CN113595562A - 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器 - Google Patents

软数据处理方法、装置、存储介质及解码器 Download PDF

Info

Publication number
CN113595562A
CN113595562A CN202110842690.5A CN202110842690A CN113595562A CN 113595562 A CN113595562 A CN 113595562A CN 202110842690 A CN202110842690 A CN 202110842690A CN 113595562 A CN113595562 A CN 113595562A
Authority
CN
China
Prior art keywords
soft
data
target
decoding
soft data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110842690.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113595562B (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hosin Global Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hosin Global Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hosin Global Electronics Co Ltd filed Critical Hosin Global Electronics Co Ltd
Priority to CN202110842690.5A priority Critical patent/CN113595562B/zh
Publication of CN113595562A publication Critical patent/CN113595562A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113595562B publication Critical patent/CN113595562B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
    • H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
    • H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
    • H03M13/11—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits using multiple parity bits
    • H03M13/1102—Codes on graphs and decoding on graphs, e.g. low-density parity check [LDPC] codes
    • H03M13/1105—Decoding
    • H03M13/1111—Soft-decision decoding, e.g. by means of message passing or belief propagation algorithms
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
    • H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
    • H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
    • H03M13/11—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits using multiple parity bits
    • H03M13/1102—Codes on graphs and decoding on graphs, e.g. low-density parity check [LDPC] codes
    • H03M13/1105—Decoding
    • H03M13/1128—Judging correct decoding and iterative stopping criteria other than syndrome check and upper limit for decoding iterations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Probability & Statistics with Applications (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)

Abstract

本申请公开一种软数据处理方法、装置、存储介质及解码器。该方法包括：获取目标软数据；进行软解码；若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值减小，获取第一软数据；从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差；将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值增大，获取第二软数据；从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差；若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大。本申请可以减少解码时间。

Description

软数据处理方法、装置、存储介质及解码器
技术领域
本申请涉及解码器技术领域，具体涉及一种软数据处理方法、装置、存储介质及解码器。
背景技术
随着技术的发展，解码器的应用越来越广泛。诸如低密度奇偶校验码(LowDensity Parity Check Code，LDPC)解码器在解码时分为硬解码和软解码。相关技术中，利用LDPC解码器的主控固件(Firmware，FW)下达不同的电压阈值，以得到Flash不同的软数据(soft data)，然后对该软数据进行软判决软译码。通过对不同电压阈值的调整，可以得到不同的软数据，以得到更好的纠错更正能力。电压阈值一般是由Flash厂商提供或根据研发人员的测试经验值获取，Flash厂商提供的电压阈值较多，对每个电压阈值都要一一测试，耗费较多的时间，导致解码时间较长。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种软数据处理方法、装置、存储介质及解码器，以改善现有方案解码时间较长的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种软数据处理方法，包括：
获取目标电压阈值对应的目标软数据；
对所述目标软数据进行软解码；
若软解码失败，则将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
从硬件电路获取所述第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对所述第一软数据进行软解码；
将所述目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码；
若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足所述预设条件。
可选的，所述将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，包括：
将所述第一数量差与所述第二数量差进行比较；
若所述第一数量差小于或等于所述第二数量差，则将所述第一数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值；
若所述第一数量差大于所述第二数量差，则将所述第二数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值。
可选的，所述调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，包括：
将所述预设电压变化阈值按照目标预设值进行减小，并执行下一次软解码流程中的将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，至获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码。
可选的，所述预设条件为软解码成功或达到预设最大重读次数。
可选的，在所述从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，则将所述软解码成功时对应的电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
可选的，在所述从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若对所述第一软数据进行软解码或对所述第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，则软解码失败，确定所述第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。
可选的，在所述对所述目标软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若软解码成功，则将所述目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
可选的，在所述获取目标电压阈值对应的目标软数据之后，所述方法还包括：
对所述目标软数据进行硬解码；
若硬解码成功，则将所述目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值；
若硬解码失败，则进入所述对所述目标软数据进行软解码的流程。
可选的，所述第一目标数据为0，所述第二目标数据为1。
可选的，所述第一目标数据为低可信度数据，所述第二目标数据为高可信度数据。
第二方面，本申请实施例提供一种软数据处理装置，包括：
第一获取模块，用于获取目标电压阈值对应的目标软数据；
第一解码模块，用于对所述目标软数据进行软解码；
第二获取模块，用于若软解码失败，则将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
第二解码模块，用于从硬件电路获取所述第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对所述第一软数据进行软解码；
第三获取模块，用于将所述目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
第三解码模块，用于从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码；
第四解码模块，用于若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足所述预设条件。
第三方面，本申请实施例提供一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上执行时，使得所述计算机执行本申请实施例提供的软数据处理方法中的流程。
第四方面，本申请实施例还提供一种解码器，包括存储器和处理器，所述处理器通过调用所述存储器中存储的计算机程序，用于本申请实施例提供的软数据处理方法中的流程。
在本申请实施例的软数据处理方法、装置、存储介质及解码器中，解码器可以获取目标电压阈值对应的目标软数据，对目标软数据进行软解码；若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；然后从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码；将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；然后从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码；若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，硬件电路通过第一数量差与第二数量差的大小确定第一目标数据与第二目标数据的数量差的走势，可以减速判断的时间，进而进一步确定目标电压阈值的调整方向，以得到更好的目标电压阈值，从而得到最佳的软数据。前面解码时的目标电压阈值设定正确，后面解码时调整目标电压阈值的次数也会相应减少。因此，本申请实施例可以减少解码时间。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的软数据处理方法的流程示意图；
图2是相关技术中提供的软数据获取的场景示意图；
图3是本申请实施例提供的软数据处理方法的另一流程示意图；
图4是本申请实施例提供的软数据处理方法的场景示意图；
图5是本实施例提供的通过调整Flash的电压阈值得到的测试结果示意图；
图6是本申请实施例提供的软数据处理装置的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的解码器的结构示意图。
具体实施方式
请参照图示，其中相同的组件符号代表相同的组件，本申请的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
可以理解的是，本申请实施例的执行主体可以是解码器(即译码器)，是一种解码装置。在实际场景中，解码器的具体表现形式，本申请实施例不予以限制。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的软数据处理方法的流程示意图。该软数据处理方法的流程可以包括：
101、获取目标电压阈值对应的目标软数据。
随着技术的发展，解码器的应用越来越广泛。诸如LDPC解码器在解码时分为硬解码和软解码。相关技术中，利用LDPC解码器的主控固件下达不同的电压阈值，以得到Flash不同的软数据。
请参阅图2，图2是相关技术中提供的软数据获取的场景示意图。其中的RV指的是电压，1st、2nd、3rd、4th、5th、6th、7th是不同的电压阈值，利用Flash的指令，可以得到1-5位的软数据，图2中以4位的软数据作为示例进行说明，4位的软数据为HB、SB1、SB2、SB3，图2中有8个软数据，每个软数据包含4个位，可以对该8个软数据分配不同的权值，比如，按照从左至右的顺序，给该8个软数据的可信度依次分配为+7、+5、+3、+1、-1、-3、-5、-7，其中+7、-7为高可信度，+1、-1为低可信度，+5、-5为较高可信度，+3、-3为较低可信度，然后对软数据进行软判决软译码。当然对于软数据的可信度，也可以仅存在+7、-7为高可信度，+1、-1为低可信度两种可信度的软数据。
通过对不同电压阈值的调整，可以得到不同的软数据，以得到更好的纠错更正能力。经由主控固件控制电压阈值，电压阈值一般是由Flash厂商提供或根据研发人员的测试经验值获取，从只读存储器(Read Only Memory，ROM)读到预设电压阈值可以得到不同的软数据。由于Flash厂商提供的电压阈值较多，对每个电压阈值都要一一测试，会耗费较多的时间，导致解码时间较长。
为了解决上述问题，本申请实施例提供一种软数据处理方法，其利用硬件电路来统计第一目标数据与第二数目标数据的数量，根据第一目标数据与第二目标数据的数量差的走势，以控制电压阈值调整的方向，即控制电压阈值减小或增大，从而减少解码时间，以下将对其进行详细说明。
具体而言，本申请实施例中，解码器可以获取目标电压阈值对应的目标软数据。由于不同的电压阈值对应不同的软数据，可以将不同的电压阈值以对应的软数据存储在存储器中，如存储在Flash中。
软数据在Flash的存储单元中以电荷形式存储，通过控制内部电荷的多少，可以存储多个不同的电压阈值，以存储不同的软数据。软数据的表示以所存储的电荷的电压是否超过某个特定的电压阈值来表示。比如，Flash的单个存储单元中所存储电荷的电压与某个特定的阈值电压相比，若大于该特定的阈值电压，则表示的软数据是1，若小于该特定的阈值电压，则表示的软数据是0，以及在某些实施方式中，该软数据还包括各个数据以及其对应的可信度数据。
当需要获取与某个电压阈值对应的软数据时，可以从存储器中读取目标电压阈值(即当前需要的电压阈值)，然后获取与该目标电压阈值对应的目标软数据。
102、对目标软数据进行软解码。
本申请实施例中，当获取到目标软数据后，可以对该目标软数据进行软解码。需要说明的是，LDPC纠错中的软解码不仅有重复读取的操作，还将多次读取的参数根据情况进行微调，取得多组不同的软数据，再将这些读取到的软数据结合对数似然比(Log-likelihood Ratio)进行多次迭代运算，最终完成LDPC软解码。
103、若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据。
本申请实施例中，当第一次读完目标软数据后，若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，比如，将目标电压阈值标记为Vth，将预设电压变化阈值标记为ΔV，当第一次读完目标软数据后，若软解码失败，则将目标电压阈值Vth减少预设电压变化阈值ΔV，减少后得到Vth-ΔV，然后获取与该Vth-ΔV对应的第一软数据，即第二次读取的是第一软数据。
需要说明的是，预设电压变化阈值ΔV的大小可以是变化的，即可以根据具体需求进行相应调整，本申请实施例对该预设电压变化阈值ΔV的大小不做特别限制。
104、从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码。
本申请实施例中，通过硬件电路统计第一软数据中第一目标数据与第二目标数据的数量，然后计算第一目标数据与第二目标数据的第一数量差，即计算第一软数据中第一目标数据的数量与第二目标数据的数量之间的差距，并对该第一软数据进行软解码。
比如，在一种实施例中，第一目标数据可以是0，第二目标数据可以是1。硬件电路统计第一软数据中0与1的数量，然后计算0与1的第一数量差，并对第一软数据进行软解码。
在另一实施例中，当软数据仅存低可信度+1、-1和高可信度+7、-7时，第一目标数据可以是低可信度数据，第二目标数据可以是高可信度数据，例如，低可信度数据的数量为269个，高可信度数据的数量为223个，则可以用低可信度数据的数量减去高可信度数据的数量，即第一目标数据的数量减去第二目标数据的数量，经过计算得到第一目标数据与第二目标数据的第一数量差为46。
105、将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据。
本申请实施例中，将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，比如，将目标电压阈值Vth增大预设电压变化阈值ΔV，增大后得到Vth+ΔV，然后获取与该Vth+ΔV对应的第二软数据，即第三次读取的是第二软数据。
106、从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码。
本申请实施例中，通过硬件电路统计第二软数据中第一目标数据与第二目标数据的数量，然后计算第一目标数据与第二目标数据的第二数量差，即计算第二软数据中第一目标数据的数量与第二目标数据的数量之间的差距，并对该第二软数据进行软解码。
比如，在一种实施例中，第一目标数据可以是0，第二目标数据可以是1。硬件电路统计第二软数据中0与1的数量，然后计算0与1的第一数量差，并对第二软数据进行软解码。
在另一实施例中，当软数据仅存低可信度+1、-1和高可信度+7、-7时，第一目标数据为低可信度数据，例如统计得到低可信度数据的数量为253个，第二目标数据为高可信度数据，高可信度数据的数量为276个，则可以用低可信度数据的数量减去高可信度数据的数量，从而得到第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差为-23。
107、若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足预设条件。
本申请实施例中，若第一软数据的软解码未满足预设条件，或者第二软数据的软解码未满足预设条件，其中，该预设条件是由软件事先设定的，将第一数量差与第二数量差进行比较，将其中较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值。比如，将第一数量差标记为L1，将第二数量差标记为R1，若L1>R1，则表示目标电压阈值应该往右调，即增大，若L1≤R1，则表示目标电压阈值应该往左调，即减小，这样，通过硬件电路可以得知目标电压阈值应该增大或减小。
在另一实施例中，当软数据仅存低可信度+1、-1和高可信度+7、-7时，第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差为46，第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差为-23，第一数量差大于第二数量差，则表示目标电压阈值应该往右调，即增大；若第一数量差小于或等于第二数量差，则表示目标电压阈值应该往左调，即减小，这样，通过硬件电路可以得知目标电压阈值应该增大或减小。
然后调整预设电压变化阈值的大小，如将预设电压变化阈值减小，以进行细调，并进入下一次软解码流程中，即进入103中的将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，并重新依次执行103至106的流程，直至满足预设条件。
可以理解的是，本申请实施例中，解码器可以获取目标电压阈值对应的目标软数据，对目标软数据进行软解码；若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；然后从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码；将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；然后从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码；若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，硬件电路通过第一数量差与第二数量差的大小确定第一目标数据与第二目标数据的数量差的走势，可以减速判断的时间，进而进一步确定目标电压阈值的调整方向，以得到更好的目标电压阈值，从而得到最佳的软数据。前面解码时的目标电压阈值设定正确，后面解码时调整目标电压阈值的次数也会相应减少。因此，本申请实施例可以减少解码时间。
请参阅图3，图3是本申请实施例提供的软数据处理方法的另一流程示意图。图3中，该软数据处理方法的流程可以包括：
201、获取目标电压阈值对应的目标软数据。
步骤201的具体实施可参见步骤101的实施例，在此不再赘述。
202、对目标软数据进行硬解码。
本申请实施例中，在获取到目标软数据后，可以对该目标软数据进行硬解码。对于硬解码，只将硬判决的数据作为输入，只需一次读取就能实现。硬判决是简单通过设定电压阈值来输出结果，将闪存读取的电压阈值转换成二进制，大于0的判断为1，小于0的判断为0。LDPC硬解码执行起来延迟较低。
203、若硬解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
比如，诸如Nand Flash由很多个块(Block)组成，每个块里面又包含了很多页(page)，每一个页对应还有一块区域，叫做空闲区域(spare area)/冗余区域(redundantarea)。数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做错误码修正(Error Checking and Correcting，ECC)单元，所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。同一页中可以有多个错误码修正单元。
本申请实施例中，若硬解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
204、若硬解码失败，则进入对目标软数据进行软解码的流程。
本申请实施例中，若硬解码失败，则开始进入对目标软数据进行软解码的流程。
205、若软解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
本申请实施例中，若软解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
206、若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据。
步骤206的具体实施可参见步骤103的实施例，在此不再赘述。
207、从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码。
步骤207的具体实施可参见步骤104的实施例，在此不再赘述。
208、将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据。
步骤208的具体实施可参见步骤105的实施例，在此不再赘述。
209、从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码。
步骤209的具体实施可参见步骤106的实施例，在此不再赘述。
210、若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足预设条件。
步骤210的具体实施可参见步骤107的实施例，在此不再赘述。
比如，在一种实施例中，210中的预设条件可以为软解码成功或达到预设最大重读次数。
比如，在一种实施例中，210中的将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，可以包括：
将第一数量差与第二数量差进行比较；
若第一数量差小于或等于第二数量差，则将第一数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值；
若第一数量差大于第二数量差，则将第二数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值。
例如，将第一数量差L1与第二数量差R1进行比较，若第一数量差L1≤第二数量差R1，说明应该将目标电压阈值减小，则将第一数量差L1对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值，若第一数量差L1＞第二数量差R1，说明应该将目标电压阈值增大，则将第二数量差R1对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值，详细阐述可参见上述实施例。
比如，在一种实施例中，210中的调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大，可以包括：
将预设电压变化阈值按照目标预设值进行减小，并执行下一次软解码流程中的将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，至获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码。
例如，将目标预设值标记为V1，将预设电压变化阈值ΔV按照目标预设值V1进行减小，即将预设电压变化阈值的大小调整为ΔV-V1，这样可以使得目标电压阈值在下一次的减小和增大时，其减小和增大的幅度比上一次减小和增大的幅度逐渐减小，以更精准的找到较好的目标电压阈值。可以理解的是，若对第一软数据的软解码或对第二软数据的软解码失败，则对目标电压阈值再往左(减小)及往右(增大)各调一次，即第4次读取软数据和第5次读取软数据，直到达到达到预设最大重读次数或解码成功，用硬件电路实现的目的是为了加速判断的时间。
211、若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，将软解码成功时对应的电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
由于Flash中同一页的数据的特性差不多，本申请实施例中，若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，则将软解码成功时对应的电压阈值作为同一页中下一个错误码修正单元的设定初始值。这样可以减小下一个错误码修正单元调整目标电压阈值的次数，以减少解码时间。
212、若对第一软数据进行软解码或对第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，则软解码失败，确定第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。
比如，本申请实施例中，若对第一软数据进行软解码或对第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，即对第一软数据进行软解码或对第二软数据进行软解码时的重读次数已经达到预设最大重读次数，此时软解码还未成功，由于已经达到了预设最大重读次数，此后不再进行解码，即软解码失败，且确定第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。所谓坏块指的是一个块中含有1个或多个位是坏的。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的软数据处理方法的场景示意图。在第一次读完目标软数据后，若软解码失败，将目标电压阈值往左调(调小)，得到第二次读的0与1的数量差(即数量差距)L1，然后将目标电压阈值往右调(调大)，得到第三次读的0与1的数量差R1。若L1>R1，则表示目标电压阈值应该往右调。若L1≤R1,则表示目标电压阈值应该往左调。这样，硬件电路可以得知目标电压阈值应该往右调或往左调。
经调整后，如果软解码成功，则结束，若软解码失败，再对目标电压阈值往左及往右各调一次(4th,5th read)，直到等于预设最大重读次数或解码成功。用硬件电路实现的目的是为了加速判断的时间。
通过硬件电路统计0与1的数量差的走势，可以得到较好的目标电压阈值Vth(Offset),得到最佳的软数据，以使得解码器解码成功，不仅增进了纠错更正能力，且因为Flash同一页的特性差不多，所以前面ECC单元的目标电压阈值设定正确时，同一页中后面的ECC单元的目标电压阈值调整的次数也因为重读次数减少而缩短了解码时间，即缩短主控芯片重读命令(Retry command)下发的次数，实现硬件对目标电压阈值Vth的自动追踪功能(Hardware Vth adaptive tracking)。
可以理解的是，本申请实施例中，利用硬件电路来统计0与1的数量，从而得知目标电压阈值往左调或往右调。另外，通过增加扰码器(Scramble)，所以可以实现直流平衡，在软数据正确时，1的数量与0的数量很接近。
请参阅图5，图5是本申请实施例提供的通过调整Flash的电压阈值得到的测试结果示意图。图5中，succ表示解码成功，fail表示解码失败，通过人工调整Flash的电压阈值Vth的偏移量(Offset)，会改变错误记数器记录的错误位以及测试结果对错，根据测试结果可知，电压阈值Vth的偏移量在08h-0eh之间是解码成功的，其余值则解码失败。在0与1相差小的情况下，也可能解码失败，例如图5中0与1的数量差距为4时，解码失败。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的软数据处理装置的结构示意图。软数据处理装置300可以包括：第一获取模块301、第一解码模块302、第二获取模块303、第二解码模块304、第三获取模块305、第三解码模块306和第四解码模块307。
其中，第一获取模块301，用于获取目标电压阈值对应的目标软数据；
第一解码模块302，用于对目标软数据进行软解码；
第二获取模块303，用于若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
第二解码模块304，用于从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码；
第三获取模块305，用于将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
第三解码模块306，用于从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码；
第四解码模块307，用于若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足预设条件。
在一种实施例中，第四解码模块307可以用于：将第一数量差与第二数量差进行比较；若第一数量差小于或等于第二数量差，则将第一数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值；若第一数量差大于第二数量差，则将第二数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值。
在一种实施例中，第四解码模块307可以用于：将预设电压变化阈值按照目标预设值进行减小，并执行下一次软解码流程中的将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，至获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码。
在一种实施例中，预设条件为软解码成功或达到预设最大重读次数。
在一种实施例中，第三解码模块306可以用于：若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，则将软解码成功时对应的电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
在一种实施例中，第三解码模块306可以用于：若对第一软数据进行软解码或对第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，则软解码失败，确定第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。
在一种实施例中，第一解码模块302可以用于：若软解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
在一种实施例中，第一获取模块301可以用于：对目标软数据进行硬解码；若硬解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值；若硬解码失败，则进入对目标软数据进行软解码的流程。
在一种实施例中，第一目标数据为0，第二目标数据为1。
在一种实施例中，第一目标数据为低可信度数据，第二目标数据为高可信度数据。
本申请实施例提供一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，当计算机程序在计算机上执行时，使得计算机执行如本实施例提供的软数据处理方法中的流程。
本申请实施例还提供一种解码器，包括存储器和处理器，处理器通过调用存储器中存储的计算机程序，用于执行本实施例提供的软数据处理方法中的流程。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的解码器的结构示意图。该解码器400可以包括存储器401、处理器402等部件。本领域技术人员可以理解，图7中示出的解码器结构并不构成对解码器的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
存储器401可用于存储应用程序和数据。存储器401存储的应用程序中包含有可执行代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器402通过运行存储在存储器401的应用程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。
处理器402是解码器400的控制中心，利用各种接口和线路连接整个解码器400的各个部分，通过运行或执行存储在存储器401内的应用程序，以及调用存储在存储器401内的数据，执行解码器的各种功能和处理数据，从而对解码器400进行整体监控。
在本实施例中，解码器400中的处理器402会按照如下的指令，将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行代码加载到存储器401中，并由处理器402来运行存储在存储器401中的应用程序，从而执行：
获取目标电压阈值对应的目标软数据；
对目标软数据进行软解码；
若软解码失败，则将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
从硬件电路获取第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对第一软数据进行软解码；
将目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码；
若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值，调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足预设条件。
在一种实施例中，处理器402在执行将第一数量差与第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为目标电压阈值时，还可以执行：将第一数量差与第二数量差进行比较；若第一数量差小于或等于第二数量差，则将第一数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值；若第一数量差大于第二数量差，则将第二数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值。
在一种实施例中，处理器402在执行调整预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对目标电压阈值按照预设电压变化阈值分别进行减小和增大时，还可以执行：将预设电压变化阈值按照目标预设值进行减小，并执行下一次软解码流程中的将目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，至获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码。
在一种实施例中，预设条件为软解码成功或达到预设最大重读次数。
在一种实施例中，处理器402在执行从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码之后，还可以执行：若第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，则将软解码成功时对应的电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
在一种实施例中，处理器402在执行从硬件电路获取第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对第二软数据进行软解码之后，还可以执行：若对第一软数据进行软解码或对第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，则软解码失败，确定第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。
在一种实施例中，处理器402在执行对目标软数据进行软解码之后，还可以执行：若软解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
在一种实施例中，处理器402在执行获取目标电压阈值对应的目标软数据之后，还可以执行：对目标软数据进行硬解码；若硬解码成功，则将目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值；若硬解码失败，则进入对目标软数据进行软解码的流程。
在一种实施例中，第一目标数据为0，第二目标数据为1。
在一种实施例中，第一目标数据为低可信度数据，第二目标数据为高可信度数据。
在本申请提供的解码器和可读存储介质的实施例中，包含了上述方法各实施例的全部技术特征，说明书拓展和解释内容与上述定位方法的各实施例适应性相同，在此不做再赘述。
本申请实施例还提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括计算机程序代码，当计算机程序代码在计算机上运行时，使得计算机执行如上各种可能的实施例中的方法。
本申请实施例还提供一种芯片，包括存储器和处理器，该存储器用于存储程序，处理器用于从存储器中调用并运行程序，使得安装有芯片的设备执行如上各种可能的实施例中的方法。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对软数据处理方法的详细描述，此处不再赘述。
本申请实施例提供的软数据处理装置与上文实施例中的软数据处理方法属于同一构思，在软数据处理装置上可以运行软数据处理方法实施例中提供的任一方法，其具体实现过程详见软数据处理方法实施例，此处不再赘述。
需要说明的是，对本申请实施例软数据处理方法而言，本领域普通技术人员可以理解实现本申请实施例软数据处理方法的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来控制相关的硬件来完成，计算机程序可存储于一计算机可读取存储介质中，如存储在存储器中，并被至少一个处理器执行，在执行过程中可包括如软数据处理方法的实施例的流程。其中，的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储器、随机存取记忆体(RAM，Random Access Memory)等。
对本申请实施例的软数据处理装置而言，其各功能模块可以集成在一个处理芯片中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中，存储介质譬如为只读存储器，磁盘或光盘等。
以上对本申请实施例所提供的一种软数据处理方法、装置、存储介质以及解码器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种软数据处理方法，其特征在于，包括：
获取目标电压阈值对应的目标软数据；
对所述目标软数据进行软解码；
若软解码失败，则将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
从硬件电路获取所述第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对所述第一软数据进行软解码；
将所述目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码；
若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足所述预设条件。
2.根据权利要求1所述的软数据处理方法，其特征在于，所述将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，包括：
将所述第一数量差与所述第二数量差进行比较；
若所述第一数量差小于或等于所述第二数量差，则将所述第一数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值；
若所述第一数量差大于所述第二数量差，则将所述第二数量差对应的电压阈值作为下一次软解码时的目标电压阈值。
3.根据权利要求1所述的软数据处理方法，其特征在于，所述调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，包括：
将所述预设电压变化阈值按照目标预设值进行减小，并执行下一次软解码流程中的将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据，至获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码。
4.根据权利要求1所述的软数据处理方法，其特征在于，所述预设条件为软解码成功或达到预设最大重读次数。
5.根据权利要求4所述的软数据处理方法，其特征在于，在所述从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码成功，则将所述软解码成功时对应的电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
6.根据权利要求4所述的软数据处理方法，其特征在于，在所述从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若对所述第一软数据进行软解码或对所述第二软数据进行软解码时的重读次数达到预设最大重读次数，则软解码失败，确定所述第一软数据或第二软数据所在的块是坏块。
7.根据权利要求1所述的软数据处理方法，其特征在于，在所述对所述目标软数据进行软解码之后，所述方法还包括：
若软解码成功，则将所述目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值。
8.根据权利要求1所述的软数据处理方法，其特征在于，在所述获取目标电压阈值对应的目标软数据之后，所述方法还包括：
对所述目标软数据进行硬解码；
若硬解码成功，则将所述目标电压阈值作为下一个错误码修正单元的设定初始值；
若硬解码失败，则进入所述对所述目标软数据进行软解码的流程。
9.根据权利要求1所述的软数据处理方法，所述第一目标数据为0，所述第二目标数据为1。
10.根据权利要求1所述的软数据处理方法，所述第一目标数据为低可信度数据，所述第二目标数据为高可信度数据。
11.一种软数据处理装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于获取目标电压阈值对应的目标软数据；
第一解码模块，用于对所述目标软数据进行软解码；
第二获取模块，用于若软解码失败，则将所述目标电压阈值按照预设电压变化阈值进行减小，并获取对应的第一软数据；
第二解码模块，用于从硬件电路获取所述第一软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第一数量差，并对所述第一软数据进行软解码；
第三获取模块，用于将所述目标预设阈值电压按照预设电压变化阈值进行增大，并获取对应的第二软数据；
第三解码模块，用于从硬件电路获取所述第二软数据中第一目标数据与第二目标数据之间的第二数量差，并对所述第二软数据进行软解码；
第四解码模块，用于若所述第一软数据的软解码或第二软数据的软解码未满足预设条件，则将所述第一数量差与所述第二数量差中的较小值对应的电压阈值作为所述目标电压阈值，调整所述预设电压变化阈值，并进入下一次软解码流程中的对所述目标电压阈值按照所述预设电压变化阈值分别进行减小和增大，直至满足所述预设条件。
12.一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，当所述计算机程序在计算机上执行时，使得所述计算机执行如权利要求1至10中任一项所述的方法。
13.一种解码器，其特征在于，包括存储器和处理器，其特征在于，所述处理器通过调用所述存储器中存储的计算机程序，用于执行如权利要求1至10中任一项所述的方法。
CN202110842690.5A 2021-07-23 2021-07-23 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器 Active CN113595562B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110842690.5A CN113595562B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110842690.5A CN113595562B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113595562A true CN113595562A (zh) 2021-11-02
CN113595562B CN113595562B (zh) 2023-05-09

Family

ID=78249695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110842690.5A Active CN113595562B (zh) 2021-07-23 2021-07-23 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113595562B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8990665B1 (en) * 2011-04-06 2015-03-24 Densbits Technologies Ltd. System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding
CN107039080A (zh) * 2015-10-30 2017-08-11 希捷科技有限公司 使用基于经解码数据的误码率的读取阈值电压自适应
CN107068187A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 希捷科技有限公司 似然值指派针对每一读取重试在不同读取电压处改变正负号的读取重试操作
US20180268919A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 SK Hynix Inc. Data storage device and operating method thereof
CN109426580A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 爱思开海力士有限公司 数据存储设备及其操作方法
CN112181714A (zh) * 2020-10-30 2021-01-05 深圳安捷丽新技术有限公司 一种固态硬盘纠错方法、装置、存储设备及存储介质
CN112185450A (zh) * 2019-07-02 2021-01-05 爱思开海力士有限公司 存储器系统、存储器控制器和用于操作存储器系统的方法
CN112562766A (zh) * 2020-12-23 2021-03-26 深圳大普微电子科技有限公司 一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8990665B1 (en) * 2011-04-06 2015-03-24 Densbits Technologies Ltd. System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding
CN107039080A (zh) * 2015-10-30 2017-08-11 希捷科技有限公司 使用基于经解码数据的误码率的读取阈值电压自适应
CN107068187A (zh) * 2016-02-11 2017-08-18 希捷科技有限公司 似然值指派针对每一读取重试在不同读取电压处改变正负号的读取重试操作
US20180268919A1 (en) * 2017-03-20 2018-09-20 SK Hynix Inc. Data storage device and operating method thereof
CN109426580A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 爱思开海力士有限公司 数据存储设备及其操作方法
CN112185450A (zh) * 2019-07-02 2021-01-05 爱思开海力士有限公司 存储器系统、存储器控制器和用于操作存储器系统的方法
CN112181714A (zh) * 2020-10-30 2021-01-05 深圳安捷丽新技术有限公司 一种固态硬盘纠错方法、装置、存储设备及存储介质
CN112562766A (zh) * 2020-12-23 2021-03-26 深圳大普微电子科技有限公司 一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘

Also Published As

Publication number Publication date
CN113595562B (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10417087B2 (en) System and method for adaptive multiple read of NAND flash
US9135106B2 (en) Read level adjustment using soft information
US7672162B2 (en) Non-volatile memory device, memory system, and LSB read method
US9348692B2 (en) Flash memory apparatus, memory controller and method for controlling flash memory
US9607701B2 (en) Systems and methods for dynamically programming a flash memory device
US8539289B2 (en) Memory testing system and method of computing device
CN103077095B (zh) 内存数据的纠错方法及装置及计算机系统
US8738989B2 (en) Method and apparatus for detecting free page and a method and apparatus for decoding error correction code using the method and apparatus for detecting free page
CN108664362B (zh) 内存镜像的处理方法、内存控制器及用户设备
CN113595562B (zh) 软数据处理方法、装置、存储介质及解码器
CN111459413B (zh) 提升ssd性能的方法、装置、计算机设备及存储介质
CN114913900A (zh) 静态ecc纠错的nand错误处理方法、装置、计算机设备及存储介质
US10055293B2 (en) High performance memory controller
US11176988B2 (en) Control method for memory and non-transitory computer-readable media
US11115063B2 (en) Flash memory controller, storage device and reading method
CN111142797B (zh) 一种固态硬盘刷新方法、装置及固态硬盘
CN111625200B (zh) 一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统
CN112540866B (zh) 存储器装置及其数据存取方法
US11088711B2 (en) Memory apparatus and data accessing method thereof
CN113707208B (zh) 用于非易失性存储装置的错误纠正的控制验证操作的方法及非易失性存储装置
US11955989B2 (en) Memory device and test method thereof
CN113626249B (zh) 一种固态硬盘的软解码方法、装置、设备及存储介质
US20240194282A1 (en) Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device
US20230409428A1 (en) Boot data reading system, boot data reading method, and processor circuit
CN111863106B (zh) 闪存纠错方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant