CN113421931A - 太阳能电池 - Google Patents
太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113421931A CN113421931A CN202110228293.9A CN202110228293A CN113421931A CN 113421931 A CN113421931 A CN 113421931A CN 202110228293 A CN202110228293 A CN 202110228293A CN 113421931 A CN113421931 A CN 113421931A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- oxide
- silicon
- tellurium
- lithium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 65
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAZVCYBIABTSJR-UHFFFAOYSA-N (+)-Abienol Natural products CC1(C)CCCC2(C)C(CC=C(C=C)C)C(C)(O)CCC21 ZAZVCYBIABTSJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAZVCYBIABTSJR-KOQQBVACSA-N Abienol Chemical compound CC1(C)CCC[C@]2(C)C(CC=C(C=C)C)[C@](C)(O)CC[C@H]21 ZAZVCYBIABTSJR-KOQQBVACSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- KKTBXRFTXPLJNN-UHFFFAOYSA-N ent-labd-8beta-ol-14-ene Natural products CC(CCC1C(C)(O)CCC2C(C)(C)CCCC12C)C=C KKTBXRFTXPLJNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical group ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了太阳能电池,所述太阳能电池包括:衬底,包括第一导电型区域及第二导电型区域,上述第二导电型区域与上述第一导电型区域形成p‑n结;铝氧化物层,形成于上述衬底的至少一面;以及电极,贯通上述铝氧化物层来与上述第一导电型区域或第二导电型区域连接,上述电极包含导电粉末及规定的玻璃粉。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池,更详细地,涉及如下的太阳能电池,即,在包括铝氧化物层的钝化层上形成包含规定玻璃粉的电极,从而可实现低接触电阻及优秀的转换效率。
背景技术
太阳能电池利用p-n结将太阳光光子(photon)转换为电的光电效应来产生电能。在太阳能电池中,前电极和后电极分别形成于具有p-n 结的半导体晶片或衬底的上表面和下表面。在太阳能电池中,p-n结的光电效应由入射到半导体晶片的太阳光引起,由光电效应产生的多个电子通过电极提供向外部流动的电流。上述太阳能电池的电极可以通过涂敷、图案化及烘烤电极用浆料组合物来形成于晶片表面。
现有的已开发的太阳能电池电极组合物在通过降低接触电阻来提高太阳能电池转换效率方面具有局限性,最近,正在开发在前表面形成铝氧化物层以改善生产工艺性和太阳能电池转换效率的技术。
本发明的背景技术在日本公开专利第2015-144162号等中公开。
发明内容
要解决的问题
本发明的目的在于,提供接触电阻低且转换效率优秀的包括铝氧化物层的太阳能电池。
解决问题的方案
1.根据一实施方式,提供太阳能电池。上述太阳能电池包括:衬底,包括第一导电型区域及第二导电型区域,上述第二导电型区域与上述第一导电型区域形成p-n结;铝氧化物层,形成于上述衬底的至少一面;以及电极,贯通上述铝氧化物层来与上述第一导电型区域或第二导电型区域连接,上述电极包含导电粉末及玻璃粉,上述玻璃粉可包含铅-碲-锂-钙-硅-氧化物(Pb-Te-Li-Ca-Si-O)类玻璃粉,其中,铅 (Pb)、碲(Te)及锂(Li)的总摩尔百分比为50摩尔百分比至95 摩尔百分比,钙(Ca)与硅(Si)的摩尔比为1:0.005至1:10。
2.在上述1中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1 摩尔百分比至60摩尔百分比的铅氧化物。
3.在上述1或2中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 15摩尔百分比至70摩尔百分比的碲氧化物。
4.在上述1至3的任一项中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至35摩尔百分比的锂氧化物。
5.在上述1至4的任一项中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至15摩尔百分比的钙氧化物。
6.在上述1至5的任一项中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至30摩尔百分比的硅氧化物。
7.在上述1至6的任一项中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还可包含铋(Bi)、锌(Zn)、钠(Na)、磷(P)、锗(Ge)、镓 (Ga)、银(Ag)、铁(Fe)、钨(W)、镁(Mg)、钼(Mo)、铯(Cs)、铌(Nb)、锶(Sr)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钒(V)、钡(Ba)、镍(Ni)、铜(Cu)、钾(K)、砷(As)、硒 (Se)、钴(Co)、锆(Zr)、锰(Mn)、铝(Al)、铊(T1)、钽 (Ta)、铈(Ce)及硼(B)中的一种以上的元素。
8.在上述1至7的任一项中,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还可包含大于0摩尔百分比且小于等于5摩尔百分比的铝(Al)氧化物。
9.在上述1至8的任一项中,上述电极可由包含导电粉末、玻璃粉及有机载体的用于形成太阳能电池电极的组合物制备而成。
10.在上述9中,上述组合物可包含:60重量百分比至95重量百分比的上述导电粉末;0.1重量百分比至20重量百分比的上述玻璃粉;以及1重量百分比至30重量百分比的上述有机载体。
发明的效果
本发明具有如下效果:提供接触电阻低且转换效率优秀的包括铝氧化物层的太阳能电池。
附图说明
图1至图3为简要示出本发明实例的太阳能电池的图。
附图标记的说明
100、200、300:太阳能电池
110、210、310:衬底
111、211、311:第二导电型区域
112、212、312:第一导电型区域
120、220、320:电极
121、221、321:前电极
122、222、322:后电极
130、230、330:铝氧化物层
具体实施方式
在本说明书中,除非上下文另外明确指出,否则单数的表达包括复数的表达。
在说明书全文中,相同的附图标记指代相同的结构要素。并且,在说明本发明的过程时,如果相关的公知技术的具体说明被判断为可对本发明的主旨造成不必要的模糊,则将省略对其的详细说明。
若使用“在.....上”、“在.....上部”、“在.....下部”、“在.....侧”等来说明两个部分之间的位置关系,则一个以上的其他部分可位于两个部分之间,除非使用“正”或“直接”。
在描述附图时,如“上部”、“上表面”、“下部”、“下表面”等的位置关系仅基于附图来描述,而并不表示绝对位置关系。即,“上部”与“下部”或者“上表面”与“下表面”的位置可以根据观察位置而互相改变。
在本说明书中,术语“包括”或“具有”等意味着存在说明书中所记载的特征或结构要素,并且不预先排除添加一个以上其他特征或结构要素的可能性。
在本说明书中使用的术语“第一”和“第二”等可以用于描述各种结构要素,但这些结构要素不应限定于这些术语。这些术语仅旨在将一个结构要素与其他结构要素区分开。
在解释结构要素时,即使没有明确的记载,也将其解释为包括误差范围。
在本说明书中,表示数值范围的“a至b”中的“至”被定义为≥ a且≤b。
根据一实施方式,太阳能电池包括:铝氧化物层,形成于上述衬底的至少一面;以及电极,贯通上述铝氧化物层来与上述第一导电型区域或第二导电型区域连接,上述电极可包含导电粉末及规定的玻璃粉。
衬底可包括包括第一导电型区域(例如,n型层或p型层)及作为发射极的第二导电型区域(例如,p型层或n型层),上述第二导电型区域与上述第一导电型区域形成p-n结。第一导电型区域可通过掺杂第一导电型杂质来形成,第二导电型区域可通过掺杂第二导电型杂质来形成。衬底的厚度可以为,例如,100μm至300μm,但并不限定于此。
在衬底的至少一面可形成作为发射极钝化层的铝氧化物层。这样的铝氧化物层可通过固定电荷和氢钝化来提高钝化特性,从而可增加开路电压和短路电流。铝氧化物层的厚度可以为,例如,0.5nm至20n m,但并不限定于此。
可在铝氧化物层上形成包含导电粉末及规定的玻璃粉的电极。
例如,导电粉末可包含银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(A1)及镍(Ni)中的一种以上的金属粉末,但并不限定于此。根据一实例,导电粉末可包含银粉。
导电粉末的颗粒形状不受特别限制,可使用各种形状的颗粒,例如,球形颗粒、片状颗粒或非晶体形状颗粒。
导电粉末可以为具有纳米级或微米级粒径的粉末,例如,可以为数十纳米至数百纳米大小的导电粉末,或数微米至数十微米大小的导电粉末。并且,也可以混合两种以上大小不同的导电粉末来用作导电粉末。
导电粉末的平均粒径(D50)可以为0.1μm至10μm,例如,可以为0.5μm至5μm。在上述范围内,可以降低接触电阻和串联电阻。可以在25℃的温度下,将导电粉末在异丙醇(IPA)中超声分散3分钟后,使用由CILAS(西莱斯)社制造的1064LD模型来测量上述平均粒径(D50)。
玻璃粉用于在用于形成太阳能电池电极的组合物的烘烤工艺中蚀刻(etching)钝化层并使导电粉末熔融来在第一导电型区域或第二导电型区域生成导电粉末的晶粒。并且,玻璃粉具有如下效果:提高导电粉末与晶片之间的附着力、在烧结时软化来进一步降低烘烤温度。
玻璃粉可包含铅-碲-锂-钙-硅-氧化物(Pb-Te-Li-Ca-Si-O)类玻璃粉,其中,铅(Pb)、碲(Te)及锂(Li)的总摩尔百分比为50摩尔百分比至95摩尔百分比,钙(Ca)与硅(Si)的摩尔比为1:0.005至 1:10。由于铝氧化物层相对较硬,因此难以用常规的玻璃粉蚀刻铝氧化物层,导致存在太阳能电池的接触电阻增加的问题。但是,上述铅- 碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含规定量的铅、碲、锂、钙和硅,从而可以在进行烘烤工序中诱导适当水平的Ca-Si-Al三元反应,来直接蚀刻(direct breakthrough)铝氧化物层,结果,太阳能电池可以具有低的接触电阻和优秀的转换效率。例如,在铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉中,铅(Pb)、碲(Te)及锂(Li)的总摩尔百分比为50摩尔百分比至95摩尔百分比,如再一例,可以为60摩尔百分比至90摩尔百分比,如另一例,可以为55摩尔百分比至80摩尔百分比,但并不限定于此。例如,在铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉中,钙(Ca)与硅(Si) 的摩尔比可以为1∶0.005至1∶10,如再一例,可以为1∶0.05至1∶ 10,如另一例,可以为1∶0.1至1∶8,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至60摩尔百分比的铅氧化物。在上述范围内,接触电阻得以改善,可具有优秀的转换效率。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 5摩尔百分比至50摩尔百分比的铅氧化物,如再一例,可包含10摩尔百分比至50摩尔百分比,如另一例,可包含10摩尔百分比至45摩尔百分比,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含15摩尔百分比至70摩尔百分比的碲氧化物。在上述范围内,接触电阻得以改善,可具有优秀的转换效率。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 15摩尔百分比至60摩尔百分比的碲氧化物,如再一例,可包含15摩尔百分比至55摩尔百分比,如另一例,可包含15摩尔百分比至45摩尔百分比,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至35摩尔百分比的锂氧化物。在上述范围内,接触电阻得以改善,可具有优秀的转换效率。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 1摩尔百分比至30摩尔百分比的锂氧化物,如再一例,可包含5摩尔百分比至25摩尔百分比,如另一例,可包含8摩尔百分比至20摩尔百分比,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至15摩尔百分比的钙氧化物。在上述范围内,接触电阻得以改善,可具有优秀的转换效率。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 0.1摩尔百分比至10摩尔百分比的钙氧化物,如再一例,可包含0.1摩尔百分比至8摩尔百分比,如另一例,可包含0.2摩尔百分比至6摩尔百分比,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含0.1摩尔百分比至30摩尔百分比的硅氧化物。在上述范围内,接触电阻得以改善,可具有优秀的转换效率。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉可包含 0.1摩尔百分比至20摩尔百分比的硅氧化物,如再一例,可包含0.5摩尔百分比至15摩尔百分比,如另一例,可包含1摩尔百分比至10摩尔百分比,但并不限定于此。
根据一实例,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还可包含铋(Bi)、锌(Zn)、钠(Na)、磷(P)、锗(Ge)、镓(Ga)、银(Ag)、铁(Fe)、钨(W)、镁(Mg)、钼(Mo)、铯(Cs)、铌(Nb)、锶(Sr)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钒(V)、钡(Ba)、镍 (Ni)、铜(Cu)、钾(K)、砷(As)、硒(Se)、钴(Co)、锆(Zr)、锰(Mn)、铝(A1)、铊(T1)、钽(Ta)、铈(Ce)及硼 (B)中的一种以上的元素。例如,铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还可包含大于0摩尔百分比且小于等于5摩尔百分比(例如,0.1摩尔百分比至5摩尔百分比,如再一例,0.1摩尔百分比至3摩尔百分比)的铝(A1)氧化物。在此情况下,可具有防止玻璃粉过度蚀刻铝氧化物层的效果,但并不限定于此。
玻璃粉的形状及大小等不受特别限制。例如,玻璃粉的形状可以为球形或非晶体颗粒形状,玻璃粉的平均粒径(D50)可以为0.1μm至 10μm。可以在25℃的温度下,将玻璃粉在异丙醇(IPA)中超声分散 3分钟后,使用由CILAS(西莱斯)社制造的1064LD模型来测量上述平均粒径(D50)。
可以使用常规方法由上述元素和/或元素氧化物来制备玻璃粉。例如,使用球磨机(ball mill)或行星式磨机(planetary mill)等混合上述元素和/或元素氧化物,之后将混合的组合物在800℃至1300℃的温度下熔融,再在25℃的温度下淬火(quenching),然后利用盘式磨机 (disk mill)、行星式磨机等粉碎得到的产物,从而获得玻璃粉。
上述电极可由包含导电粉末、玻璃粉及有机载体的用于形成太阳能电池电极的组合物制备而成。例如,可在混合导电粉末、玻璃粉及有机载体来形成用于形成太阳能电池电极的组合物之后,将其涂敷在铝氧化物层后进行烘烤,从而形成电极。前面已经说明了导电粉末及玻璃粉,因此将省略对其的具体说明。
有机载体通过与用于形成太阳能电池电极的组合物的无机组分进行机械混合来赋予组合物适合印刷的粘度及流变特性。
有机载体可以为用于形成太阳能电池电极的组合物所通常使用的有机载体,可包含粘合剂树脂与溶剂等。
粘合剂树脂可使用丙烯酸酯树脂或纤维素树脂等。例如,可使用乙基纤维素作为粘合剂树脂。如另一例,可使用乙基羟乙基纤维素、硝化纤维素、乙基纤维素与酚树脂的混合物、醇酸树脂、酚树脂、丙烯酸酯树脂、二甲苯树脂、聚丁烷树脂、聚酯树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、醋酸乙烯树脂、木松香(rosin)或聚甲基丙烯酸酯等作为粘合剂树脂。
溶剂可单独或混合使用例如,己烷、甲苯、乙基溶纤剂、环己酮、丁基溶纤剂、丁卡必醇(二乙二醇单丁醚)、二丁基卡必醇(二乙二醇二丁醚)、丁基卡必醇乙酸酯(二乙二醇单丁醚乙酸酯)、丙二醇单甲醚、己二醇、松香醇(Terpineol)、丁酮、苯甲醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯或2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯(例如,十二酯醇(T exanol))等。
导电粉末、玻璃粉及有机载体的使用量不受特别限制。例如,以用于形成太阳能电池电极的组合物的总重量计,可包含60重量百分比至95重量百分比的导电粉末,如再一例,可包含70重量百分比至90 重量百分比,在上述范围内,太阳能电池的转换效率优秀且可顺利实现糊化,但并不限定于此。例如,以用于形成太阳能电池电极的组合物的总重量计,可包含0.1重量百分比至20重量百分比的玻璃粉,如再一例,可包含0.1重量百分比至10重量百分比,在上述范围内,可确保p-n结在各种薄层电阻下的稳定性,可以使电阻最小化,并可最终改进太阳能电池的效率,但并不限定于此。例如,以用于形成太阳能电池电极的组合物的总重量计,可包含1重量百分比至30重量百分比的有机载体,如再一例,可包含3重量百分比至20重量百分比,在上述范围内,可确保充足的粘合强度及出色的可印刷性,但并不限定于此。
为了提高流动特性、工艺特性及稳定性,除上述组分外,用于形成太阳能电池电极的组合物还可包含分散剂、触变剂、塑化剂、粘度稳定剂、抗起泡剂、色素、紫外线稳定剂、抗氧化剂、偶联剂等,上述添加剂可单独包含或包含2种以上。以用于形成太阳能电池电极的组合物的总重量计,可包含0.1重量百分比至5重量百分比的添加剂,但是可根据需要来改变其含量。
上述太阳能电池可以包括钝化发射极太阳能电池(passivated emi tter solarcell,PESC)、钝化发射极和背面电池(passivated emitter and rear cell,PERC)或钝化发射极背面局域扩散(passivated emitter real locally diffused,PERL)结构的太阳能电池,但并不限定于此。
图1为简要示出本发明一实例的太阳能电池的图。
参照图1,太阳能电池100可包括衬底110,上述衬底110包括作为p型层(或n型层)的第一导电型区域112以及作为发射极的n型层(或p型层)的第二导电型区域111。
衬底110的上部面为太阳能电池100的前面部,在衬底110的上部面形成有铝氧化物层130以及贯通铝氧化物层130来与第二导电型区域111连接的前电极121。前电极121可包含导电粉末以及上述规定的铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉。
衬底110的后部面为太阳能电池100的的后面部,在衬底110的后部面形成有后电极122。
根据一实例,在第二导电型区域111与铝氧化物层130之间、在铝氧化物层130上部面、或者在其两者可追加形成除铝氧化物层之外的用于钝化的层(未图示),例如,硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层,这些层的层叠顺序不受特别限制。例如,可在第二导电型区域111的上部面按照硅氧化物层/硅氮化物层/铝氧化物层130的顺序进行层叠,但并不限定于此。
根据一实例,铝氧化物层130可具有纹理化(texturing)结构。根据另一实例,在还包括硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层的情况下,铝氧化物层130及硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层中的一种以上可具有纹理化结构。
图2为简要示出本发明再一实例的太阳能电池的图。
参照图2,太阳能电池200可包括衬底210,上述衬底210包括作为p型层(或n型层)的第一导电型区域212以及作为发射极的n型层(或p型层)的第二导电型区域211,衬底210的上部面形成有前电极221,衬底210的下部面形成有铝氧化物层230以及贯通铝氧化物层230来与第一导电型区域212连接的后电极222。后电极222可包含导电粉末以及上述规定的铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉。
根据一实例,在第一导电型区域212与铝氧化物层230之间、在铝氧化物层230下部面、或者在其两者可追加形成除铝氧化物层之外的用于钝化的层(未图示),例如,硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层,这些层的层叠顺序不受特别限制,并且这些层可选择性地具有纹理化结构。
图3为简要示出本发明另一实例的太阳能电池的图。
参照图3,太阳能电池300可包括衬底310,上述衬底310包括作为p型层(或n型层)的第一导电型区域312以及作为发射极的n型层(或p型层)的第二导电型区域311,衬底310的上部面形成有铝氧化物层330以及贯通铝氧化物层330来与第二导电型区域311连接的前电极321,衬底310的下部面形成有铝氧化物层330以及贯通铝氧化物层330来与第一导电型区域312连接的后电极322。前电极321及后电极322可分别包含导电粉末以及上述规定的铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉。
根据一实例,在第二导电型区域311及铝氧化物层330之间、在铝氧化物层330上部面、在第一导电型区域312与铝氧化物层330之间和/或在铝氧化物层330下部面可追加形成除铝氧化物层之外的用于钝化的层(未图示),例如,硅氧化物层、硅氮化物层和/或硅氮氧化物层,这些层的层叠顺序不受特别限制,并且这些层可选择性地具有纹理化结构。
可通过在其至少一面形成有铝氧化物层的衬底上印刷并烘烤用于形成太阳能电池电极的组合物,来形成后电极及前电极,从而来制备如上所述的太阳能电池。例如,可通过在晶片的后表面印刷涂敷用于形成太阳能电池电极的组合物之后,在200℃至400℃的温度下干燥1 0秒钟至60秒钟,来执行用于制备后电极的预准备步骤。并且,可通过在晶片的前表面印刷用于形成太阳能电池电极的组合物后进行干燥,来执行用于制备前电极的预准备步骤。之后,可通过执行在400℃至950℃的温度下烘烤30秒钟至210秒钟的烘烤过程来形成前电极及后电极。
以下,例举实施例来进一步地详细说明本发明一实例的太阳能电池。但是这仅为本发明的优选例示,在任何情况下均不应被理解为限制本发明。
实施例
实施例1
在60℃下将2重量份的作为粘合剂树脂的乙基纤维素(STD4,陶氏化学公司(Dowchemical社))充分地溶解于6.5重量份的作为溶剂的松香醇(Nippon Terpine社)中,之后,加入90重量份的平均粒径为2.0μm的球型银粉(4-8F,多瓦高科技有限公司(Dowa社))、 1.5重量份的平均粒径为1.0μm的下述表1的玻璃粉A,并均匀地混合后,在3辊揉合机中混合分散,由此制备用于太阳能电池电极的组合物。
在晶片(掺杂有硼的p型晶片)的前表面进行纹理化(texturing) 后,以三氯氧化磷(POCl3)形成n+层并在n+层上形成铝氧化物层的单晶(monocrystalline)晶片的后表面印刷铝浆料后,在300℃的温度下干燥30秒钟。之后,在晶片的前表面丝网印刷所制备的上述用于形成太阳能电池电极的组合物,并使其在300℃的温度下干燥30秒钟。使用带式烘烤炉,将经由上述过程形成的电池在940℃的温度下烘烤70 秒钟,从而制备太阳能电池。
实施例2至实施例5及比较例1至比较例3
除使用下述表1中的玻璃粉B至H来代替玻璃粉A之外,以与实施例1相同的方法制备太阳能电池。
评估例:电特性
使用太阳能电池效率测试装置(Halm,福特克斯科技(Fortixtech) 社)测量以如上方式制备的太阳能电池的短路电流(Isc,单位:A)、开路电压(Voc,单位:mV)、串联电阻(Rs,单位:Ω)及转换效率 (Eff.,单位:%)、填充因子(FF,单位:%),并将其结果在下述表2中示出。
表2
玻璃粉 | Isc | Voc | Rs | FF | Eff | |
实施例1 | A | 9.486 | 643.68 | 0.001832 | 80.79 | 20.65 |
实施例2 | B | 9.498 | 644.25 | 0.002038 | 80.50 | 20.62 |
实施例3 | C | 9.501 | 643.94 | 0.002022 | 80.51 | 20.62 |
实施例4 | D | 9.494 | 644.89 | 0.00212 | 80.48 | 20.63 |
实施例5 | E | 9.460 | 644.74 | 0.001941 | 80.66 | 20.59 |
比较例1 | F | 9.469 | 643.52 | 0.002191 | 80.18 | 20.45 |
比较例2 | G | 9.468 | 644.67 | 0.002346 | 80.00 | 20.44 |
比较例3 | H | 9.430 | 645.31 | 0.002141 | 80.38 | 20.47 |
通过上述表2可以确认,由包括在铝氧化物层上包含本发明的玻璃粉的电极的实施例1至实施例5的太阳能电池与并非如此的比较例1 至比较例3相比,接触电阻低,且转换效率优秀。
以上,以多个实施例为中心对本发明进行了说明。本发明所属技术领域的普通技术人员可以理解,在不脱离本发明的本质特征的范围内,可以以变形的形式实现本发明。因此,所公开的实施例应该从描述性的角度而不是限定性的角度考虑。本发明的范围仅呈现在发明要求保护范围中而不是以上的描述中,并且在与本发明等同的范围内的所有差异均应被解释为包括在本发明内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池,包括:
衬底,包括第一导电型区域及第二导电型区域,上述第二导电型区域与上述第一导电型区域形成p-n结;
铝氧化物层,形成于上述衬底的至少一面;以及
电极,贯通上述铝氧化物层来与上述第一导电型区域或第二导电型区域连接,
上述太阳能电池的特征在于,
上述电极包含导电粉末及玻璃粉,
上述玻璃粉包含铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉,其中,铅、碲及锂的总摩尔百分比为50摩尔百分比至95摩尔百分比,钙与硅的摩尔比为1:0.005至1:10。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含0.1摩尔百分比至60摩尔百分比的铅氧化物。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含15摩尔百分比至70摩尔百分比的碲氧化物。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含0.1摩尔百分比至35摩尔百分比的锂氧化物。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含0.1摩尔百分比至15摩尔百分比的钙氧化物。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉包含0.1摩尔百分比至30摩尔百分比的硅氧化物。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还包含铋、锌、钠、磷、锗、镓、银、铁、钨、镁、钼、铯、铌、锶、钛、锡、铟、钒、钡、镍、铜、钾、砷、硒、钴、锆、锰、铝、铊、钽、铈及硼中的一种以上的元素。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述铅-碲-锂-钙-硅-氧化物类玻璃粉还包含大于0摩尔百分比且小于等于5摩尔百分比的铝氧化物。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,上述电极由包含导电粉末、玻璃粉及有机载体的用于形成太阳能电池电极的组合物制备而成。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,上述组合物包含:
60重量百分比至95重量百分比的上述导电粉末;
0.1重量百分比至20重量百分比的上述玻璃粉;以及
1重量百分比至30重量百分比的上述有机载体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0026224 | 2020-03-02 | ||
KR1020200026224A KR20210111400A (ko) | 2020-03-02 | 2020-03-02 | 태양 전지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113421931A true CN113421931A (zh) | 2021-09-21 |
Family
ID=77711799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110228293.9A Pending CN113421931A (zh) | 2020-03-02 | 2021-03-01 | 太阳能电池 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20210111400A (zh) |
CN (1) | CN113421931A (zh) |
-
2020
- 2020-03-02 KR KR1020200026224A patent/KR20210111400A/ko unknown
-
2021
- 2021-03-01 CN CN202110228293.9A patent/CN113421931A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210111400A (ko) | 2021-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI631088B (zh) | 玻璃熔料組成物、膏糊、以及使用其之太陽能電池 | |
CN106816484B (zh) | 形成电极的方法、由其制造的电极以及太阳能电池 | |
TWI651289B (zh) | 用於太陽電池電極的組合物以及使用其製作的電極 | |
CN113380439A (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极 | |
CN108074993B (zh) | 用于太阳能电池的前电极和包括其的太阳能电池 | |
JP2016210962A (ja) | 電極形成用組成物ならびにこれを用いて製造された電極および太陽電池 | |
CN113450941A (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及由其形成的太阳能电池电极 | |
CN111354803B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的方法及太阳能电池 | |
KR101940170B1 (ko) | 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극과 태양전지 | |
TWI721620B (zh) | 用於太陽能電池電極的組合物及使用所述組合物製備的太陽能電池電極 | |
CN109416954B (zh) | 用于p型太阳能电池电极的组合物、由其制备的电极及使用其制备的p型太阳能电池 | |
CN113421931A (zh) | 太阳能电池 | |
WO2020088254A1 (zh) | 太阳能电池片、太阳能电池及用于制备太阳能电池电极的组合物 | |
US9966480B2 (en) | Electrode composition, electrode manufactured using the same, and solar cell | |
TW201929244A (zh) | 用於形成太陽能電池電極的組成物和使用其製備的電極 | |
CN110797134B (zh) | 用于太阳能电池电极的组合物以及太阳能电池 | |
CN113366585B (zh) | 太阳能电池电极用导电性浆料及利用其制造的太阳能电池 | |
CN113450942A (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物、由其形成的电极以及电池 | |
CN107068775B (zh) | 用于形成电极的组合物、使用其制成的电极及太阳能电池 | |
CN114975644A (zh) | 选择性发射极太阳能电池电极及包含其的太阳能电池 | |
US10505056B2 (en) | Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell | |
CN113436780A (zh) | 太阳能电池电极形成用组合物及由其形成的太阳能电池电极 | |
US20190035951A1 (en) | Composition for solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
US20190292092A1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
CN114974649A (zh) | 太阳能电池电极及其形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |