CN113658888B - 混合制程控制方法、装置、设备及介质 - Google Patents

混合制程控制方法、装置、设备及介质 Download PDF

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Abstract

本申请实施例涉及一种混合制程控制方法、装置、设备及介质,所述方法包括:获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。本申请中切换过程无需人工参与且不需要机台停止运行工艺流程,避免产生因工艺切换期间机台停产、人工操作错误或缺失导致经济损失。

Description

混合制程控制方法、装置、设备及介质
技术领域
本申请实施例涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种混合制程控制方法、装置、设备及介质。
背景技术
随着集成电路制造工艺的快速发展,市场对半导体产品的需求量越来越高,对半导体产线的生产效率及出货质量提出了更高的要求。刻蚀制程作为半导体生产过程的关键环节之一,其效率及出货良率直接影响半导体产品的出货效率及良率。半导体产业中的刻蚀制程一般采用多腔体多工艺切换生产流程,以提高刻蚀设备的生产效率及利用率。
传统的刻蚀制程中多腔体多工艺切换流程需要在切换刻蚀腔体前由工程师禁用锁定不运行配方,在相关部门协商确定人工转换制程的流程之后,由操作人员根据约货需求工艺配方的运行需求调控并测试新刻蚀腔体,至新刻蚀腔体环境满足需求后,再由工程师禁用旧配方锁定,解开新配方禁用。
人工操作容易出现操作错误或缺失,导致不必要的经济损失。并且,刻蚀制程存在同一机台腔体运行不同制程的情况,需要机台停止当前工艺制程之后再切换至新刻蚀制程,导致机台闲置,产能损耗。
发明内容
本申请实施例提供一种混合制程控制方法、装置、设备及介质,能够根据约货需求工艺配方的运行需求控制刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,避免产生工艺切换期间机台停产及人工操作失误的情况,有效地提高了刻蚀制程的生产效率及良率,从而进一步提高了半导体产线的生产效率及出货质量。
根据一些实施例,本申请的一方面提供一种混合制程控制方法,包括:
获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;
获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;
根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在上述实施例中的混合制程控制方法中,通过设定与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,制造执行管理系统在获取不同所述混合制程运行群组的转换规则之后,能够根据实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,切换过程无需人工参与且不需要机台停止运行工艺流程,避免产生因工艺切换期间机台停产、人工操作错误或缺失导致经济损失;由于不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,使得派货系统进行派货预约期间,不属于目标刻蚀腔体对应的目标混合制程运行群组的工艺配方无法约货成功,避免产生因自动约货获取的目标刻蚀腔体与实时约货需求的约货工艺配方不对应导致生产损失。
在其中一个实施例中,所述转换规则包括:所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。由于刻蚀腔体的刻蚀速率与颗粒物含量决定该刻蚀腔体的出货效率及良率,通过判断刻蚀腔体的刻蚀速率是否位于目标刻蚀速率范围及/或颗粒物含量是否位于目标颗粒物含量范围,来确定刻蚀腔体是否满足切换至目标刻蚀腔体转换规则的要求,以实现同一刻蚀腔体内不同工艺流程的自动切换,及不同刻蚀腔体之间的自动切换。
在其中一个实施例中,所述转换规则包括氮化硅膜层的目标刻蚀速率为
Figure BDA0003214179450000031
可以在切换工艺流程之前对刻蚀腔体进行暖机处理,至刻蚀腔体内氮化硅膜层的刻蚀速率位于/>
Figure BDA0003214179450000032
确保获取的目标刻蚀腔体满足约货工艺配方及转换规则的要求,然后控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,以执行约货工艺配方。
在其中一个实施例中,所述根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,包括:
根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;
控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;
控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在上述实施例中的混合制程控制方法中,由于对不同材质膜层采用不同刻蚀气体刻蚀产生的副产物不同,副产物沉积在刻蚀腔体的内壁上,如果在切换工艺流程之前没有去除这些副产物,容易对切换后的工艺流程产生不良影响,例如导致实际刻蚀速率低于目标刻蚀速率,降低刻蚀的效率及良率。通过在切换工艺流程之前对刻蚀腔体进行暖机处理,确保获取的目标刻蚀腔体满足约货工艺配方及转换规则的要求,然后控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,以执行约货工艺配方。
在其中一个实施例中,所述混合制程控制方法还包括:
获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约;
根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方。
在上述实施例中的混合制程控制方法中,可以设置派货系统进行派货预约,设置排程系统决定排程计划,制造执行管理系统获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约,并根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方,以获取与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在其中一个实施例中,所述确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方之后,还包括:
判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方;
若是,则根据所述约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在上述实施例中的混合制程控制方法中,在确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方之后,判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方,若是,则根据转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,以控制所述刻蚀设备在刻蚀腔体内部自动切换至目标混合制程运行群组。
在其中一个实施例中,若当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方不包括所述约货工艺配方,则控制所述刻蚀设备更换目标刻蚀腔体,以控制所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组对应的目标刻蚀腔体。
在其中一个实施例中,所述控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组之后,还包括:控制所述目标刻蚀腔体根据所述约货工艺配方进行腔体生产,以根据实时约货需求的约货工艺配方自动切换工艺流程并进行腔体生产,避免人工操作,提高刻蚀工艺流程的自动化程度及运行效率。
在其中一个实施例中,相同膜层的工艺配方关联的混合制程运行群组相同,使得相同膜层在同一刻蚀腔体内完成工艺配方流程,避免相同膜层更换刻蚀腔体导致机台效率降低。
在其中一个实施例中,所述刻蚀设备包括多个不同的刻蚀腔体,以实现多个不同刻蚀腔体同时执行对应的工艺配方流程,提高机台执行混合制程的效率。
本申请的另一方面提供一种混合制程控制装置,包括群组获取模块、转换规则获取模块及自动切换模块,群组获取模块用于获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;转换规则获取模块用于获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;自动切换模块用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在其中一个实施例中,所述转换规则包括:所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。
在其中一个实施例中,所述自动切换模块包括转换单元、暖机/测机执行单元及切换单元,转换单元用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;暖机/测机执行单元用于控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;切换单元用于控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
本申请的又一方面提供一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现本申请中任一个实施例中所述的方法的步骤。
本申请的再一方面提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现本申请中任一个实施例中所述的方法的步骤。
在上述实施例中的混合制程控制装置、计算机设备或计算机可读存储介质中,基于群组获取模块获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,转换规则获取模块在获取不同所述混合制程运行群组的转换规则之后,自动切换模块能够根据实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,切换过程无需人工参与且不需要机台停止运行工艺流程,避免产生因工艺切换期间机台停产、人工操作错误或缺失导致的经济损失;由于不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,派货系统进行派货预约期间,不属于目标刻蚀腔体对应的目标混合制程运行群组的工艺配方无法约货成功,避免产生因自动约货获取的目标刻蚀腔体与实时约货需求的约货工艺配方不对应导致的生产损失。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他实施例的附图。
图1为本申请一实施例中提供的一种混合制程控制方法的流程示意图;
图2为本申请另一实施例中提供的一种混合制程控制方法的流程示意图;
图3为本申请又一实施例中提供的一种混合制程控制方法的流程示意图;
图4为本申请一实施例中提供的一种混合制程控制方法的应用场景示意图;
图5为本申请一实施例中提供的一种混合制程控制装置的结构示意图;
图6为本申请另一实施例中提供的一种混合制程控制装置的结构示意图;
附图标记及说明:
30、混合制程控制装置;31、群组获取模块;32、转换规则获取模块;33、自动切换模块;331、转换单元;332、暖机/测机执行单元;333、切换单元。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由……组成”等,否则还可以添加另一部件。除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
应当理解,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如,在不脱离本申请的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接连接,亦可以是通过中间媒介间接连接,可以是两个部件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了提高刻蚀制程的效率及出货良率,刻蚀设备中设置有多个刻蚀腔室,在不同刻蚀腔室里执行不同的工艺流程期间,因人工操作失误,会出现将晶圆送入错误的刻蚀腔室的情况,或机台执行错误的工艺流程的情况,导致晶圆报废或良率降低,甚至对刻蚀设备产生不良影响,造成不必要的经济损失。并且多人员参与切换过程需要各操作人员之间动作紧密配合,其中任何一人动作拖沓将导致切换周期延长,增加刻蚀设备闲置时间。
本申请旨在提供一种混合制程控制方法、装置、设备及介质,能够根据约货工艺配方的运行需求控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,避免产生工艺切换期间机台停产及人工操作失误的情况,以有效地提高刻蚀制程的生产效率及良率,从而进一步提高了半导体产线的生产效率及出货质量。
请参考图1,在本申请的一个实施例中,提供了一种混合制程控制方法,包括如下步骤:
步骤S110,获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;
步骤S120,获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;
步骤S130,根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
具体地,请继续参考图1,可以设置刻蚀设备包括多个不同的刻蚀腔体,以实现多个不同刻蚀腔体同时执行对应的工艺配方流程,提高机台执行混合制程的效率;通过获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,制造执行管理系统在获取不同所述混合制程运行群组的转换规则之后,能够根据实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,切换过程无需人工参与且不需要机台停止运行工艺流程,避免产生因工艺切换期间机台停产、人工操作错误或缺失导致经济损失;由于不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,使得派货系统进行派货预约期间,不属于目标刻蚀腔体对应的目标混合制程运行群组的工艺配方无法约货成功,避免产生因自动约货获取的目标刻蚀腔体与实时约货需求的约货工艺配方不对应导致生产损失。
作为示例,在本申请的一个实施例中,可以设置转换规则包括:所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。由于刻蚀腔体的刻蚀速率与颗粒物含量决定该刻蚀腔体的出货效率及良率,通过判断刻蚀腔体的刻蚀速率是否位于目标刻蚀速率范围及/或颗粒物含量是否位于目标颗粒物含量范围,来确定刻蚀腔体是否满足切换至目标刻蚀腔体转换规则的要求,以实现同一刻蚀腔体内不同工艺流程的自动切换,及不同刻蚀腔体之间的自动切换。
作为示例,在本申请的一个实施例中,可以设置转换规则包括氮化硅膜层的目标刻蚀速率为
Figure BDA0003214179450000101
例如,氮化硅膜层的目标刻蚀速率可以为
Figure BDA0003214179450000102
或/>
Figure BDA0003214179450000103
等。可以在切换工艺流程之前对刻蚀腔体进行暖机处理,至刻蚀腔体内氮化硅膜层的刻蚀速率位于/>
Figure BDA0003214179450000104
确保获取的目标刻蚀腔体满足约货工艺配方及转换规则的要求,然后控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,以执行约货工艺配方。
作为示例,在本申请的一个实施例中,相同膜层的工艺配方关联的混合制程运行群组相同,使得相同膜层在同一刻蚀腔体内完成工艺配方流程,避免相同膜层更换刻蚀腔体导致机台效率降低。
进一步地,请参考图2,在本申请的一个实施例中,步骤S130包括:
步骤S131,根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;
步骤S132,控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;
步骤S133,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
具体地,请继续参考图2,由于对不同材质膜层采用不同刻蚀气体刻蚀产生的副产物不同,副产物沉积在刻蚀腔体的内壁上,如果在切换工艺流程之前没有去除这些副产物,容易对切换后的工艺流程产生不良影响,例如导致实际刻蚀速率低于目标刻蚀速率,降低刻蚀的效率及良率。通过在切换工艺流程之前对刻蚀腔体进行暖机处理,确保获取的目标刻蚀腔体满足约货工艺配方及转换规则的要求,然后控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,以执行约货工艺配方。
进一步地,请参考图3,在本申请的一个实施例中,所述混合制程控制方法还包括:
步骤S102,获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约;
步骤S104,根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方。
具体地,可以设置排程系统决定排程计划,设置派货系统进行派货预约,制造执行管理系统获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约,并根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方,以获取与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
作为示例,在本申请的一个实施例中,步骤S104之后还包括:
步骤S105,判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方;
步骤S106,若是,则根据所述约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
具体地,在确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方之后,判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方,若是,则根据转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,以在刻蚀腔体内部自动切换至目标混合制程运行群组。若当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方不包括所述约货工艺配方,则控制所述刻蚀设备更换目标刻蚀腔体,以使得所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组对应的目标刻蚀腔体。
作为示例,在本申请的一个实施例中,步骤S130之后还包括:控制所述目标刻蚀腔体根据所述约货工艺配方进行腔体生产,以根据实时约货需求的约货工艺配方自动切换工艺流程并进行腔体生产,避免人工操作,提高刻蚀工艺流程的自动化程度及运行效率。
作为示例,请参考图4,排程系统可以根据半导体产线中刻蚀制程生产目标及可用刻蚀设备的数量确定排程计划,派货系统根据当前生产需求发出派货预约以向制造执行管理系统发出刻蚀设备约货请求,制造执行管理系统获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约之后,根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方;制造执行管理系统可以在控制切换工艺流程之前控制刻蚀设备对刻蚀腔体进行暖机及/或测机处理,确保获取的目标刻蚀腔体满足约货工艺配方及转换规则的要求,然后控制所述刻蚀设备自动切换至目标混合制程运行群组,控制目标刻蚀腔体根据所述约货工艺配方进行腔体生产,以根据实时约货需求的约货工艺配方自动切换工艺流程并进行腔体生产,避免人工操作,提高刻蚀工艺流程的自动化程度及运行效率。制造执行管理系统在确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方之后,判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方,若是,则根据转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,以在刻蚀腔体内部自动切换至目标混合制程运行群组;若当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方不包括所述约货工艺配方,则控制所述刻蚀设备更换目标刻蚀腔体,以使得所述刻蚀设备自动切换至与约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组对应的目标刻蚀腔体。
请参考图5,在本申请的一个实施例中,提供了一种混合制程控制装置30,包括群组获取模块31、转换规则获取模块32及自动切换模块33,群组获取模块31用于获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;转换规则获取模块32用于获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;自动切换模块33用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
作为示例,在本申请的一个实施例中,可以设置所述转换规则包括:所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。
作为示例,请参考图6,在本申请的一个实施例中,自动切换模块33包括转换单元331、暖机/测机执行单元332及切换单元333,转换单元331用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;暖机/测机执行单元332用于控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;切换单元333用于控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
在本申请的一个实施例中,提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现本申请中任一个实施例中所述的方法的步骤。
在本申请的一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现本申请中任一个实施例中所述的方法的步骤。
在上述实施例中的混合制程控制装置、计算机设备或计算机可读存储介质中,基于群组获取模块31获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,转换规则获取模块32在获取不同所述混合制程运行群组的转换规则之后,自动切换模块33能够根据实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,切换过程无需人工参与且不需要机台停止运行工艺流程,避免产生因工艺切换期间机台停产、人工操作错误或缺失导致的经济损失;由于不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同,派货系统进行派货预约期间,不属于目标刻蚀腔体对应的目标混合制程运行群组的工艺配方无法约货成功,避免产生因自动约货获取的目标刻蚀腔体与实时约货需求的约货工艺配方不对应导致的生产损失。
虽然图1-图3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的依次限制,这些步骤可以以其它的依次执行。而且,虽然图1-图3中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行依次也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。
请注意,上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本发明的限制。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种混合制程控制方法,其特征在于,包括:
获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;
获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;
根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组;
所述转换规则包括:
所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或
所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,应用于制造执行管理系统。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述转换规则包括氮化硅膜层的目标刻蚀速率为44Å/min-46Å/min。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组,包括:
根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;
控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;
控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,还包括:
获取各刻蚀腔体的工艺配方执行计划及派货系统的派货预约;
根据所述工艺配方执行计划及所述派货预约,确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述确定目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方之后,还包括:
判断当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方是否包括所述约货工艺配方;
若是,则根据所述约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,若当前目标刻蚀腔体的目标混合制程运行群组关联的工艺配方不包括所述约货工艺配方,则控制所述刻蚀设备更换目标刻蚀腔体。
8.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,所述控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组之后,还包括:
控制所述目标刻蚀腔体根据所述约货工艺配方进行腔体生产。
9.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,相同膜层的工艺配方关联的混合制程运行群组相同。
10.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,所述刻蚀设备包括多个不同的刻蚀腔体。
11.一种混合制程控制装置,其特征在于,包括:
群组获取模块,用于获取与刻蚀设备中刻蚀腔体的工艺配方关联的混合制程运行群组,其中,不同工艺配方对应的混合制程运行群组不同;
转换规则获取模块,用于获取不同所述混合制程运行群组的转换规则;
自动切换模块,用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组;
所述转换规则包括:
所述目标刻蚀腔体的刻蚀速率位于所述约货工艺配方所需的目标刻蚀速率范围;及/或
所述目标刻蚀腔体的颗粒物含量位于所述约货工艺配方所需的目标颗粒物含量范围。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,应用于制造执行管理系统。
13.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述自动切换模块包括:
转换单元,用于根据目标刻蚀腔体的实时约货需求的约货工艺配方及所述转换规则的要求,控制所述刻蚀设备自动切换至转换制程运行群组,所述转换制程运行群组关联于暖机及/或测机工艺配方;
暖机/测机执行单元,用于控制所述刻蚀设备执行所述暖机及/或测机工艺配方至所述目标刻蚀腔体满足所述转换规则要求;
切换单元,用于控制所述刻蚀设备自动切换至与所述约货工艺配方关联的目标混合制程运行群组。
14.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至10中任一项所述的方法的步骤。
15.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至10中任一项所述的方法的步骤。
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5425840A (en) * 1992-10-07 1995-06-20 Photomeca Automated process for making flexible plates from a sheet introduced sensitive side facing upwards and device for implementing the process
JPH11111702A (ja) * 1997-08-04 1999-04-23 Toshiba Corp 薄膜のドライエッチング方法および薄膜半導体装置の製造方法
US6589599B1 (en) * 1999-04-12 2003-07-08 Saes Getters S.P.A. Easily loaded and unloaded getter device for reducing evacuation time and contamination in a vacuum chamber and method for use of same
TW200426638A (en) * 2003-05-23 2004-12-01 Taiwan Semiconductor Mfg An automation process switch device
CN106463613A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 瓦里安半导体设备公司 用于动态控制离子束能量及角度的设备及方法
US9666461B1 (en) * 2016-02-05 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor process and semiconductor processing device using the same
CN107403723A (zh) * 2017-06-20 2017-11-28 上海华力微电子有限公司 一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法
CN109361358A (zh) * 2018-09-03 2019-02-19 昆山睿力得软件技术有限公司 一种自动化功能测试设备
CN110534427A (zh) * 2019-09-06 2019-12-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 刻蚀方法
CN110581095A (zh) * 2019-09-27 2019-12-17 中国科学院微电子研究所 一种刻蚀装置及刻蚀方法
CN111584356A (zh) * 2020-06-01 2020-08-25 长江存储科技有限责任公司 刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备
CN112444350A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 长鑫存储技术有限公司 机台压力泄漏测试方法、装置、存储介质和电子设备
CN112802773A (zh) * 2019-11-13 2021-05-14 长鑫存储技术有限公司 半导体系统及半导体工艺方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020095754A1 (en) * 2001-01-23 2002-07-25 United Microelectronics Corp. System and method for status settings of semiconductor equipment with multi chambers
US6968245B2 (en) * 2002-08-13 2005-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Flexible recipe modeling and recipe cluster management system
US9280151B2 (en) * 2012-05-15 2016-03-08 Wafertech, Llc Recipe management system and method
CN106292557B (zh) 2015-05-22 2018-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种控制机台自动测机的时间间隔约束方法
US10386829B2 (en) * 2015-09-18 2019-08-20 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for controlling an etch process

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5425840A (en) * 1992-10-07 1995-06-20 Photomeca Automated process for making flexible plates from a sheet introduced sensitive side facing upwards and device for implementing the process
JPH11111702A (ja) * 1997-08-04 1999-04-23 Toshiba Corp 薄膜のドライエッチング方法および薄膜半導体装置の製造方法
US6589599B1 (en) * 1999-04-12 2003-07-08 Saes Getters S.P.A. Easily loaded and unloaded getter device for reducing evacuation time and contamination in a vacuum chamber and method for use of same
TW200426638A (en) * 2003-05-23 2004-12-01 Taiwan Semiconductor Mfg An automation process switch device
CN106463613A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 瓦里安半导体设备公司 用于动态控制离子束能量及角度的设备及方法
CN107045997A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件
US9666461B1 (en) * 2016-02-05 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor process and semiconductor processing device using the same
CN107403723A (zh) * 2017-06-20 2017-11-28 上海华力微电子有限公司 一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法
CN109361358A (zh) * 2018-09-03 2019-02-19 昆山睿力得软件技术有限公司 一种自动化功能测试设备
CN112444350A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 长鑫存储技术有限公司 机台压力泄漏测试方法、装置、存储介质和电子设备
CN110534427A (zh) * 2019-09-06 2019-12-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 刻蚀方法
CN110581095A (zh) * 2019-09-27 2019-12-17 中国科学院微电子研究所 一种刻蚀装置及刻蚀方法
CN112802773A (zh) * 2019-11-13 2021-05-14 长鑫存储技术有限公司 半导体系统及半导体工艺方法
CN111584356A (zh) * 2020-06-01 2020-08-25 长江存储科技有限责任公司 刻蚀过程的控制方法、控制装置、存储介质和刻蚀设备

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