CN113549965B - 超低轮廓铜箔电镀黑化工艺 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 21
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 15
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 15
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 4
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Co].[Ni] Chemical compound [Cu].[Co].[Ni] VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- -1 and at the same time Substances 0.000 description 1
- KKQBZNHBNPSGOP-UHFFFAOYSA-N azanium 2-aminoacetic acid chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-].NCC(O)=O KKQBZNHBNPSGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0607—Wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，包括首先，选取超低轮廓铜箔，对铜箔表面进行酸洗除去铜箔生箔表面氧化物；然后，将超低轮廓铜箔进行黑化电镀；其中电镀黑化液中镍离子浓度5～12g/l，铜离子浓度2～3g/l，焦磷酸钾浓度50～70g/l，锌离子浓度1～2g/l，钴离子浓度0.5～1g/l，PH：9～10，甘氨酸5～50g/l，氯化铵10～100g/l，流量为5～8m3/h，电流密度100～500A/㎡,温度为25～30℃。通过工艺参数及电镀流程的改善，使超低轮廓铜箔在黑化之后达到无刻蚀后残留、颜色均匀一致以及无刻蚀后残留的目的。
Description
技术领域
本发明涉及铜箔电镀领域，具体涉及一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺。
背景技术
黑化铜箔主要应用于触摸面板传感器，在触摸面板传感器薄膜表面和背面需要透视的部分具备条纹状或网状的铜布线。铜布线原本因金属特有的镜面反射而反射率变高，但在触摸面板传感器中，通过将铜布线的可视侧的面制成氧化膜并进行黑化，将来自铜布线的反射抑制得较低，由此抑制了作为触摸面板传感器搭载于显示器时的对比度的降低。
国外黑化铜箔主要为压延铜箔，国内压延铜箔尚处在起步阶段，其产品性能不能满足高端市场的需求。
国内目前对铜箔的黑化工艺不能满足对超低轮廓电解铜箔的处理，原因在于：1、目前的黑化工艺，做出的黑化膜存在耐蚀性过高，导致下游客户制作电路板时蚀刻不净或耐蚀性不够出现侧蚀缺陷；2、铜箔黑化颜色不均匀。
因此，目前超低轮廓电解铜箔黑化过程中存在有刻蚀后残留、颜色均不一性以及有刻蚀后残留的问题。因此如何解决后处理上述问题，替代进口铜箔，成为本领域内工艺研究者的急需解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，解决目前针对超低轮廓电解铜箔黑化过程中存在有刻蚀后残留、颜色均不一性以及有刻蚀后残留的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
提供一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，包括
首先，选取超低轮廓铜箔，对铜箔表面进行酸洗除去铜箔生箔表面氧化物；
然后，将超低轮廓铜箔进行黑化电镀；其中
电镀黑化液中镍离子浓度5～12g/l，铜离子浓度2～3g/l，焦磷酸钾浓度50～70g/l，锌离子浓度1～2g/l，钴离子浓度0.5～1g/l，PH：9～10，甘氨酸5～50g/l，氯化铵10～100g/l，流量为5～8m3/h，电流密度100～500A/㎡,温度为25～30℃。
进一步的，所述超低轮廓铜箔毛面Rz值3.5以下。
本发明的有益效果是：
本发明提供一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，通过工艺参数及电镀流程的改善，使超低轮廓铜箔在黑化之后达到无刻蚀后残留、颜色均匀一致以及无刻蚀后残留的目的。
具体实施方式
现在结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例一
一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，包括
首先，选取超低轮廓铜箔，对铜箔表面进行酸洗除去铜箔生箔表面氧化物；然后，将超低轮廓铜箔进行黑化电镀；其中
黑化液中镍离子浓度12g/L，铜离子浓度3g/L，焦磷酸钾浓度50g/L，锌离子浓度1g/L，钴离子浓度1g/L,PH：9，甘氨酸5g/L，氯化铵10g/L，流量8m3/h，电流密度500A/㎡,温度25℃。
本实施例中，超低轮廓铜箔选用厚度12um、达到毛面Rz值3.5以下，抗剥离强度1.0以上。
实施例二
本实施例基于实施例一，但对黑化工艺参数进行了调整，具体为：
黑化液中镍离子浓度10g/L，铜离子浓度2.8g/L，焦磷酸钾浓度55g/L，锌离子浓度1.2g/L，钴离子浓度0.9g/L,PH：10，甘氨酸10g/L，氯化铵20g/L，流量7m3/h，电流密度400A/㎡,温度26℃。
实施例三
本实施例基于实施例一，但对黑化工艺参数进行了调整，具体为：
镍离子浓度8g/L，铜离子浓度2.5g/L，焦磷酸钾浓度60g/L，锌离子浓度1.5g/L，钴离子浓度0.7g/L,PH：9.5，甘氨酸30g/L，氯化铵50g/L，流量7m3/h，电流密度300A/㎡,温度27℃。
实施例四
本实施例基于实施例一，但对黑化工艺参数进行了调整，具体为：
黑化液中镍离子浓度6g/L，铜离子浓度2.2g/L，焦磷酸钾浓度65g/L，锌离子浓度1.7g/L，钴离子浓度0.6g/L,PH：8.8，甘氨酸40g/L，氯化铵70g/L，流量6m3/h，电流密度200A/㎡,温度28℃。
实施例五
本实施例基于实施例一，但对黑化工艺参数进行了调整，具体为：
黑化液中镍离子浓度5g/L，铜离子浓度2g/L，焦磷酸钾浓度70g/L，锌离子浓度2g/L，钴离子浓度0.5g/L,PH：9.3，甘氨酸50g/L，氯化铵100g/L，流量5m3/h，电流密度100A/㎡,温度30℃。
本发明对超低轮廓铜箔黑化原理为：
镍钴铜合金是镀黑皮的关键元素，选择合适的螯合剂及络合剂在过电位下形成合金而不是分层电镀，这是镀黑及保证色泽均匀的关键。
用含镍盐、铜盐、甘氨酸、铵盐的电镀液对铜箔进行电解处理时，该电镀液中的甘氨酸和铵盐起着极为重要的作用。即在横跨由弱酸到弱减的范围广泛的PH值领域中，甘氨酸能稳定地和铵盐和镍生成螯合物，同时，由于铜跟镍的析出电位相近，能使他们成为合金的状态析出。此外，过剩的甘氨酸具有缓冲PH值的作用，具有能抑制由于电解反应而导致点击界面的PH值波动的机能。在促进黑色化方面，铵盐是必不可少的添加剂，他能细化Ni-CU合金皮膜，从而得到镍钴铜黑色皮膜。
镍、钴、铜合金具有耐蚀性，但镍、钴、铜含量过高时，螯合和络合作用不完全，会在电镀时在铜箔表面分层电镀，形成三层合金薄膜，导致下游客户在蚀刻时出现残留；甘氨酸、氯化铵和焦磷酸钾含量过高时，会减少合金层与铜箔表面的结合力，从而出现侧蚀。
超低轮廓铜箔经过上述五个实施例中黑化处理之后的性能参见下表：
在实施例1中，黑化液中的镍、钴、铜含量较高，甘氨酸、氯化铵、焦磷酸钾含量较低，难以使镍、钴、铜三种元素产生螯合和络合作用从而使三种元素在过电位下形成合金，而是会分层电镀，形成三层金属薄膜，会导致铜箔在下游客户做电子电路板蚀刻工艺中出现蚀刻不净的情况；且实施例1中虽然电流密度与流量较高，但黑色的镍钴铜合金不足，所以会出现黑色不均匀的情况；实施例2与实施例1相近，略微降低了镍钴铜含量，同时提高了甘氨酸、氯化铵、焦磷酸钾含量，刻蚀后残留状况减轻；镍钴铜合金不足仍会导致黑色不均匀；
实施例3中，镍钴铜含量与甘氨酸、氯化铵、焦磷酸钾含量适中，镍、钴、铜可以以甘氨酸和氯化铵为螯合剂产生螯合作用，以焦磷酸钾为络合剂产生络合作用，从而在过电位下顺利形成镍钴铜合金，故可以保证在刻蚀时不会出现残留；且电流密度与流量和浓度匹配，可以使镍钴铜合金均匀的电镀在铜箔表面，从而形成均匀的黑色薄膜；
实施例4中，镍钴铜含量较低，甘氨酸和氯化铵、焦磷酸钾较高，虽然会顺利的形成镍钴铜合金，但过量的甘氨酸氯化铵和交流酸价会降低铜箔表面和合金层的结合力，可能会出现侧蚀的情况；且电流密度与流量较低，在电镀时会因各元素含量不足且电镀层较薄而出现颜色不均一的情况；
实施例5中镍钴铜含量进一步降低，甘氨酸、氯化铵和焦磷酸钾含量进一步增加，电流密度与流量更低，故侧蚀情况加重，颜色更加不均匀。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (2)
1.一种超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，其特征在于，包括
首先，选取超低轮廓铜箔，对铜箔表面进行酸洗除去铜箔生箔表面氧化物；
然后，将超低轮廓铜箔进行黑化电镀；其中
电镀黑化液中镍离子浓度8g/L，铜离子浓度2.5g/L，焦磷酸钾浓度60g/L，锌离子浓度1.5g/L，钴离子浓度0.7g/L，PH：9.5，甘氨酸30g/L，氯化铵50g/L，流量7m3/h，电流密度300A/㎡，温度27℃。
2.根据权利要求1所述的超低轮廓铜箔电镀黑化工艺，其特征在于，
所述超低轮廓铜箔毛面Rz值3.5以下。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110871409.0A CN113549965B (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 超低轮廓铜箔电镀黑化工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110871409.0A CN113549965B (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 超低轮廓铜箔电镀黑化工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113549965A CN113549965A (zh) | 2021-10-26 |
| CN113549965B true CN113549965B (zh) | 2023-05-12 |
Family
ID=78105011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110871409.0A Active CN113549965B (zh) | 2021-07-30 | 2021-07-30 | 超低轮廓铜箔电镀黑化工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113549965B (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100633790B1 (ko) * | 2004-06-02 | 2006-10-16 | 일진소재산업주식회사 | 전자파 차폐용 흑화표면처리 동박의 제조방법과 그 동박및 이를 사용하여 제조된 복합재료 |
| CN102534710A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-04 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种超低轮廓铜箔表面的黑色粗化处理工艺 |
| CN106757245B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-05-21 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种黑化铜箔的表面处理工艺 |
| CN106757188B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-02-05 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种挠性覆铜板用铜箔表面的黑色处理工艺 |
| CN107881538B (zh) * | 2017-12-21 | 2019-11-01 | 上海理工大学 | 一种电镀液以及压延铜箔的表面黑色处理方法 |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110871409.0A patent/CN113549965B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113549965A (zh) | 2021-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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