CN113594380A - 电致发光器件及制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电致发光器件,其包括相对设置的阴极和阳极,以及设置于阴极和阳极之间的红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元,相邻的子发光单元之间间隔设置;其中,红色子发光单元具有红色量子点发光层,绿色子发光单元具有绿色量子点发光层,蓝色子发光单元具有层叠设置的电子受体层和电子给体层,且电子给体层设置于阳极和电子受体层之间;电子给体层也同时设置于红色子发光单元与绿色子发光单元中,且分别设置于红色量子点发光层和阳极之间以及绿色量子点发光层和阳极之间。在实际制备上述电致发光器件时,上述电子给体层能够直接使用蒸镀法进行同时沉积,避免了对于结构不同的OLED和QLED在制备过程中需要设置掩膜的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子显示技术领域,尤其是涉及一种电致发光器件及制备方法、显示面板。
背景技术
相对于传统的液晶显示(LCD)技术,有机发光二极管(OLED)显示技术具有发光效率高、显示效果细腻的优点。因而由其制备成的显示屏也逐渐取代传统的LCD显示屏,成为目前的主流显示屏。然而,OLED所用的有机发光材料的光谱相比起新兴的量子点发光二极管(QLED),其发光光谱明显较宽,因而其显示效果不如QLED。但是目前QLED的发展水平也极为有限,红色和绿色QLED的寿命可以达到商用化的标准,而蓝色QLED的寿命却远不足以实现商用化,因此,将蓝色OLED与红绿QLED进行结合制备电致发光器件是一种可行的折中方案。
尽管OLED和QLED具有相似的结构,但是其部分层所使用的材料并不相同。传统的制备OLED和QLED各层的方法是蒸镀,但是在制备同时具有两种二极管的电致发光器件时,需要借助于精度极高的掩膜以在对应的位置分别沉积材料不同的层,工艺较为复杂。相比起蒸镀,喷墨打印法是一种材料利用率更高、成本更低且能够定位沉积的方法,有利于器件的大面积制备;但通过喷墨打印法制备各层时往往会造成临近层之间相互破坏的情况,从而导致器件失效。
发明内容
基于此,本发明的目的之一在于设计一种OLED和QLED结合的电致发光器件,以使得该电致发光器件在使用蒸镀法制备的过程中无需使用掩膜。
根据本发明的一个实施例,该电致发光器件包括:
相对设置的阴极和阳极;
间隔设置于所述阴极和所述阳极之间的红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;
其中,所述红色子发光单元包括红色量子点发光层;所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层;所述蓝色子发光单元包括层叠设置的电子受体层和电子给体层,且所述电子给体层分别独立地设置于所述电子受体层和所述阳极之间、所述红色量子点发光层和所述阳极之间、所述绿色量子点发光层和所述阳极之间。
在其中一个实施例中,在所述红色量子点发光层和阴极之间还设置有第一电子传输层;在所述绿色量子点发光层和阴极之间还设置有第二电子传输层;在所述电子受体层和阴极之间还设置有第三电子传输层。
在其中一个实施例中,所述第一电子传输层、所述第二电子传输层和所述第三电子传输层的材料各自独立地选自ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnLiO、TiO2、ZrO2和Nb2O5中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子受体层的材料选自:DBFTrz、BM-A10、BCP、TmPyPb、TPBi和BTPS中的至少一种;和/或
所述电子给体层的材料选自:DCDPA、TMPFPA、mCP和CDBP中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子给体层中还包括能够发射蓝光的荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光材料中的至少一种。
在其中一个实施例中,在各子发光单元的所述电子给体层和所述阳极之间均包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。
在其中一个实施例中,所述空穴传输层的材料选自mCBP、CBP、TCTA、TAPC、NPB和α-NPD中的至少一种;和/或
所述空穴注入层的材料选自:HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3和ReO3中的至少一种。
本发明的另一目的在于提供一种制备上述电致发光器件的制备方法,其包括如下步骤:
制备第一电极;
在所述第一电极上制备红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;
在所述红色子发光单元、所述绿色子发光单元和所述蓝色子发光单元上制备第二电极;
其中,所述第一电极是阴极或阳极,所述第二电极是与所述第一电极极性相反的电极;
所述红色子发光单元包括红色量子点发光层,所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层,所述蓝色子发光单元包括层叠设置的电子受体层和电子给体层,且所述电子给体层分别独立地设置于所述电子受体层和所述阳极之间、所述红色量子点发光层和所述阳极之间、所述绿色量子点发光层和所述阳极之间;
制备所述红色量子点发光层、所述绿色量子点发光层和所述电子受体层的方式为喷墨打印。
在其中一个实施例中,在所述红色量子点发光层和阴极之间还设置有第一电子传输层;在所述绿色量子点发光层和阴极之间还设置有第二电子传输层;在所述电子受体层和阴极之间还设置有第三电子传输层,所述第一电子传输层、所述第二电子传输层和所述第三电子传输层通过喷墨打印法制备。
本发明的再一目的在于提供一种显示器件,其包括:
设置有驱动器件的基板和设置在所述基板上的电致发光器件;
其中,所述驱动器件与所述电致发光器件电连接;
所述电致发光器件是根据权利要求上述任一实施例所述的电致发光器件,或是根据上述任一实施例所述的电致发光器件的制备方法制备得到的电致发光器件。
针对QLED和OLED发光层材料的不同,在上述电致发光器件中,将蓝色子发光单元设置为由电子受体层和电子给体层共同构成的激基复合材料实现发光,并同时将具有导通空穴作用的电子给体层设置于红色量子点发光层和绿色量子点发光层上,也不会破坏其发光功能;在实际制备过程中上述电子给体层能够直接使用蒸镀法同时进行沉积,避免了对于结构不同的OLED和QLED在制备过程中需要设置掩膜的问题,因此简化了制备工艺。
附图说明
图1为一实施例的设置有重复排列的电致发光器件的显示面板;
图2为图1中实施例的其中一个电致发光器件的截面结构示意图;
图3为一实施例的电致发光器件的红色子发光单元的结构示意图;
图4为一实施例的电致发光器件的蓝色子发光单元的结构示意图;
其中,各附图标记及其对应含义如下:
10:电致发光器件;20:基板;10R:红色子像素;10G:绿色子像素;10B:蓝色子像素;30:像素界定层;110:阴极;130:阳极;120R:红色子发光单元;121R:红色量子点发光层;122:电子给体层;120G:绿色子发光单元;121G:绿色量子点发光层;120B:蓝色子发光单元;121B:电子受体层;
221R:第一电子注入层;222R:红色量子点发光层;223R:电子给体层;224R:空穴传输层;225R:空穴注入层;221B:第三电子注入层;222B:电子受体层;223B:电子给体层;224B:空穴传输层;225B:空穴注入层。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”表示两个或两个以上项目的组合。
请参阅图1,本发明的一个实施例提供了一种显示面板,其包括设置有驱动器件(图中未示出)的基板20和设置在基板20上的重复排列的电致发光器件。以其中一个电致发光器件10为例,其包括红色子像素10R、绿色子像素10G和蓝色子像素10B。各附图标记中R/G/B为后缀,分别表示其对应于或属于红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。需要说明的是,图1示出的各子像素间的相对位置并非限定其真实的相对位置,技术人员可根据实际需求对此进行制备或设计。
请同时参阅图2,其示出了图1中的设置于基板20上的电致发光器件10的更详细的截面结构示意图。该电致发光器件10包括:相对设置的阴极110和阳极130,间隔设置于阴极110和阳极130之间的红色子发光单元120R、绿色子发光单元120G和蓝色子发光单元120B。红色子发光单元120R、绿色子发光单元120G和蓝色子发光单元120B之间间隔设置,彼此之间被像素界定层30间隔,使得各子发光单元之间独立发光,互不影响。每个子发光单元都具有相对设置的阴极和阳极。
结合图2可以理解,各子发光单元的阴极在制备过程中通常是同时形成的,且被像素界定层30间隔开,类似地,各子发光单元的阳极在制备过程中也通常是同时形成的。并且在本实施例提供的电致发光器件中,红色子发光单元和绿色子发光单元的结构除发光层之外其他结构基本相同,因此以其中的红色子发光单元120R作为代表对子发光单元进行阐述;通过对红色子发光单元具体结构的阐述,仅需要对特定层进行对应替换即可理解其他子发光单元的结构。
红色子发光单元120R包括红色量子点发光层121R;绿色子发光单元120G包括绿色量子点发光层121G;蓝色子发光单元120B包括层叠设置的电子受体层121B和电子给体层122,且电子给体层122分别独立地设置于电子受体层121B和阳极130之间、红色量子点发光层121R和阳极130之间、绿色量子点发光层121G和阳极130之间。具体的,如图2示出的,红色子发光单元120R至少包括红色量子点发光层121R和设于红色量子点发光层121R上的电子给体层122。同理,绿色子发光单元120G至少包括绿色量子点发光层121G和设于绿色量子点发光层121G上的电子给体层122。蓝色子发光单元120B至少包括电子受体层121B和设于电子受体层121B上的电子给体层122。
可以理解,红色子发光单元、绿色子发光单元与蓝色子发光单元具有各自的阴极及阳极,文中的提到的“阴极”或“阳极”可结合其上下文进行对应分辨及理解。各子发光单元的电极可以是连通的,也可以是被间隔开的,可按照技术人员的通常理解进行设置,这并不对本申请的技术方案构成特别限定。
作为该实施例的一个具体示例,阴极110的材料选自银、铝、镁银合金、IZO、IGZO、ITO、银/ITO、银/IZO、或银/IGZO。阳极130的材料选自银、铝或ITO。
可选地,对于蓝色子发光单元120B,其电子受体层121B的材料可选自:DBFTrz(2,8-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)二苯并[b,d]呋喃)、BM-A10(2,4-双[4-(二苯膦氧基)苯基]-吡啶)、BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲)、TmPyPb(1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)和BTPS(5',5””-磺酰基-双(1,1':3',1”-三联苯基))中的至少一种。
可选地,各子发光单元的电子给体层的材料共同选自:DCDPA(3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨)、TMPFPA(三[3-甲氧基-4-(9-苯基-9-芴基)苯基)胺)、mCP(9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)和CDBP(4,4'-双(9H-咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯)中的至少一种。
可选地,电子受体层121B和电子给体层122的材料组合选自:DBFTrz/DCDPA、BCP/TMPFPA、BM-A10/mCP或TmPyPb/CDBP,以使其构成的界面型激基复合物具备较好的发光性能。
上述各子发光单元的电子给体层可以是同时制备的,这意味着其在实际制备过程中能够通过蒸镀法同时沉积,无需使用掩膜。
另外,在电子给体层中还可以加入发射蓝光的荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光材料中的至少一种,作为专门的发光客体,则此时,界面型激基复合物将作为能量主体。
尽管上述各子发光单元的电子给体层是同时制备的,但其在各子发光单元中所起的作用并不完全相同。在有机发光的蓝色子发光单元中,电子给体层122和电子受体层121B共同构成界面型激基复合物实现发光。但是在红色和绿色子发光单元中,由于发光源为量子点发光层,因此其电子给体层仅起到传导空穴的作用,因为电子给体层的材料实际上也具备较好的传导空穴的能力,将其设置在量子点发光层靠近阳极130的一侧并不会影响量子点发光二极管整体的性能,甚至电子给体层所使用的部分材料还可以起到促进空穴传输的作用,提高量子点发光二极管的性能。当然,最主要的是,采用上述结构设计,可以避免电致发光器件在制备过程中,在不同的设备和工艺之间来回切换,节省了大量时间和人力物力成本。
因此,即使红色子发光单元120R和绿色子发光单元120G为量子点发光,蓝色子发光单元120B为有机发光,但通过上述结构的设计,可使得各色子发光单元之间除量子点发光层/电子受体层和电子传输层之间存在区别之外,其它各层均能够实现同时制备,避免了因制备不同种类的二极管带来的大量额外的工作,例如频繁使用掩膜。
在上述实施例的一个具体示例中,对于红色子发光单元120R,其红色量子点发光层121R的材料选自如下组合:CdSe/CdS、CdSe/CdSeS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdZnSe、CdSe/CdSeS、CdZnS/ZnS、ZnCdSeS和ZnCdSeS/ZnS,其中,以“/”间隔的化学式表示其为该化学式对应的材料构成的核壳结构,例如,对于CdSe/CdS,即表示其外层材料为CdSe,内层为CdS,对于其他类似的表示方式也应做相同理解。
在上述实施例的一个具体示例中,绿色子发光单元120G的绿色量子点发光层的材料选自如下组合:CdSe/CdS、CdSe/CdSeS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdZnSe、CdSe/CdSeS、CdZnS/ZnS、ZnCdSeS和ZnCdSeS/ZnS。需要说明的是,量子点发射光谱的波长(即颜色)与量子点的尺寸和材料具有直接关系。因此,可以理解地,本领域技术人员可以对上述材料的尺寸进行特定设计,从而获得发射所需红光或绿光的量子点。
在其他实施例中,红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元中还可以包括其他具有辅助作用的功能层。
请同时参阅图3,其示出了红色子发光单元进一步详细的结构。在该实施例中,其至少包括红色量子点发光层222R和设于红色量子点发光层222R上的电子给体层223R。可选地,为了提高器件的电子注入和空穴注入性能,其还包括第一电子注入层221R、空穴传输层224R以及空穴注入层225R中的至少一层。
与图2结合可知,作为一个详细的具体示例,在该红色子发光单元中,第一电子注入层221R设置于阴极上,红色量子点发光层222R设置于第一电子注入层221R上,电子给体层223R设置于红色量子点发光层222R上,空穴传输层224R设置于电子给体层223R上,空穴注入层225R设置于空穴传输层224R上,阳极设置于空穴注入层225R上。在实际工作过程中,带负电的电子从阴极导入,带正电的空穴从阳极导入,最终在红色量子点发光层222R处发生复合并使该层中的量子点材料发出红光。
与之类似,绿色子发光单元也包括绿色量子点发光层和设于绿色量子点发光层上的电子给体层;可选地,其还包括第二电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的至少一层。作为一个具体示例,在该绿色子发光单元中,第二电子注入层设置于阴极上,绿色量子点发光层设置于第二电子注入层上,电子给体层设置于绿色量子点发光层上,空穴传输层设置于电子给体层上,空穴注入层设置于空穴传输层上,阳极设置于空穴注入层上。在实际工作过程中,带负电的电子从阴极导入,带正电的空穴从阳极导入,最终在绿色量子点发光层处发生复合并使该层中的量子点材料发出绿光。
应当注意,蓝色子发光单元的发光机制为有机发光,因而蓝色子发光单元的结构与上述红色、绿色子发光单元略有区别。请参阅图4,其至少包括电子受体层222B和设于电子受体层222B上的电子给体层223B,电子受体层222B和电子给体层223B共同构成激基复合物以实现发光。可选地,为了提高器件的电子注入和空穴注入性能,其还包括第三电子注入层221B、空穴传输层224B以及空穴注入层225B中的至少一层。
作为一个详细的具体示例,在该蓝色子发光单元中,第一电子注入层221B设置于阴极上,电子受体层222B设置于第三电子注入层222B上,电子给体层223B设置于电子受体层223B上,空穴传输层224B设置于电子给体层223B上,空穴注入层225B设置于空穴传输层224B上,阳极设置于空穴注入层225B上。在实际工作过程中,带负电的电子从阴极导入,带正电的空穴从阳极导入,最终电子到达电子受体层222B,空穴到达电子给体层223B,并在两层的界面处发生复合发光。应当理解,需要选取能够发射蓝光的电子受体层材料和电子给体层材料。
另外,第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层的材料可以相同也可以不同,但由于电子传输层的材料多为金属氧化物,难以实现蒸镀制备,因此有必要通过溶液法进行制备。上述结构能够实现溶液法制备第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层。因为电子传输层所使用的墨水的溶剂是非极性的,而红色量子点发光层、绿色量子点发光层和电子受体层所使用的墨水的溶剂是极性的,非极性和极性溶剂在喷墨打印的过程中不会互相破坏。
另外,在各个颜色的子像素中,电子给体层、空穴传输层、空穴注入层都是相同的,能够同时沉积制备而无需使用掩膜。
在上述实施例的一个具体示例中,电子给体层的制备方式是蒸镀法。
在上述实施例的一个具体示例中,各子发光单元的电子传输层的材料各自独立地选自ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnLiO、TiO2、ZrO2和Nb2O5中的至少一种。
其中,ZnMgO可作本领域的一般理解,即掺镁氧化锌;ZnAlO、ZnGaO及ZnLiO可作类似理解。
在上述实施例的一个具体示例中,各子发光单元的空穴传输层的材料共同选自具有空穴传输能力的材料,例如,选自mCBP、CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)和α-NPD中的至少一种。
在上述实施例的一个具体示例中,各子发光单元的空穴注入层的材料共同选自具有空穴注入能力的材料,例如,选自HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)、F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)、MoO3、V2O5、WO3和ReO3中的至少一种。
在上述实施例的一个具体示例中,各子像素的空穴传输层和空穴注入层均由蒸镀法制备。在实际制备过程中,若采用喷墨打印法制备,该两层的材料会相互影响破坏,从而降低电致发光器件整体的寿命和发光性能。
作为优选的方案,上述实施例提供的电致发光器件的各子发光单元均为倒置结构,即阴极置于衬底上,并依次层叠设置各层,阳极置于表面。在另一个具体示例中,还可以采用正置结构,可以理解,只需要将各层依次翻转即可。
在制备同时包含QLED与OLED的电致发光器件时,由于二者的发光层的材料存在明显区别,在实际制备时考虑到该区别,倘若使用蒸镀法制备,则必须使用精度较高的掩膜以分别实现各自对应的材料的沉积。而上述电致发光器件别出心裁地将蓝色的OLED的发光层设置为激基复合物发光层,并且将其中的电子给体层的材料也同时作为QLED中能够起到导通空穴作用的导空穴层,使得实际上QLED和OLED之间只存在一层的区别,该层可以通过喷墨打印制备,避免了掩膜的使用,简化了制备工艺。
进一步,优选地,将电子传输层设置在电子受体层的另一侧,由于电子传输层的材料通常需要分散于极性溶剂中,而电子受体层的材料则与量子点类似,需要分散于非极性溶剂中,使得二者在喷墨打印制备过程中并不会互相影响破坏,因此设置于阴极上的电子传输层以及设置于电子传输层上的各量子点发光层和电子受体层也可以通过喷墨打印的方法制备,相当于简化了部分的制备工艺,具有可观的实际应用的前景。
根据本发明的一个实施例,其还提供了一种发光二极管的制备方法,其包括如下步骤:
制备第一电极;
在所述第一电极上制备红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;
在所述红色子发光单元、所述绿色子发光单元和所述蓝色子发光单元上制备第二电极;
其中,所述第一电极是阴极或阳极,所述第二电极是与所述第一电极极性相反的电极;
所述红色子发光单元包括红色量子点发光层,所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层,所述蓝色子发光单元包括层叠设置的电子受体层和电子给体层,且所述电子给体层分别独立地设置于所述电子受体层和所述阳极之间、所述红色量子点发光层和所述阳极之间、所述绿色量子点发光层和所述阳极之间;
制备所述红色量子点发光层、所述绿色量子点发光层和所述电子受体层的方式为喷墨打印。
具体的,上述发光二极管的制备方法包括如下步骤
步骤S1,制备第一电极;在该实施例中,第一电极为阴极。
步骤S2,在红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元的区域内通过喷墨打印法分别制备红色量子点发光层、绿色量子点发光层和电子受体层。
步骤S3,制备覆盖红色量子点发光层、绿色量子点发光层和电子受体层的电子给体层。
步骤S4,制备第二电极;在该实施例中,第二电极为阳极。
其中,在该实施例中,第一电极为阴极,第二电极为阳极;但在其他实施例中,第一电极也可以是阳极,第二电极与第一电极极性相反,为阴极。可以理解,同时也需要将各色子发光单元的各层及其制备顺序进行对应调整。
以下提供了包括上述制备方法的更具体的电致发光器件的制备过程,以便于对该技术方案的进一步理解。
在由像素定义层间隔开的图案化的阴极上,通过喷墨打印的方式在由像素界定层间隔的各像素槽内沉积分散有电子传输层材料的墨水,去除其溶剂,形成各子像素的电子传输层;
通过喷墨打印的方式,于预设的红色子发光单元的像素槽内沉积分散有第一量子点发光层材料的墨水,于预设的绿色子发光单元的像素槽内沉积分散有第二量子点发光层材料的墨水,于预设的蓝色子发光单元的像素槽内沉积分散有电子受体层材料的墨水,去除其溶剂,形成各量子点发光层和电子受体层。需要说明的是,在其他具体示例中,制备各量子点发光层和电子受体层的顺序也可以相互调换。
通过蒸镀的方式,在各像素槽内沉积电子给体层的材料,形成电子给体层。
通过蒸镀的方式,在各像素槽内沉积空穴传输层的材料,形成各子像素的空穴传输层。
通过蒸镀的方式,在各像素槽内沉积空穴注入层的材料,形成各子像素的空穴注入层。
通过蒸镀的方式形成各子像素槽内的阳极。
为了更易于理解及实现本发明,本发明还提供了如下较易实施的、更为具体详细的试验例作为参考。通过下述具体试验例的描述及性能结果,本发明的实施例以及优点也将更为明显。
以下各试验例和对比例中所用原料如无特殊说明,皆可从市场常规购得。
在下述各制备过程中,以RQLED表示作为红色子发光单元的量子点发光二极管;以GQLED表示作为绿色子发光单元的量子点发光二极管;以BOLED表示作为蓝色子发光单元的有机发光二极管。
实施例1
(1)以ITO/Ag/ZnO三层材料作为阴极,各层的厚度分别为15nm、100nm、15nm;
(2)按照设定的打印程序在RQLED和GQLED对应的像素槽内沉积ZnMgO纳米颗粒,然后真空干燥固化薄膜,作为其电子传输层,其中RQLED和GQLED对应的像素槽内的ZnMgO厚度分别为30nm和15nm;按照设定的打印程序在BOLED对应的像素槽里沉积ZrO2纳米颗粒,然后真空干燥固化薄膜,作为其电子传输层,ZrO2厚度为80nm;
(3)按照设定的打印程序在RQLED对应的像素槽内沉积红色量子点CdSe/ZnSe,然后真空干燥固化薄膜,作为其量子点发光层,CdSe/ZnSe的厚度为15nm;随后按照设定的打印程序在GQLED对应的像素槽内沉积绿色量子点ZnCdSeS/ZnS,然后真空干燥固化薄膜,作为其量子点发光层,ZnCdSeS/ZnS的厚度为10nm;再按照设定的打印程序在BOLED对应的像素槽里沉积电子受体材料BCP,作为其电子受体层,然后真空干燥固化薄膜,BCP厚度为15nm;
(4)在基板整面蒸镀TMPFPA,使得各像素槽内均沉积有TMPFPA,作为导空穴层或电子给体层,厚度为15nm;
(5)整面蒸镀NPB,使得各像素槽内均沉积有TMPFPA,作为各像素槽的空穴传输层,厚度为30nm;
(6)整面蒸镀MoO3,使得各像素槽内均沉积有MoO3,作为各像素槽的空穴注入层,厚度为10nm;
(7)整面蒸镀Ag作为各子像素的阳极,厚度为18nm。
实施例2
(1)以ITO/Ag/ZnO三层材料作为阴极,各层的厚度分别为15nm、100nm、15nm;
(2)按照设定的打印程序在RQLED和GQLED对应的像素槽内沉积ZnMgO纳米颗粒,然后真空干燥固化薄膜,作为其电子传输层,其中RQLED和GQLED对应的像素槽内的ZnMgO厚度分别为30nm和15nm;按照设定的打印程序在BOLED对应的像素槽里沉积ZrO2纳米颗粒,然后真空干燥固化薄膜,作为其电子传输层,ZrO2厚度为80nm;
(3)按照设定的打印程序在RQLED对应的像素槽内沉积红色量子点CdSe/ZnSe,然后真空干燥固化薄膜,作为其量子点发光层,CdSe/ZnSe的厚度为15nm;随后按照设定的打印程序在GQLED对应的像素槽内沉积绿色量子点ZnCdSeS/ZnS,然后真空干燥固化薄膜,作为其量子点发光层,ZnCdSeS/ZnS的厚度为10nm;再按照设定的打印程序在BOLED对应的像素槽里沉积电子受体材料BCP和荧光材料BePP2的混合材料,作为其电子受体层,然后真空干燥固化薄膜,混合材料的厚度为20nm;
(4)在基板整面蒸镀TMPFPA,使得各像素槽内均沉积有TMPFPA,作为导空穴层或电子给体层,厚度为15nm;
(5)整面蒸镀NPB,使得各像素槽内均沉积有TMPFPA,作为各像素槽的空穴传输层,厚度为30nm;
(6)整面蒸镀MoO3,使得各像素槽内均沉积有MoO3,作为各像素槽的空穴注入层,厚度为10nm;
(7)整面蒸镀Ag作为各子像素的阳极,厚度为18nm。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的一种较佳的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括:
相对设置的阴极和阳极;
间隔设置于所述阴极和所述阳极之间的红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;
其中,所述红色子发光单元包括红色量子点发光层;所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层;所述蓝色子发光单元包括层叠设置的电子受体层和电子给体层,且所述电子给体层分别独立地设置于所述电子受体层和所述阳极之间、所述红色量子点发光层和所述阳极之间、所述绿色量子点发光层和所述阳极之间。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,在所述红色量子点发光层和阴极之间还设置有第一电子传输层;在所述绿色量子点发光层和阴极之间还设置有第二电子传输层;在所述电子受体层和阴极之间还设置有第三电子传输层。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一电子传输层、所述第二电子传输层和所述第三电子传输层的材料各自独立地选自ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnGaO、ZnLiO、TiO2、ZrO2和Nb2O5中的至少一种。
4.根据权利要求1~3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子受体层的材料选自:DBFTrz、BM-A10、BCP、TmPyPb、TPBi和BTPS中的至少一种;和/或
所述电子给体层的材料选自:DCDPA、TMPFPA、mCP和CDBP中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子给体层中还包括能够发射蓝光的荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光材料中的至少一种。
6.根据权利要求1~3任一项所述的电致发光器件,其特征在于,在各子发光单元的所述电子给体层和所述阳极之间均包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。
7.根据权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料选自mCBP、CBP、TCTA、TAPC、NPB和α-NPD中的至少一种;和/或
所述空穴注入层的材料选自:HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3和ReO3中的至少一种。
8.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
制备第一电极;
在所述第一电极上制备红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;
在所述红色子发光单元、所述绿色子发光单元和所述蓝色子发光单元上制备第二电极;
其中,所述第一电极是阴极或阳极,所述第二电极是与所述第一电极极性相反的电极;
所述红色子发光单元包括红色量子点发光层,所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层,所述蓝色子发光单元包括层叠设置的电子受体层和电子给体层,且所述电子给体层分别独立地设置于所述电子受体层和所述阳极之间、所述红色量子点发光层和所述阳极之间、所述绿色量子点发光层和所述阳极之间;
制备所述红色量子点发光层、所述绿色量子点发光层和所述电子受体层的方式为喷墨打印。
9.根据权利要求8所述的一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,在所述红色量子点发光层和阴极之间还设置有第一电子传输层;在所述绿色量子点发光层和阴极之间还设置有第二电子传输层;在所述电子受体层和阴极之间还设置有第三电子传输层,所述第一电子传输层、所述第二电子传输层和所述第三电子传输层通过喷墨打印法制备。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
设置有驱动器件的基板和设置在所述基板上的电致发光器件;
其中,所述驱动器件与所述电致发光器件电连接;
所述电致发光器件是根据权利要求1~7任一项所述的电致发光器件,或是根据权利要求8~9任一项所述的电致发光器件的制备方法制备得到的电致发光器件。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018035948A1 (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置、其制备方法和基于其的显示装置 |
CN109494308A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN111146347A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | Tcl集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制备方法 |
-
2020
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018035948A1 (zh) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 发光二极管装置、其制备方法和基于其的显示装置 |
CN111146347A (zh) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | Tcl集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制备方法 |
CN109494308A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
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