CN113641027B - 液晶面板的制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种液晶面板的制作方法、显示面板,液晶面板的制作方法包括:将对盒后的显示面板进行切边,露出显示面板两侧下方的阵列基板,阵列基板上的引脚外露;对引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照;液晶配向完成后,对显示面板进行第二次紫外光照。本申请通过在液晶配向时对数据线或屏蔽电极进行加压,能够使液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,并使像素电极边缘的预倾角超过像素电极内部的预倾角,从而在驱动时减少暗纹宽度,继而提升穿透率。

Description

液晶面板的制作方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种液晶面板的制作方法、显示面板。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)逐渐成为显示面板的主流。TFT-LCD主要包括阵列(Array)基板和彩膜基板(Color Filter,CF),以及配置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层(Liquid Crystal,LC)。TFT-LCD常用的一种液晶显示模式是垂直配向模式(Vertically Alignment,VA),VA模式液晶显示器由于在不同视野角下,液晶分子双折射率差异较大,所以色偏现象比较严重。为了改善VA显示的色偏,目前的主流VA产品多采用8畴(Domain)显示的像素设计。
现有技术中,通常是在成盒后对显示面板进行光配向,且对于液晶层的配向一般采用FSA(Fine Slit vertical Alignment)的光配向技术,FSA光配向的流程为:将对盒后的显示面板进行切边,露出面板两侧下方的阵列基板,阵列基板上的引脚(pad)外露;使用外加电源电压装置对pad进行连接通电,以给显示面板加压,同时对显示面板进行第一次紫外光照,使得液晶倾斜及框胶固化;最后对显示面板进行第二次紫外光照,使得残留的反应型单体(Reactive monomer,RM)完全反应。
然而,现有的产品在进行标准液晶光配向时,对数据线(Data)或屏蔽电极的电压往往采用与上板(彩膜基板)电压相同的低电压,这样会使像素边缘的配向电压与像素内电压相同或更低,从而导致像素边缘配向力较低、暗纹较宽,继而造成穿透率下降。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种液晶面板的制作方法、显示面板,能够解决像素边缘配向力较低、暗纹较宽导致的穿透率下降的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的第一技术方案是提供一种液晶面板的制作方法,包括:将对盒后的显示面板进行切边,露出显示面板两侧下方的阵列基板,阵列基板上的引脚外露;对引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照;液晶配向完成后,对显示面板进行第二次紫外光照。
其中,数据线或屏蔽电极与上板的电压差等于像素电极与上板的电压差,第一金属层或存储电容与上板的电压差为零。
其中,数据线或屏蔽电极与上板的电压差大于像素电极与上板的电压差,第一金属层或存储电容与上板的电压差大于像素电极与上板的电压差。
其中,像素电极与上板的电压差、第一金属层或存储电容与上板的电压差以及数据线或屏蔽电极与上板的电压差之间呈等差数列方式排布。
其中,等差数列的公差为2。
其中,像素电极与上板的电压差为7V,第一金属层或存储电容与上板的电压差为9V,数据线或屏蔽电极与上板的电压差为11V。
其中,第二次紫外光照的时间或强度大于第一次紫外光照的时间或强度。
其中,在对引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照的步骤中,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向的时间持续到液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加。
为解决上述技术问题,本申请采用的第二技术方案是提供一种显示面板,包括阵列基板、液晶以及与阵列基板对应设置的上板,液晶位于阵列基板与上板之间;阵列基板上设有多根相互平行的栅极线和多根相互平行的数据线,栅极线和数据线垂直相交限定出多个像素单元;液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,像素单元边缘所对应的液晶的预倾角大于像素单元中间部分所对应的液晶的预倾角。
其中,像素单元均包括主像素区和子像素区,主像素区和子像素区内均设有相互交叉的横向主干电极、竖向主干电极,横向主干电极和竖向主干电极将主像素区、子像素区分成四个液晶配向区。
本申请的有益效果是:区别于现有技术,本申请提供一种液晶面板的制作方法、显示面板,通过对像素电极周边线路的配向电压进行加压,并使数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,能够使液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,并使像素电极边缘的预倾角超过像素电极内部的预倾角,从而在驱动时减少暗纹宽度,继而提升穿透率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请液晶面板的制作方法一实施方式的流程示意图;
图2是图1中步骤S11形成的显示面板的结构示意图;
图3是图1中步骤S12中第二实施例里施加电压后像素边缘的液晶配向示意图;
图4是本申请显示面板一实施方式的俯视结构示意图;
图5是图4中的显示面板的像素单元的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上文清楚地表示其他含义,“多种”一般包含至少两种,但是不排除包含至少一种的情况。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
请参阅图1,图1是本申请液晶面板的制作方法一实施方式的流程示意图。如图1所示,在本实施方式中,该液晶面板的制作方法包括:
S11:将对盒后的显示面板进行切边,露出显示面板两侧下方的阵列基板,阵列基板上的引脚外露。
本实施方式中,在对盒工艺完成后,需要将上下对盒后的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板切割形成显示面板,并使阵列基板上的引脚外露,以便后续对引脚进行通电。
具体地,请参阅图2,图2是图1中步骤S11形成的显示面板的架构示意图。
如图2所示,显示面板100包括主像素电极(Main Pixel)101、子像素电极(SubPixel)102、屏蔽电极103以及第一金属层104。
其中,主像素电极101包括a、b、c三个断面,又或者是a、b、c三处像素边缘。
其中,屏蔽电极103设置在COM-ITO玻璃层上,且COM-ITO玻璃层上还形成有数据线以及第二公共电极(M2 COM),屏蔽电极103与数据线在通电压时同步导通。
其中,第一金属层104上形成有第一公共电极(M1 COM)以及存储电容。
S12:对引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照。
在本实施方式的第一实施例中,数据线或屏蔽电极与上板的电压差等于像素电极与上板的电压差,第一金属层或存储电容与上板的电压差为零。
具体地,通过外加电源电压装置对引脚进行通电,以为主像素电极101以及子像素电极102进行加压,同时对数据线或屏蔽电极103以及第一金属层104或存储电容加压,直至数据线或屏蔽电极103与上板的电压差等于主像素电极101以及子像素电极102与上板的电压差,第一金属层104或存储电容与上板的电压差为零。
例如,上板电压为0V,对主像素电极101以及子像素电极102进行施压,直至主像素电极101以及子像素电极102上的电压均为7V,同时对数据线或屏蔽电极103加压,直至数据线或屏蔽电极103上的电压同样为7V,此时数据线或屏蔽电极103与上板的电压差等于主像素电极101或子像素电极102与上板的电压差,均为7V,而第一金属层104或存储电容与上板的电压差等于0。
可以理解地,数据线或屏蔽电极以及第一金属层或存储电容上的电压等于像素电极电压,能够在一定程度上使像素电极边缘的预倾角得到提升,但还是较像素电极内部的预倾角稍低。
因此,本实施提供第二实施例。
在本实施方式的第二实施例中,结构方面与第一实施例并无不同,只不过还同时对其中的第一金属层或存储电容加压,数据线或屏蔽电极与上板的电压差大于像素电极与上板的电压差,第一金属层或存储电容与上板的电压差大于像素电极与上板的电压差。
通过此种方式,可以更好的使像素电极边缘的液晶的预倾角得到提升,其效果比第一实施例中的效果更佳。
本实施例中,像素电极与上板的电压差、第一金属层或存储电容与上板的电压差以及数据线或屏蔽电极与上板的电压差之间呈等差数列方式排布。通过此种方式,能够使像素电极边缘的液晶的预倾角得到提升的同时,还能够使液晶的预倾角的变化更加规则,有利于提升用户的视觉体验。
在其他实施例中,只要满足像素电极与上板的电压差<第一金属层或存储电容与上板的电压差<数据线或屏蔽电极与上板的电压差即可,本申请对此不作限定。
具体地,通过外加电源电压装置对引脚进行通电,并为主像素电极101以及子像素电极102进行加压,同时对数据线或屏蔽电极103以及第一金属层104或存储电容加压,直至数据线或屏蔽电极103与上板的电压差大于主像素电极101以及子像素电极102与上板的电压差,且第一金属层104或存储电容与上板的电压差大于主像素电极101以及子像素电极102与上板的电压差,同时确保数据线或屏蔽电极103与上板的电压差大于第一金属层104或存储电容与上板的电压差。
例如,上板电压为0V,对主像素电极101以及子像素电极102进行施压,直至主像素电极101以及子像素电极102上的电压均为7V,同时对数据线或屏蔽电极103以及第一金属层104或存储电容加压,直至第一金属层104或存储电容上的电压为9V,而数据线或屏蔽电极103上的电压为11V,此时主像素电极101以及子像素电极102与上板的电压差、第一金属层104或存储电容与上板的电压差以及数据线或屏蔽电极103与上板的电压差之间呈等差数列方式排布,且等差数列的公差为2。
具体地,请参阅图3,图3是图1中步骤S12中第二实施例里施加电压后像素边缘的液晶配向示意图。如图3所示,下板10包括主像素电极101、子像素电极102、屏蔽电极103以及第一金属层104,其中,在主像素电极101的a/c断面中,上板20与下板10之间的液晶30在主像素电极101到屏蔽电极103上的预倾角逐渐增加。在主像素电极101的b断面中,上板20与下板10之间的液晶30在主像素电极101到子像素电极102上的预倾角也在逐渐增加。
本申请的发明人经过长期的实验,发现第二实施例中显示面板在驱动时的暗纹宽度低于第一实施例中的暗纹宽度,且第二实施例中显示面板在驱动时的穿透率相较第一实施例提升了7%。
可以理解地,通过对像素电极周边线路(屏蔽电极以及第一金属层)的配向电压进行加压,能够更加有效地使液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,并能确保像素电极边缘的预倾角超过像素电极内部的预倾角,从而在驱动时减少暗纹宽度,继而提升穿透率。
进一步地,本实施方式中,为主像素电极101以及子像素电极102进行加压,同时对数据线或屏蔽电极103加压,以对液晶进行配向的时间持续到液晶在主像素电极101到数据线或屏蔽电极103上的预倾角逐渐增加。
可以理解地,通过控制液晶配向时间,能够确保液晶在主像素电极101到数据线或屏蔽电极103上的预倾角逐渐增加。
本实施方式中,加压的同时进行第一次紫外光照是为了曝光以形成蚀刻线路。
S13:液晶配向完成后,对显示面板进行第二次紫外光照。
本实施方式中,对显示面板进行第二次紫外光照是为了使显示面板上残留的RM反应完全。
其中,第二次紫外光照的时间或强度大于第一次紫外光照的时间或强度。
可以理解地,第一次紫外光照是对显示面板进行曝光,以初步形成图形线路,此时仍有相当一部分RM残留在液晶组合物中,第二次紫外光照需要完全去除这些残留的RM,需要更多的紫外光源能量。
区别于现有技术,本实施方式提供的液晶面板的制作方法,通过对像素电极周边线路的配向电压进行加压,并使数据线或屏蔽电极与上板的电压差不小于像素电极与上板的电压差,能够使液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,并使像素电极边缘的预倾角超过像素电极内部的预倾角,从而在驱动时减少暗纹宽度,继而提升穿透率。
请参阅图4,图4是本申请显示面板一实施方式的俯视结构示意图。在本实施方式中,显示面板20中包括阵列基板(未图示)、液晶(未图示)以及与阵列基板对应设置的上板21。液晶位于阵列基板与上板21之间,阵列基板上形成有多个像素单元22。
阵列基板上设有多根相互平行的栅极线和多根相互平行的数据线,栅极线和数据线垂直相交限定出多个像素单元。
请进一步参阅图5,图5是图4中的显示面板的像素单元的结构示意图。每个像素单元22均包括主像素区和子像素区,主像素区和子像素区内均设有相互交叉的横向主干电极、竖向主干电极,横向主干电极和竖向主干电极将主像素区、子像素区分成四个液晶配向区,每个液晶配向区内均设有像素电极,像素电极201用于为液晶配向。
第一金属层204或存储电容环绕部分像素电极201。实际上,第一金属层204与存储电容为同层金属层形成,仅因位置不同以及作用不同便作为不同的命名。屏蔽电极203环绕像素电极201设置,数据线202位于像素电极的一侧,且由屏蔽电极203围绕。
由于在制造时,采用上述实施例的液晶面板的制作方法而制作,因此液晶在像素电极201到数据线202或屏蔽电极203上的预倾角逐渐增加,像素单元22边缘所对应的液晶的预倾角大于像素单元22中间部分所对应的液晶的预倾角。
可以理解地,由于显示面板内的液晶在像素电极到数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,故能够在驱动时减少暗纹宽度,继而提升穿透率。
以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种液晶面板的制作方法,其特征在于,包括:
将对盒后的显示面板进行切边,露出所述显示面板两侧下方的阵列基板,所述阵列基板上的引脚外露;
对所述引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,所述数据线或所述屏蔽电极与上板的电压差不小于所述像素电极与所述上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照;其中,所述屏蔽电极环绕所述像素电极设置,所述数据线位于所述像素电极的一侧,且由所述屏蔽电极环绕;
所述液晶配向完成后,对所述显示面板进行第二次紫外光照;
其中,所述第二次紫外光照的时间或强度大于所述第一次紫外光照的时间或强度。
2.根据权利要求1所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,
所述数据线或所述屏蔽电极与所述上板的电压差等于所述像素电极与所述上板的电压差,第一金属层或存储电容与所述上板的电压差为零。
3.根据权利要求1所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,
所述数据线或所述屏蔽电极与所述上板的电压差大于所述像素电极与所述上板的电压差,第一金属层或存储电容与所述上板的电压差大于所述像素电极与所述上板的电压差。
4.根据权利要求3所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,
所述像素电极与所述上板的电压差、所述第一金属层或所述存储电容与所述上板的电压差以及所述数据线或所述屏蔽电极与所述上板的电压差之间呈等差数列方式排布。
5.根据权利要求4所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,所述等差数列的公差为2。
6.根据权利要求5所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,
所述像素电极与所述上板的电压差为7V,所述第一金属层或所述存储电容与所述上板的电压差为9V,所述数据线或所述屏蔽电极与所述上板的电压差为11V。
7.根据权利要求1所述的液晶面板的制作方法,其特征在于,在所述对所述引脚进行通电,为像素电极进行加压,同时对数据线或屏蔽电极加压,以对液晶进行配向,所述数据线或所述屏蔽电极与上板的电压差不小于所述像素电极与所述上板的电压差,并同时进行第一次紫外光照的步骤中,为所述像素电极进行加压,同时对所述数据线或所述屏蔽电极加压,以对所述液晶进行配向的时间持续到所述液晶在所述像素电极到所述数据线或所述屏蔽电极上的预倾角逐渐增加。
8.一种显示面板,包括:阵列基板、液晶以及与所述阵列基板对应设置的上板,所述液晶位于所述阵列基板与所述上板之间;所述阵列基板上设有多根相互平行的栅极线和多根相互平行的数据线,栅极线和数据线垂直相交限定出多个像素单元;其特征在于,
所述液晶在所述像素电极到所述数据线或屏蔽电极上的预倾角逐渐增加,所述像素单元边缘所对应的所述液晶的预倾角大于所述像素单元中间部分所对应的所述液晶的预倾角;
其中,所述屏蔽电极环绕所述像素电极设置,所述数据线位于所述像素电极的一侧,且由所述屏蔽电极环绕。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元均包括主像素区和子像素区,所述主像素区和所述子像素区内均设有相互交叉的横向主干电极、竖向主干电极,所述横向主干电极和所述竖向主干电极将所述主像素区、所述子像素区分成四个液晶配向区。
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