开关P1的第一极和第二检测开关P2的第一极为PMOS管的源极，第一检测开关P1的第二极和第二检测开关P2的第二极为PMOS管的漏极。

一种举例中，第二电源Vcc2为+5V。

请参考图5，一种实施方式中，所述电平位移子单元211包括第一晶体管N1、第二晶体管N2、第三晶体管N3和第四晶体管N4；

所述第一晶体管N1的第一极连接所述第一检测开关P1的第二极；所述第一晶体管N1的控制极和所述第二晶体管N2的控制极连接所述第二电源Vcc2；

所述第一晶体管N1的第二极连接所述第三晶体管N3的第一极和所述第四晶体管N4的控制极；

所述第二晶体管N2的第一极连接所述第二检测开关P2的第二极，所述第二晶体管N2的第二极连接所述第三晶体管N3的控制极和所述第四晶体管N4的第一极；

所述第三晶体管N3的第二极和所述第四晶体管N4的第二极接地；

所述第一晶体管N1的第二极连接所述第二逻辑单元22。

以上实施方式中，通过四个晶体管，实现对第一开关驱动信号的降压，得到第一开关的开关状态信号，进而在对第一开关的开关状态信号与第二控制信号进行逻辑处理时，能够使的两个信号在同一区间，实现对第二开关更加准确的控制。

一种举例中，第一晶体管N1、第二晶体管N2、第三晶体管N3和第四晶体管N4为NMOS管，进一步地，晶体管的控制极为NMOS管的栅极，晶体管的第一极为NMOS管的漏极，晶体管的第二极为NMOS管的源极。

一种实施方式中，所述电平位移子单元211还包括第三反相器U3、第四反相器U4；

所述第三反相U3的输入端连接所述第一晶体管N1的第二极，所述第三反相器U3的输出端连接所述第四反相器U4的输入端，所述第四反相器U4的输出端连接所述第二逻辑单元22。

以上实施方式中，第三反相器和第四反相器串联于第一晶体管的第二极与第二逻辑单元的之间，可以将输出的第一开关的开关状态信号进行波形的整形，得到更加稳定的开关状态信号，避免得到错误的第一开关的开关状态，进而出现两个开关同时导通的情况。

一种实施方式中，所述第二控制模块2还包括第五反相器U5、第六反相器U6；

所述第五反相器U5的连接所述第二逻辑单元22的输出端，所述第五反相器U5连接第二电源Vcc2，所述第五反相器U5连接所述第二开关GaN2的第二极，所述第五反相器U5连接所述第六反相器U6；

所述第六反相器U6的连接所述第二电源Vcc2，所述第六反相器连接所述第二开关GaN2的第二极，所述第六反相器U6连接所述第二开关GaN2的控制极。

以上实施方式中，将第五反相器与第六反相器串联第二逻辑单元与第二开关的控制极之间，可以通过多级反相器的串联组成缓冲器，加强第二逻辑单元产生的第二开关驱动信号的电流的驱动能力，驱动第二开关的通断。

一种举例中，第一逻辑单元11与第二逻辑单元22为或非门，即：

当第二开关GaN1关断时，且第一控制信号PWM1为低电平时，第一开关GaN1被驱动导通，此时第二逻辑单元22接收到的第一开关GaN1的开关状态信号为高电平，则无论第二控制信号PWM2为高电平还是低电平，第二开关2均处于关断状态；

当第一开关GaN1关断时，此时：第二逻辑单元22接收到的第一开关GaN1的开关状态信号为低电平，当第二控制信号PWM2为高电平时，第二开关GaN2关断，当第二控制信号PWM2为低电平时，第二开关GaN2被驱动导通。

请参考图6，一种是实施方式中，所述驱动电路还包括电容C1和二极管D，

所述二极管D的正极连接第二电源Vcc2，所述二极管D的负极连接所述第一检测开关P1的第一极和所述第二检测开关P1的第一极，

所述电容C1的第一端连接所述二极管D的负极，所述电容C1的第二端连接所述第一开关GaN1的第二极。

一种是实施方式中，所述驱动电路还包括输出匹配模块3，

所述输出匹配模块3连接所述第一开关GaN1的第二极，所述输出匹配模块3连接地；

所述负载并联于所述输出匹配模块3与地之间。

一种举例中，输出匹配模块3包括匹配电容C2和匹配电感L，匹配电感L的第一端连接第一开关GaN1的第二极，匹配电感L的第二端连接匹配电容C2的第一端；匹配电容C2的第二端接地，负载并联于匹配电容C2的两端。

下面结合图6，详细阐述本发明一实施例的工作原理：

图中第一开关GaN1和第二开关GaN2为N型GaN管，第一检测开关P1和第二检测开关P2为PMOS，第一晶体管N1、第二晶体管N2、第三晶体管N3和第四晶体管N4为NMOS为例，第二电源Vcc2的电压为+5V；第一电源Vcc1的电压为vin；

当第一开关GaN1导通时(此时第一控制信号PWM1为低电平)，第一开关GaN1的栅极电压为高电平，第一反相器U1输出低电压，第一检测开关P1导通，第一检测开关P1的漏极电压Ton升高到vin+5V，由于第一晶体管N1初始状态为导通状态，第四晶体管N4的栅极电压会升高，当第四晶体管N4的栅极电压达到+5V时，第四晶体管N4会导通，第一晶体管N1和第三晶体管N3关断，第四反相器U4反馈到或非门NOR2的第一开关GaN1的开关状态信号TGON为高电平，或非门NOR2会输出低电平，第二开关GaN2维持关断状态，此时反馈到或非门NOR1的第二开关驱动信号BGON为低电平；

当第一开关GaN1关断时，第一开关GaN1的栅极电压为低电平，第二反相器U2输出低电压，第二检测开关P2导通，第二检测开关P2的漏极电压Toff升高到+5V，第二晶体管N2关断，第三晶体管N3打开，第四晶体管N4关断，第四反相器U4反馈到或非门NOR2的第一开关GaN1的开关状态信号TGON为低电平，若第二控制信号PWM2为低电平时，或非门NOR2会输出高电平，第二开关GaN2导通，此时反馈到或非门NOR1的第二开关驱动信号BGON为高电平，第一开关GaN1维持关闭状态；若第二控制信号PWM2为高电平时，或非门NOR2会输出低电平，第二开关GaN2关断，此时反馈到或非门NOR1的第二开关驱动信号BGON为低电平，可以通过改变第一控制信号的高低电平，控制第一开关通断。

本发明还可以包括设置死区时间的电路，进而，第一控制模块和第二控制模块检测到的开关状态信号可以作为防止两个开关同时导通的另一个控制条件，防止由于开关的公差，使得设置的死区时间太短，两个开关出现同时导通。

本发明一实施例还提供了一种电子设备，包括前文所述的驱动电路。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种驱动电路，用于驱动第一开关与第二开关，其特征在于，还包括：第一控制模块、第二控制模块；

所述第一控制模块接入第一控制信号，所述第一控制模块连接所述第一开关的控制极；所述第一控制模块用于：监测所述第二开关的控制极的信号，根据所述第一控制信号以及所述第二开关的控制极的信号，产生第一开关驱动信号，并利用所述第一开关驱动信号驱动所述第一开关的通断；

所述第二控制模块接入第二控制信号，所述第二控制模块连接所述第二开关的控制极；所述第二控制模块用于：监测所述第一开关的控制极的信号，根据所述第二控制信号以及所述第一开关的控制极的信号，产生第二开关驱动信号，并利用所述第二开关驱动信号驱动所述第二开关的通断；

第一电源向所述第一开关的第一极供电，所述第一开关的第二极连接所述第二开关的第一极，所述第二开关的第二极连接地；

负载并联于所述第二开关的第一极与地之间。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一控制模块包括第一逻辑单元、电平位移单元；所述第二控制模块包括检测与电平位移单元、第二逻辑单元；

所述第一逻辑单元的第一输入端接入所述第一控制信号，所述第一逻辑单元的第二输入端连接所述第二逻辑单元的输出端，所述第一逻辑单元的输出端连接所述电平位移单元；所述第一逻辑单元用于：根据所述第一控制信号以及所述第二逻辑单元产生的第二开关驱动信号，生成控制电平，并将所述控制电平反馈至所述电平位移单元；

所述电平位移单元连接所述第一开关的第二极，所述电平位移单元直接或间接连接所述第一开关的控制极，所述电平位移单元用于：根据所述第一开关的第二极的电压，将所述控制电平提升到目标电平区间，得到所述第一开关驱动信号，以驱动所述第一开关的通断；

所述检测与电平位移单元连接所述电平位移单元与所述第一开关的控制极之间，所述检测与电平位移单元连接所述第二逻辑单元的第一输入端；所述检测与电平位移单元用于：检测所述第一开关的控制极的信号，将所述第一开关的控制极的信号进行降压，并将降压后得到的第一开关的开关状态信号反馈至所述第二逻辑单元；所述开关状态信号表征了对应开关的通断状态；

所述第二逻辑单元的第二输入端接入所述第二控制信号，所述第二逻辑单元的输出端直接或间接连接所述第二开关的控制极，所述第二逻辑单元用于：根据所述第一开关的开关状态信号以及所述第二控制信号，产生所述第二开关驱动信号，以驱动所述第二开关的通断。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述控制电平包括第一控制电平和第二控制电平；所述第二开关驱动信号包括第一电平和第二电平；

所述第一逻辑单元具体用于：

当所述第二开关驱动信号为所述第二电平时，根据所述第一控制信号，产生所述控制电平，控制所述第一开关的通断；

当所述第二开关驱动信号为所述第一电平时，产生所述第二控制电平，以使所述第一开关处于关断状态；

所述第二逻辑单元具体用于：

当所述第一开关的开关状态信号表征出所述第一开关处于所述关断状态时，根据所述第二控制信号，产生所述第二开关驱动信号，驱动所述第二开关的通断；

当所述第一开关的开关状态信号表征出所述第一开关处于导通状态时，产生所述第二电平，驱动所述第二开关处于所述关断状态。

4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一控制模块还包括第一反相器、第二反相器，所述检测与电平位移单元包括第一检测开关、第二检测开关、电平位移子单元；

所述第一反相器的第一端连接所述电平位移单元，所述第一反相器连接所述第一开关的第二极，所述第一反相器连接所述第二反相器；

所述第二反相器连接所述第一开关的第二极，所述第二反相器连接所述第一开关的控制极；

所述第一检测开关的控制极连接所述第一反相器与所述第二反相器之间，所述第一检测开关的第一极连接第二电源，所述第一检测开关的第二极连接所述电平位移子单元；所述第一检测开关用于：当所述第一开关处于导通状态时导通，当所述第一开关处于关断状态时关断；

所述第二检测开关的控制极连接所述第二反相器与所述第一开关的控制极之间，所述第二检测开关的第一极连接所述第二电源，所述第二检测开关的第二极连接所述电平位移子单元；所述第二检测开关用于：当所述第一开关处于所述关断状态时导通，当所述第一开关处于所述导通状态时关断；

所述电平位移子单元连接所述第二逻辑单元的第二输入端；

所述电平位移子单元用于：

当所述第一检测开关导通时，将所述第一检测开关的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关的导通状态信号，并将所述第一开关的导通状态信号反馈至所述第二逻辑单元；

当所述第一检测开关关断时，将所述第二检测开关的第二极的电压进行降压处理，得到所述第一开关的关断状态信号，并将所述第一开关的关断状态信号反馈至所述第二逻辑单元。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，还包括电容和二极管，

所述二极管的正极连接第二电源，所述二极管的负极连接所述第一检测开关的第一极和所述第二检测开关的第一极，

所述电容的第一端连接所述二极管的负极，所述电容的第二端连接所述第一开关的第二极。

6.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述电平位移子单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的第一极连接所述第一检测开关的第二极；所述第一晶体管的控制极和所述第二晶体管的控制极连接所述第二电源；

所述第一晶体管的第二极连接所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的控制极；

所述第二晶体管的第一极连接所述第二检测开关的第二极，所述第二晶体管的第二极连接所述第三晶体管的控制极和所述第四晶体管的第一极；

所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极接地；

所述第一晶体管的第二极连接所述第二逻辑单元。

7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述电平位移子单元还包括第三反相器、第四反相器；

所述第三反相的输入端连接所述第一晶体管的第二极，所述第三反相器的输出端连接所述第四反相器的输入端，所述第四反相器的输出端连接所述第二逻辑单元。

8.根据权利要求2至7任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述第二控制模块还包括第五反相器、第六反相器；

所述第五反相器的连接所述第二逻辑单元的输出端，所述第五反相器连接第二电源，所述第五反相器连接所述第二开关的第二极，所述第五反相器连接所述第六反相器；

所述第六反相器的连接所述第二电源，所述第六反相器连接所述第二开关的第二极，所述第六反相器连接所述第二开关的控制极。

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开关与所述第二开关为GaN晶体管。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的驱动电路。