CN113540146A - 用于粒状存储介质的图案化热吸收层 - Google Patents

用于粒状存储介质的图案化热吸收层 Download PDF

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Abstract

本申请公开了用于粒状存储介质的图案化热吸收层。一种热辅助磁记录设备，包括粒状磁记录层和形成在该磁记录层的顶部上的热吸收层。该热吸收层被图案化以包括在该磁性介质的跨轨道方向上延伸的行，该行的每一个相邻对由绝缘材料彼此分隔。

Description

用于粒状存储介质的图案化热吸收层
背景技术
在图案化介质设备中，盘上的磁性材料被图案化或长成为小的孤立的岛或“晶粒”，使得每一个岛或晶粒中只有单个磁畴。每一个单个磁畴可以是单个晶粒或多个强耦合晶粒，该多个强耦合晶粒作为单个磁性体积一致地切换磁性状态。这与常规的非图案化介质形成对比，其中单个“位”可以具有由晶界分隔的多个磁性晶粒。介质可以被制造为使得在岛之间的区域中没有磁性材料。
尽管图案化介质优先被视为有效延迟超顺磁极限(面密度极限，其中介质中的热波动自发地改变记录位的极化)的有希望的工具，但是当前受青睐的用于创建图案化介质的技术倾向于对磁性岛造成损害，导致晶粒间诸如矫顽力分布、开关场分布等特性的不一致性或晶粒间居里温度的偏差。随着图案密度的增加，对磁性岛的这种破坏倾向于增加。因此，常规的图案化方法不利于高密度图案的形成。
发明内容
根据一个实现方式，一种磁性介质包括粒状记录层和形成在该磁记录层的顶部上的热吸收层。该热吸收层被图案化以包括在该磁性介质的跨轨道方向上延伸的行，并且该行的每一个相邻对由绝缘材料彼此分隔。
提供本发明内容以便以简化的形式介绍以下在详细描述中进一步描述的概念的选集。本发明内容并非旨在标识出要求保护的主题内容的关键特征或必要特征，亦非旨在用于限定要求保护的主题内容的范围。根据以下对如在附图中进一步示出并且在所附权利要求中所定义的各种实现方式的更具体的书面详细描述，所要求保护的主题的其他特征、细节、效用和优点将变得显而易见。
附图说明
图1示出了包括具有图案化热吸收层的磁性介质的示例数据存储设备。
图2示出了具有图案化热吸收层的另一个示例磁性介质的横截面视图。
图3示出了具有图案化热吸收层的又一个示例磁性介质的横截面视图。
图4示出了具有图案化热吸收层的又一个示例磁性介质的横截面视图。
图5示出了具有图案化热吸收层的又一个示例磁性介质的横截面视图。
图6示出了具有在两个垂直方向上图案化的热吸收的磁性介质的图案化。
图7示出了具有图案化热吸收层的又一个示例磁性介质的视图。
具体实施方式
目前流行的在磁性介质中制造粒状记录层的技术倾向于产生在磁性属性方面缺乏均匀性的磁性晶粒，磁性属性诸如矫顽力分布、开关场分布和居里温度。众所周知，这些晶粒间的不一致性会导致写入错误的增加以及可达到的信噪比(SNR)的降低。同时，已知可以通过改善头/介质热梯度来逆转和潜在地克服这种降低。
如本文所使用的，“头/介质热梯度”是指在热辅助磁记录(HAMR)设备中观察到的热梯度，该热梯度存在于(1)当前被加热并经历写入转换的介质上的数据位和(2)紧接在当前的写入转换之前已经通过写入元件下方的紧邻数据位之间。
热辅助磁记录(HAMR)的当前状态示出了目前可达到的SNR值远低于给定晶粒尺寸下可以支持的理论极限。理论上认为，如果与在现有的粒状介质设备中所观察的头/介质热梯度相比头/介质热梯度被足够地增大，则SNR可以提高到理论上可达到的最高SNR值。SNR的这种增加将使晶粒尺寸减小，从而使介质面密度增大。例如，HAMR设备中的当前热梯度为近似7-9K/nm。如果将该热梯度提高到大于约30K/nm的值，则介质面密度可以提高50-100％。
根据一个实现方式，本文所公开的技术提供了一种形成在HAMR设备中的粒状磁记录层顶部上的图案化热吸收层。图案化热吸收层可以通过增加有效热梯度来显著改善设备的SNR，从而减轻不一致的晶粒间属性的性能退化影响。
图1示出了示例数据存储设备100，该示例数据存储设备100包括具有形成在粒状磁记录层132顶部上的图案化热吸收层140(参见视图B)的磁性介质108。粒状磁记录层132包括由非磁性材料彼此分隔的多个磁性晶粒。在记录过程中，可以通过使用换能器头组件120上的磁写入极(未示出)选择性地转换磁记录层132中的磁性晶粒的极性，来将数据记录在磁性介质中。如视图A所示，磁性介质108围绕主轴中心或盘旋转轴112旋转，并且包括其之间是多个同心数据轨道的内直径104和外直径102。
换能器头组件120在致动器旋转轴114远侧的一端处安装在致动器组件109上。换能器头组件120在盘旋转期间紧密贴近磁性介质108的表面上方飞行。在寻道操作期间，致动器组件109围绕致动器旋转轴114旋转。寻道操作将换能器头组件120定位在目标数据轨道上以进行读取和写入操作。
在HAMR设备中，在记录过程中暂时加热磁性介质108上的磁性晶粒，以在基本上对应于单独的数据位的紧密聚焦区域中选择性地降低磁矫顽力。例如，来自热源(未示出)的光可以被引导到波导(未示出)中，并且经由近场换能器(NFT)152聚焦到磁性介质108上的位位置(bit location)，因为位位置受到由写入极生成的磁性的影响。然后基于所施加的磁写入场的极性利用所记录的数据位对加热区域进行编码。冷却之后，磁矫顽力基本恢复到其预加热水平，从而稳定该数据位的磁化。对存储介质上的多个数据位重复该写入过程，并且可以使用磁阻读取头读取此类数据位。
图1的视图B中示出的磁性介质108的横截面视图包括层堆叠124，该层堆叠124在不同的实现方式中可以包括形成在衬底顶部上的各种不同层，诸如下文相对于图2所描述的那些示例性层。粒状磁记录层132形成在层堆叠124的顶部上，并且包括定位在由非磁性材料(例如，非磁性材料136)彼此分隔的固定位置处的磁性岛或晶粒(例如，晶粒134)。在不同的实现方式中，磁性晶粒可以由包括消去工艺(subtractive process)(例如，通过铣削或蚀刻到磁性层中并且然后利用非磁性材料回填来创建磁性岛的工艺)的多种不同工艺中的任何一种来形成，或者替代地由一种或多种加性工艺(additive process)(例如，通过使磁性晶粒在籽晶层上的生长点成核来创建磁性岛的工艺)来形成。依据用于创建粒状磁记录层132的方法，磁性岛可以根据选择的图案来成形和布置，或者代替地，可以被随机或半随机地成形和布置。
在粒状磁记录层132的顶部上形成图案化热吸收层140，并且在图案化热吸收层140的顶部上形成覆盖层142(例如，碳覆盖层或其他保护层)。依据所采用的制造工艺，可以对覆盖层142进行图案化以匹配图案化热吸收层140的图案，也可以不对覆盖层142进行图案化以匹配图案化热吸收层140的图案。在一个实现方式中，图1的视图B示出的图案化结构是通过以下方式形成的：将图案化热吸收层140的材料沉积在粒状磁记录层132的顶部上；将覆盖层142沉积在图案化热吸收层140上；以及蚀刻通过图案化热吸收层140和覆盖层142两者以在图案化热吸收层140的材料中创建间隙(例如，间隙144)。各种其他制造工艺可以用于其他实现方式中，其中一些在本文中相对于下文的图2-图7进行讨论。
在一些实现方式中，存储设备100使用图案化热吸收层140的岛之间的间隙(例如，间隙144)来指示数据位(例如，一起转换以保持单个数据位的晶粒组)的边界。例如，在图1中，单个数据位150限定在间隙144和间隙152之间的图案化热吸收层140的岛的下方。
图案化热吸收层140中的间隙(例如，间隙144、间隙152)被绝缘材料(例如，空气或其他绝缘体)填充，该绝缘材料用于防止粒状记录层中相邻晶粒之间的热的横向扩散。这在视图B中经由箭头示出，箭头指示从NFT 152朝下的热流被引导向下朝向直接下方的晶粒，这些晶粒共同限定单个数据位150。在图案化热吸收层140的间隙中的绝缘材料防止该热量沿顺轨道方向横向扩散到其他相邻数据位，诸如数据位148。因此，在相邻数据位148和150之间观察到大的热梯度。在一个实现方式中，该所观察到的热梯度为近似每纳米15-20度开尔文标度，而缺少图案化热吸收层140的其他相同HAMR设备和介质可以提供约每纳米9度K的梯度。这种增加的热梯度具有提高介质的SNR和降低写入错误率的效果，从而允许面记录密度的潜在显著的相对应增加。
在一个实现方式中，图案化热吸收层140包括具有至少0.8的消光值(k)的导热金属或金属合金。该消光系数的值可以大于覆盖层142的消光值(k)。例如，图案化热吸收层140可以具有为至少0.8的消光值(k)，而覆盖层142具有0.5到0.6范围内的k值。尽管图案化热吸收层140的导热率可以随实现方式变化而变化，但在一个实现方式中，该导热率等于或大于粒状磁记录层132的导热率。通常，在图案化热吸收层140中横跨每一个间隙(例如，间隙144)的热传导显著低于该层内的图案化的每一个岛内的热传导。
在示出的实现方式中，存储设备100的控制器106被配置为控制写入器(未示出)在磁性介质108的粒状记录层132中生成磁转换以存储数据。通常，应当理解，图1的控制器106可以包括存储在有形计算机可读存储介质上的软件。如本文所使用的，术语“有形计算机可读存储介质”不包括瞬态传播信号(例如，载波)，但包括物理制造的介质(存储器设备)，该介质(存储器设备)包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CDROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁带盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储设备、或可以用于存储所需信息并可以由移动设备或计算机访问的任何其他有形介质。
图2示出了另一个示例存储介质200的横截面视图，该示例存储介质200具有图案化以改善头/介质热梯度的热吸收层204。下文没有相对于图2明确描述的磁性介质的特性可以假设为与相对于图1或本文所公开的其他实现方式描述的特性相同或相似。
存储介质200包括形成在层堆叠206顶部上的粒状磁记录层202。在不同的实现方式中，层堆叠206可以在组成和目的上不同。在示出的实现方式中，层堆叠包括衬底208，该衬底208可以包括任何衬底材料，诸如陶瓷玻璃、非晶玻璃、铝等。粘合层210被设置在衬底208和散热器层212之间，并且散热器层212形成在粘合层210上，以通过降低衬底208从层结构的其余部分分层的可能性来促进衬底208和散热器层212之间的粘合。
散热器层212包括金属或金属合金，并且可以包括一种或多种材料，诸如Ag、Cu、Au、Al、Cr、Mo、W等。在一些实现方式中，散热器层212在衬底208上以特定取向生长，以帮助促进堆叠中随后形成的层的定向生长。
籽晶层214沉积在散热器层212上并且用于控制从粒状磁记录层202传导离开并且传导到底层散热器层中的热量的量或速率。在各种实现方式中，籽晶层还可以用于其他附加功能，诸如防止相邻层之间的互扩散和/或用于定向和/或控制包括在粒状磁记录层202中的磁性晶粒的晶粒尺寸。
粒状磁记录层202包括磁性晶粒(例如，磁性晶粒242)和将磁性晶粒彼此分隔的磁性隔离剂(例如，隔离剂材料244)。非磁性隔离剂可以包括结晶的ZrO2和非晶形隔离剂(如C、SiO2、Al2O3、Si3N4、TiO2、WO3、Ta2O5、BN或另一种替代氧化物、氮化物、硼化物或碳化物材料)中的一种或多种。用于磁性晶粒的合适材料包括例如，FePt、FeXPt合金、FeXPd合金和Co3Pt。粒状磁记录层202可以具有从约5纳米到约30纳米范围内的厚度。
热吸收层204形成在粒状磁记录层202的顶部上，并且包括导热材料，优选与粒状磁记录层202导热性相同或更导热的导热材料。热吸收层204经由任何合适的工艺(诸如铣削或选择性蚀刻)进行图案化，以包括介质200的顺轨道方向上的交替的间隙(例如，间隙216)和岛(例如，岛218)。在一个实现方式中，这是通过将热吸收层204的材料图案化成在介质的跨轨道方向上延伸的行来实现的，如图1的视图C中总体上所示的。热吸收层204中采用的特定图案(例如，岛的尺寸和形状)可能随实现方式变化而变化。
在图2中，热吸收层204中的每一个岛(例如，岛218、岛240、岛246)具有顺轨道方向宽度，该顺轨道方向宽度对应于共同形成单独的数据位的一组底层磁性晶粒(例如，作为单个单元转换以存储单个数据位的晶粒)。热吸收层204中的每一个间隙被定位为与存储介质200上的两个数据位之间的边界基本上对齐。例如，岛218覆盖一起转换以存储第一数据位222的一组晶粒；岛240覆盖一起转换以存储第二数据位的一组晶粒；并且岛246覆盖一起转换以存储第三数据位230的一组晶粒。值得注意的是，在图案化热吸收层204中的间隙216、间隙226与粒状磁记录层202中的各个晶粒之间的边界之间可能不存在精确的垂直对齐。然而，图案化热吸收层204中的间隙216、间隙226可以用于对存储设备的各个写入转换进行计时，使得在岛218、岛240、岛246等中的特定岛下方具有其磁畴的大部分的任何晶粒转换为数据位的一部分，该数据位总体上位于该岛下面。
在标称存储设备操作期间，存储介质200在写入元件下方的轴上旋转，该写入元件包括将热量聚焦在存储介质200上的NFT 234。在对介质上的单独的数据轨道的写入操作期间，设备控制器(未示出)控制写入元件执行对沿轨道连续布置的数据位序列的写入转换。这些转换由存储设备控制器精确地计时，使得序列中的每一个数据位位于热吸收层204的岛(跨轨道行)中的不同岛的下面。
各种考虑因素可以驱动热吸收层204中的岛和间隙的相对尺寸。通常，较大的岛(例如，岛240)提供更好的热吸收并且更有效地加热底层粒状磁记录层202。然而，如果图案化热吸收层204的岛之间的间隙太小，则更大量的热量可以横跨间隙流动。另外，如果间隙太大以致粒状磁记录层202中的各个磁性晶粒存在于间隙之间，则这些杂散晶粒可以对设备性能产生负面影响。作为示例而非限制，合适的间隙-岛占空比可以在约1/9(意味着岛具有间隙的约9倍的顺轨道宽度)到1/1(意味着岛和间隙具有近似相等的顺轨道宽度)的范围内。
在示出的实现方式中，热吸收层204中的间隙被空气填充，空气用于将粒状记录介质中的相邻数据位彼此横向地绝缘。在其他实现方式中，间隙可以被另一隔离材料填充。
在热吸收层204的顶部上形成覆盖层236。覆盖层236用于密封和保护热吸收层免受腐蚀，并提供可以在读取/写入头下方滑动的光滑连续表面。在一个实现方式中，覆盖层236包括类金刚石(diamond-like)碳或氮化硅(SiN)。在一些实现方式中，覆盖层236还可以包括润滑剂层。
在图2中，NFT 234被示出为加热底层数据位224。热吸收层204的岛240中的材料将该热量集中在数据位224上，并且间隙216和间隙226横向地包含热吸收层204的横截面内的热量在存储介质200的顺轨道方向上的扩散，从而有效地增加写入期间的热梯度。
图3示出了具有图案化热吸收层308的又一个示例磁性介质300的横截面视图。下文没有相对于图3明确描述的磁性介质的特性可以假设为与本文所公开的其他实现方式描述的特性相同或相似。磁性介质300包括层堆叠306和形成在该层堆叠306顶部上的粒状磁记录层302。粒状磁记录层302包括由非磁性材料彼此分隔的多个磁性岛。在一个实现方式中，磁性岛总体上以在磁性介质300的跨轨道方向上延伸的行(例如，进入页面)对齐。在粒状磁记录层302的顶部上形成图案化热吸收层308。在图案化热吸收层308的顶部上形成覆盖层310(例如，碳覆盖层)。
与图2形成对照，图3的磁性介质300包括沉积在图案化热吸收层308的岛之间的间隙(例如，间隙312)中的覆盖层310的材料。在一个实现方式中，图案化热吸收层308和覆盖层310是通过以下方式形成的：(1)将图案化热吸收层308的材料沉积在粒状磁记录层302的顶部(2)选择性地蚀刻通过所沉积的材料来形成间隙(例如，间隙312)；以及(3)将覆盖层310的材料沉积在图案化热吸收层308的顶部上和间隙内。
图3示出的设计提供了与图2中示出的设计不同的一些优点。首先，粒状磁记录层302被覆盖层完全封装。因此，粒状磁记录层302被保护免受潜在腐蚀。这种腐蚀性保护可以以牺牲由于在图案化热吸收层308的间隙内通过覆盖层310的一些少量热传导的可能性而导致的热梯度的小损失为代价来实现。除上述之外，图3的设计可能比图2的设计更容易机械地创建，部分原因是由于蚀刻深度较浅，并且由于在图3的设计中，覆盖层310的潜在硬质(例如，碳或类似物)材料不经受蚀刻。
图4示出了具有图案化热吸收层404的又一个示例存储介质400的横截面视图。图案化热吸收层404形成在粒状磁记录层402的顶部上，该粒状磁记录层402形成在层堆叠406上。图4的设计与图2和图3的不同之处在于，图案化热吸收层404中的间隙(例如，间隙412)被热隔离材料414填充，该热隔离材料414可以包括任何合适的电介质，例如，氧化硅、各种氮化物等。
在用该热隔离材料414填充间隙之后，形成覆盖层410以跨介质400的表面连续延伸，形成可靠的平面。在该实现方式中，粒状磁性层402被完全封装，并且在图案化热吸收层404的间隙中包括热隔离材料确保了比图3的设计中更好(更高)的头/介质热梯度，在图3的设计中覆盖层410的材料(例如，碳基的或类似物)沉积在图案化热吸收层404的间隙中。没有相对于图4明确描述的存储介质400的特性可以假设为与本文所公开的其他实现方式描述的特性相同或相似。
图5示出了具有图案化热吸收层504的又一个示例存储介质500的横截面视图。图案化热吸收层504形成在粒状磁记录层502的顶部上，该粒状磁记录层502形成在层堆叠506上。图5的设计与图2和图3的不同之处在于，图案化热吸收层504中的间隙(例如，间隙512)部分地(但不是完全地)被热隔离材料514填充。例如，可以通过沉积图案化热吸收层504和覆盖层510的材料，蚀刻通过图案化热吸收层504和覆盖层510两者，然后用热隔离材料514回填存储介质500的选择性区域来创建该设计。
没有相对于图5明确描述的存储介质500的特性可以假设为与本文所公开的其他实现方式描述的特性相同或相似。
图6示出了磁性介质600上的又一示例图案化热吸收层604的图案化。与图1的视图C类似，图案化热吸收层604被图案化以包括在磁性介质600的跨轨道(径向)方向上延伸的行(例如，由箭头610指示的径向方向行)。然而，图6的图案化热吸收层604附加地被图案化以包括在顺轨道方向上延伸的列(例如，由箭头612指示的顺轨道方向列)，从而有效地将图案化热吸收层604的材料分割成矩形岛618、620等。根据一个实现方式，矩形岛618、620等中的每一个都具有对应于(等于或基本上等于)在磁性介质600上限定的每一个数据轨道的宽度的径向方向宽度。这种设计是有利的，因为它减轻了被称为“热晕”的现象，依据该现象，来自NFT(未示出)的热量被多个数据轨道吸收，从而可能增加噪声、读取错误和/或损坏数据。此处，图案化热吸收层604的双向图案化提供跨轨道隔离，确保热不容易在直接相邻的数据轨道上的数据位之间传递(例如，轨道1和轨道2之间存在热隔离)。
与本文所描述的其他实现方式一样，图案化热吸收层604可以形成在包括磁性晶粒的粒状磁记录层(未示出)的顶部上。在一个实现方式中，存储设备的控制器使用图案化热吸收层604的岛之间的边界来对写入转换计时，使得不同的数据位由总体上位于图案化热吸收层604的岛中的每一个的下方的磁性晶粒有效地限定。实际上，磁性介质600上的每一个数据位具有与图案化热吸收层604的矩形岛中的一个相对应的大小和位置。也就是说，第一岛618下方的磁性晶粒存储第一数据位的数据，第二岛620下方的磁性晶粒存储第二数据位的数据等。
与图1(视图C)中示出的图案相比，图6中示出的图案的一个缺点是，相对应的设备控制器可能需要实现双向写入同步，以确保当写入元件在跨轨道方向上以及在顺轨道方向上沿着每一个岛居中时执行写入转换。相反，图1中示出的图案可以利用单向写入同步来实现(例如，在沿着顺轨道方向通过的每一个岛上对转换计时，而不考虑跨轨道定位)。
图7示出了在粒状磁记录层710上形成的另一个示例图案化热吸收层708的形成阶段702、704和706。用于创建图案化热吸收层708的方法是有利的，因为它限制了跨轨道热晕，而不需要执行双向写入同步。在该实现方式中，图案化热吸收层708充当吸收层(如相对于图1-图6所描述的)和初始开关层两者，该初始开关层促进粒状磁记录层710中晶粒的磁性转换。与本文所公开的其他图案化热吸收层不同，图案化热吸收层708是包含两种磁性材料的合金，其包含诸如氧化物和/或氮化物的隔离剂。例如，该合金可以是耦合晶粒/连续(CGC)合金。当根据特定条件沉积时，该层在粒状磁记录层710的现有晶粒的顶部上外延地生长磁性晶粒。如视图702所示，该顶部磁性合金相中的隔离剂712隔离到晶界(例如，晶界712)。在选择性地蚀刻粒状顶部磁性合金的区域(如视图704所示)之后，可以沉积碳覆盖层726，如视图706所示。
在视图704中所示的图案化过程期间，执行选择性蚀刻以将顶层合金图案化，以在介质的顺轨道方向上将该层图案化，如图所示。在一些实现方式中，该图案化可以将图案化热吸收层708分割成沿着跨轨道方向上延伸的行。因此，图案化热吸收层708的图案化通过在每一个相邻的数据位对之间提供隔离(例如，空气)，诸如岛718、720下方的数据位，来增加顺轨道热梯度。
与可能由于热晕而在跨轨道方向上失去轨道能力的连续的热吸收层不同，图案化热吸收层708不遭受跨轨道热晕，因为它是粒状的并且在跨轨道方向上的晶界处存在低导热率隔离，这允许与常规的HAMR介质相当的高TPI。因此，可以在不执行复杂的2D图案化(诸如图6所示)的情况下减轻热晕。
在一个实现方式中，图案化热吸收层708具有高于粒状磁记录层710的居里温度(Tc)的居里温度。如果记录过程将粒状磁记录层710加热到高于其居里温度但低于图案化热吸收层708的居里温度的温度，则图案化热吸收层708用作记录辅助层。在该情况下，在加热和记录步骤期间施加写入场使得图案化热吸收层708在粒状磁记录层710之前与所施加的场磁性地对齐，从而有效地辅助将粒状磁记录层710的晶粒在其冷却时的相同方向上对齐。这提供了顺轨道热梯度的附加有效增加。
因为图案化热吸收层708是磁性的，所以它与粒状磁记录层710磁性地耦合，并且具有与底层磁性晶粒的磁化方向对齐的磁化。因此，该层有助于读回信号，并且不存在由于将以其他方式存在于读取元件和顶部磁性层之间的间距(例如，如在具有非磁性图案化吸收层的其他实施例中)而导致的损耗。
上述说明书、示例和数据提供了所公开技术的示例性实施例的结构和使用的完整描述。由于可以在不脱离所公开技术的精神和范围的情况下做出所公开技术的许多实施例，因此所公开技术位于下文所附的权利要求中。此外，不同实施例的结构特征可在另一个实施例中组合而不脱离该权利要求。
进一步的示例：
示例1.一种热辅助磁记录(HAMR)设备，包括：磁性介质，包括：磁记录层，所述磁记录层包括由非磁性材料彼此分隔的多个磁性晶粒；以及热吸收层，所述热吸收层形成在所述磁记录层的顶部上，所述热吸收层被图案化以包括在所述磁性介质的跨轨道方向上延伸的行，所述行的每一个相邻对由绝缘材料彼此分隔。
示例2.如示例1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，在所述顺轨道方向上延伸的所述列和在所述跨轨道方向上延伸的所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
示例3.如示例1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层的所述行由绝缘材料的行彼此分隔。
示例4.如示例2所述的HAMR设备，其特征在于，每一对矩形岛之间的间隙的顺轨道长度和所述岛中的每一个的顺轨道长度的比率为至少九分之一。
示例5.如示例1所述的HAMR设备，进一步包括：读取/写入控制器，所述读取/写入控制器被配置为控制写入头通过将一组磁性晶粒转换成相同的磁极性来在所述磁性介质上写入单独的数据位，所述单独的数据位具有与在所述跨轨道方向上延伸的所述热吸收层的所述行中的相对应的一个的顺轨道宽度相对应的顺轨道宽度。
示例6.如示例2所述的HAMR设备，进一步包括：读取/写入控制器，所述读取/写入控制器被配置为控制写入头通过将一组磁性晶粒转换成相同的磁极性来在所述磁性介质上写入单独的数据位，所述单独的数据位具有与所述矩形岛中的一个相对应的尺寸。
示例7.如示例1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层是粒状磁性层。
示例8.一种系统，包括：磁性介质，所述磁性介质包括形成在粒状磁记录层的顶部上的热吸收层，所述热吸收层被图案化成行；以及控制器，所述控制器被配置为控制写入元件以选择性地转换沿着所述磁性介质的数据轨道连续地布置的数据位序列的磁极性，所述热吸收层的所述行的每一个相邻对由沿着轴对齐的绝缘区分隔，所述轴具有所述数据位序列中相邻两个数据位之间的边界。
示例9.如示例8所述的系统，其特征在于，所述行在所述介质的跨轨道方向上延伸，并且所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，所述列和所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
示例10.如示例9所述的系统，其特征在于，所述序列的所述数据位中的每一个位于所述矩形岛中的不同的一个矩形岛的下方。
示例11.如示例8所述的系统，其特征在于，所述热吸收层的所述行由绝缘材料的行彼此分隔。
示例12.如示例11所述的系统，其特征在于，每一对矩形岛之间的间隙的顺轨道长度和所述岛中的每一个的顺轨道长度的比率为至少九分之一。
示例13.如示例8所述的系统，其特征在于，所述热吸收层是粒状磁性层。示例14.如示例8所述的系统，其特征在于，所述行中的每一对之间的所述绝缘区适于增加所述序列中的数据位的相对应对之间的热梯度。
示例15.一种方法，包括：控制写入元件以选择性地转换沿着磁性介质的数据轨道对齐的连续数据位序列的磁极性，所述磁性介质包括在粒状磁记录层的顶部上被图案化成行的热吸收层，所述热吸收层的所述行中的每一个相邻对被沿着轴对齐的绝缘区分隔，所述轴具有所述序列中相邻两个数据位之间的边界。
示例16.如示例15所述的方法，其特征在于，所述行在所述介质的跨轨道方向上延伸，并且所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，所述列和所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
示例17.如示例16所述的方法，其特征在于，所述序列的所述数据位中的每一个位于所述矩形岛中的不同的一个矩形岛的下方。
示例18.如示例16所述的方法，其特征在于，控制所述写入元件进一步包括：执行逻辑以确保单维度写入同步。
示例19.如示例16所述的方法，其特征在于，控制所述写入元件进一步包括：执行逻辑以确保双维度写入同步。
示例20.如示例16所述的方法，其特征在于，所述行中的每一对之间的所述绝缘区适于增加所述序列中的数据位的相对应对之间的热梯度。

Claims (10)

1.一种热辅助磁记录(HAMR)设备，包括：
磁性介质，包括：
磁记录层，所述磁记录层包括由非磁性材料彼此分隔的多个磁性晶粒；以及
热吸收层，所述热吸收层形成在所述磁记录层的顶部上，所述热吸收层被图案化以包括在所述磁性介质的跨轨道方向上延伸的行，所述行的每一个相邻对由绝缘材料彼此分隔。
2.如权利要求1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，在所述顺轨道方向上延伸的所述列和在所述跨轨道方向上延伸的所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
3.如权利要求1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层的所述行由绝缘材料的行彼此分隔。
4.如权利要求1所述的HAMR设备，进一步包括：
读取/写入控制器，所述读取/写入控制器被配置为控制写入头通过将一组磁性晶粒转换成相同的磁极性来在所述磁性介质上写入单独的数据位，所述单独的数据位具有与在所述跨轨道方向上延伸的所述热吸收层的所述行中的相对应的一个的顺轨道宽度相对应的顺轨道宽度。
5.如权利要求1所述的HAMR设备，其特征在于，所述热吸收层是粒状磁性层。
6.一种系统，包括：
磁性介质，所述磁性介质包括形成在粒状磁记录层的顶部上的热吸收层，所述热吸收层被图案化成行；以及
控制器，所述控制器被配置为控制写入元件以选择性地转换沿着所述磁性介质的数据轨道连续地布置的数据位序列的磁极性，所述热吸收层的所述行的每一个相邻对由沿着轴对齐的绝缘区分隔，所述轴具有所述数据位序列中相邻两个数据位之间的边界。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述行在所述介质的跨轨道方向上延伸，并且所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，所述列和所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述行中的每一对之间的所述绝缘区适于增加所述序列中的数据位的相对应对之间的热梯度。
9.一种方法，包括：
控制写入元件以选择性地转换沿着磁性介质的数据轨道对齐的连续数据位序列的磁极性，所述磁性介质包括在粒状磁记录层的顶部上被图案化成行的热吸收层，所述热吸收层的所述行中的每一个相邻对被沿着轴对齐的绝缘区分隔，所述轴具有所述序列中相邻两个数据位之间的边界。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述行在所述介质的跨轨道方向上延伸，并且所述热吸收层进一步被图案化成在所述磁性介质的顺轨道方向上延伸的列，所述列和所述行将所述热吸收层分割成矩形岛。
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