CN113652653A - 一种半导体激光器腔面镀膜方法 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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Abstract
本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜方法,包括镀膜炉和转动架,转动架位于镀膜炉的内部,转动架的底部均设置有挂杆,挂杆的顶部固定连接有固定块。本发明通过设置镀膜炉、转动架、挂杆、固定块、限位组件、调节组件和定位组件的配合使用,使用者先沿着挂杆的轨迹来调节滑套与放置杆的位置,使其到达一个适当的位置,之后通过定位组件与定位槽之间的配合来对滑套进行定位,之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆上,之后向下推动调节组件,调节组件与限位组件配合快速将固定块卡入对应卡槽内部,完成定位,解决了现有镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉工作效率的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体激光器技术领域,尤其涉及一种半导体激光器腔面镀膜方法。
背景技术
半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器,为了提高半导体激光器的发光效率,通常会使用到镀膜炉在半导体激光器腔面进行镀膜,现有的镀膜炉由于放置杆位于挂杆上位置处于固定状态,无法合理对不同大小工件合理的安排空间,且挂杆与镀膜炉内部转动架连接方式是以螺纹进行连接,极容易发生卡死导致难以将其取出和连接,极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉的工作效率,现有技术存在的问题是:镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉工作效率。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法,具备节约镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时人力和时间,提示提高镀膜炉工作效率的优点,解决了现有镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉工作效率的问题。
本发明是这样实现的,一种半导体激光器腔面镀膜方法,包括镀膜炉和转动架,所述转动架位于镀膜炉的内部,所述转动架的底部均设置有挂杆,所述挂杆的顶部固定连接有固定块,所述固定块的内部设置有限位组件,两个固定块相互远离的一侧均设置有调节组件,所述转动架的底部开设有与固定块配合使用的卡槽,所述卡槽的内壁开设有与限位组件配合使用的限位槽,所述挂杆的表面套设有四个滑套,所述滑套的两侧均固定连接有放置杆,所述滑套的前侧和后侧均设置有定位组件,所述挂杆的前侧和后侧均开设有定位组件配合使用的定位槽;
镀膜方法第一步:先沿着挂杆的轨迹来调节滑套与放置杆的位置,使其到达一个适当的位置,合理的运用空间,之后通过定位组件与定位槽之间的配合来对滑套进行定位;
第二步:之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆上,之后向下推动调节组件,调节组件与限位组件配合快速将固定块卡入对应卡槽内部,完成定位;
第三步:最后启动镀膜炉,将涂层材料做为靶阴极,利用氩离子轰击靶材,产生阴极溅射,把靶材原子溅射到半导体激光器工件上形成沉积层的一种镀膜完成对镀膜,最后再将其取出。
作为本发明优选的,所述限位组件包括定位块和两个滑杆,所述滑杆靠近定位块的一侧与定位块的表面固定连接,所述定位块的顶部与固定块的内壁固定连接,所述滑杆远离定位块的一侧设置有限位杆,所述限位杆与限位槽配合使用,所述限位杆的底部固定连接有传动块,所述传动块的前侧通过第一转轴活动连接有传动杆,所述传动杆与调节组件配合使用。
作为本发明优选的,所述调节组件包括活动块和两个压缩弹簧,所述压缩弹簧的顶部与活动块的底部固定连接,所述活动块的前侧固定连接有调节杆,所述调节杆的前侧贯穿至固定块的前侧,所述活动块的顶部固定连接有连接块,所述传动杆靠近连接块的一侧通过第二转轴与连接块的表面活动连接。
作为本发明优选的,所述定位组件包括U型块、转动杆和转动块,所述转动杆位于U型块的内部,所述转动杆的两侧均与U型块的内壁固定连接,所述转动块套设于转动杆的表面,所述转动块的两侧均固定连接有扭力弹簧,所述扭力弹簧远离转动块的一侧与U型块的内壁固定连接,所述转动块远离滑套的一侧固定连接有连接板,所述连接板靠近滑套一侧的顶部固定连接有定位杆,所述定位杆与定位槽配合使用。
作为本发明优选的,所述定位槽的数量为若干,且均匀分布于滑杆的两侧。
作为本发明优选的,所述活动块的两侧均固定连接有滑块,所述固定块的内壁开设有与滑块配合使用的滑槽。
作为本发明优选的,所述限位杆靠近滑杆的一侧开设有滑动孔,所述滑动孔与滑杆配合使用。
作为本发明优选的,所述挂杆的数量为若干,且均匀分布于转动架的底部。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
1、本发明通过设置镀膜炉、转动架、挂杆、固定块、限位组件、调节组件和定位组件的配合使用,使用者先沿着挂杆的轨迹来调节滑套与放置杆的位置,使其到达一个适当的位置,之后通过定位组件与定位槽之间的配合来对滑套进行定位,之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆上,之后向下推动调节组件,调节组件与限位组件配合快速将固定块卡入对应卡槽内部,完成定位,解决了现有镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉工作效率的问题。
2、本发明通过设置限位组件,能够通过对准固定块与卡槽之间的位置,将固定块推入对应卡槽内部,之后通过限位组件与限位槽之间的配合来对固定块与挂杆进行定位,提高了固定块与挂杆的稳定性。
3、本发明通过设置调节组件,能够通过向下推动调节杆,调节杆与调节组件之间配合,使限位杆缩回固定块内部,之后便可以快速对挂杆与转动架进行连接或取出,方便了使用者使用。
4、本发明通过设置定位组件,能够对滑套与放置杆位置进行调节,更合理的对挂杆上放置杆的位置进行连接。
5、本发明通过设置定位槽,能够通过定位组件与定位槽之间配合,可以快速对滑套位置进行调节。
6、本发明通过设置滑块和滑槽,能够限制活动块的位置,为活动块提供移动轨迹,同时避免活动块移动时位置发生偏移。
7、本发明通过设置滑动孔,能够使限制限位杆的位置,使限位杆更加稳定。
8、本发明通过设置挂杆,能够对半导体激光器工件起到支撑作用,同时为滑套提供移动轨迹。
附图说明
图1是本发明实施例提供的结构示意图;
图2是本发明实施例提供镀膜炉前视的剖视图;
图3是本发明实施例提供图2中A处的局部放大图;
图4是本发明实施例提供图2中B处的局部放大图;
图5是本发明实施例提供固定块前视的剖视图;
图6是本发明实施例提供转动架的立体图;
图7是本发明实施例提供定位组件的立体图;
图8是本发明实施例提供U型块右视的剖视图。
图中:1、镀膜炉;2、转动架;3、挂杆;4、固定块;5、限位组件;501、定位块;502、滑杆;503、限位杆;504、传动块;505、传动杆;6、调节组件;601、活动块;602、压缩弹簧;603、调节杆;604、连接块;7、卡槽;8、限位槽;9、滑套;10、放置杆;11、定位组件;1101、U型块;1102、转动杆;1103、转动块;1104、扭力弹簧;1105、连接板;1106、定位杆;12、定位槽;13、滑块;14、滑槽;15、滑动孔。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下。
下面结合附图对本发明的结构作详细的描述。
如图1至图8所示,本发明实施例提供的一种半导体激光器腔面镀膜方法,包括镀膜炉1和转动架2,转动架2位于镀膜炉1的内部,转动架2的底部均设置有挂杆3,挂杆3的顶部固定连接有固定块4,固定块4的内部设置有限位组件5,两个固定块4相互远离的一侧均设置有调节组件6,转动架2的底部开设有与固定块4配合使用的卡槽7,卡槽7的内壁开设有与限位组件5配合使用的限位槽8,挂杆3的表面套设有四个滑套9,滑套9的两侧均固定连接有放置杆10,滑套9的前侧和后侧均设置有定位组件11,挂杆3的前侧和后侧均开设有定位组件11配合使用的定位槽12;
镀膜方法第一步:先沿着挂杆3的轨迹来调节滑套9与放置杆10的位置,使其到达一个适当的位置,合理的运用空间,之后通过定位组件11与定位槽12之间的配合来对滑套9进行定位;
第二步:之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆10上,之后向下推动调节组件6,调节组件6与限位组件5配合快速将固定块4卡入对应卡槽7内部,完成定位;
第三步:最后启动镀膜炉1,将涂层材料做为靶阴极,利用氩离子轰击靶材,产生阴极溅射,把靶材原子溅射到半导体激光器工件上形成沉积层的一种镀膜完成对镀膜,最后再将其取出。
参考图5,限位组件5包括定位块501和两个滑杆502,滑杆502靠近定位块501的一侧与定位块501的表面固定连接,定位块501的顶部与固定块4的内壁固定连接,滑杆502远离定位块501的一侧设置有限位杆503,限位杆503与限位槽8配合使用,限位杆503的底部固定连接有传动块504,传动块504的前侧通过第一转轴活动连接有传动杆505,传动杆505与调节组件6配合使用。
采用上述方案:通过设置限位组件5,能够通过对准固定块4与卡槽7之间的位置,将固定块4推入对应卡槽7内部,之后通过限位组件5与限位槽8之间的配合来对固定块4与挂杆3进行定位,提高了固定块4与挂杆3的稳定性。
参考图4和图5,调节组件6包括活动块601和两个压缩弹簧602,压缩弹簧602的顶部与活动块601的底部固定连接,活动块601的前侧固定连接有调节杆603,调节杆603的前侧贯穿至固定块4的前侧,活动块601的顶部固定连接有连接块604,传动杆505靠近连接块604的一侧通过第二转轴与连接块604的表面活动连接。
采用上述方案:通过设置调节组件6,能够通过向下推动调节杆603,调节杆603与调节组件6之间配合,使限位杆503缩回固定块4内部,之后便可以快速对挂杆3与转动架2进行连接或取出,方便了使用者使用。
参考图3、图7和图8,定位组件11包括U型块1101、转动杆1102和转动块1103,转动杆1102位于U型块1101的内部,转动杆1102的两侧均与U型块1101的内壁固定连接,转动块1103套设于转动杆1102的表面,转动块1103的两侧均固定连接有扭力弹簧1104,扭力弹簧1104远离转动块1103的一侧与U型块1101的内壁固定连接,转动块1103远离滑套9的一侧固定连接有连接板1105,连接板1105靠近滑套9一侧的顶部固定连接有定位杆1106,定位杆1106与定位槽12配合使用。
采用上述方案:通过设置定位组件11,能够对滑套9与放置杆10位置进行调节,更合理的对挂杆3上放置杆10的位置进行连接。
参考图2、图3、图5和图6,定位槽12的数量为若干,且均匀分布于滑杆502的两侧。
采用上述方案:通过设置定位槽12,能够通过定位组件11与定位槽12之间配合,可以快速对滑套9位置进行调节。
参考图5,活动块601的两侧均固定连接有滑块13,固定块4的内壁开设有与滑块13配合使用的滑槽14。
采用上述方案:通过设置滑块13和滑槽14,能够限制活动块601的位置,为活动块601提供移动轨迹,同时避免活动块601移动时位置发生偏移。
参考图5,限位杆503靠近滑杆502的一侧开设有滑动孔15,滑动孔15与滑杆502配合使用。
采用上述方案:通过设置滑动孔15,能够使限制限位杆503的位置,使限位杆503更加稳定。
参考图2、图3、图4、图5和图6,挂杆3的数量为若干,且均匀分布于转动架2的底部。
采用上述方案:通过设置挂杆3,能够对半导体激光器工件起到支撑作用,同时为滑套9提供移动轨迹。
本发明的工作原理:
在使用时,使用者按动连接板1105的底部使连接板1105带动转动块1103围绕转动杆1102进转动,从而使定位杆1106离开定位槽12的内部,之后便可以对滑套9与滑杆502的位置进行调节,最大化合理的使用空间,之后松开连接板1105,扭力弹簧1104产生的扭力带动转动块1103进行转动,转动块1103带动连接板1105进行转动使定位杆1106进入定位槽12的内部,从而固定滑套9与放置杆10的位置,之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆10上,向下推动调节杆603,调节杆603带动活动块601向下移动,活动块601带动连接块604向下移动,连接块604带动传动杆505通过与第一转轴与第二转轴之间的配合拉动传动块504向靠近定位块501的一侧移动,传动块504带动限位杆503缩回固定块4的内部,此时对准卡槽7与固定块4的位置,便可以快速将挂杆3与转动架2进行连接,之后松开调节杆603,压缩弹簧602产生的弹力带动活动块601向上移动,活动块601带动连接块604向上移动,连接块604带动传动杆505通过与第一转轴和第二转轴之间的配合推动传动块504向远离定位块501的一侧移动,传动块504带动限位杆503使限位杆503进入限位槽8内部,从而固定固定块4的位置,进而固定挂杆3的位置,之后依次将多个挂杆3与转动架2进行连接,启动镀膜炉1,将涂层材料做为靶阴极,利用氩离子轰击靶材,产生阴极溅射,把靶材原子溅射到半导体激光器工件上形成沉积层的一种镀膜完成对镀膜,有效填补了该领域的空缺。
综上所述:该半导体激光器腔面镀膜方法,通过设置镀膜炉1、转动架2、挂杆3、固定块4、限位组件5、调节组件6和定位组件11的配合使用,使用者先沿着挂杆3的轨迹来调节滑套9与放置杆10的位置,使其到达一个适当的位置,之后通过定位组件11与定位槽12之间的配合来对滑套9进行定位,之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆10上,之后向下推动调节组件6,调节组件6与限位组件5配合快速将固定块4卡入对应卡槽7内部,完成定位,解决了现有镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间,同时降低镀膜炉工作效率的问题。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种半导体激光器腔面,包括镀膜炉(1)和转动架(2),其特征在于:所述转动架(2)位于镀膜炉(1)的内部,所述转动架(2)的底部均设置有挂杆(3),所述挂杆(3)的顶部固定连接有固定块(4),所述固定块(4)的内部设置有限位组件(5),两个固定块(4)相互远离的一侧均设置有调节组件(6),所述转动架(2)的底部开设有与固定块(4)配合使用的卡槽(7),所述卡槽(7)的内壁开设有与限位组件(5)配合使用的限位槽(8),所述挂杆(3)的表面套设有四个滑套(9),所述滑套(9)的两侧均固定连接有放置杆(10),所述滑套(9)的前侧和后侧均设置有定位组件(11),所述挂杆(3)的前侧和后侧均开设有定位组件(11)配合使用的定位槽(12);
镀膜方法第一步:先沿着挂杆(3)的轨迹来调节滑套(9)与放置杆(10)的位置,使其到达一个适当的位置,合理的运用空间,之后通过定位组件(11)与定位槽(12)之间的配合来对滑套(9)进行定位;
第二步:之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆(10)上,之后向下推动调节组件(6),调节组件(6)与限位组件(5)配合快速将固定块(4)卡入对应卡槽(7)内部,完成定位;
第三步:最后启动镀膜炉(1),将涂层材料做为靶阴极,利用氩离子轰击靶材,产生阴极溅射,把靶材原子溅射到半导体激光器工件上形成沉积层的一种镀膜完成对镀膜,最后再将其取出。
2.如权利要求1所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述限位组件(5)包括定位块(501)和两个滑杆(502),所述滑杆(502)靠近定位块(501)的一侧与定位块(501)的表面固定连接,所述定位块(501)的顶部与固定块(4)的内壁固定连接,所述滑杆(502)远离定位块(501)的一侧设置有限位杆(503),所述限位杆(503)与限位槽(8)配合使用,所述限位杆(503)的底部固定连接有传动块(504),所述传动块(504)的前侧通过第一转轴活动连接有传动杆(505),所述传动杆(505)与调节组件(6)配合使用。
3.如权利要求2所述的一种半导体激光器腔面镀膜方法,其特征在于:所述调节组件(6)包括活动块(601)和两个压缩弹簧(602),所述压缩弹簧(602)的顶部与活动块(601)的底部固定连接,所述活动块(601)的前侧固定连接有调节杆(603),所述调节杆(603)的前侧贯穿至固定块(4)的前侧,所述活动块(601)的顶部固定连接有连接块(604),所述传动杆(505)靠近连接块(604)的一侧通过第二转轴与连接块(604)的表面活动连接。
4.如权利要求1所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述定位组件(11)包括U型块(1101)、转动杆(1102)和转动块(1103),所述转动杆(1102)位于U型块(1101)的内部,所述转动杆(1102)的两侧均与U型块(1101)的内壁固定连接,所述转动块(1103)套设于转动杆(1102)的表面,所述转动块(1103)的两侧均固定连接有扭力弹簧(1104),所述扭力弹簧(1104)远离转动块(1103)的一侧与U型块(1101)的内壁固定连接,所述转动块(1103)远离滑套(9)的一侧固定连接有连接板(1105),所述连接板(1105)靠近滑套(9)一侧的顶部固定连接有定位杆(1106),所述定位杆(1106)与定位槽(12)配合使用。
5.如权利要求4所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述定位槽(12)的数量为若干,且均匀分布于滑杆(502)的两侧。
6.如权利要求3所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述活动块(601)的两侧均固定连接有滑块(13),所述固定块(4)的内壁开设有与滑块(13)配合使用的滑槽(14)。
7.如权利要求2所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述限位杆(503)靠近滑杆(502)的一侧开设有滑动孔(15),所述滑动孔(15)与滑杆(502)配合使用。
8.如权利要求1所述的一种半导体激光器腔面,其特征在于:所述挂杆(3)的数量为若干,且均匀分布于转动架(2)的底部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110831024.1A CN113652653A (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体激光器腔面镀膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110831024.1A CN113652653A (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体激光器腔面镀膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113652653A true CN113652653A (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=78477701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110831024.1A Pending CN113652653A (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体激光器腔面镀膜方法 |
Country Status (1)
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- 2021-07-22 CN CN202110831024.1A patent/CN113652653A/zh active Pending
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