CN113534022A - 一种高精度磁场测量系统 - Google Patents
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 80
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000010606 normalization Methods 0.000 claims description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000001646 magnetic resonance method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
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Abstract
本发明公开了一种高精度磁场测量系统,通过非偏振分光棱镜对光源发射的激光分光,生成两束分光光束分别进入对应的第一检偏器和第二检偏器,然后通过对应的耦合法兰耦合,生成第一耦合信号和第二耦合信号,并分别经对应的第一光探测器和第二光探测器发送给示波器,以使示波器李萨如图形的数据处理方法对获取的所有第一耦合信号和第二耦合信号计算待测磁场的场强大小,以获得连续的磁场波形,提高场强测试准确率;同时利用光信号实现对高电压的完全隔离,系统简单,避免了复杂的绝缘结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高精度磁场测量系统。
背景技术
磁场测量的发展有着悠久的历史,早在两千多年前,人们就用司南来探测磁场,用于指示方向。随着物理学、材料科学和电子技术的不断发展,磁场测量技术取得了很大进展,磁场测量方法也越来越多。
目前比较成熟的磁场测量方法有:磁力法、电磁感应法、磁饱和法、电磁效应法、磁共振法、超导效应法和磁光效应法等。虽然磁场测量的方法很多,但真正实用的很少,目前常见的磁场测量方法为B-dot线圈测量法和磁光测量法。其中,B-dot线圈本身是电测线圈,其置身强电磁场环境,绝缘困难,且频域响应慢。另外,为了不影响磁场本身,B-dot线圈尺寸做的很小,随着磁场的增强,线圈会被损坏,获得的信号中会引入一个虚假的误差信号,这就大大降低了其测量精度。
磁光测量技术近年来发展迅速,在诸多场合得到了广泛应用,其原理为:将偏振光穿过置于被测磁场中的磁光介质,解析出偏振光偏转角的大小,依据法拉第磁光效应,计算被测磁场的大小。但现有的光纤传感磁场测量仅通过单一通道携带法拉第偏转信息的测量波形获取磁场,由于数据处理的复杂性,无法获得连续的磁场波形,导致场强计算准确度不高。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是现有的光纤传感磁场测量仅通过单一通道携带法拉第偏转信息的测量波形获取磁场,由于数据处理的复杂性,无法获得连续的磁场波形,场强计算准确度不高。因此,本发明提供一种高精度磁场测量系统,采用李萨如图形的数据处理方法,对两路具有初始相位差的信号进行处理,以获得连续的磁场波形,从而提高场强计算准确率,并利用光信号实现对高电压的完全隔离,避免了复杂的绝缘结构,可方便应用于不同领域、不同磁场(脉冲或者连续)的测量和实验研究,且已在几十Tesla~几百Tesla瞬态磁场测量中得到了较好的应用。
本发明通过下述技术方案实现:
为解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案实现:
一种高精度磁场测量系统,包括光源、起偏器、磁光介质、非偏振分光棱镜、第一检偏器、第二检偏器、第一耦合法兰、第二耦合法兰、第一光探测器、第二光探测器和示波器;
启动光源发射激光,所述光源发射的激光经过起偏器起生成线偏振光并传输至置于物理装置中的磁光介质;
所述磁光介质的偏振面受待测磁场的调制发生旋转,受待测磁场调制的线偏振光经所述非偏振分光棱镜分光,生成两束分光光束分别进入对应的第一检偏器和第二检偏器;
第一检偏器在接收到对应的分光光束后通过第一耦合法兰耦合,生成第一耦合信号发送给第一光探测器;第二检偏器在接收到对应的分光光束后通过第二耦合法兰耦合,生成第二耦合信号发送给第二光探测器;
所述第一光探测器在探测到第一耦合信号后发送给示波器;所述第二光探测器在探测到第二耦合信号后发送给示波器;
所述示波器,在接收到所有第一耦合信号和第二耦合信号后,基于所述第一耦合信号和所述第二耦合信号计算所述待测磁场的场强大小。
进一步地,基于所述第一耦合信号和所述第二耦合信号计算所述待测磁场的场强大小,包括:
获取起偏器与第一检偏器的实际夹角作为第一实际夹角,并计算所述第一实际夹角与第一初始夹角的差值作为第一角度差;
获取起偏器与第二检偏器的实际夹角作为第二实际夹角,并计算所述第二实际夹角与第二初始夹角的差值作为第二角度差;
所述第一初始夹角和所述第二初始夹角不相等;
基于所述第一初始夹角和所述第一角度差,通过第一信号功率计算公式对所述第一耦合信号进行计算,得到第一输出信号功率;
基于所述第二初始夹角和所述第二角度差,通过第二信号功率计算公式对所述第二耦合信号进行计算,得到第二输出信号功率;
对所述第一输出信号功率和所述第二输出信号功率分别进行归一化处理,并对归一化处理后第一输出信号功率和归一化处理后的第二输出信号功率作李萨如图形,获取归一化处理参数;
基于所述归一化处理参数,通过法拉第偏转角的反正切函数计算法拉第偏转角;
通过法拉第磁光效应计算公式对所述法拉第偏转角计算,得到待测磁场的场强大小。
进一步地,所述第一初始夹角为0°,所述第二初始夹角为45°。
进一步地,所述第一信号功率计算公式具体为:,其中,为第一输出信号功率,为与进入第一检
偏器的分光光束的耦合效率和光探测器的增益有关的常数,为光源发射的激光对应的
输出功率,为分光后进入第一检偏器的分光光束信号的调制对比度,为第一初始夹
角,即预先设置的起偏器与第一检偏器的初始夹角,为第一角度差;
所述第二信号功率计算公式具体为:,其
中,为第二输出信号功率,为与进入第二检偏器的分光光束的耦合效率和光探测器
的增益有关的常数,为光源发射的激光对应的输出功率,为分光后进入第二检偏器的
分光光束信号的调制对比度,为第二初始夹角,即预先设置的起偏器与第二检偏器的初
始夹角,为第二角度差。
进一步地,对所述第一输出信号功率进行归一化处理的公式具体为:
对所述第二输出信号功率进行归一化处理的公式具体为:
进一步地,所述法拉第偏转角的反正切函数具体为:
其中,为法拉第偏转角,和为第一输出信号功率对应的归一化常数、
和为第二输出信号功率对应的归一化常数,为第一角度差,为第二角度差第二初
始夹角,为归一化处理后的第一输出信号功率,为归一化处理后的第二输出信号功
率,为、…,对应点(、)在跨越Y轴时产生的角度突变,当点(、)逆时
针跨越y轴时,m将加1,反之则减1。
进一步地,根据待测磁场的场强测量范围选择对应的磁光介质;
其中,当所述待测磁场的场强测量范围为100T以下,则所述磁光介质采用TGG晶体和熔融石英玻璃;当所述待测磁场的场强测量范围为100T以上,则所述磁光介质采用BK7玻璃和熔融石英玻璃。
进一步地,所述磁光介质的两端镀有与光源波长相匹配的单波长增透膜。
本发明提供的一种高精度磁场测量系统,通过非偏振分光棱镜对光源发射的激光分光,生成两束分光光束分别进入对应的第一检偏器和第二检偏器,然后通过对应的耦合法兰耦合,生成第一耦合信号和第二耦合信号,并分别经对应的第一光探测器和第二光探测器发送给示波器,以使示波器李萨如图形的数据处理方法对获取的所有第一耦合信号和第二耦合信号计算待测磁场的场强大小,以获得连续的磁场波形,提高场强测试准确率;同时利用光信号实现对高电压的完全隔离,系统简单,避免了复杂的绝缘结构。
附图说明
图1是本发明一种高精度磁场测量系统的原理图。
图2为本发明一实施例中计算场强大小的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。
实施例
如图1所示,本发明提供一种高精度磁场测量系统,包括光源、起偏器、磁光介质、非偏振分光棱镜、第一检偏器、第二检偏器、第一耦合法兰、第二耦合法兰、第一光探测器、第二光探测器和示波器。
启动光源发射激光,光源发射的激光经过起偏器起生成线偏振光并传输至置于物理装置中的磁光介质。
为适应不同磁场测量的需求,本实施例中的磁光介质可根据待测磁场的场强测量范围选择。具体地,当待测磁场的场强测量范围为100T以下,则磁光介质采用TGG晶体和熔融石英玻璃。当待测磁场的场强测量范围为100T以上,则磁光介质采用BK7玻璃和熔融石英玻璃。通过选择不同灵敏度的磁光介质,以实现不同范围的磁场测量。
进一步地,为提高光透过率,本实施例中的磁光介质的两端镀有与光源波长相匹配的单波长增透膜。
磁光介质的偏振面受待测磁场的调制发生旋转,受待测磁场调制的线偏振光经非偏振分光棱镜分光,生成两束分光光束分别进入对应的第一检偏器和第二检偏器。
第一检偏器在接收到对应的分光光束后通过第一耦合法兰耦合,生成第一耦合信号发送给第一光探测器;第二检偏器在接收到对应的分光光束后通过第二耦合法兰耦合,生成第二耦合信号发送给第二光探测器。
第一光探测器在探测到第一耦合信号后发送给示波器;第二光探测器在探测到第二耦合信号后发送给示波器。
示波器,在接收到所有第一耦合信号和第二耦合信号后,基于第一耦合信号和第二耦合信号计算待测磁场的场强大小。
具体地,为提高后续场强计算的准确性,本实施例需采用两路具有相位差的信号进行计算,因此,本实施例将起偏器与第一检偏器的初始夹角和起偏器与第而检偏器的初始夹角设置为不相同的夹角。
进一步地,为方便计算,本实施例将第一初始夹角设置为0°,第二初始夹角设置为45°。
进一步地,如图2所示,基于第一耦合信号和第二耦合信号计算待测磁场的场强大小,具体包括如下步骤:
S10:获取起偏器与第一检偏器的实际夹角作为第一实际夹角,并计算第一实际夹角与第一初始夹角的差值作为第一角度差。
S20:获取起偏器与第二检偏器的实际夹角作为第二实际夹角,并计算第二实际夹角与第二初始夹角的差值作为第二角度差。
其中,第一初始夹角指预先设置的起偏器与第一检偏器的初始夹角。第二初始夹角指预先设置的起偏器与第二检偏器的初始夹角。
S30:基于第一初始夹角和第一角度差,通过第一信号功率计算公式对第一耦合信号进行计算,得到第一输出信号功率。
具体地,第一信号功率计算公式为:,其中,为
第一输出信号功率,为与进入第一检偏器的分光光束的耦合效率和光探测器的增益有
关的常数,为光源发射的激光对应的输出功率,为分光后进入第一检偏器的分光光
束信号的调制对比度,为第一初始夹角,即预先设置的起偏器与第一检偏器的初始夹角,为第一角度差。
S40:基于第二初始夹角和第二角度差,通过第二信号功率计算公式对第二耦合信号进行计算,得到第二输出信号功率。
具体地,第二信号功率计算公式具体为:,其
中,为第二输出信号功率,为与进入第二检偏器的分光光束的耦合效率和光探测器
的增益有关的常数,为光源发射的激光对应的输出功率,为分光后进入第二检偏器的
分光光束信号的调制对比度,为第二初始夹角,即预先设置的起偏器与第二检偏器的初
始夹角,为第二角度差。
S50:对第一输出信号功率和第二输出信号功率分别进行归一化处理,并对归一化处理后第一输出信号功率和归一化处理后的第二输出信号功率作李萨如图形,获取归一化处理参数。
具体地,对第一输出信号功率进行归一化处理的公式具体为:
对第二输出信号功率进行归一化处理的公式具体为:
S60:基于归一化处理参数,通过法拉第偏转角的反正切函数计算法拉第偏转角。
其中,法拉第偏转角的反正切函数具体为:
其中,为法拉第偏转角,和为第一输出信号功率对应的归一化常数、和为第二输出信号功率对应的归一化常数,为第一角度差,为第二角度差第二初始
夹角,为归一化处理后的第一输出信号功率,为归一化处理后的第二输出信号功率,为、…,对应点(、)在跨越Y轴时产生的角度突变,当点(、)逆时针跨越y轴
时,m将加1,反之则减1。
S70:通过法拉第磁光效应计算公式对法拉第偏转角计算,得到待测磁场的场强大小。
具体地,以上所述具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高精度磁场测量系统,其特征在于,包括光源、起偏器、磁光介质、非偏振分光棱镜、第一检偏器、第二检偏器、第一耦合法兰、第二耦合法兰、第一光探测器、第二光探测器和示波器;
启动光源发射激光,所述光源发射的激光经过起偏器起生成线偏振光并传输至置于物理装置中的磁光介质;
所述磁光介质的偏振面受待测磁场的调制发生旋转,受待测磁场调制的线偏振光经所述非偏振分光棱镜分光,生成两束分光光束分别进入对应的第一检偏器和第二检偏器;
第一检偏器在接收到对应的分光光束后通过第一耦合法兰耦合,生成第一耦合信号发送给第一光探测器;第二检偏器在接收到对应的分光光束后通过第二耦合法兰耦合,生成第二耦合信号发送给第二光探测器;
所述第一光探测器在探测到第一耦合信号后发送给示波器;所述第二光探测器在探测到第二耦合信号后发送给示波器;
所述示波器,在接收到所有第一耦合信号和第二耦合信号后,基于所述第一耦合信号和所述第二耦合信号计算所述待测磁场的场强大小。
2.根据权利要求1所述的一种高精度磁场测量系统,其特征在于,基于所述第一耦合信号和所述第二耦合信号计算所述待测磁场的场强大小,包括:
获取起偏器与第一检偏器的实际夹角作为第一实际夹角,并计算所述第一实际夹角与第一初始夹角的差值作为第一角度差;
获取起偏器与第二检偏器的实际夹角作为第二实际夹角,并计算所述第二实际夹角与第二初始夹角的差值作为第二角度差;
所述第一初始夹角和所述第二初始夹角不相等;
基于所述第一初始夹角和所述第一角度差,通过第一信号功率计算公式对所述第一耦合信号进行计算,得到第一输出信号功率;
基于所述第二初始夹角和所述第二角度差,通过第二信号功率计算公式对所述第二耦合信号进行计算,得到第二输出信号功率;
对所述第一输出信号功率和所述第二输出信号功率分别进行归一化处理,并对归一化处理后第一输出信号功率和归一化处理后的第二输出信号功率作李萨如图形,获取归一化处理参数;
基于所述归一化处理参数,通过法拉第偏转角的反正切函数计算法拉第偏转角;
通过法拉第磁光效应计算公式对所述法拉第偏转角计算,得到待测磁场的场强大小。
3.根据权利要求2所述的一种高精度磁场测量系统,其特征在于,所述第一初始夹角为0°,所述第二初始夹角为45°。
4.根据权利要求2所述的一种高精度磁场测量系统,其特征在于,所述第一信号功率计
算公式具体为:,其中,为第一输出信号功率,为与进
入第一检偏器的分光光束的耦合效率和第一光探测器的增益有关的常数,为光源发射
的激光对应的输出功率,为分光后进入第一检偏器的分光光束信号的调制对比度,为
第一初始夹角,即预先设置的起偏器与第一检偏器的初始夹角,为第一角度差;
9.根据权利要求1所述的一种高精度磁场测量系统,其特征在于,根据待测磁场的场强测量范围选择对应的磁光介质;
其中,当所述待测磁场的场强测量范围为100T以下,则所述磁光介质采用TGG晶体和熔融石英玻璃;当所述待测磁场的场强测量范围为100T以上,则所述磁光介质采用BK7玻璃和熔融石英玻璃。
10.根据权利要求9所述的一种高精度磁场测量系统,其特征在于,所述磁光介质的两端镀有与光源波长相匹配的单波长增透膜。
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---|---|---|---|
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211022 |
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