CN113569617A - 指纹传感器和显示装置 - Google Patents

指纹传感器和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113569617A
CN113569617A CN202110410975.1A CN202110410975A CN113569617A CN 113569617 A CN113569617 A CN 113569617A CN 202110410975 A CN202110410975 A CN 202110410975A CN 113569617 A CN113569617 A CN 113569617A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
conductive layer
fingerprint
sensing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110410975.1A
Other languages
English (en)
Inventor
李政宪
金英植
金正学
具教原
崔熙妍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113569617A publication Critical patent/CN113569617A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02379—Fan-out arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明构思的示例性实施例提供一种指纹传感器和一种显示装置，所述指纹传感器包括：基底；传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；第一指纹焊盘，所述第一指纹焊盘设置在所述基底上；以及导电连接器，所述导电连接器连接到所述第一指纹焊盘并且施加有预定电压。所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。

Description

指纹传感器和显示装置
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种指纹传感器和一种显示装置。
背景技术
显示装置正被应用于各种电子装置，诸如例如智能电话、平板计算机、笔记本计算机、监视器、电视机等。近来，移动通信技术的发展已经极大地增加诸如智能手机、平板计算机和笔记本计算机的便携式电子装置的用途。便携式电子装置通常存储私人信息，诸如例如联系信息、呼叫历史、消息、照片、备忘录、网络浏览历史、位置信息、财务信息等。在这种情况下，可以使用指纹认证以认证作为用户的生物特征信息的指纹，以保护存储在便携式电子装置中的私人信息。在这种情况下，显示装置可以包括用于指纹认证的指纹传感器。
指纹传感器可以实现为例如光学、超声或电容式指纹传感器。光学指纹传感器可以包括光感测层和光学层，光感测层包括用于感测光的光感测元件，光学层通过减少光感测元件中的噪声光而提供光。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供一种指纹传感器，该指纹传感器可以防止或减少由于显示面板的信号引起的噪声不利地影响该指纹传感器的感测信号。
本发明构思的示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置可以防止或减少由于显示面板的信号引起的噪声不利地影响指纹传感器的感测信号。
根据本发明构思的示例性实施例，一种指纹传感器包括：基底；传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；第一指纹焊盘，所述第一指纹焊盘设置在所述基底上；以及导电连接器，所述导电连接器连接到所述第一指纹焊盘并且施加有预定电压。所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
根据本发明构思的示例性实施例，一种指纹传感器包括：基底；传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；指纹焊盘，所述指纹焊盘设置在所述基底上；柔性膜，所述柔性膜设置在所述指纹焊盘上；以及传感器电路板，所述传感器电路板电连接到所述柔性膜。所述柔性膜或所述传感器电路板包括施加有预定电压的导电连接器，并且所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
根据本发明构思的示例性实施例，一种显示装置包括：显示面板，所述显示面板显示图像；以及指纹传感器，所述指纹传感器设置在所述显示面板的表面上并且感测穿过所述显示面板的光。所述指纹传感器包括：基底；传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；指纹焊盘，所述指纹焊盘设置在所述基底上；以及导电连接器，所述导电连接器连接到所述指纹焊盘并且施加有预定电压。所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其它特征将变为更加明显，在附图中：
图1是根据示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的显示面板和指纹传感器的示例的截面图；
图3示出图1的指纹感测区域中的显示面板和指纹传感器的示例；
图4A是沿着图3的线II-II'截取的显示面板的示例的截面图；
图4B是图3的传感器像素的示例的电路图；
图5是图1的指纹传感器的示例的分解透视图；
图6是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图7是沿着图6的线III-III'截取的指纹传感器的示例的截面图；
图8是沿着图6的线IV-IV'截取的指纹传感器的示例的截面图；
图9是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图10是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图11是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图12是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图13是沿着图12的线V-V'截取的指纹传感器的示例的截面图；
图14是沿着图12的线VI-VI'截取的指纹传感器的示例的截面图；
图15是图5的指纹传感器的示例的布局图；
图16是图5的指纹传感器和柔性膜的示例的布局图；
图17是沿着图16的线VII-VII'截取的指纹传感器和柔性膜的示例的截面图；
图18是图5的指纹传感器、柔性膜和传感器电路板的示例的布局图；
图19是沿着图18的线VIII-VIII'截取的指纹传感器、柔性膜和传感器电路板的示例的截面图；
图20是图5的指纹传感器的示例的布局图；并且
图21是沿着图20的线IX-IX'截取的指纹传感器的示例的截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述本发明构思的示例性实施例。在整个附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。
将理解的是，当诸如膜、区、层或元件的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”另一组件、“耦接到”另一组件或者“与”另一组件“相邻”时，该组件可以直接在另一组件上、直接连接到另一组件、直接耦接到另一组件或者与另一组件直接相邻，或者也可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，该组件可以是两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或多个中间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，该组件可以是覆盖另一组件的唯一组件，或者一个或多个中间组件也可以覆盖另一组件。用于描述元件之间关系的其它词语可以以同样的方式解释。
将进一步理解的是，除非上下文另外明确指出，否则在每个示例性实施例之内的特征或方面的描述可用于其它示例性实施例中的其它类似特征或方面。
除非上下文另外明确指出，否则如在本文中所使用的单数形式“一”、“一个(种)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
为了容易描述，在本文中可以使用诸如“在…下”、“在…之下”、“下(部)”、“在…下方”、“在…之上”、“上(部)”、“在…上方”等的空间相对术语，以描述图中示出的一个元件或特征与另一(另外多个)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果翻转图中的装置，则被描述为“在”其它元件或特征“之下”、“下”或“下方”的元件将随后定向为“在”其它元件或特征“之上”。因而，示例性术语“在…之下”可以涵盖“在…之上”和“在…之下”两个定向，并且示例性术语“在…下方”可以涵盖“在…上方”和“在…下方”两个定向。
将理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于区分一个元件与另一元件，并且元件不受这些术语限制。因而，示例性实施例中的“第一”元件在另一示例性实施例中可以被描述为“第二”元件。
在本文中，当将两个或更多个元件或值描述为彼此基本上相同或大约相等时，将理解的是，如本领域普通技术人员所将理解的是，元件或值彼此相同，彼此不可区分，或者彼此可区分但在功能上彼此相同。此外，将理解的是，虽然在本文中参数可以被描述为具有“大约”一定值，但是根据示例性实施例，如本领域普通技术人员将理解的是，该参数可以恰好是该一定值或者在测量误差之内近似地为该一定值。
图1是根据示例性实施例的显示装置10的透视图。
参考图1，显示装置10是用于显示运动图像(诸如视频)或静止图像的装置。显示装置10可以在便携式电子装置中以及在各种其它产品中用作显示屏，便携式电子装置诸如例如为移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)等，各种其它产品诸如例如为电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置。
显示装置10可以是使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置或使用微发光二极管(micro-LED)的微发光二极管显示装置。尽管下面主要描述显示装置10是有机发光显示装置的情况，但是本发明构思不限于此。
显示装置10包括显示面板100、显示驱动电路200、显示电路板300和指纹传感器400。
显示面板100的形状可以包括例如矩形形状，该矩形形状具有在第一方向(X轴方向)上的短边和在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上的长边(例如，相对地长于短边)。在第一方向(X轴方向)上延伸的短边与在第二方向(Y轴方向)上延伸的长边相交的每个角可以被倒圆以具有预定曲率或者可以是直角的。显示装置10的平面形状不限于矩形形状，而也可以是另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。显示面板100可以形成为平坦的，但是本发明构思不限于此。例如，显示面板100可以包括弯曲部分，该弯曲部分形成在左端和右端并且具有恒定或变化的曲率。另外，显示面板100可以柔性地形成，使得显示面板100可以被弯曲、弯折、折叠或卷曲。因而，显示面板100也可以被称为可弯曲、可弯折、可折叠或可卷曲显示面板。
显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。
主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和位于显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括显示图像的显示像素。非显示区域NDA可以限定为从显示区域DA的外部延伸到显示面板100的边缘的区域。非显示区域NDA是不显示图像的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。
显示区域DA可以包括指纹感测区域FSA。指纹感测区域FSA表示设置指纹传感器400的区域。指纹感测区域FSA可以是如图1中所示的显示区域DA的一部分，但是本发明构思不限于此。指纹感测区域FSA也可以是整个显示区域DA。例如，由指纹感测区域FSA占据的区域可以与由显示区域DA占据的区域基本上相同。
子区域SBA可以在第二方向(Y轴方向)上从主区域MA的一侧突出。子区域SBA在第一方向(X轴方向)上的长度可以小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度，并且子区域SBA在第二方向(Y轴方向)上的长度可以小于主区域MA在第二方向(Y轴方向)上的长度，但是本发明构思不限于此。
尽管子区域SBA在图1中被展开，但是子区域SBA也可以被弯折，在这种情况下，子区域SBA可以设置在主区域MA的下表面上。当子区域SBA被弯折时，子区域SBA可以在第三方向(Z轴方向)上与主区域MA重叠。显示驱动电路200可以设置在子区域SBA中。
显示驱动电路200可以产生用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动电路200可以形成为集成电路，并且可以使用例如玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声接合方法附接到显示面板100上。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，显示驱动电路200也可以使用膜上芯片(COF)方法附接到显示电路板300上。
显示电路板300可以使用诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件附接到显示面板100的子区域SBA的一端。因此，显示电路板300可以电连接到显示面板100和显示驱动电路200。显示面板100和显示驱动电路200可以通过显示电路板300接收数字视频数据、时序信号和驱动电压。显示电路板300可以是例如柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如膜上芯片的柔性膜。
指纹传感器400可以设置在显示面板100的下表面上。指纹传感器400可以使用透明粘合构件附接到显示面板100的下表面。例如，透明粘合构件可以是诸如光学透明粘合剂(OCA)膜的透明粘合剂膜或诸如光学透明树脂(OCR)的透明粘合树脂。
图2是沿着图1的线I-I'截取的显示面板100和指纹传感器400的示例的截面图。在图2中，示出用户将手指F放在显示装置10的覆盖窗口CW上进行指纹识别的情况。
参考图2，显示装置10还包括覆盖窗口CW，覆盖窗口CW设置在显示面板100的上表面上。覆盖窗口CW可以设置在显示面板100上以覆盖显示面板100的上表面。覆盖窗口CW可用于保护显示面板100的上表面。覆盖窗口CW可使用透明粘合构件附接到显示面板100的上表面。
覆盖窗口CW可以由透明材料制成并且可以是玻璃或塑料。例如，当覆盖窗口CW是玻璃时，覆盖窗口CW可以是具有大约0.1mm或更小的厚度的超薄玻璃(UTG)。当覆盖窗口CW是塑料时，覆盖窗口CW可以包括透明的聚酰亚胺膜。
指纹传感器400可以设置在显示面板100的下表面上。指纹传感器400可以使用透明粘合构件附接到显示面板100的下表面。
指纹传感器400可以包括光感测层410和光学层420，光感测层410包括传感器像素SEP，光学层420设置在光感测层410上并且设计为阻止光感测层410的传感器像素SEP受噪声光的影响。光学层420可以包括遮光导电层421和透光层422，遮光导电层421具有孔PH。
传感器像素SEP中的每一个可以在第三方向(Z轴方向)上与遮光导电层421的孔PH中的一些孔PH重叠，第三方向(Z轴方向)为显示面板100的厚度方向。显示面板100的厚度方向可以与例如下面进一步描述的显示基底DSUB和指纹传感器基底FSUB的厚度方向相同。在图2中，传感器像素SEP中的每一个在第三方向(Z轴方向)上与三个孔PH重叠。然而，传感器像素SEP中的每一个在第三方向(Z轴方向)上重叠的孔PH的数量不限于此。例如，根据示例性实施例，传感器像素SEP中的每一个可以与两个或更少的孔PH或者四个或更多的孔PH重叠。
遮光导电层421可以包括不透射光或具有低透光率的金属材料。例如，遮光导电层421可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
遮光导电层421的每个孔PH可以是由手指F的脊RID和谷VAL反射的光入射的通道。例如，当用户的手指F触摸覆盖窗口CW时，从显示面板100输出的光可以由手指F的指纹的脊RID和谷VAL反射。在从显示面板100输出的光中，由手指F的指纹的脊RID反射的光可能不同于由手指F的指纹的谷VAL反射的光。由手指F反射的光可以通过显示面板100和遮光导电层421的孔PH入射在光感测层410的传感器像素SEP上。
通过遮光导电层421的孔PH入射在每个传感器像素SEP上的光的范围LR可以小于手指F的指纹的脊RID和谷VAL之间的距离FP。例如，手指F的指纹的脊RID和谷VAL之间的距离FP可以为大约500μm。因此，有可能防止或减少噪声光进入每个传感器像素SEP。另外，流过每个传感器像素SEP的光感测元件的感测电流可以根据入射光是由手指F的指纹的脊RID反射的光还是由手指F的指纹的谷VAL反射的光而变化。相应地，从每个传感器像素SEP输出的感测电压可以根据入射光是由手指F的指纹的脊RID反射的光还是由手指F的指纹的谷VAL反射的光而变化。因此，传感器驱动电路480(见图5)可以根据传感器像素SEP的感测电压识别手指F的指纹图案。图3示出图1的指纹感测区域FSA中的显示面板100和指纹传感器400的示例。
为了容易描述，在图3中仅示出显示面板100的子像素SP、扫描线SL和数据线DL，指纹传感器400(见图2)的光感测层410的传感器像素SEP、感测扫描线RSL和感测线RL，以及指纹传感器400(见图2)的光学层420(见图2)的遮光导电层421。
参考图3，子像素SP可以在彼此交叉的第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上以矩阵形式布置。然而，子像素SP的布置不限于此，并且可以根据显示面板100的尺寸和形状而变化。
扫描线SL可以在第一方向(X轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(Y轴方向)上布置。数据线DL可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(X轴方向)上布置。子像素SP中的每一个可以与至少一条扫描线SL和至少一条数据线DL重叠。子像素SP中的每一个可以连接到至少一条扫描线SL和至少一条数据线DL。因此，当将扫描信号施加到扫描线SL时，子像素SP中的每一个可以接收数据线DL的数据电压。子像素SP中的每一个可以根据驱动电流发光，驱动电流根据数据电压流动。
光感测层410的传感器像素SEP可以在彼此交叉的第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上以矩阵形式布置。然而，传感器像素SEP的布置不限于此，并且可以根据指纹传感器400的尺寸和形状而变化。
感测扫描线RSL可以在第一方向(X轴方向)上延伸并且可以在第二方向(Y轴方向)上布置。感测线RL可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(X轴方向)上布置。传感器像素SEP中的每一个可以与至少一条感测扫描线RSL和至少一条感测线RL重叠。传感器像素SEP中的每一个可以连接到至少一条感测扫描线RSL和至少一条感测线RL。
传感器像素SEP可以在第三方向(Z轴方向)上与遮光导电层421的孔PH重叠。在图3中，传感器像素SEP中的每一个在第三方向(Z轴方向)上与三个孔PH重叠。然而，传感器像素SEP中的每一个在第三方向(Z轴方向)上重叠的孔PH的数量不限于此。例如，根据示例性实施例，传感器像素SEP中的每一个可以与两个或更少的孔PH或者四个或更多的孔PH重叠。
由于显示面板100和遮光导电层421定位为彼此靠近，所以第一寄生电容Cp1可以存在于显示面板100的扫描线SL和光学层420的遮光导电层421之间。另外，由于遮光导电层421和光感测层410定位为彼此靠近，所以第二寄生电容Cp2可以存在于光学层420的遮光导电层421和光感测层410的感测线RL之间。由于显示面板100的每条扫描线SL的扫描信号具有大的摆幅(swing width)，所以显示面板100的扫描线SL的扫描信号可以由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。另外，耦合到遮光导电层421的信号可以由第二寄生电容Cp2耦合到遮光导电层421的感测线RL。即，由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声可能不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。可替代地，由于光感测层410的感测线RL的感测信号引起的噪声可能不利地影响显示面板100的扫描线SL的扫描信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
参考比较示例，光学层可以包括用于阻止噪声光的金属层。光学层的金属层可以与显示装置的显示面板的信号线和光感测层的信号线重叠。因此，显示面板的信号线的信号可以耦合到光学层的金属层，并且耦合到光学层的金属层的信号可以耦合到光感测层的信号线的信号。例如，显示面板的扫描线的扫描信号可以耦合到光学层的金属层，并且耦合到光学层的金属层的信号可以耦合到光感测层的感测线的感测信号。在这种情况下，由于(多个)寄生电容的原因，由于显示面板的信号引起的噪声可能不利地影响光感测层的感测线的感测信号。
相比之下，根据示例性实施例，为了防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号和光感测层410的感测线RL的感测信号通过第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2而彼此影响，可以将预定电压施加到遮光导电层421。例如，可以将接地电压施加到遮光导电层421，或者可以施加用于驱动指纹传感器400的指纹驱动电压中的任何一个。
图4A是沿着图3的线II-II'截取的显示面板100的示例的截面图。
参考图4A，显示面板100可以包括显示图像的显示像素。显示像素中的每一个可以包括第一薄膜晶体管ST1和发光元件LEL。
显示基底DSUB可以由诸如例如聚合树脂的绝缘材料制成。例如，显示基底DSUB可以包括聚酰亚胺。显示基底DSUB可以是可以弯曲、弯折、折叠、卷曲等的柔性基底。
显示基底DSUB可以包括例如多个有机层和多个无机层。例如，显示基底DSUB可以包括第一有机层、设置在第一有机层上并且包括至少一个无机层的第一阻挡层、设置在第一阻挡层上的第二有机层以及设置在第二有机层上并且包括至少一个无机层的第二阻挡层。
第一缓冲层BF1可以设置在显示基底DSUB上。第一缓冲层BF1保护薄膜晶体管层的薄膜晶体管(例如，第一薄膜晶体管ST1)和发光元件层的(例如，发光元件LEL的)发光层172免受通过显示基底DSUB引入的湿气的影响，显示基底DSUB可能易受湿气渗透。第一缓冲层BF1可以由交替地堆叠的多个无机层组成。例如，第一缓冲层BF1可以是多层，选自例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层的一个或多个无机层在该多层中交替地堆叠。
第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以设置在第一缓冲层BF1上。第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1可以包括例如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以通过用离子或杂质掺杂硅半导体或氧化物半导体而形成为具有导电性。在示例性实施例中，第一有源层ACT1可以在作为显示基底DSUB的厚度方向的第三方向(Z轴方向)上与第一栅极电极G1重叠，并且第一源极电极S1和第一漏极电极D1在第三方向(Z轴方向)上与第一栅极电极G1不重叠。
第一栅极绝缘层GI1可以设置在第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1上。第一栅极绝缘层GI1可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第一薄膜晶体管ST1的第一栅极电极G1和第一电容器电极CAE1可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。第一栅极电极G1可以在第三方向(Z轴方向)上与第一有源层ACT1重叠。第一电容器电极CAE1可以在第三方向(Z轴方向)上与第二电容器电极CAE2重叠。第一栅极电极G1可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第一层间绝缘膜141可以设置在第一栅极电极G1和第一电容器电极CAE1上。第一层间绝缘膜141可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第二电容器电极CAE2可设置在第一层间绝缘膜141上。由于第一层间绝缘膜141具有预定介电常数，所以第一电容器电极CAE1、第二电容器电极CAE2以及设置在第一电容器电极CAE1和第二电容器电极CAE2之间的第一层间绝缘膜141可以形成电容器。第二电容器电极CAE2可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第二层间绝缘膜142可以设置在第二电容器电极CAE2上。第二层间绝缘膜142可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第二层间绝缘膜142可以包括多个无机层。
第一阳极连接电极ANDE1可以设置在第二层间绝缘膜142上。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第一阳极接触孔ANCT1连接到第一薄膜晶体管ST1的第一漏极电极D1，第一阳极接触孔ANCT1穿透第一栅极绝缘层GI1、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第一薄膜晶体管ST1的第一漏极电极D1。第一阳极连接电极ANDE1可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
用于平坦化的第一有机层160可以设置在第一阳极连接电极ANDE1上。第一有机层160可以是诸如例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。
第二阳极连接电极ANDE2可以设置在第一有机层160上。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第二阳极接触孔ANCT2连接到第一阳极连接电极ANDE1，第二阳极接触孔ANCT2穿透第一有机层160以暴露第一阳极连接电极ANDE1。第二阳极连接电极ANDE2可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第二有机层180可以设置在第二阳极连接电极ANDE2上。第二有机层180可以是诸如例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。
在示例性实施例中，可以省略第二阳极连接电极ANDE2和第二有机层180。在这种情况下，第一阳极连接电极ANDE1可以直接连接到第一发光电极171。
在图4A中，第一薄膜晶体管ST1形成为顶栅型，在顶栅型中第一栅极电极G1位于第一有源层ACT1上方。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，第一薄膜晶体管ST1可以形成为底栅型或者双栅型，在底栅型中第一栅极电极G1位于第一有源层ACT1下方，在双栅型中第一栅极电极G1位于第一有源层ACT1的上方和下方。
发光元件LEL和堤190可以设置在第二有机层180上。发光元件LEL中的每一个包括第一发光电极171、发光层172和第二发光电极173。
第一发光电极171可以形成在第二有机层180上。第一发光电极171可以通过第三阳极接触孔ANCT3连接到第二阳极连接电极ANDE2，第三阳极接触孔ANCT3穿透第二有机层180以暴露第二阳极连接电极ANDE2。
在(光在从发光层172到第二发光电极173的方向上发射的)顶部发射结构中，第一发光电极171可以由诸如例如下述的具有高反射率的金属材料制成：铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
堤190可以形成在第二有机层180上以将第一发光电极171与另一个第一发光电极171分开，从而限定发射区域。堤190可以形成为覆盖第一发光电极171的边缘。堤190可以是诸如例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。
发射区域是这样的区域，在该区域中第一发光电极171、发光层172和第二发光电极173顺序地堆叠，使得来自第一发光电极171的空穴和来自第二发光电极173的电子在发光层172中结合在一起以发光。
发光层172形成在第一发光电极171和堤190上。发光层172可以包括有机材料以发射预定颜色的光。例如，发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
第二发光电极173形成在发光层172上。第二发光电极173可以覆盖发光层172。第二发光电极173可以是所有发射区域共用的公共层。覆盖层可以形成在第二发光电极173上。
在顶部发射结构中，第二发光电极173可以由诸如例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的能够透射光的透明导电材料(TCO)制成，或者由诸如例如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的半透射导电材料制成。当第二发光电极173由半透射导电材料制成时，可以由微腔增大光输出效率。
封装层TFE可以设置在第二发光电极173上。封装层TFE包括至少一个无机层，该至少一个无机层可以防止或减少氧气或湿气渗透到发光层172中。另外，封装层TFE包括至少一个有机层，以保护发光层172免受诸如例如灰尘的异物影响。例如，封装层TFE包括第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。
第一无机层TFE1可以设置在第二发光电极173上，有机层TFE2可以设置在第一无机层TFE1上，并且第二无机层TFE3可以设置在有机层TFE2上。第一无机层TFE1和第二无机层TFE3中的每一个可以是多层，选自例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层的一个或多个无机层在该多层中交替地堆叠。有机层TFE2可以由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂制成。
图4B是图3的传感器像素SEP的示例的电路图。
参考图4B，传感器像素SEP包括光感测元件PD，第一感测晶体管RT1、第二感测晶体管RT2和第三感测晶体管RT3，以及感测电容器RC1。感测扫描线RSL可以包括第一感测扫描线RSL1和第二感测扫描线RSL2。
第一感测晶体管RT1可以是复位晶体管，该复位晶体管根据第一感测扫描线RSL1的第一感测扫描信号复位感测电容器RC1的第一电极的电势V1。第一感测晶体管RT1可以具有连接到第一感测扫描线RSL1的栅极电极、连接到光感测元件PD的阴极和感测电容器RC1的第一电极的源极电极以及连接到第二感测驱动电压线RVDDL的漏极电极，第二感测驱动电压施加到第二感测驱动电压线RVDDL。
第二感测晶体管RT2可以是放大晶体管，该放大晶体管将感测电容器RC1的第一电极的电势V1转换为电流信号并且放大电流信号。第二感测晶体管RT2可以具有连接到光感测元件PD的阴极和感测电容器RC1的第一电极的栅极电极、连接到第三感测晶体管RT3的漏极电极的源极电极以及连接到第二感测驱动电压线RVDDL的漏极电极。
第三感测晶体管RT3可以是选择晶体管，该选择晶体管在第二感测扫描信号传输到第二感测扫描线RSL2时将电流信号传输到感测线RL。第三感测晶体管RT3可以具有连接到第二感测扫描线RSL2的栅极电极、连接到感测线RL的源极电极以及连接到第二感测晶体管RT2的源极电极的漏极电极。
光感测元件PD可以包括阳极、PIN半导体层和阴极。光感测元件PD的阴极可以连接到感测电容器RC1的第一电极，并且阳极可以连接到第一感测驱动电压线RVSSL，低于第二感测驱动电压的第一感测驱动电压施加到第一感测驱动电压线RVSSL。光感测元件PD的PIN半导体层可以包括连接到阳极的P型半导体层、连接到阴极的N型半导体层以及设置在P型半导体层和N型半导体层之间的I型半导体层。
在图4B中，将第一感测晶体管RT1至第三感测晶体管RT3主要描述为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，第一感测晶体管RT1至第三感测晶体管RT3可以形成为P型MOSFET。
现在将详细描述图4B中所示的传感器像素SEP的操作。
首先，当由第一感测扫描线RSL1的复位信号导通第一感测晶体管RT1时，感测电容器RC1的第一电极的电势V1被复位到第二感测驱动电压线RVDDL的第二感测驱动电压的电势。
随后，当由(人的)手指F(见图2)的指纹反射的光入射在光感测元件PD上时，漏电流可能流过光感测元件PD。即，根据由指纹反射的入射光的量，感测电流可以流过光感测元件PD。漏电流可能导致感测电容器RC1被电荷充电。
随着感测电容器RC1被电荷充电，连接到感测电容器RC1的第一电极的第二感测晶体管RT2的栅极电极的电势增大。当第二感测晶体管RT2的栅极电极的电势变为大于阈值电压时，第二感测晶体管RT2可以导通。
随后，当感测扫描信号传输到第二感测扫描线RSL2时，第三感测晶体管RT3可以导通。当第三感测晶体管RT3导通时，流过第二感测晶体管RT2的电流信号可以传输到感测线RL。因此，感测线RL的感测电压V2可以增大，并且感测线RL的感测电压V2可以传送到传感器驱动电路480(见图5)。传感器驱动电路480(见图5)可以通过模数转换器(ADC)将感测线RL的感测电压V2转换为数字信号。
感测线RL的感测电压V2与感测电容器RC1的第一电极的电势V1(即，在感测电容器RC1中被充电的电荷的量)成比例，并且在感测电容器RC1中存储的电荷的量与供应到光感测元件PD的光的量成比例。因此，传感器驱动电路480(见图5)可以通过感测线RL的感测电压V2确定多少光已经入射在传感器像素SEP的光感测元件PD上。由于传感器驱动电路480(见图5)可以感测入射在每个传感器像素SEP上的光的量，所以传感器驱动电路480可以识别用户的指纹图案。
图5是图1的指纹传感器400的示例的分解透视图。
参考图5，指纹传感器400可以包括光感测层410、光学层420、柔性膜460、传感器电路板470和传感器驱动电路480。
光感测层410可以包括传感器区域SNA和传感器外围区域SPA。传感器像素SEP(见图3)可以设置在传感器区域SNA中。在示例性实施例中，传感器区域SNA被光学层420覆盖，并且传感器外围区域SPA不被光学层420覆盖。
光学层420的遮光导电层421可以设置在光感测层410的传感器区域SNA上。遮光导电层421可以包括孔PH，光穿过孔PH。孔PH可以在第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)上以矩阵形式布置。尽管在图5中孔PH具有四边形平面形状，但是本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，除了在平面图中的四边形形状之外，孔PH还可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
透光层422可以设置在遮光导电层421上。透光层422可以由可以透射光的聚合物树脂或塑料制成。尽管在图5中透光层422的上表面是平坦的，但是本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，为了减少噪声光通过孔PH入射，透光层422的上表面也可以是凸起的，诸如例如凸透镜。
柔性膜460的一侧可以设置在光感测层410的不被光学层420覆盖的传感器外围区域SPA上。柔性膜460的一侧可以设置在光感测层410的传感器外围区域SPA的指纹焊盘FP1和FP2(见图6)上。柔性膜460的一侧可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件附接到指纹焊盘FP1和FP2(见图6)。因此，柔性膜460可以电连接到指纹焊盘FP1和FP2(见图6)。
柔性膜460的另一侧可以设置在传感器电路板470上。柔性膜460的另一侧可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件附接到传感器电路板470。因此，柔性膜460可以电连接到传感器电路板470。
柔性膜460可以是例如膜上芯片。传感器电路板470可以是例如柔性印刷电路板或印刷电路板。
传感器驱动电路480可以设置在传感器电路板470上，但是本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，传感器驱动电路480可以设置在柔性膜460上。传感器驱动电路480可以通过柔性膜460和传感器电路板470接收光感测层410的传感器像素SEP(见图3)的感测电压。因此，传感器驱动电路480可以通过感测线RL的感测电压V2确定多少光已经入射在每个传感器像素SEP(见图3)的光感测元件PD上。由于传感器驱动电路480可以感测入射在每个传感器像素SEP(见图3)上的光的量，所以传感器驱动电路480可以识别用户的指纹图案。根据示例性实施例，柔性膜460或传感器电路板470包括施加有预定电压的导电连接器(例如，下面描述的VC1或VC2)。
图6是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
为了容易描述，在图6中仅示出指纹传感器400的光感测层410和光学层420。
参考图6，第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2可以设置在光感测层410的一侧上。例如，在图6中，第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2设置在指纹传感器400的下侧上。然而，第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2的位置不限于此。第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2可以在第一方向(X轴方向)上布置。第二指纹焊盘FP2可以设置在第一指纹焊盘FP1之间。例如，参考图6，第一第一指纹焊盘FP1可以靠近光感测层410的左侧设置，第二第一指纹焊盘FP1可以靠近光感测层410的右侧设置，并且多个第二指纹焊盘FP2可以设置在第一第一指纹焊盘FP1和第二第一指纹焊盘FP1之间。第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2可以电连接到柔性膜460。
第一指纹焊盘FP1可以分别连接到第一电压线VL1和第二电压线VL2。第一电压线VL1可以连接到第一导电连接器VC1，第一导电连接器VC1设置在光感测层410的一侧(例如，左侧)上。第二电压线VL2可以连接到第二导电连接器VC2，第二导电连接器VC2设置在光感测层410的另一侧(例如，右侧)上。
第二指纹焊盘FP2可以分别连接到扇出线FL。扇出线FL可以分别连接到感测线RL和感测扫描线RSL。在这种情况下，感测线RL可以通过扇出线FL连接到第二指纹焊盘FP2，并且感测扫描线RSL可以通过扇出线FL连接到第二指纹焊盘FP2。扇出线FL可以设置在感测线RL和第二指纹焊盘FP2之间。
遮光导电层421可以包括第一遮光导电层421a、第二遮光导电层421b和第三遮光导电层421c。
第一遮光导电层421a在平面图中可以具有网格(mesh)或网状(net)结构。例如，第一遮光导电层421a可以包括孔PH，因而形成网格或网状结构。第一遮光导电层421a可以设置在传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)上。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠。
第二遮光导电层421b可以从第一遮光导电层421a的一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二遮光导电层421b在第二方向(Y轴方向)上的长度可以大于第一遮光导电层421a在第二方向(Y轴方向)上的长度。例如，第二遮光导电层421b的一侧(例如，下侧)可以在第二方向(Y轴方向)上比第一遮光导电层421a的一侧(例如，下侧)突出得更远。
第二遮光导电层421b可以设置在第一导电连接器VC1上。例如，第二遮光导电层421b可以从第一遮光导电层421a的一侧突出，使得第二遮光导电层421b在第三方向(Z轴方向)上与第一导电连接器VC1重叠，第三方向(Z轴方向)为指纹传感器基底FSUB(见图7)的厚度方向。第二遮光导电层421b可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第一导电连接器VC1。因此，第二遮光导电层421b可以电连接到第一导电连接器VC1。
第三遮光导电层421c可以从第一遮光导电层421a的另一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第三遮光导电层421c在第二方向(Y轴方向)上的长度可以大于第一遮光导电层421a在第二方向(Y轴方向)上的长度。例如，第三遮光导电层421c的一侧(例如，下侧)可以在第二方向(Y轴方向)上比第一遮光导电层421a的一侧(例如，下侧)突出得更远。在示例性实施例中，第二遮光导电层421b的长度和第三遮光导电层421c的长度可以基本上相同。
第三遮光导电层421c可以设置在第二导电连接器VC2上。第三遮光导电层421c可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第二导电连接器VC2。因此，第三遮光导电层421c可以电连接到第二导电连接器VC2。
第一指纹焊盘FP1可以从柔性膜460接收预定电压。因此，可以经由第一指纹焊盘FP1、第一电压线VL1和第一导电连接器VC1，将预定电压施加到第二遮光导电层421b。另外，可以经由另一第一指纹焊盘FP1、第二电压线VL2和第二导电连接器VC2，将预定电压施加到第三遮光导电层421c。例如，在示例性实施例中，可以将预定电压施加到连接到第一指纹焊盘FP1中的一个的)第一导电连接器VC1以及连接到第一指纹焊盘FP1中的另一个的第二导电连接器VC2，并且可以经由形成在遮光导电层421与第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2之间的电连接，将预定电压施加到遮光导电层421。
预定电压可以是接地电压。在这种情况下，第一指纹焊盘FP1可以连接到柔性膜460的接地源。可替代地，预定电压可以是用于驱动指纹传感器400的直流(DC)驱动电压。例如，预定电压可以是施加到连接到每个传感器像素SEP(见图3)的第一感测驱动电压线RVSSL(见图4B)的第一感测驱动电压。在另一示例中，预定电压可以是施加到连接到每个传感器像素SEP(见图3)的第二感测驱动电压线RVDDL(见图4B)的第二感测驱动电压。
透光层422可以设置在遮光导电层421上。透光层422在第一方向(X轴方向)上的长度可以大于遮光导电层421在第一方向(X轴方向)上的长度。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，透光层422在第一方向(X轴方向)上的长度可以与遮光导电层421在第一方向(X轴方向)上的长度基本上相同。透光层422在第二方向(Y轴方向)上的最大长度可以大于遮光导电层421在第二方向(Y轴方向)上的最大长度。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，透光层422在第二方向(Y轴方向)上的最大长度可以与遮光导电层421在第二方向(Y轴方向)上的最大长度基本上相同。
透光层422的中间部分在第二方向(Y轴方向)上的长度可以小于透光层422的左侧在第二方向(Y轴方向)上的长度和透光层422的右侧在第二方向(Y轴方向)上的长度。透光层422的左侧在第二方向(Y轴方向)上的长度可以与透光层422的右侧在第二方向(Y轴方向)上的长度基本上相同。
如图6中所示，可以经由第一指纹焊盘FP1、第一电压线VL1和第一导电连接器VC1将预定电压施加到第二遮光导电层421b，并且可以经由第一指纹焊盘FP1、第二电压线VL2和第二导电连接器VC2将预定电压施加到第三遮光导电层421c。因此，同时参考图3，由于可以将预定电压施加到遮光导电层421，所以可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
图7是沿着图6的线III-III'截取的指纹传感器400的示例的截面图。图8是沿着图6的线IV-IV'截取的指纹传感器400的示例的截面图。
参考图7和图8，光感测层410可以包括用于感测光的传感器像素SEP。传感器像素SEP中的每一个可以包括第二薄膜晶体管ST2、光感测元件PD和感测电容器RC1。图7和图8中所示的第二薄膜晶体管ST2可以是图4B的第一感测晶体管RT1。
第二缓冲层BF2可以设置在指纹传感器基底FSUB上。指纹传感器基底FSUB可以由诸如例如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，指纹传感器基底FSUB可以包括聚酰亚胺。指纹传感器基底FSUB可以是可以弯曲、弯折、折叠、卷曲等的柔性基底。第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2(见图6)可以设置在指纹传感器基底FSUB上。例如，第一指纹焊盘FP1和第二指纹焊盘FP2(见图6)在平面图中可以设置在指纹传感器基底FSUB的一侧(例如，下侧)上。
第二缓冲层BF2可以保护第二薄膜晶体管ST2和光感测层410的光感测元件PD免受通过指纹传感器基底FSUB引入的湿气的影响，指纹传感器基底FSUB可能易受湿气渗透。第二缓冲层BF2可以由交替地堆叠的多个无机层组成。例如，第二缓冲层BF2可以是多层，选自例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层的一个或多个无机层在该多层中交替地堆叠。
第二薄膜晶体管ST2的第二有源层ACT2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2可以设置在第二缓冲层BF2上。第二有源层ACT2包括例如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。第二源极电极S2和第二漏极电极D2可以通过用离子或杂质掺杂硅半导体或氧化物半导体而形成为具有导电性。在示例性实施例中，第二有源层ACT2在作为指纹传感器基底FSUB的厚度方向的第三方向(Z轴方向)上与第二栅极电极G2重叠，并且第二源极电极S2和第二漏极电极D2在第三方向(Z轴方向)上与第二栅极电极G2不重叠。
第二栅极绝缘层GI2可以设置在第二有源层ACT2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2上。第二栅极绝缘层GI2可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第二薄膜晶体管ST2的第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一导电连接器VC1(见图6)的第一子导电连接器SVC1可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。第二栅极电极G2可以在第三方向(Z轴方向)上与第二有源层ACT2重叠。第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一子导电连接器SVC1中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第一子导电连接器SVC1可以连接到第一电压线VL1(见图6)。第一电压线VL1(见图6)、第二电压线VL2(见图6)和扇出线FL(见图6)可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。即，第一电压线VL1(见图6)、第二电压线VL2(见图6)和扇出线FL(见图6)可以与第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一子导电连接器SVC1设置在同一层上，并且第一电压线VL1(见图6)、第二电压线VL2(见图6)和扇出线FL(见图6)可以由与第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一子导电连接器SVC1相同的材料制成。
第一绝缘层INS1可以设置在第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一子导电连接器SVC1上。第一绝缘层INS1可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第一绝缘层INS1可以包括多个无机层。
光感测元件PD和第二指纹电容器电极FCE2可以设置在第一绝缘层INS1上。第二指纹电容器电极FCE2可以在第三方向(Z轴方向)上与第一指纹电容器电极FCE1重叠。由于第一绝缘层INS1具有预定介电常数，所以第一指纹电容器电极FCE1、第二指纹电容器电极FCE2以及设置在第一指纹电容器电极FCE1和第二指纹电容器电极FCE2之间的第一绝缘层INS1可以形成感测电容器RC1。第二指纹电容器电极FCE2可以连接到第三连接电极CE3，或者可以直接连接到第一感测驱动电压线RVSSL(见图4B)。
在图7中，第一指纹电容器电极FCE1设置在第二栅极绝缘层GI2上，并且第二指纹电容器电极FCE2设置在第一绝缘层INS1上。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，第一指纹电容器电极FCE1可以设置在第一绝缘层INS1上，并且第二指纹电容器电极FCE2可以设置在第二绝缘层INS2上。可替代地，第一指纹电容器电极FCE1可以设置在第二绝缘层INS2上，并且第二指纹电容器电极FCE2可以设置在第三绝缘层INS3上。
光感测元件PD可以是例如如图7中所示的光电二极管。但是，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，光感测元件PD可以形成为光电晶体管(phototransistor)。光感测元件PD可以包括第一感测电极PCE、感测半导体层PSEM和第二感测电极PAE。第一感测电极PCE可以是阴极，并且第二感测电极PAE可以是阳极。
第一感测电极PCE可以设置在第一绝缘层INS1上。第一感测电极PCE可以由与第二指纹电容器电极FCE2相同的材料制成。第一感测电极PCE和第二指纹电容器电极FCE2中的每一个可以是例如钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层，或者可以具有例如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。
感测半导体层PSEM可以设置在第一感测电极PCE上。感测半导体层PSEM可以形成为PIN结构，在PIN结构中P型半导体层PL、I型半导体层IL和N型半导体层NL顺序地堆叠。当感测半导体层PSEM形成为PIN结构时，I型半导体层IL被P型半导体层PL和N型半导体层NL耗尽。相应地，在I型半导体层IL中产生电场，并且由光产生的空穴和电子被电场漂移。因此，可以通过P型半导体层PL将空穴收集到第二感测电极PAE，并且可以通过N型半导体层NL将电子收集到第一感测电极PCE。
P型半导体层PL可以靠近外部光入射的表面设置，并且N型半导体层NL可以远离外部光入射的表面设置。由于与电子的漂移迁移率相比，空穴的漂移迁移率低，所以P型半导体层PL可以靠近外部光的入射面形成，从而增大由于入射光引起的收集效率。
N型半导体层NL可以设置在第一感测电极PCE上，I型半导体层IL可以设置在N型半导体层NL上，并且P型半导体层PL可以设置在I型半导体层IL上。在这种情况下，可以通过用P型掺杂剂掺杂非晶硅(a-Si:H)形成P型半导体层PL。I型半导体层IL可以由非晶硅锗(a-SiGe:H)或非晶碳化硅(a-SiC:H)制成。可以通过用N型掺杂剂掺杂非晶硅锗(a-SiGe:H)或非晶碳化硅(a-SiC:H)形成N型半导体层NL。P型半导体层PL和N型半导体层NL可以形成为大约
Figure BDA0003023994880000231
的厚度，并且I型半导体层IL可以形成为大约
Figure BDA0003023994880000232
至大约
Figure BDA0003023994880000233
的厚度。
可替代地，N型半导体层NL可以设置在第一感测电极PCE上，I型半导体层IL可以省略，并且P型半导体层PL可以设置在N型半导体层NL上。在这种情况下，可以通过用P型掺杂剂掺杂非晶硅(a-Si:H)形成P型半导体层PL。可以通过用N型掺杂剂掺杂非晶硅锗(a-SiGe:H)或非晶碳化硅(a-SiC:H)形成N型半导体层NL。P型半导体层PL和N型半导体层NL可以形成为大约
Figure BDA0003023994880000234
的厚度。
此外，第一感测电极PCE、P型半导体层PL、I型半导体层IL、N型半导体层NL和第二感测电极PAE中的至少任何一个的上表面或下表面可以通过纹理化工艺形成为具有凹凸(uneven)结构，以增大外部光的吸收率。纹理化工艺是将材料表面形成为凹凸结构并且将材料表面加工为诸如织物表面的形状的工艺。可以通过使用光刻的蚀刻工艺、使用化学溶液的各向异性蚀刻工艺或使用机械刻划的凹槽形成工艺执行纹理化工艺。
第二感测电极PAE可以设置在P型半导体层PL上。第二感测电极PAE可以由诸如例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的能够透射光的透明导电材料(TCO)制成。
第二绝缘层INS2可以设置在光感测元件PD和第二指纹电容器电极FCE2上。第二绝缘层INS2可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第二绝缘层INS2可以包括多个无机层。
第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3可以设置在第二绝缘层INS2上。
第一连接电极CE1可以通过源极接触孔SCT连接到第二薄膜晶体管ST2的第二源极电极S2，源极接触孔SCT穿透第二栅极绝缘层GI2、第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2以暴露第二薄膜晶体管ST2的第二源极电极S2。
第二连接电极CE2可以通过漏极接触孔DCT连接到第二薄膜晶体管ST2的第二漏极电极D2，漏极接触孔DCT穿透第二栅极绝缘层GI2、第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2以暴露第二薄膜晶体管ST2的第二漏极电极D2。第二连接电极CE2可以通过第一感测接触孔RCT1连接到第一感测电极PCE，第一感测接触孔RCT1穿透第二绝缘层INS2以暴露第一感测电极PCE。因此，第二薄膜晶体管ST2的第二漏极电极D2和光感测元件PD的第一感测电极PCE可以由第二连接电极CE2连接。
第三连接电极CE3可以通过第二感测接触孔RCT2连接到第二感测电极PAE，第二感测接触孔RCT2穿透第二绝缘层INS2以暴露第二感测电极PAE。第三连接电极CE3可以连接到第一感测驱动电压线RVSSL。
第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第三绝缘层INS3可以设置在第一连接电极CE1、第二连接电极CE2和第三连接电极CE3上。第三绝缘层INS3可以是无机层，诸如例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第三绝缘层INS3可以包括多个无机层。在示例性实施例中，可以省略第三绝缘层INS3。
平坦化层PLA可以设置在第三绝缘层INS3上。平坦化层PLA可以是诸如例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层。
第一导电连接器VC1(见图6)的第二子导电连接器SVC2可以设置在平坦化层PLA上。第二子导电连接器SVC2可以通过连接接触孔CCT连接到第一子导电连接器SVC1，连接接触孔CCT穿透第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和平坦化层PLA。
在图8中，第一子导电连接器SVC1设置在第二栅极绝缘层GI2上，并且第二子导电连接器SVC2设置在平坦化层PLA上。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，第一子导电连接器SVC1可以设置在第一绝缘层INS1上，并且第二子导电连接器SVC2可以设置在第二绝缘层INS2上。
第一遮光导电层421a和第二遮光导电层421b可以设置在光感测层410的平坦化层PLA上。第一遮光导电层421a和第二遮光导电层421b可以包括不透射光或具有低透光率的金属材料。例如，第一遮光导电层421a和第二遮光导电层421b中的每一个可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第一遮光导电层421a可以包括孔PH。孔PH中的一些孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与传感器像素SEP的光感测元件PD重叠。因此，穿过孔PH中的一些孔PH的光可以入射在传感器像素SEP的光感测元件PD上。
透光层422可以设置在第一遮光导电层421a和第二遮光导电层421b上。透光层422可以填充第一遮光导电层421a的孔PH。透光层422可以由能够透射光的聚合物树脂或塑料制成。
透明粘合构件430可以设置在光感测层410的平坦化层PLA和遮光导电层421(见图6)的第一遮光导电层421a之间，并且可以设置在光感测层410的平坦化层PLA和遮光导电层421(见图6)的第二遮光导电层421b之间。因而，透明粘合构件430可以设置在传感器像素SEP和遮光导电层421之间。透明粘合构件430可以是诸如例如光学透明树脂(OCR)的透明粘合树脂或者诸如例如光学透明粘合剂(OCA)膜的透明粘合膜。
诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件440可以设置在第二子导电连接器SVC2和第二遮光导电层421b之间。导电粘合构件440可以包括导电球441。因此，第二子导电连接器SVC2可以电连接到第二遮光导电层421b。
第二子导电连接器SVC2也可以设置在第二绝缘层INS2上。在这种情况下，第二子导电连接器SVC2可以被暴露而不被平坦化层PLA覆盖。在这种情况下，设置在第二子导电连接器SVC2上的导电粘合构件440可以比平坦化层PLA厚。
如图7和图8中所示，第一导电连接器VC1的第一子导电连接器SVC1可以连接到第一电压线VL1(见图6)，第二子导电连接器SVC2可以通过连接接触孔CCT连接到第一子导电连接器SVC1，并且第二遮光导电层421b可以通过导电粘合构件440连接到第二子导电连接器SVC2。因此，可以经由连接到第一指纹焊盘FP1(见图6)的第一电压线VL1(见图6)和第一导电连接器VC1(见图6)，将施加到第一指纹焊盘FP1(见图6)的预定电压施加到第一遮光导电层421a和第二遮光导电层421b。因此，同时参考图3，可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421(见图6)。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
由于图6的第二导电连接器VC2和第三遮光导电层421c可以以与图8中所示的第一导电连接器VC1(见图6)和第二遮光导电层421b基本上相同的方式电连接，所以为了便于描述，将省略对第二导电连接器VC2和第三遮光导电层421c的描述。
图9是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
图9的示例性实施例与图6的示例性实施例的不同之处在于，透光层422具有四边形平面形状。为了便于解释，在描述图9中，将主要描述与图6的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图9，透光层422可以与扇出线FL重叠。透光层422的中间部分在第二方向(Y轴方向)上的长度、透光层422的左侧在第二方向(Y轴方向)上的长度以及透光层422的右侧在第二方向(Y轴方向)上的长度可以基本上相等。
图10是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
图10的示例性实施例与图6的示例性实施例的不同之处在于，遮光导电层421被延伸为不仅与传感器像素SEP(见图3)重叠，而且与扇出线FL重叠。为了便于解释，在描述图10中，将主要描述与图6的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图10，遮光导电层421可以具有四边形平面形状。遮光导电层421在第三方向(Z轴方向)上不仅可以与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠，而且可以与扇出线FL重叠。
遮光导电层421在平面图中可以具有网格或网状结构。遮光导电层421可以包括孔PH。因此，遮光导电层421的孔PH中的一些孔PH在第三方向(Z轴方向)上不仅可以与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠，而且可以与第一电压线VL1、第二电压线VL2和扇出线FL重叠。
如图10中所示，当遮光导电层421被延伸为在第三方向(Z轴方向)上不仅与传感器像素SEP(见图3)重叠而且与扇出线FL重叠时，遮光导电层421的横截面积增大，由此减少遮光导电层421的电阻。因此，可以将预定电压稳定地施加到遮光导电层421。相应地，同时参考图3，可以进一步防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。
图11是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
图11的示例性实施例与图6的示例性实施例的不同之处在于，遮光导电层421被延伸为不仅与传感器像素SEP(见图3)重叠，而且与扇出线FL重叠。为了便于解释，在描述图11中，将主要描述与图6的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图11，遮光导电层421可以具有四边形平面形状。遮光导电层421在第三方向(Z轴方向)上可以不仅与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠，而且可以与扇出线FL重叠。
遮光导电层421可以包括第一遮光导电层421a'和第二遮光导电层421b'。第一遮光导电层421a'和第二遮光导电层421b'可以包括不透射光或具有低透光率的金属材料。例如，第一遮光导电层421a'和第二遮光导电层421b'中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。第一遮光导电层421a'和第二遮光导电层421b'可以由相同的材料制成。
第一遮光导电层421a'在平面图中可以具有网格或网状结构。第一遮光导电层421a'可以包括孔PH。第一遮光导电层421a'可以设置在传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)上。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠。
第二遮光导电层421b'可以与第一遮光导电层421a'相邻，例如可以围绕第一遮光导电层421a'。例如，第二遮光导电层421b'可以围绕整个第一遮光导电层421a'。第二遮光导电层421b'可以从第一遮光导电层421a'的四个侧延伸。第二遮光导电层421b'在平面图中可以成形为四边形框架或四边形窗口框架。第二遮光导电层421b'可以与扇出线FL重叠。第二遮光导电层421b'不包括孔PH。第二遮光导电层421b'可以在第三方向(Z轴方向)上与第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2重叠。如图11中所示，当遮光导电层421被延伸为在第三方向(Z轴方向)上不仅与传感器像素SEP(见图3)重叠，而且与扇出线FL重叠时，遮光导电层421的横截面积增大，由此减少遮光导电层421的电阻。另外，由于第二遮光导电层421b'不包括孔PH，所以图11的示例性实施例的遮光导电层421的电阻可以低于图10的示例性实施例的遮光导电层421的电阻。因此，可以将预定电压稳定地施加到遮光导电层421。相应地，同时参考图3，可以进一步防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。
图12是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
图12的示例性实施例与图6的示例性实施例的不同之处在于，光学层420还包括透明导电层423。为了便于解释，在描述图12中，将主要描述与图6的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图12，遮光导电层421在平面图中可以具有网格或网状结构。遮光导电层421可以包括孔PH。遮光导电层421可以设置在传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)上。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠。
透明导电层423可以设置在遮光导电层421下方。因而，透明导电层423可以设置在光感测层410的传感器像素SEP(见图3)和遮光导电层421之间。透明导电层423可以包括第一透明导电层423a、第二透明导电层423b和第三透明导电层423c。
第一透明导电层423a可以具有四边形平面形状。第一透明导电层423a可以在第三方向(Z轴方向)上与遮光导电层421重叠。另外，第一透明导电层423a可以在第三方向(Z轴方向)上与传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)重叠。
第一透明导电层423a可以设置在遮光导电层421下方。第一透明导电层423a可以接触遮光导电层421。因此，第一透明导电层423a可以电连接到遮光导电层421。
第二透明导电层423b可以从第一透明导电层423a的一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二透明导电层423b在第二方向(Y轴方向)上的长度可以大于第一透明导电层423a在第二方向(Y轴方向)上的长度。第二透明导电层423b的一侧(例如，下侧)可以在第二方向(Y轴方向)上比第一透明导电层423a的一侧(例如，下侧)突出得更远。
第二透明导电层423b可以设置在第一导电连接器VC1上。例如，第二透明导电层423b可以在第三方向(Z轴方向)上与第一导电连接器VC1重叠。第二透明导电层423b可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第一导电连接器VC1。因此，第二透明导电层423b可以电连接到第一导电连接器VC1。
第三透明导电层423c可以从第一透明导电层423a的另一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第三透明导电层423c在第二方向(Y轴方向)上的长度可以大于第一透明导电层423a在第二方向(Y轴方向)上的长度。第三透明导电层423c的一侧(例如，下侧)可以在第二方向(Y轴方向)上比第一透明导电层423a的一侧(例如，下侧)突出得更远。在示例性实施例中，第三透明导电层423c的长度可以在第二方向(Y轴方向)上与第二透明导电层423b的长度基本上相同。
第三透明导电层423c可以设置在第二导电连接器VC2上。例如，第三透明导电层423c可以在第三方向(Z轴方向)上与第二导电连接器VC2重叠。第三透明导电层423c可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第二导电连接器VC2。因此，第三透明导电层423c可以电连接到第二导电连接器VC2。
透明导电层423在第一方向(X轴方向)上的长度可以大于遮光导电层421在第一方向(X轴方向)上的长度。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，透明导电层423在第一方向(X轴方向)上的长度可以与遮光导电层421在第一方向(X轴方向)上的长度基本上相同。透明导电层423在第二方向(Y轴方向)上的最大长度可以大于遮光导电层421在第二方向(Y轴方向)上的最大长度。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，透明导电层423在第二方向(Y轴方向)上的最大长度可以与遮光导电层421在第二方向(Y轴方向)上的最大长度基本上相同，或者可以小于遮光导电层421在第二方向(Y轴方向)上的最大长度。
如图12中所示，可以经由第一指纹焊盘FP1、第一电压线VL1和第一导电连接器VC1，将预定电压施加到第二透明导电层423b，并且可以经由第一指纹焊盘FP1、第二电压线VL2和第二导电连接器VC2，将预定电压施加到第三透明导电层423c。因此，同时参考图3，由于遮光导电层421可以通过透明导电层423接收预定电压，所以可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响对光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
图13是沿着图12的线V-V'截取的指纹传感器400的示例的截面图。图14是沿着图12的线VI-VI'截取的指纹传感器400的示例的截面图。
图13和图14的示例性实施例与图7和图8的示例性实施例的不同之处在于，第一透明导电层423a设置在遮光导电层421和光感测层410的平坦化层PLA之间，并且第二透明导电层423b通过导电粘合构件440连接到第二子导电连接器SVC2。为了便于解释，可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图13和图14，第一透明导电层423a和第二透明导电层423b可以设置在光感测层410的平坦化层PLA上。包括孔PH的遮光导电层421可以设置在第一透明导电层423a上。由于孔PH利用透光层422填充，所以第一透明导电层423a可以接触透光层422。
透光层422可以设置在第二透明导电层423b上。第二透明导电层423b可以接触透光层422。
诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件440可以设置在第二子导电连接器SVC2和第二透明导电层423b之间。导电粘合构件440可以包括导电球441。因此，第二子导电连接器SVC2可以电连接到第二透明导电层423b。
如图13和图14中所示，第二透明导电层423b可以通过导电粘合构件440连接到第二子导电连接器SVC2。因而，可以经由连接到第一指纹焊盘FP1(见图12)的第一电压线VL1(见图12)、第一导电连接器VC1(见图12)和第二透明导电层423b，将施加到第一指纹焊盘FP1(见图12)的预定电压施加到遮光导电层421。因此，同时参考图3，可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421(见图12)。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
由于图12的第二导电连接器VC2和第三透明导电层423c可以以与图14中所示的第一导电连接器VC1(见图12)和第二透明导电层423b基本上相同的方式电连接，所以为了便于描述，将省略对第二导电连接器VC2和第三透明导电层423c的描述。
图15是图5的指纹传感器400的示例的布局图。
图15的示例性实施例与图12的示例性实施例的不同之处在于，透明导电层423具有四边形平面形状，并且在第三方向(Z轴方向)上与扇出线FL重叠。因而，为了便于解释，将省略对图15的示例性实施例的进一步描述。
图16是图5的指纹传感器400和柔性膜460的示例的布局图。图17是沿着图16的线VII-VII'截取的指纹传感器400和柔性膜460的示例的截面图。
图16和图17的示例性实施例与图6和图8的示例性实施例的不同之处在于，第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2设置在柔性膜460上，并且不是设置在光感测层410上。为了便于解释，在描述图16和图17中，将主要描述与图6和图8的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图16和图17，第二指纹焊盘FP2包括第一子指纹焊盘SFP1和第二子指纹焊盘SFP2。
第一子指纹焊盘SFP1和扇出线FL可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。第一子指纹焊盘SFP1和扇出线FL可以与第二薄膜晶体管ST2的第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一导电连接器VC1的第一子导电连接器SVC1(见图7)设置在同一层上，并且第一子指纹焊盘SFP1和扇出线FL可以由与第二薄膜晶体管ST2的第二栅极电极G2、第一指纹电容器电极FCE1和第一导电连接器VC1的第一子导电连接器SVC1(见图7)相同的材料制成。第一子指纹焊盘SFP1和扇出线FL中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第二子指纹焊盘SFP2可以设置在平坦化层PLA上。第二子指纹焊盘SFP2可以通过焊盘接触孔PCT连接到第一子指纹焊盘SFP1，焊盘接触孔PCT穿透第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3和平坦化层PLA。
在图17中，第一子指纹焊盘SFP1设置在第二栅极绝缘层GI2上，并且第二子指纹焊盘SFP2设置在平坦化层PLA上。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，第一子指纹焊盘SFP1可以设置在第一绝缘层INS1上，并且第二子指纹焊盘SFP2可以设置在第二绝缘层INS2上。
诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件510可以设置在第二子指纹焊盘SFP2和(设置在柔性膜460的下表面上的)导电线461或导电焊盘之间。导电粘合构件510可以包括导电球511。因此，第二子指纹焊盘SFP2可以电连接到柔性膜460的导电线461或导电焊盘。
第二子指纹焊盘SFP2也可以设置在第二绝缘层INS2上。在这种情况下，第二子指纹焊盘SFP2可以被暴露而不被平坦化层PLA覆盖。在这种情况下，设置在第二子指纹焊盘SFP2上的导电粘合构件510可以比平坦化层PLA厚。
遮光导电层421可以包括第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”。第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”可以包括不透射光或具有低透光率的金属材料。例如，第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”可以由相同的材料制成。
第一遮光导电层421a”在平面图中可以具有网格或网状结构。第一遮光导电层421a”可以包括孔PH。第一遮光导电层421a”可以设置在传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)上。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠。
第二遮光导电层421b”可以从第一遮光导电层421a”的一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二遮光导电层421b”可以设置在第一导电连接器VC1上，第一导电连接器VC1设置在柔性膜460的上表面上。第二遮光导电层421b”可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件440'连接到第一导电连接器VC1。导电粘合构件440'可以包括导电球441'。因此，第二遮光导电层421b”可以电连接到第一导电连接器VC1。
第三遮光导电层421c”可以从第一遮光导电层421a”的一侧突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第三遮光导电层421c”可以设置在第二导电连接器VC2上，第二导电连接器VC2设置在柔性膜460的上表面上。第三遮光导电层421c”可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第二导电连接器VC2。因此，第三遮光导电层421c”可以电连接到第二导电连接器VC2。
柔性膜460的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2可以连接到柔性膜460或传感器电路板470的接地源。可替代地，柔性膜460的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2可以连接到传感器驱动电路480。在这种情况下，施加到第一感测驱动电压线RVSSL(见图4B)的第一感测驱动电压或施加到第二感测驱动电压线RVDDL(见图4B)的第二感测驱动电压可以从传感器驱动电路480施加到柔性膜460的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2。
透光层422可以包括第一透光层422a、第二透光层422b和第三透光层422c。第二透光层422b和第三透光层422c可以从第一透光层422a的一侧(例如，下侧)延伸。由于柔性膜460以及导电粘合构件440'和510的原因，第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460重叠的部分的厚度t1可以小于第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460不重叠的部分的厚度t2。另外，由于柔性膜460以及导电粘合构件440'和510的原因，第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460重叠的部分的厚度t1可以小于第一透光层422a的在第三方向(Z轴方向)上与传感器像素SEP(见图3)重叠的部分的厚度。
如图16和图17中所示，第二遮光导电层421b”可以通过导电粘合构件440'连接到第一导电连接器VC1，第一导电连接器VC1在柔性膜460的上表面上。因而，可以经由第一导电连接器VC1和导电粘合构件440'，将预定电压施加到第一遮光导电层421a”和第二遮光导电层421b”。因此，同时参考图3，可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
图18是图5的指纹传感器400、柔性膜460和传感器电路板470的示例的布局图。图19是沿着图18的线VIII-VIII'截取的指纹传感器400、柔性膜460和传感器电路板470的示例的截面图。
图18和图19的示例性实施例与图6和图8的示例性实施例的不同之处在于，第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2设置在柔性膜460上，并且不是设置在光感测层410上。为了便于解释，在描述图18和图19中，将主要描述与图6和图8的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图18和图19，第二指纹焊盘FP2包括第一子指纹焊盘SFP1和第二子指纹焊盘SFP2。第一子指纹焊盘SFP1和第二子指纹焊盘SFP2与上面参考图16和图17描述的第一子指纹焊盘SFP1和第二子指纹焊盘SFP2基本上相同，并且因而，为了便于描述，将省略对第一子指纹焊盘SFP1和第二子指纹焊盘SFP2的进一步描述。
诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件510可以设置在第二子指纹焊盘SFP2和(设置在柔性膜460的下表面上的)导电线461或导电焊盘之间。导电粘合构件510可以包括导电球511。因此，第二子指纹焊盘SFP2可以电连接到柔性膜460的导电线461或导电焊盘。
诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件520可以设置在传感器电路板470的导电线471或导电焊盘和(设置在柔性膜460的下表面上的)导电线461或导电焊盘之间。导电粘合构件520可包括导电球521。因此，传感器电路板470的导电线471或导电焊盘可以电连接到柔性膜460的导电线461或导电焊盘。
遮光导电层421可以包括第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”。第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”可以包括不透射光或具有低透光率的金属材料。例如，第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”中的每一个可以是由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及它们的合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。第一遮光导电层421a”、第二遮光导电层421b”和第三遮光导电层421c”可以由相同的材料制成。
第一遮光导电层421a”在平面图中可以具有网格或网状结构。第一遮光导电层421a”可以包括孔PH。第一遮光导电层421a”可以设置在传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP(见图3)上。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP(见图3)重叠。
第二遮光导电层421b”可以从第一遮光导电层421a”的一侧(例如，下侧)突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二遮光导电层421b”可以设置在柔性膜460和传感器电路板470上。第二遮光导电层421b”可以设置在第一导电连接器VC1上，第一导电连接器VC1设置在传感器电路板470的上表面上。第二遮光导电层421b”可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件440”连接到第一导电连接器VC1。导电粘合构件440”可以包括导电球441”。因此，第二遮光导电层421b”可以电连接到第一导电连接器VC1。
第三遮光导电层421c”可以从第一遮光导电层421a”的一侧(例如，下侧)突出并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第三遮光导电层421c”可以设置在柔性膜460和传感器电路板470上。第三遮光导电层421c”可以设置在第二导电连接器VC2上，第二导电连接器VC2设置在传感器电路板470的上表面上。第三遮光导电层421c”可以通过诸如例如各向异性导电膜的导电粘合构件连接到第二导电连接器VC2。因此，第三遮光导电层421c”可以电连接到第二导电连接器VC2。
传感器电路板470的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2可以连接到传感器电路板470的接地源。可替代地，传感器电路板470的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2可以连接到传感器驱动电路480。在这种情况下，施加到第一感测驱动电压线RVSSL(见图4B)的第一感测驱动电压或施加到第二感测驱动电压线RVDDL(见图4B)的第二感测驱动电压可以从传感器驱动电路480施加到传感器电路板470的第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2。
透光层422可以包括第一透光层422a、第二透光层422b和第三透光层422c。第二透光层422b和第三透光层422c可以从第一透光层422a的一侧(例如，下侧)延伸。由于柔性膜460和导电粘合构件510的原因，第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460重叠的部分的厚度t1'可以小于第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460不重叠的部分的厚度t2'。第二透光层422b的在第三方向(Z轴方向)上与柔性膜460重叠的部分的厚度t1'可以小于第一透光层422a的在第三方向(Z轴方向)上与传感器像素SEP(见图3)重叠的部分的厚度。
如图18和图19中所示，第二遮光导电层421b”可以通过导电粘合构件440”连接到第一导电连接器VC1，第一导电连接器VC1在传感器电路板470的上表面上。因而，可以经由第一导电连接器VC1和导电粘合构件440”，将预定电压施加到第一遮光导电层421a”和第二遮光导电层421b”。因此，同时参考图3，可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
图20是图5的指纹传感器400的示例的布局图。图21是沿着图20的线IX-IX'截取的指纹传感器400的示例的截面图。
图20和图21的示例性实施例与图6和图7的示例性实施例的不同之处在于，指纹传感器400还包括在光感测层410和光学层420之间的导电粘合构件450。为了便于解释，在描述图20和图21中，将主要描述与图6和图7的示例性实施例的不同，并且可以省略对先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参考图20和图21，可以在光感测层410的传感器区域SNA(见图5)中的传感器像素SEP上设置遮光导电层421和透光层422。因此，孔PH可以在第三方向(Z轴方向)上与光感测层410的传感器像素SEP重叠。
导电连接器VC可以在一侧(例如，左侧)上连接到第一电压线VL1，并且可以在另一侧(例如，右侧)上连接到第二电压线VL2。导电连接器VC可以围绕遮光导电层421和透光层422。导电连接器VC在平面图中可以成形为四边形框架或四边形窗口框架。
导电粘合构件450可以设置在遮光导电层421和光感测层410的平坦化层PLA之间。导电粘合构件450可以包括导电球。导电粘合构件450可以设置在导电连接器VC上。遮光导电层421可以通过导电粘合构件450电连接到导电连接器VC。
尽管导电连接器VC在第三方向(Z轴方向)上与遮光导电层421不重叠，但是本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，导电连接器VC可以在第三方向(Z轴方向)上与遮光导电层421重叠。
如图20和图21中所示，可以通过导电粘合构件450将遮光导电层421连接到导电连接器VC。因而，可以经由第一指纹焊盘FP1、第一电压线VL1和导电连接器VC，将预定电压施加到遮光导电层421。因此，同时参考图3，可以防止或减少显示面板100的扫描线SL的扫描信号由第一寄生电容Cp1耦合到遮光导电层421。相应地，可以防止或减少由于显示面板100的扫描线SL的扫描信号引起的噪声不利地影响光感测层410的感测线RL的感测信号，该噪声可能由于第一寄生电容Cp1和第二寄生电容Cp2的缘故而发生。
根据本发明构思的示例性实施例，参考图1至图8，显示装置10可以包括光感测层410、显示面板100和遮光导电层421。光感测层410可以包括多个传感器像素SEP、第一第一指纹焊盘FP1、第二第一指纹焊盘FP1、第一导电连接器VC1和第二导电连接器VC2。每个传感器像素SEP可以包括光感测元件PD，感测电流根据入射光的量流过光感测元件PD。显示面板100可以包括多条扫描线SL，并且遮光导电层421可以包括多个孔PH且可以设置在光感测层410和显示面板100之间。可以经由第一电压线VL1将第一第一指纹焊盘FP1连接到第一导电连接器VC1，并且可以经由第二电压线VL2将第二第一指纹焊盘FP1连接到第二导电连接器VC2。预定电压可以从第一第一指纹焊盘FP1、第一电压线VL1和第一导电连接器VC1传输到遮光导电层421，并且预定电压可以从第二第一指纹焊盘FP1、第二电压线VL2和第二导电连接器VC2传输到遮光导电层421。
在根据本发明构思的示例性实施例的指纹传感器和包括指纹传感器的显示装置中，可以经由指纹传感器的指纹焊盘、电压线和导电连接器，将预定电压施加到遮光导电层。因此，可以防止或减少显示面板的扫描线的扫描信号由形成在扫描线和遮光导电层之间的第一寄生电容耦合到遮光导电层。相应地，可以防止或减少由于显示面板的扫描线的扫描信号引起的噪声不利地影响指纹传感器的感测线的感测信号，该噪声可能由于形成在遮光导电层和指纹传感器的感测线之间的第一寄生电容和第二寄生电容的缘故而发生。
在根据本发明构思的示例性实施例的指纹传感器和包括指纹传感器的显示装置中，因为遮光导电层通过导电粘合构件连接到柔性膜或电路板的导电连接器，所以可以将预定电压施加到遮光导电层。因此，可以防止或减少显示面板的扫描线的扫描信号由形成在扫描线和遮光导电层之间的第一寄生电容耦合到遮光导电层。相应地，可以防止或减少由于显示面板的扫描线的扫描信号引起的噪声不利地影响指纹传感器的感测线的感测信号，该噪声可能由于形成在指纹传感器的遮光导电层和感测线之间的第一寄生电容和第二寄生电容的缘故而发生。
虽然已经参考本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在不脱离如在所附权利要求书中阐述的本发明构思的精神和范围的情况下对本发明的示例性实施例进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种指纹传感器，其中，所述指纹传感器包括：
基底；
传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；
遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；
第一指纹焊盘，所述第一指纹焊盘设置在所述基底上；以及
导电连接器，所述导电连接器连接到所述第一指纹焊盘并且施加有预定电压，
其中，所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
2.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述孔中的一些孔在所述基底的厚度方向上与所述传感器像素重叠。
3.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述遮光导电层包括：
第一遮光导电层，所述第一遮光导电层在平面图中具有网格结构；以及
第二遮光导电层，所述第二遮光导电层从所述第一遮光导电层的至少一侧突出并且在所述基底的厚度方向上与所述导电连接器重叠。
4.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
感测线，所述感测线连接到所述传感器像素；
第二指纹焊盘，所述第二指纹焊盘设置在所述基底上；以及
扇出线，所述扇出线设置在所述感测线和所述第二指纹焊盘之间。
5.根据权利要求4所述的指纹传感器，其中，所述孔中的一些孔在所述基底的厚度方向上与所述扇出线重叠。
6.根据权利要求4所述的指纹传感器，其中，所述遮光导电层包括：
第一遮光导电层，所述第一遮光导电层在平面图中具有网格结构；以及
第二遮光导电层，所述第二遮光导电层与所述第一遮光导电层相邻，并且在所述基底的厚度方向上与所述导电连接器重叠。
7.根据权利要求6所述的指纹传感器，其中，所述第二遮光导电层在所述基底的所述厚度方向上与所述扇出线重叠。
8.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
透明导电层，所述透明导电层设置在所述传感器像素和所述遮光导电层之间。
9.根据权利要求8所述的指纹传感器，其中，所述透明导电层在所述基底的厚度方向上与所述导电连接器重叠。
10.根据权利要求8所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
感测线，所述感测线连接到所述传感器像素；
第二指纹焊盘，所述第二指纹焊盘设置在所述基底上；以及
扇出线，所述扇出线设置在所述感测线和所述第二指纹焊盘之间，
其中，所述透明导电层在所述基底的厚度方向上与所述扇出线重叠。
11.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
第一感测驱动电压线，所述第一感测驱动电压线连接到所述光感测元件的第一电极并且施加有第一感测驱动电压；以及
晶体管，所述晶体管连接在所述光感测元件的第二电极和施加有第二感测驱动电压的第二感测驱动电压线之间。
12.根据权利要求11所述的指纹传感器，其中，所述预定电压是接地电压、所述第一感测驱动电压或所述第二感测驱动电压。
13.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
导电粘合构件，所述导电粘合构件设置在所述遮光导电层和所述第一指纹焊盘之间。
14.根据权利要求13所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
透明粘合构件，所述透明粘合构件设置在所述传感器像素和所述遮光导电层之间。
15.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
导电粘合构件，所述导电粘合构件设置在所述传感器像素和所述遮光导电层之间并且接触所述导电连接器。
16.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中，所述导电连接器围绕所述遮光导电层。
17.一种指纹传感器，其中，所述指纹传感器包括：
基底；
传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；
遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；
指纹焊盘，所述指纹焊盘设置在所述基底上；
柔性膜，所述柔性膜设置在所述指纹焊盘上；以及
传感器电路板，所述传感器电路板电连接到所述柔性膜，
其中，所述柔性膜或所述传感器电路板包括施加有预定电压的导电连接器，并且所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
18.根据权利要求17所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
导电粘合构件，所述导电粘合构件设置在所述遮光导电层和所述导电连接器之间。
19.根据权利要求17所述的指纹传感器，其中，所述柔性膜包括电连接到所述指纹焊盘的导电线，并且所述指纹传感器还包括设置在所述指纹焊盘和所述导电线之间的导电粘合构件。
20.根据权利要求17所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
导电粘合构件，所述导电粘合构件设置在所述传感器电路板和所述柔性膜之间。
21.根据权利要求17所述的指纹传感器，其中，所述指纹传感器还包括：
透光层，所述透光层设置在所述遮光导电层上，其中，所述透光层的在所述基底的厚度方向上与所述柔性膜重叠的部分的厚度小于所述透光层的在所述基底的所述厚度方向上与所述传感器像素重叠的部分的厚度。
22.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
显示面板，所述显示面板显示图像；以及
指纹传感器，所述指纹传感器设置在所述显示面板的表面上并且感测穿过所述显示面板的光，
其中，所述指纹传感器包括：
基底；
传感器像素，所述传感器像素设置在所述基底上并且包括光感测元件，感测电流根据入射在所述指纹传感器上的所述光的量流过所述光感测元件；
遮光导电层，所述遮光导电层设置在所述传感器像素上并且包括多个孔；
指纹焊盘，所述指纹焊盘设置在所述基底上；以及
导电连接器，所述导电连接器连接到所述指纹焊盘并且施加有预定电压，
其中，所述遮光导电层电连接到所述导电连接器。
23.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
光感测层，所述光感测层包括多个传感器像素、第一指纹焊盘、第二指纹焊盘、第一导电连接器和第二导电连接器，
其中，所述多个传感器像素中的每一个包括光感测元件，感测电流根据入射光的量流过所述光感测元件；
显示面板，所述显示面板包括多条扫描线；以及
遮光导电层，所述遮光导电层包括多个孔并且设置在所述光感测层和所述显示面板之间，
其中，所述第一指纹焊盘经由第一电压线连接到所述第一导电连接器，并且所述第二指纹焊盘经由第二电压线连接到所述第二导电连接器，
其中，预定电压从所述第一指纹焊盘、所述第一电压线和所述第一导电连接器传输到所述遮光导电层，并且所述预定电压从所述第二指纹焊盘、所述第二电压线和所述第二导电连接器传输到所述遮光导电层。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述孔在所述显示装置的厚度方向上与所述多个传感器像素重叠。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述遮光导电层包括：
第一遮光导电层，所述第一遮光导电层在平面图中具有网格结构；
第二遮光导电层，所述第二遮光导电层从所述第一遮光导电层的至少一侧突出，并且在所述显示装置的厚度方向上与所述第一导电连接器重叠；以及
第三遮光导电层，所述第三遮光导电层从所述第一遮光导电层的所述至少一侧突出，并且在所述显示装置的所述厚度方向上与所述第二导电连接器重叠。
CN202110410975.1A 2020-04-28 2021-04-16 指纹传感器和显示装置 Pending CN113569617A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0051751 2020-04-28
KR1020200051751A KR20210133363A (ko) 2020-04-28 2020-04-28 지문 센서와 그를 포함한 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113569617A true CN113569617A (zh) 2021-10-29

Family

ID=75581428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110410975.1A Pending CN113569617A (zh) 2020-04-28 2021-04-16 指纹传感器和显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11508178B2 (zh)
EP (1) EP3905119A1 (zh)
KR (1) KR20210133363A (zh)
CN (1) CN113569617A (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210060734A (ko) * 2019-11-18 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 광 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR20210133363A (ko) 2020-04-28 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서와 그를 포함한 표시 장치
CN113628535A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 群创光电股份有限公司 显示装置
TW202201210A (zh) * 2020-06-26 2022-01-01 瑞典商指紋卡公司 具有共模補償的光學指紋感測系統
KR20220014626A (ko) * 2020-07-29 2022-02-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN112257574B (zh) * 2020-10-20 2024-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN112466921A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
CN114694192A (zh) * 2022-03-31 2022-07-01 上海天马微电子有限公司 检测电路及其驱动方法和显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3728300B2 (ja) 2003-05-30 2005-12-21 キヤノン株式会社 指紋センサ
JP5640630B2 (ja) * 2010-10-12 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
US10410037B2 (en) 2015-06-18 2019-09-10 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Under-screen optical sensor module for on-screen fingerprint sensing implementing imaging lens, extra illumination or optical collimator array
US10168844B2 (en) 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN108701705B (zh) * 2016-03-15 2022-11-18 索尼公司 固态成像元件及其制造方法和电子设备
KR102043921B1 (ko) 2016-06-28 2019-11-12 주식회사 비욘드아이즈 지문센서 패키지 및 지문인식 기능을 구비한 전자장치
KR102593949B1 (ko) 2018-07-25 2023-10-27 삼성전자주식회사 이미지 센서
CN109445161B (zh) * 2018-12-27 2021-07-09 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20210133363A (ko) 2020-04-28 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서와 그를 포함한 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11508178B2 (en) 2022-11-22
EP3905119A1 (en) 2021-11-03
KR20210133363A (ko) 2021-11-08
US12056952B2 (en) 2024-08-06
US20230116395A1 (en) 2023-04-13
US20210334502A1 (en) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3905119A1 (en) Fingerprint sensor and display device including the same
US11700752B2 (en) Display device
US11887402B2 (en) Fingerprint sensor and display device including the same
US11741740B2 (en) Fingerprint sensor, method of fabricating the same, and display device including the same
US20220131018A1 (en) Fingerprint sensor and display device including the same
US20220165780A1 (en) Fingerprint Identification Substrate and Manufacturing Method Therefor, Identification Method and Display Apparatus
CN114078263A (zh) 指纹传感器及包括该指纹传感器的显示装置
CN114387630A (zh) 指纹传感器、制造指纹传感器的方法以及显示装置
US11783618B2 (en) Fingerprint sensor, method for manufacturing fingerprint sensor, and display device including fingerprint sensor
US11915510B2 (en) Fingerprint sensor and a display device including the same
US20210357612A1 (en) Fingerprint sensor, method of manufacturing the fingerprint sensor, and display device including the fingerprint sensor
CN219108131U (zh) 显示装置
US12087788B2 (en) Fingerprint sensor, method for manufacturing the same, and display device including the same
KR20240049763A (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 지문 센서
CN117858535A (zh) 显示装置、用于制造显示装置的方法和指纹传感器
KR20230144679A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination