CN113555374B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113555374B
CN113555374B CN202110822014.1A CN202110822014A CN113555374B CN 113555374 B CN113555374 B CN 113555374B CN 202110822014 A CN202110822014 A CN 202110822014A CN 113555374 B CN113555374 B CN 113555374B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
display
display substrate
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110822014.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113555374A (zh
Inventor
吴永凯
熊正平
刘祺
齐超
孙振宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110822014.1A priority Critical patent/CN113555374B/zh
Publication of CN113555374A publication Critical patent/CN113555374A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113555374B publication Critical patent/CN113555374B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括显示区域以及设置于所述显示区域周边的边缘防护区域，所述显示基板还包括：基底；膜层单元，设置于所述基底上，包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合；所述膜层单元位于所述边缘防护区域的部分设置多条切割沟道，且所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元；第一保护层，设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。本公开所述显示基板能够改善显示基板边缘剥落不良以及水汽入侵不良，并减小显示基板的边框尺寸。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性显示产品成为手机、平板电脑等电子设备青睐的对象，柔性显示产品可根据电子设备匹配不同的外形模型设计，提供不同的曲面显示需求。
柔性显示屏的边缘在弯折过程中易发生Crack(裂缝)等不良，而Crack会通过无机层延伸到Panel AA区域(显示区域)，显示区域中容易出现黑色斑点等不良，影响产品品质，产品信赖性较低；同时产品在使用过程中弯折位置处最容易受到外力按压，产生不良的风险很大。
为防止Crack向内部延伸，相关技术在柔性显示屏的边缘处进行了断差设计并设置了Crack DAM结构(裂缝大坝结构)。但是，这种Crack DAM结构防Crack延伸效果并不好，同时断差以及Crack DAM结构会占用较大面积，不利于窄边框的实现。
发明内容
有鉴于此，本公开的目的在于提出一种显示基板及其制备方法、显示装置。
基于上述目的，本公开提供了一种显示基板，包括显示区域以及设置于所述显示区域周边的边缘防护区域，所述显示基板还包括：
基底；
膜层单元，设置于所述基底上，包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合；所述膜层单元位于所述边缘防护区域的部分设置多条切割沟道，且所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元；
第一保护层，设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
可选的，所述第一保护层及所述大坝结构的材料包括石墨烯。
可选的，至少部分所述切割沟道贯穿所述膜层单元并延伸至所述基底。
可选的，所述切割沟道延伸至所述基底内的深度为1-2μm。
可选的，所述切割沟道沿所述显示基板的边缘延伸，且环绕所述显示基板设置。
可选的，所述大坝结构与所述显示基板的边缘基本平齐。
可选的，还包括：
触控层，设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧；
第二保护层，设置于所述触控层远离所述基底的一侧。
可选的，所述第一保护层位于所述边缘防护区域；所述第二保护层包括位于所述边缘防护区域的第一子保护区以及位于所述显示区域的第二子保护区，所述第一子保护区设置于所述膜层单元与所述第一保护层之间，所述大坝结构远离所述基底的一端贯穿所述第一子保护区。
可选的，所述第一保护层的厚度小于1μm。
可选的，所述第一保护层位于所述边缘防护区域，所述第二保护层位于所述显示区域；所述第二保护层与所述第一保护层同层设置且厚度相同，所述第二保护层在所述基底上的正投影与所述第一保护层在所述基底上的正投影连接且不重合。
可选的，还包括：
走线层，环绕所述显示基板设置于所述膜层单元内且位于所述边缘防护区域，所述走线层与至少一条大坝结构连接，所述走线层的端部接地。
可选的，所述显示区域包括栅极层，所述走线层与所述栅极层同层设置。
可选的，还包括：
柔性线路板，与所述显示基板连接，包括地线；
所述走线层的端部与所述柔性线路板的地线连接。
可选的，所述大坝结构包括靠近所述显示区域的第一大坝，所述第一大坝靠近所述基底的一端延伸至所述走线层且与所述走线层连接。
可选的，包括设置于所述显示基板边缘的切割线；所述显示基板还包括：
碳化边缘，形成于所述切割线上，与所述第一保护层连接；
导电涂布层，设置于所述基底远离所述膜层单元的一侧，与所述碳化边缘连接。
本公开还提供了一种显示装置，包括如上述任一项所述的显示基板。
本公开还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
提供一基底；
在所述基底一侧制作膜层单元，所述膜层单元包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合；
在所述膜层单元位于所述显示基板的边缘防护区域的部分制作多条切割沟道，所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元；其中，所述边缘防护区域位于所述显示基板的显示区域的周边；
在所述膜层单元上制作第一保护层，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
从上面所述可以看出，本公开提供的显示基板及其制备方法、显示装置，将膜层单元中的各有机层和/或无机层延伸至显示基板的切割线，取消了断差的设计，保证显示模组边缘的平坦趋势，防止外力压迫后因断差导致的断裂；同时给边缘布线预留更多的余量(Margin)，减小了显示基板的边框尺寸，符合窄边框的设计要求；同时，在膜层单元的边缘挖槽刻蚀形成多个并联的切割沟道，在边缘防护区域设置第一保护层保护边缘区域，同时采用第一保护层的材料填充切割沟道从而形成并联的多个大坝结构，从而可将膜层单元21中的有机层和/或无机层阻断，可进一步改善显示基板边缘剥落不良以及水汽入侵不良。
附图说明
为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中显示基板的层级结构示意图；
图2为相关技术中显示基板的裂缝大坝结构示意图；
图3为本公开实施例所述显示基板的结构示意图；
图4为本公开实施例所述显示基板的大坝结构的示意图；
图5为本公开实施例所述显示基板的另一结构示意图；
图6为相关技术中显示基板的静电聚集示意图；
图7为相关技术中显示装置的静电聚集示意图；
图8为本公开实施例走线层的示意图；
图9为本公开实施例碳化边缘的示意图；
图10为本公开实施例所述显示基板的静电聚集示意图；
图11为本公开实施例所述显示装置的静电聚集示意图；
图12为本公开实施例所述显示基板的边缘防护区域示意图；
图13为本公开实施例所述显示基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
如背景技术所述，为防止Crack向内部延伸，相关技术在柔性显示屏的边缘处进行了断差设计并在设置了Crack DAM结构(裂缝大坝结构)该Crack DAM结构包括多条切割沟道，每一个切割沟道形成一个挖空的DAM(大坝)结构。
如图1所示，柔性显示基板包括柔性PI基底100，依次位于柔性PI基底100一侧的分割层(Barrier)101、缓冲层(Buffer)102、栅极绝缘层(GI)103和层间介质层(ILD)104、平坦层(PLN)105和保护层106，虚线107表示切割线。其中，保护层106用于保护触控电极层(Touch Screen Panel-Transparent conductive Oxide，TSP-TOC)。具体实施时，包括缓冲层(Buffer)102、栅极绝缘层(GI)103和层间介质层(ILD)104、平坦化层(PLN)105在内的无机层在柔性PI基底100边缘处并未延伸至切割线从而形成断差设计，同时在上述无机层的边缘形成裂缝大坝结构，切割沟道内填充平坦化层(PLN)92的材料，能够阻挡外围裂纹进入显示区。如图2所示，每个大坝结构(DAM)为长条状，其距离切割线具有一定距离。
如图1、图2所示，柔性显示屏边界的裂缝防护区域为180-210μm，其中包括120-150μm的切割道a(即切割线与断差形成位置之间的距离)以及60μm的防断裂区域b(即裂缝大坝结构所在区域)。而由于平坦化层105以及保护层106的材料均为有机材料，由于有机层之间粘附性差的特性，在显示基板的边缘受到到外力作用时极易产生剥落(Peeling)不良以及水汽入侵不良。同时，断差以及Crack DAM结构会占用较大面积，不利于窄边框的实现。而如果直接强行减少无机层断差又会增加切割道产生裂纹的风险，减弱裂缝大坝结构的强度。
为解决上述技术问题，本公开实施例提供一种显示基板。如图12所示，所述显示基板包括边缘防护区域M以及显示区域N，边缘防护区域M设置于显示基板的周边且围绕所述显示区域N设置，用于阻止外围裂纹进入显示区域N。如图3所示，所述显示基板还包括基底201、膜层单元21以及第一保护层208。
基底201可以为玻璃板、石英板、金属板或树脂类板件等。例如，基底201的材料可以包括有机材料，例如该有机材料可以为聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料，基底201可以为柔性基板或非柔性基板，本公开的实施例对此不作限制。
膜层单元21设置于所述基底201上，包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，例如可以包括在基底201上依次层叠设置的分割层(Barrier)202、缓冲层(Buffer)203、栅极绝缘层(GI)204和层间介质层(ILD)205以及平坦化层(PLN)206等膜层结构。膜层单元21延伸至显示基板的边缘，使得所述膜层单元21在所述基底201上的正投影与所述基底201重合；所述膜层单元21位于所述边缘防护区域的部分设置多条切割沟道，且所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元21，从而通过切割沟道将膜层单元21中的有机层和/或无机层阻断。
第一保护层208设置于所述膜层单元21远离所述基底201的一侧且位于所述边缘防护区域，所述第一保护层208的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构210。如图3、图4所示，多条大坝结构210并联设置于边缘防护区域，从而通过第一保护层208保护显示基板的边缘防护区域，并通过多条并联的大坝结构210将膜层单元21中的有机层和/或无机层阻断，可改善显示基板边缘剥落(Peeling)不良以及水汽入侵不良。
本公开实施例所述显示基板，将膜层单元中的各有机层和/或无机层延伸至显示基板的切割线，取消了断差的设计，保证显示模组边缘的平坦趋势，防止外力压迫后因断差导致的断裂；同时给边缘布线预留更多的余量(Margin)，减小了显示基板的边框尺寸，符合窄边框的设计要求；同时，在膜层单元的边缘挖槽刻蚀形成多个并联的切割沟道，在边缘防护区域设置第一保护层保护边缘区域，同时采用第一保护层的材料填充切割沟道从而形成并联的多个大坝结构，从而可将膜层单元21中的有机层和/或无机层阻断，可进一步改善显示基板边缘剥落不良以及水汽入侵不良。
在本公开的一些实施例中，所述第一保护层208及所述大坝结构210的材料包括石墨烯。由于石墨烯具有优良的导电性能和光学性能，同时具有强度高、韧性好、可弯曲等优点，因此采用石墨烯材料制作第一保护层208及大坝结构210，能够极大的提升对显示基板边缘的保护，防止显示屏边缘出现剥落、水汽入侵等不良，降低信赖性风险，改善效果极好。
在另一些实施例中，至少部分所述切割沟道贯穿所述膜层单元21并延伸至所述基底201，从而使得在切割沟道内形成的大坝结构210也延伸到基底201并与基底201连接，从而可以完全隔断膜层单元21中的各个有机层和/或无机层，防止巨大外力撞击后造成的无机层断裂延伸。
可选的，可以仅一条或多条切割沟道贯穿膜层单元21并延伸至基底201，其他切割沟道贯穿部分膜层单元21，即一个或多个大坝结构210与基底201连接，其他大坝结构210与基底201不连接；也可使得全部的切割沟道贯穿膜层单元21并延伸至基底201，即全部的大坝结构210均与基底201连接。在一个具体的实施例中，如图3所示，该实施例中除离显示基板边缘最远的一个大坝结构210以外，其他大坝结构210均与基底201连接，从而能够多次完全隔断膜层单元21，能够更好的防止无机层断裂延伸。
同时，由于大坝结构210采用石墨烯材料制作，基底201采用聚酰亚胺、丙烯酸酯类等材料制作，而石墨烯与聚酰亚胺以及丙烯酸酯类等材料具有极佳的结合性。因此，采用石墨烯材料制作第一保护层208及大坝结构210时，大坝结构210可以与基底201形成更好的粘附，从而在包括完全隔断膜层单元21的同时可以进一步提高显示模组边缘的强度。
在形成第一保护层208及大坝结构210时，可利用氧化石墨烯与氨基基团经过溶液共混法形成石墨烯溶剂，再通过石墨烯溶剂覆盖显示基板的边缘防护区域从而使得石墨烯溶剂进入切割沟道与基底201结合，从而形成石墨烯材料制作的第一保护层208及大坝结构210。
其中，所述切割沟道可以延伸至所述基底的表面，使得大坝结构210与基底连接。可选的，所述切割沟道也可以延伸至所述基底的内部，且所述切割沟道延伸至所述基底内的深度为1-2μm，从而使得大坝结构210与基底201之间的粘附更加紧密，从而进一步提高显示模组边缘的强度。
可选的，所述切割沟道沿所述显示基板的边缘延伸，且环绕所述显示基板设置，从而使得所形成的大坝结构210以及第一保护层208也沿所述显示基板的边缘延伸且环绕所述显示基板设置，从而能够保护整个显示基板的边缘。
可选的，所述切割沟道或者所述大坝结构与所述显示基板的边缘基本平齐。
在一些实施例中，所述显示基板还包括触控层以及第二保护层207；其中，第二保护层207用于保护触控层，防止触控层损坏。触控层设置于所述膜层单元21远离所述基底201的一侧，触控层可以仅设置于显示基板的显示区域，也可延伸至显示基板的边缘防护区域。第二保护层207设置于触控层远离所述基底201的一侧，通过第二保护层207保护触控层不被损坏。可选的，第二保护层207的材料包括丙烯酸类材料。
在一些可选的实施例中，所述第一保护层208位于所述边缘防护区域M。所述第二保护层207在所述基底201上的正投影与所述基底201重合，即第二保护层207延伸至显示基板的边缘防护区域M。如图3所示，所述第二保护层207包括位于所述边缘防护区域M的第一子保护区以及位于所述显示区域N的第二子保护区；其中，所述第一子保护区设置于所述膜层单元21与所述第一保护层208之间。可选的，第一保护层208远离基底201的一侧与基底201之间的距离等于第二子保护区远离基底201的一侧与基底201之间的距离，即第一保护层208与第一子保护区207的厚度之和等于第二子保护区的厚度。可选的，所述大坝结构210远离所述基底201的一端贯穿所述第一子保护区并与第一保护层208，即在形成切割沟道时，也包括对第二保护层207的第一子保护区的刻蚀。可选的，由于石墨烯的厚度极薄，所述第一保护层208的厚度小于1μm。
在另一些可选的实施例中，如图5所示，所述第一保护层208位于所述边缘防护区域M，所述第二保护层207位于所述显示区域N。其中，所述第二保护层207与所述第一保护层208同层设置且厚度相同，所述第二保护层207在所述基底201上的正投影与所述第一保护层208在所述基底201上的正投影连接且不重合。本实施例中，在制作第一保护层208时可增加其厚度使得第一保护层208的厚度与第二保护层207的厚度相同，这样显示基板边缘的强度更高。
同时，由于第一保护层208与第二保护层207分别位于不同的区域，在制作时将用于形成第一保护层208的石墨烯溶剂以及用于形成第二保护层207的丙烯酸类溶剂融合，并采用MASK分区方式，分别在边缘防护区域M与显示区域N制作石墨烯膜层以及丙烯酸类膜层，从而形成第一保护层208与第二保护层207，这样可以在不新增工艺的基础上完成第一保护层208的制作，工艺上具有很大的兼容性。
可选的，上述实施例中，由于第一保护层208的材料为石墨烯，而第二保护层207为丙烯酸类材料，而石墨烯与丙烯酸类材料具有很好的结合性，因此在上述实施例中第一保护层208和第二保护层207可以很好的结合，从而提高边缘防护区域M的强度，同时可以更好的改善边缘Peeling、水汽入侵等不良。
在相关技术中，如图6、7所示，显示基板10的出光面上还需依次层叠设置偏光片(POL)110、光学胶层(OCA)111以及盖板(cover glass，CG)112等结构，显示基板10的非出光面通过压敏胶(PSA)层107贴附底膜108，底膜108远离显示基板10的一侧贴附散热膜109。如图7所示，显示装置例如手机等设置在使用过程中持续摩擦盖板表面，在盖板112表面以及底膜108上易产生静电聚集，从而影响显示基板10中的薄膜晶体管(TFT)的特性，导致薄膜晶体管特性漂移，造成发亮、发绿等显示不均不良，严重影响用户体验。而手机等显示设备如使用塑料机壳，外界环境瞬间放电会对显示屏产生很大影响，导致显示异常。
为改善上述静电释放(Electro-Static discharge，ESD)问题，在本公开的一些实施例中，所述显示基板还设置有走线层209。如图3所示，走线层209设置于所述膜层单元21内且位于所述边缘防护区域M，走线层209与至少一条大坝结构210连接。如图8所示，走线层209环绕所述显示基板设置，且所述走线层209的端部接地。这样，盖板217上所产生的静电可以经由具有导电性能的第一保护层208依次经过、大坝结构210、走线层209被释放，从而改善ESD。
可选的，所述显示区域N包括栅极层，所述走线层209与所述栅极层同层设置，在制作时可采用一次构图工艺同时形成栅极层以及走线层209，无需新增工艺步骤。
可选的，如图8所示，所述显示基板还包括绑定于显示基板的绑定区的柔性线路板(FPC)215。其中，柔性线路板215与所述显示基板连接，其包括地线(FPC GND)；所述走线层209的两个端部与所述柔性线路板215的地线连接，从而在不额外增加工艺步骤的情况下形成完整静电释放路径，从而改善ESD。
可选的，所述大坝结构210包括靠近所述显示区域的第一大坝，该第一大坝，即为距离显示基板边缘最远的一条大坝结构210，该第一大坝靠近所述基底201的一端延伸至所述走线层209且与所述走线层209连接。如图5所示，第一大坝在基底201上的正投影与走线层209在基底201上的正投影至少部分重合，从而便于第一大坝与走线层209连接后形成完整静电释放路径。
可选的，每个所述大坝结构的宽度为5～10μm。
在另一些实施例中，如图3、图9所示，显示基板包括位于边缘的切割线22。图10所示，所述显示基板还包括碳化边缘215以及导电涂布层211。其中，碳化边缘215形成于所述切割线22上，且与所述第一保护层208连接。导电涂布层211设置于所述基底201远离所述膜层单元21的一侧，且与所述碳化边缘215连接。
本实施例中，如图9所示，采用激光(Lase)切割方法对准切割线22对膜层单元21进行切割从而形成碳化边缘215，而膜层单元21中的有机层被碳化后包含碳元素，使得碳化边缘215的阻抗相对降低，因而能够具有一定的导电功能。当底膜产生静电聚集时，底膜上的静电电荷可通过导电涂布层211转移到碳化边缘215，碳化边缘215将该静电电荷转移给具有导电性能的第一保护层208，再通过第一大坝与走线层209实现静电释放，从而有效改善了底膜静电聚集的问题。
如图3所示，基底201远离所述膜层单元21的一侧设置有底膜212，底膜212通过胶层213粘附于基底201上。导电涂布层211设置于底膜212远离基底201的一侧。可选的，导电涂布层211可采用金属涂层，包括金、镍、铝、碳等材质或融合物；在制作时可将金、镍、铝、碳等材质或融合物与丙烯酸酯等形成溶剂黏附于底膜212上，所形成的导电涂布层211的粘附性以及导电性均较好。可选的，导电涂布层211的厚度为5-10um。
在上述实施例中，通过导电涂布层211、碳化边缘215、第一保护层208、第一大坝以及走线层209的配合使用，由于金属涂层设计简单、导电性好，有机和/或无机的碳化边缘具有一定导电能力导电，石墨烯导电性极好，金属走线层的导通性极好，可有效改善摩擦等静电积累，也可改善瞬间放电等对显示装置的影响；在防止crack等不良的同时，又可同时将外界瞬间放电以及摩擦静电及时导走释放，二者巧妙结合，具有更好的技术效果。
可选的，如图12所示，所述边缘防护区域的宽度为100～110μm，其中，包括宽度为70-80μm的切割道A，以及宽度为30μm左右的防断裂区域B；相比于相关技术中宽度为120-150μm的切割道a以及宽度60μm的防断裂区域b，大大减少了边缘防护区域的宽度，进一步减少边框宽度，且能够为显示基板的边缘布线预留更多的余量。同时，由于采用激光切割方式对准切割线22对膜层单元21进行切割时，其碳化边界的宽度为50μm作用，因此本实施例中预留的宽度为70-80μm的切割道A可满足边界切割的精度波动要求。
基于同一发明构思，与上述任意实施例所述显示基板相对应的，本公开实施例还提供一种显示装置，包括如上述任一项实施例所述的显示基板20。
如图11所示，所述显示装置还包括包括贴附于基底20远离所述膜层单元21一侧的底膜212，以及用于贴附底膜212的胶层213。其中，底膜212可采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)等材料制成，用于保护基底201；胶层213可包括压敏胶(PSA)。
可选的，显示装置还包括依次层叠设置与显示基板有偏光片(POL)215、光刻胶层(OCA)217以及盖板(cover glass，CG)217等结构。
在本实施例中，由于显示装置包括本公开前述实施例所述的显示基板，因此本公开实施例提供的显示装置具有与显示基板相同的有益效果，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供一种显示基板的制作方法，如图13所示，所述方法包括：
步骤S101，提供一基底。
其中，基底20的材料可以包括有机材料，例如该有机材料可以为聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料，基底20可以为柔性基板或非柔性基板，本公开的实施例对此不作限制。
步骤S102，在所述基底一侧制作膜层单元，所述膜层单元包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合。
本步骤中，膜层单元21可以包括在基底201上依次层叠设置的分割层(Barrier)202、缓冲层(Buffer)203、栅极绝缘层(GI)204和层间介质层(ILD)205以及平坦化层(PLN)206等膜层结构。膜层单元21延伸至显示基板的边缘。
本步骤中，采用构图工艺依次形成膜层单元21中的各个有机层和/或无机层。
步骤S103，在所述膜层单元位于所述显示基板的边缘防护区域的部分制作多条切割沟道，所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元。其中，所述边缘防护区域位于所述显示基板的显示区域的周边。
本步骤中，对位于边缘防护区域的膜层单元21进行挖槽刻蚀，从而形成多条并联的切割沟道，切割沟道贯穿至少部分膜层单元，从而通过切割沟道将膜层单元中的有机层和/或无机层阻断。
步骤S104，在所述膜层单元上制作第一保护层，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
本步骤中，可利用导电材料覆盖膜层单元及切割沟道，使得该导电材料不仅填充切割沟道从而形成大坝结构，还形成第一保护层208。
本步骤中，采用导电材料填充切割沟道从而形成大坝结构210以及第一保护层208，通过第一保护层208保护显示基板的边缘防护区域，并通过多条并联的大坝结构210将膜层单元中21的有机层和/或无机层阻断，可改善显示基板边缘剥落不良以及水汽入侵不良。
在一些实施例中，步骤S104中还包括：采用石墨烯形成所述第一保护层208及所述大坝结构210。由于石墨烯具有优良的导电性能和光学性能，同时具有强度高、韧性好、可弯曲等优点，因此采用石墨烯材料制作第一保护层及大坝结构，能够极大的提升对显示基板边缘的保护，防止显示屏边缘出现剥落、水汽入侵等不良，降低信赖性风险，改善效果极好。在制作时，采用石墨烯溶剂涂覆位于边缘防护区域中部分膜层单元，使得石墨烯溶剂填充切割沟道从而形成多条并联的大坝结构，同时在膜层单元表面形成第一保护层208。
在一些实施例中，步骤S103中所述在所述膜层单元位于所述显示基板的边缘防护区域的部分制作多条并联的切割沟道，还包括：至少部分所述切割沟道贯穿所述膜层单元并延伸至所述基底。本实施例中，在对膜层单元21进行挖槽刻蚀时，使得至少部分切割沟道贯穿所述膜层单元21并延伸至基底201，从而使得在切割沟道内形成的大坝结构210也延伸到基底201并与基底201连接，从而可以完全隔断膜层单元21中的各个有机层和/或无机层，防止巨大外力撞击后造成的无机层断裂延伸。
同时，由于大坝结构210采用石墨烯材料制作，基底201采用聚酰亚胺、丙烯酸酯类等材料制作，而石墨烯与聚酰亚胺以及丙烯酸酯类等材料具有极佳的结合性。因此，采用石墨烯材料制作第一保护层208及大坝结构210时，大坝结构210可以与基底201形成更好的粘附，从而在包括完全隔断膜层单元21的同时可以进一步提高显示模组边缘的强度。
可选的，切割沟道也可以延伸至所述基底的内部，例如所述切割沟道延伸至所述基底内的深度为1-2μm，从而使得大坝结构210与基底201之间的粘附更加紧密，从而进一步提高显示模组边缘的强度。
可选的，可利用氧化石墨烯与氨基基团经过溶液共混法形成石墨烯溶剂，再通过石墨烯溶剂覆盖显示基板的边缘防护区域从而使得石墨烯溶剂进入切割沟道与基底201结合，从而形成石墨烯材料制作的第一保护层208及大坝结构210。
在一些实施例中，所述切割沟道沿所述显示基板的边缘延伸，且环绕所述显示基板设置。
在一些实施例中，所述大坝结构与所述显示基板的边缘基本平齐。
在一些实施例中，所述制备方法还包括：
步骤S201，在所述膜层单元远离所述基底的一侧形成触控层；
步骤S202，在所述触控层远离所述基底的一侧形成第二保护层。其中，第二保护层207用于保护触控层，防止触控层损坏。
在一些实施例中，所述第一保护层位于所述边缘防护区域；所述第二保护层包括位于所述边缘防护区域的第一子保护区以及位于所述显示区域的第二子保护区，所述第一子保护区设置于所述膜层单元与所述第一保护层之间，所述大坝结构远离所述基底的一端贯穿所述第一子保护区。所述第一保护层的厚度小于1μm。
在本实施例中，步骤S103之前，在所述膜层单元21上制作触控层以及第二保护层207。其中，第二保护层207的第一子保护区设置于边缘防护区域。步骤S103中在形成切割沟道时，也包括对第二保护层207的第一子保护区的刻蚀。
在一些实施例中，所述第一保护层位于所述边缘防护区域，所述第二保护层位于所述显示区域；所述第二保护层与所述第一保护层同层设置且厚度相同，所述第二保护层在所述基底上的正投影与所述第一保护层在所述基底上的正投影连接且不重合。
在本实施例中，将用于形成第一保护层208的石墨烯溶剂以及用于形成第二保护层207的丙烯酸类溶剂融合，并采用MASK分区方式，分别在边缘防护区域M与显示区域N制作石墨烯膜层以及丙烯酸类膜层，从而形成第一保护层208与第二保护层207，这样可以在不新增工艺的基础上完成第一保护层208的制作，工艺上具有很大的兼容性。
在一些实施例中，步骤S102中在所述基底一侧制作膜层单元时，还包括：
形成走线层；其中，走线层环绕所述显示基板设置于所述膜层单元内且位于所述边缘防护区域，所述走线层与至少一条大坝结构连接，所述走线层的端部接地。这样，盖板217上所产生的静电可以经由具有导电性能的第一保护层208依次经过、大坝结构210、走线层209被释放，从而改善ESD。
可选的，步骤S102中在所述基底一侧制作膜层单元时，还包括：采用一次构图工艺形成所述走线层以及显示基板的显示区域的栅极层。本实施例中，走线层209与显示区域的栅极层同层设置，在制作时可采用一次构图工艺同时形成栅极层以及走线层209，无需新增工艺步骤。
在一些实施例中，所述显示基板还包括柔性线路板，柔性线路板与所述显示基板连接，其包括地线。在制作走线层时，将所述走线层的端部与所述柔性线路板的地线连接，从而在不额外增加工艺步骤的情况下形成完整静电释放路径，从而改善ESD。
可选的，在形成切割沟道时，靠近显示区域的一条切割沟道延伸至走线层，从而在形成该条大坝结构时使得该条大坝靠近所述显示区域，且该条大坝结构靠近所述基底的一端延伸至所述走线层且与所述走线层连接。
可选的，每个所述大坝结构的宽度为5～10μm；所述边缘防护区域的宽度为100～110μm。
可选的，本公开实施例中显示基板包括设置于所述显示基板边缘的切割线；所述制备方法还包括：
步骤S301，采用激光切割方法对准切割线22对膜层单元21进行切割从而形成碳化边缘215碳化边缘。即形成于所述切割线上，且碳化边缘215与所述第一保护层208连接。
在基底201远离所述膜层单元21的一侧形成底膜212；在底膜212上涂覆金属材料形成导电涂布层211；其中，导电涂布层211与所述碳化边缘215连接。导电涂布层211可采用金属涂层，包括金、镍、铝、碳等材质或融合物；在制作时可将金、镍、铝、碳等材质或融合物与丙烯酸酯等形成溶剂黏附于底膜212上，所形成的导电涂布层211的粘附性以及导电性均较好。可选的，导电涂布层211的厚度为5-10um。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本公开实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本公开实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本公开实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本公开实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种显示基板，包括显示区域以及设置于所述显示区域周边的边缘防护区域，所述显示基板还包括：
基底；
膜层单元，设置于所述基底上，包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合；所述膜层单元位于所述边缘防护区域的部分设置多条切割沟道，且所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元；
第一保护层，设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构；
所述第一保护层及所述大坝结构的材料包括石墨烯。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，至少部分所述切割沟道贯穿所述膜层单元并延伸至所述基底。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述切割沟道延伸至所述基底内的深度为1-2μm。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述切割沟道沿所述显示基板的边缘延伸，且环绕所述显示基板设置。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述大坝结构与所述显示基板的边缘基本平齐。
6.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
触控层，设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧；
第二保护层，设置于所述触控层远离所述基底的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一保护层位于所述边缘防护区域；所述第二保护层包括位于所述边缘防护区域的第一子保护区以及位于所述显示区域的第二子保护区，所述第一子保护区设置于所述膜层单元与所述第一保护层之间，所述大坝结构远离所述基底的一端贯穿所述第一子保护区。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一保护层的厚度小于1μm。
9.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一保护层位于所述边缘防护区域，所述第二保护层位于所述显示区域；所述第二保护层与所述第一保护层同层设置且厚度相同，所述第二保护层在所述基底上的正投影与所述第一保护层在所述基底上的正投影连接且不重合。
10.根据权利要求2-9任一项所述的显示基板，还包括：
走线层，环绕所述显示基板设置于所述膜层单元内且位于所述边缘防护区域，所述走线层与至少一条大坝结构连接，所述走线层的端部接地。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述显示区域包括栅极层，所述走线层与所述栅极层同层设置。
12.根据权利要求10所述的显示基板，还包括：
柔性线路板，与所述显示基板连接，包括地线；
所述走线层的端部与所述柔性线路板的地线连接。
13.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述大坝结构包括靠近所述显示区域的第一大坝，所述第一大坝靠近所述基底的一端延伸至所述走线层且与所述走线层连接。
14.根据权利要求10所述的显示基板，其中，包括设置于所述显示基板边缘的切割线；所述显示基板还包括：
碳化边缘，形成于所述切割线上，与所述第一保护层连接；
导电涂布层，设置于所述基底远离所述膜层单元的一侧，与所述碳化边缘连接。
15.一种显示装置，包括如权利要求1-14任一项所述的显示基板。
16.一种权利要求1-14任一项所述显示基板的制作方法，包括：
提供一基底；
在所述基底一侧制作膜层单元，所述膜层单元包括多个层叠设置的有机层和/或无机层，所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合；
在所述膜层单元位于所述显示基板的边缘防护区域的部分制作多条切割沟道，所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元；其中，所述边缘防护区域位于所述显示基板的显示区域的周边；
在所述膜层单元上制作第一保护层，所述第一保护层的材料包括导电材料，且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
CN202110822014.1A 2021-07-20 2021-07-20 显示基板及其制备方法、显示装置 Active CN113555374B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110822014.1A CN113555374B (zh) 2021-07-20 2021-07-20 显示基板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110822014.1A CN113555374B (zh) 2021-07-20 2021-07-20 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113555374A CN113555374A (zh) 2021-10-26
CN113555374B true CN113555374B (zh) 2024-04-02

Family

ID=78103652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110822014.1A Active CN113555374B (zh) 2021-07-20 2021-07-20 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113555374B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113991040B (zh) * 2021-10-27 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108364987A (zh) * 2018-02-24 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110943108A (zh) * 2019-11-06 2020-03-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种折叠显示面板及其制作方法、显示装置
CN111768703A (zh) * 2020-06-22 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112038503A (zh) * 2020-09-21 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板母版及其制作方法、显示面板、显示装置
CN112435581A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示结构、柔性显示屏及电子设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108364987A (zh) * 2018-02-24 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110943108A (zh) * 2019-11-06 2020-03-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种折叠显示面板及其制作方法、显示装置
CN111768703A (zh) * 2020-06-22 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112038503A (zh) * 2020-09-21 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板母版及其制作方法、显示面板、显示装置
CN112435581A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示结构、柔性显示屏及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN113555374A (zh) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3327786B1 (en) Organic light-emitting display device
US10658436B2 (en) Organic light emitting display device to implement narrow bezel and thin thickness
US10573833B2 (en) Flexible display substrate and method for manufacturing the same, and flexible display device
KR101469485B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20230144494A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
TWI603467B (zh) 電子裝置的窄邊界顯示器
KR101980766B1 (ko) 터치 패널 내장형 유기 발광 다이오드 표시 장치
WO2019085493A1 (zh) 一种显示器件
US10347863B2 (en) Organic light-emitting display device
US20110298750A1 (en) Touch-sensitive device and fabrication method thereof and touch-sensitive display device
CN110349979B (zh) 柔性显示器
KR20170005341A (ko) 디스플레이 장치
KR102584326B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN112242431B (zh) 触控显示面板及其制备方法、显示装置
CN111524908A (zh) 显示面板及显示装置
KR20200078838A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
KR20120073736A (ko) 유기발광표시패널 및 그의 제조방법
KR20180051318A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN113555374B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20160073531A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN110021626B (zh) 可折叠显示装置和制造可折叠显示装置的方法
CN114784058A (zh) 显示屏及电子设备
KR102533228B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20170132942A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
KR20200071361A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant