CN113484894B - α粒子发射率测量方法 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 270
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 174
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N alpha-particle Chemical compound [4He+2] LBDSXVIYZYSRII-IGMARMGPSA-N 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007488 abnormal function Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005262 alpha decay Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/1606—Measuring radiation intensity with other specified detectors not provided for in the other sub-groups of G01T1/16
Abstract
本发明涉及电子器件可靠性技术领域,公开了一种α粒子发射率测量方法,包括对粉末样品进行定型制样;分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率;对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率,获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样,来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰,解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件可靠性技术领域,特别是涉及一种α粒子发射率测量方法。
背景技术
α粒子辐射存在于所有的半导体器件中,由α粒子辐射导致的软错误将导致电子设备出现数据丢失、功能异常等问题。在目前的技术手段中即使花费巨大代价对所用材料进行放射性杂质提纯,仍然无法避免α粒子引起的软错误。随着半导体器件的发展,其特征尺寸越来越小,集成度越来越高,将导致半导体器件抗α粒子辐射能力迅速下降,急需建立起半导体器件α粒子软错误率试验的评价方法和行业指导规范。
目前通常情况下,α粒子发射率测试设备针对的是块状样品。粉末样品因形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等客观存在的难题,导致对粉末样品的α粒子发射率测试成为亟待解决的行业问题。
发明内容
基于此,有必要针对如何实现对粉末样品的α粒子发射率测试的问题,提供一种α粒子发射率测量方法。
一种α粒子发射率测量方法,包括对粉末样品进行定型制样;分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率;对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率,获得所述粉末样品的α粒子发射率。
上述α粒子发射率测量方法,通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样,来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。在测试中,通过分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,明确测试过程中样品托盘和空的样品容器中可能存在的干扰因素。通过明确的测试过程中α粒子发射率的计算方法,确定粉末样品的实际α粒子发射率。本发明提供的α粒子发射率测量方法适用于任意形状的定型粉末样品,可以解决粉末样品α粒子发射率测试难题,提高试验准确度。
在其中一个实施例中,所述对粉末样品进行定型制样包括确定所述粉末样品的样品容器;利用所述样品容器对所述粉末样品进行定型。
在其中一个实施例中,所述样品容器包括圆形容器。
在其中一个实施例中,采用超低α粒子发射率本底的材料制成所述样品容器。
在其中一个实施例中,在防沾污条件下,对粉末样品进行定型制样。
在其中一个实施例中,所述分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率包括获取所述样品托盘的表面积,以及对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间;根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率;获取所述样品容器的总表面积,以及对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间;根据述样品托盘的α粒子发射率、所述样品容器的总表面积、对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取空的所述样品容器的α粒子发射率。
在其中一个实施例中,所述根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率包括:
根据表达式计算所述样品托盘的α粒子发射率;
式中,Rt为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N0为对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,T0为对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,St为所述样品托盘的表面积,单位为cm2。
在其中一个实施例中,所述根据述样品托盘的α粒子发射率、所述样品容器的总表面积、对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取空的所述样品容器的α粒子发射率包括:
根据表达式计算空的所述样品容器的α粒子发射率;
式中,Rc为空的所述样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N1为对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,Rt为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,T1为对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,St为所述样品托盘的表面积,单位为cm2,Sc为所述样品容器的总表面积,单位为cm2。
在其中一个实施例中,所述对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率,获得所述粉末样品的α粒子发射率包括获取所述样品容器中的样品表面积,以及对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间;根据所述样品托盘的α粒子发射率、空的所述样品容器的α粒子发射率、所述样品容器中的样品表面积、对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间,获取所述粉末样品的α粒子发射率。
在其中一个实施例中,所述根据所述样品托盘的α粒子发射率、空的所述样品容器的α粒子发射率、所述样品容器中的样品表面积、对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间,获取所述粉末样品的α粒子发射率包括:
根据表达式计算所述粉末样品的α粒子发射率;
式中,Rs为所述粉末样品的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N2为对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数,Rt为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,T2为对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的测试时间,单位为hr,St为所述样品托盘的表面积,单位为cm2,Sc为所述样品容器的总表面积,单位为cm2,Rc为空的所述样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,Ss为所述样品容器中的样品表面积。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本说明书中记载的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明其中一实施例的α粒子发射率测量方法的方法流程示意图;
图2为本发明其中一实施例的对粉末样品进行定型制样的方法流程示意图;
图3为本发明其中一实施例的测试布局图;
图4为本发明其中一实施例的获得样品托盘的α粒子发射率的方法流程示意图;
图5为本发明其中一实施例的获得粉末样品的α粒子发射率的方法流程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的优选实施方式。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反的,提供这些实施方式的目的是为了对本发明的公开内容理解得更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”、“周向”以及类似的表述是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
作为核反应原料的235U、238U以及它们的子体同位素(如232Th)是比较常见的放射性元素。由于地球上天然存在着大量的235U(0.72%)、238U(99.2%)和232Th(100%),因此这些元素极易出现在半导体器件的各种材料中,如模塑料、焊球、填充料等。同时,半导体器件的焊点中也总是存在着极微量的210Po。这些重放射性同位素通常会发生α衰变,从而持续不断地释放出能量大约为4MeV-9MeV的α粒子。带有能量的α粒子入射至半导体器件有源区,沿其径迹将产生高密度的电子-空穴对。电子-空穴对在器件电场的作用下发生分离后被节点收集,会在电路中产生一个干扰电流信号,进而引起半导体器件发生数据丢失、功能中断等恶劣后果。可见,α粒子对电路系统的影响可能是致命的,例如当α粒子在CPU的指令缓存中引起软错误时,将导致CPU不能执行预期的功能。
图1为本发明其中一实施例的α粒子发射率测量方法的方法流程示意图,在其中一个实施例中,α粒子发射率测量方法包括如下步骤S100至S300。
步骤S100:对粉末样品进行定型制样。
由于粉末状的样品存在形状不固定、在测试时容易被电离室中的气体吹起、容易污染托盘等客观存在的问题,导致对于粉末样品的α粒子发射率测试较为困难,目前缺乏对于粉末样品α粒子发射率测量方法。在本实施例中,通过对粉末样品进行定型制样,使其具有固定的形状,从而在测试时能够较好地分析其形态信息。对粉末样品进行定型制样后,粉末样品各颗粒之间更紧密,不容易被电离室中的气体吹起,也不容易污染托盘,有效地解决了难以对粉末样品进行α粒子发射率测试的难题。
步骤S200:分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得样品托盘的α粒子发射率和空的样品容器的α粒子发射率。
由于样品托盘、样品容器等测试装置中也可能存在α粒子,因此在测试时,需要通过分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,来明确测试装置中可能存在的干扰因素。对样品托盘进行α粒子发射率背底测试,获取样品托盘的α粒子发射率。对空的样品容器再次进行α粒子发射率背底测试,获取空的样品容器的α粒子发射率。在后续对装满有粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时,可以根据获取的样品托盘的α粒子发射率和空的样品容器的α粒子发射率对测试结果进行校准,去除测试结果中来自测试装置的α粒子,从而提高试验结果的准确度。
步骤S300:对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据样品托盘的发射率和空的样品容器的α粒子发射率,获得粉末样品的α粒子发射率。
对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试。利用步骤S200中获取的样品托盘的α粒子发射率和空的样品容器的α粒子发射率对此时的测试结果进行校准,排除样品托盘和样品容器上的α粒子对测试结果的影响,确定粉末样品的实际α粒子发射率。
本实施例提供的α粒子发射率测量方法通过根据实验需求对粉末样品进行定型制样,来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。在测试中,通过分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,明确测试过程中样品托盘和空的样品容器中可能存在的干扰因素。通过明确的测试过程中α粒子发射率的计算方法,确定粉末样品的实际α粒子发射率。上述方法可以对粉末样品进行任意形状的定型,并对任意形状的定型粉末样品进行α粒子发射率测试,可以解决粉末样品α粒子发射率测试难题,提高试验准确度,测量方法简便、易实现,可直接应用于工程实践中。
图2为本发明其中一实施例的对粉末样品进行定型制样的方法流程示意图,在其中一个实施例中,对粉末样品进行定型制样包括如下步骤S110至S120。
步骤S110:确定粉末样品的样品容器。
根据测试需求确定用于收容待测粉末样品的样品容器。例如,可以根据样品粉末的体积、颗粒大小选择适应容量的样品容器。
在其中一个实施例中,根据测试设备的测试要求、粉末样品的样品量和预估发射率确定样品容器的形状、大小、厚度。当样品托盘对其承托的测试物体有规格要求时,需要按照其规定的形状尺寸确定样品容器的形状、大小、厚度。同时,还可以根据粉末样品的样品量和预估发射率进一步确定样品容器相应的形状、大小、厚度等规格尺寸。
在其中一个实施例中,在实际应用中,通常使用圆形容器作为样品容器。一般地,待测样品的样品厚度不小于1mm,样品容器的容量深度需要大于样品的厚度,因此样品容器的高度需要大于1mm。
步骤S120:利用样品容器对粉末样品进行定型。
在本实施例中,在严格的防沾污条件下,用样品容器对粉末样品进行定型。定型后的样品表面应保持平整。对粉末样品进行定型是指使粉末样品密实成型的工艺过程,令松散的粉末状样品具有一定形状、尺寸、密度和强度的坯块。例如,可以将待测的粉末样品全部置于样品容器中,向样品容器中的粉末样品施加较强的外加压力,通过外加压力使粉末压密成形。此时,定型的粉末样品将具有一定的形状,可以较好地分析其形态信息。另外,经过定型的粉末样品各颗粒之间将更紧密,从而不容易被电离室中的气体吹起,也不容易污染托盘。
本实施例提供的α粒子发射率测量方法可以对粉末样品进行任意形状的定型,定型后粉末样品可以较简易地完成α粒子发射率测试,解决了粉末样品α粒子发射率测试难题,测量方法简便、易实现,可直接应用于工程实践中。
在其中一个实施例中,采用超低α粒子发射率本底的材料制成样品容器。本底是指在被测样品中,除本实验感兴趣的核素以外的其他因素(包括样品的干扰核素)在辐射探测器中产生的信号。采用超低α粒子发射率本底的材料制作而成的样品容器对粉末样品进行α粒子发射率测试,可以保证样品容器本身的α粒子发射率较小,减小对于粉末样品α粒子发射率的测试干扰。
在其中一个实施例中,在防沾污条件下,对粉末样品进行定型制样。在实际应用中,污染和交叉污染的风险主要来自于“人员、设备、物料、生产方法、环境”五个环节。粉末样品在制作、使用和储存过程中都需要做免沾污处理。由于本实施例是一种粉末样品的α粒子发射率测量方法,不涉及粉末样品前期的物料、生产方法过程,因此在测试过程中主要需要针对人员、设备、环境这三个环节严格执行防沾污处理,防止污染和交叉污染,有效控制测试过程中的污染对测试结果的影响,提高测试的准确率。
图3为本发明其中一实施例的测试布局图,测试装置中的测试布局如图3所示。在本实施例中,样品托盘100为正方形,其边长为Dt。样品托盘100的正中间放置有样品容器200,样品容器200为圆形容器,样品容器200中用于容置样品的直径为Ds,样品容器200外围边沿的宽度为Dc,边长Dt、直径Ds和宽度Dc的单位均为cm2。
图4为本发明其中一实施例的获得样品托盘的α粒子发射率的方法流程示意图,在其中一个实施例中,分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得样品托盘的α粒子发射率和空的样品容器的α粒子发射率包括如下步骤S210至S240。
步骤S210:获取样品托盘的表面积,以及对样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间。
通过测试设备对空的样品托盘100进行α粒子发射率背底测试,在测试时对粒子计数N0和测试时间T0进行记录。另外,还需要获取样品托盘100的表面积St。根据样品托盘100的表面积St、此次测试中获取粒子计数N0和测试时间T0可以计算样品托盘100的发射率Rt。
步骤S220:根据样品托盘的表面积、对样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取样品托盘的α粒子发射率。
将从步骤S210中获取的数据代入样品托盘100的α粒子发射率的表达式中,以获取样品托盘100的发射率为Rt,单位为/cm2/hr。
在其中一个实施例中,样品托盘的α粒子发射率的表达式为:
式中,Rt为样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N0为对样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,T0为对样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,St为样品托盘的表面积,单位为cm2。
以图3所示的测试布局为例,对样品托盘的α粒子发射率的计算过程进行说明。样品托盘100为正方形,边长为Dt,可得样品托盘100的表面积为此时,将上述数据代入表达式中可得样品托盘100的发射率为/>
步骤S230:获取样品容器的总表面积,以及对空的样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间。
将空的样品容器200放入样品托盘100中,通过测试设备对装有空的样品容器200的样品托盘100进行α粒子发射率背底测试。同样地,在测试时对粒子计数N1和测试时间T1进行记录,并获取样品容器200的总表面积Sc。根据样品容器200的总表面积Sc、此次测试中获取的粒子计数N1和测试时间T1可以计算空的样品容器200的发射率Rc。
步骤S240:根据样品托盘的α粒子发射率、样品容器的总表面积、对空的样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取空的样品容器的α粒子发射率。
将从步骤S220中获取的样品托盘100的α粒子发射率Rt、从步骤S230中获取的样品容器200的总表面积Sc、此次测试中获取的粒子计数N1和测试时间T1代入空的样品容器200的α粒子发射率的表达式中,以获取样品容器200的发射率为Rc,单位为/cm2/hr。
在其中一个实施例中,样品容器的α粒子发射率的表达式为:
式中,Rc为空的样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N1为对空的样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,Rt为样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,T1为对空的样品容器进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,St为样品托盘的表面积,单位为cm2,Sc为样品容器的总表面积,单位为cm2。
同样,以图3所示的测试布局为例,对样品容器200的α粒子发射率的计算过程进行说明。样品托盘100为正方形,边长为Dt,可得样品托盘100的表面积为。样品容器200为圆形容器,样品容器200中用于容置样品的直径为Ds,样品容器200外围边沿的宽度为Dc,可得样品容器200的总表面积为/>此时,将上述数据代入表达式中可得空的样品容器200的发射率为/>
图5为本发明其中一实施例的获得粉末样品的α粒子发射率的方法流程示意图,在其中一个实施例中,对装满粉末样品的样品容器200进行α粒子发射率测试,根据样品托盘100的发射率和空的样品容器200的α粒子发射率,获得粉末样品的α粒子发射率包括如下步骤S310至S320。
步骤S310:获取样品容器中的样品表面积,以及对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间。
将装满粉末样品的样品容器200放入样品托盘100中,通过测试设备对其进行α粒子发射率测试。同样地,在测试时对粒子计数N2和测试时间T2进行记录,并获取样品容器200中用于容纳粉末样品的样品表面积Ss。根据样品容器200中的样品表面积Ss、此次测试中获取的粒子计数N2和测试时间T2可以计算样品容器200的发射率Rs。
步骤S320:根据样品托盘的α粒子发射率、空的样品容器的α粒子发射率、样品容器中的样品表面积、对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间,获取粉末样品的α粒子发射率。
将从步骤S220中获取的样品托盘100的α粒子发射率Rt、从步骤S240中获取的空的样品容器200的α粒子发射率Rc、从步骤S310中获取的样品容器200中的样品表面积Ss、此次测试中获取的粒子计数N2和测试时间T2代入粉末样品的α粒子发射率的表达式中,以获取粉末样品的发射率Rs,单位为/cm2/hr。
在其中一个实施例中,粉末样品的α粒子发射率的表达式为:
式中,Rs为粉末样品的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,N2为对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数,Rt为样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,T2为对装满粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的测试时间,单位为hr,St为样品托盘的表面积,单位为cm2,Sc为样品容器的总表面积,单位为cm2,Rc为空的样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,Ss为样品容器中的样品表面积。
同样,以图3所示的测试布局为例,对粉末样品的α粒子发射率的计算过程进行说明。样品托盘100为正方形,边长为Dt,可得样品托盘100的表面积为St=Dt 2。样品容器200为圆形容器,样品容器200中用于容置样品的直径为Ds,样品容器200外围边沿的宽度为Dc,可得样品容器200中的样品表面积为样品容器200的总表面积为/>此时,将上述数据代入表达式中可得粉末样品的实际α粒子发射率为:
。
在上述实施例中,以采用圆形容器作为样品容器200进行测试为例进行了计算方法说明。在其他实施例中,样品容器200也可以为其它形状。当样品容器200为其它形状时,上述计算方法也同样适用,只需确定样品容器200的总表面积,以及样品容器200中用于容纳样品的样品表面积,然后替换到上述公式的对应位置即可。
上述α粒子发射率测量方法,根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样,解决了粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。在测试中,通过分别对样品托盘100和空的样品容器200进行α粒子发射率背底测试,明确测试过程中样品托盘100和空的样品容器200中可能存在的干扰因素。通过确定的α粒子发射率的计算方法,排除样品托盘100和空的样品容器200对测试结果的影响,计算粉末样品实际的α粒子发射率。本发明提供的α粒子发射率测量方法适用于任意形状的定型粉末样品,可以解决难以完成对粉末样品进行α粒子发射率测试的问题,同时还可以提高试验准确度。
应该理解的是,虽然图1、图2、图4、图5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图1、图2、图4、图5中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在本说明书的描述中,参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以作出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种α粒子发射率测量方法,其特征在于,包括:
对粉末样品进行定型制样;
分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率;
对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率,获得所述粉末样品的α粒子发射率;
所述对粉末样品进行定型制样包括:
确定所述粉末样品的样品容器,所述样品容器包括圆形容器;
采用超低α粒子发射率本底的材料制成所述样品容器;
利用所述样品容器对所述粉末样品进行定型;
所述分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试,获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率包括:
获取所述样品托盘的表面积,以及对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间;
根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率;
获取所述样品容器的总表面积,以及对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间;
根据所述样品托盘的α粒子发射率、所述样品容器的总表面积、对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取空的所述样品容器的α粒子发射率;
所述根据所述样品托盘的表面积、对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取所述样品托盘的α粒子发射率包括:
根据表达式,计算所述样品托盘的α粒子发射率;
式中,为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,/>为对所述样品托盘进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,/>为所述样品托盘的表面积,单位为cm2。
2.根据权利要求1所述的α粒子发射率测量方法,其特征在于,在防沾污条件下,对粉末样品进行定型制样。
3.根据权利要求1所述的α粒子发射率测量方法,其特征在于,所述根据所述样品托盘的α粒子发射率、所述样品容器的总表面积、对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数和测试时间,获取空的所述样品容器的α粒子发射率包括:
根据表达式,计算空的所述样品容器的α粒子发射率;
式中,为空的所述样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的粒子计数,/>为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为对空的所述样品容器进行α粒子发射率背底测试时的测试时间,单位为hr,/>为所述样品托盘的表面积,单位为cm2,/>为所述样品容器的总表面积,单位为cm2。
4.根据权利要求3所述的α粒子发射率测量方法,其特征在于,所述对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试,根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率,获得所述粉末样品的α粒子发射率包括:
获取所述样品容器中的样品表面积,以及对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间;
根据所述样品托盘的α粒子发射率、空的所述样品容器的α粒子发射率、所述样品容器中的样品表面积、对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间,获取所述粉末样品的α粒子发射率。
5.根据权利要求4所述的α粒子发射率测量方法,其特征在于,所述根据所述样品托盘的α粒子发射率、空的所述样品容器的α粒子发射率、所述样品容器中的样品表面积、对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数和测试时间,获取所述粉末样品的α粒子发射率包括:
根据表达式,计算所述粉末样品的α粒子发射率;
式中,为所述粉末样品的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的粒子计数,/>为所述样品托盘的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试时的测试时间,单位为hr,/>为所述样品托盘的表面积,单位为cm2,/>为所述样品容器的总表面积,单位为cm2,/>为空的所述样品容器的α粒子发射率,单位为/cm2/hr,/>为所述样品容器中的样品表面积。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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ID=77934846
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113484894B (zh) |
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