CN113409684B - 可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置 - Google Patents

可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置

Info

Publication number
CN113409684B
CN113409684B CN202110193508.8A CN202110193508A CN113409684B CN 113409684 B CN113409684 B CN 113409684B CN 202110193508 A CN202110193508 A CN 202110193508A CN 113409684 B CN113409684 B CN 113409684B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
regions
region
stretchable
example embodiments
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110193508.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113409684A (zh
Inventor
金周永
尹英俊
李敦旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN113409684A publication Critical patent/CN113409684A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113409684B publication Critical patent/CN113409684B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28—Electrolytic cell components
    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

公开了可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置。一种可拉伸装置包括：基板，该基板包括具有第一刚度的第一区域以及在相邻的第一区域之间并具有低于第一刚度的第二刚度的第二区域；单元装置阵列，包括在基板的分开的各个第一区域上的单元装置；以及封装物，覆盖单元装置阵列。单元装置阵列包括：像素电极，被隔离在基板的分开的各个第一区域上；公共电极，被隔离在分开的各个第一区域上，并且每个公共电极面对单独的像素电极，可拉伸装置配置为将相同的电压施加到公共电极；以及活性层，在分开的各个第一区域上，并且每个活性层在单独的像素电极与单独的公共电极之间。

Description

可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置
技术领域
公开了可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置。
背景技术
近来，已经对将显示装置或生物装置诸如智能皮肤装置、软机器人和生物医学装置直接附接到皮肤或服装的可附接装置进行了研究。
然而，因为这样的可附接装置需要根据活体的运动在任意方向上具有可拉伸性，同时能够在恢复后保持其原始性能，所以需要不同于常规装置的新结构。
发明内容
一些示例实施方式提供了具有新结构的可拉伸装置。
一些示例实施方式提供了包括可拉伸装置的显示面板。
一些示例实施方式提供了包括可拉伸装置的传感器。
一些示例实施方式提供了包括可拉伸装置、显示面板或传感器的电子装置。
根据一些示例实施方式，一种可拉伸装置可以包括基板。基板可以包括具有第一刚度的多个第一区域以及在所述多个第一区域中的相邻的第一区域之间并具有低于第一刚度的第二刚度的第二区域。该可拉伸装置可以包括单元装置阵列。单元装置阵列可以包括在基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上的多个单元装置。该可拉伸装置可以包括覆盖单元装置阵列的封装物。单元装置阵列可以包括：多个像素电极，被隔离在基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上；多个公共电极，被隔离在基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上，所述多个公共电极中的每个公共电极面对所述多个像素电极中的单独的像素电极，该可拉伸装置配置为将相同的电压施加到所述多个公共电极；以及多个活性层，在基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上，每个活性层在所述多个像素电极中的单独的像素电极与所述多个公共电极中的单独的公共电极之间。
基板可以包括弹性体。
基板的所述多个第一区域的弹性模量与基板的第二区域的弹性模量之间的差异可以为约100倍或更多。
基板的第一区域的伸长率可以小于或等于约5％，基板的第二区域的伸长率可以为约10％至约100％。
基板的所述多个第一区域可以各自具有岛形状并脱离彼此直接接触，基板的第二区域可以是基板中的单个连续结构。
该可拉伸装置可以进一步包括连接所述多个公共电极的连接电极。
连接电极可以在基板的第二区域上，或者连接电极可以在基板的第一区域和第二区域两者上。
连接电极可以是可拉伸的电极。
连接电极可以包括导电纳米结构。
该可拉伸装置可以进一步包括在单元装置阵列的相邻的单元装置之间的像素限定层，该像素限定层具有与单元装置阵列的分开的各个单元装置对应的通路孔。每个公共电极可以通过像素限定层的通路孔中的单独的通路孔连接到连接电极。
像素限定层可以包括弹性体。
封装物可以包括多个封装物，所述多个封装物脱离彼此直接接触，并在基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上。
所述多个封装物和所述多个公共电极可以具有相同的平面形状。
封装物可以在基板的整个表面上并包括光敏弹性体的固化产物。
封装物可以包括在小于或等于约100℃的温度下可固化的光敏弹性体的固化产物。
活性层可以是发光层或光电转换层。
活性层可以是发光层，并且发光层可以包括有机发光材料、无机发光材料、量子点、钙钛矿或其组合。
一种显示面板可以包括可拉伸装置。
一种传感器可以包括可拉伸装置。
该传感器可以包括：发光二极管，配置为发射第一光；以及光电转换装置，配置为感测基于物体对第一光的反射而产生的第二光。发光二极管和光电转换装置中的至少一个可以包括可拉伸装置。
该传感器可以是生物传感器。
一种电子装置可以包括可拉伸装置、显示面板和/或传感器。
根据一些示例实施方式，一种可拉伸装置可以包括基板。基板可以包括具有第一刚度的第一区域以及与第一区域相邻并具有低于第一刚度的第二刚度的第二区域。该可拉伸装置可以包括在基板的第一区域上的单元装置以及覆盖单元装置的封装物。单元装置可以包括在基板的第一区域上的像素电极、在像素电极上的公共电极以及在像素电极与公共电极之间的活性层。
基板可以包括弹性体。
基板的第一区域的弹性模量与基板的第二区域的弹性模量之间的差异可以为约100倍或更多。
基板的第一区域的伸长率可以小于或等于约5％，基板的第二区域的伸长率可以为约10％至约100％。
基板的第二区域可以在平行于基板延伸的水平方向上完全围绕基板的第一区域。
该可拉伸装置可以进一步包括连接到公共电极的连接电极。连接电极可以在基板的第二区域上，或者连接电极可以在基板的第一区域和第二区域两者上。
连接电极可以是可拉伸的电极。
连接电极可以包括导电纳米结构。
活性层可以是发光层或光电转换层。
该可拉伸装置可以柔性地响应在特定的(或备选地，预定的)方向上的外力或外部运动诸如扭转、按压和拉动它，同时防止单元装置的损坏或破坏，使得它可以有效地应用于直接附接到皮肤或服装的可附接装置。
附图说明
图1是示出根据一些示例实施方式的可拉伸装置的像素排布的示例的示意性视图，
图2是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图3是示出根据一些示例实施方式的图1和图2的可拉伸装置的基板的示例的俯视图，
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是依次示出根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例的剖视图，
图13、图14、图15和图16是依次示出根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例的剖视图，
图17是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图18是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图19是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图20是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图21是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图，
图22是示出皮肤型显示面板的示例的示意性视图，
图23和图24是示出根据一些示例实施方式的附接式生物传感器的示例的示意性视图，
图25是示出根据一些示例实施方式的生物传感器的操作的示例的示意性视图，以及
图26是根据一些示例实施方式的电子装置的示意图。
具体实施方式
在下文中，详细描述了一些示例实施方式，使得本领域技术人员能容易地实现它们。然而，实际应用的结构可以以各种不同的形式来实现，并且不限于在此描述的示例实施方式。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。
将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间元件(即，间接地在所述另一元件上)。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
将理解，元件和/或其性质可以在此被陈述为与其它元件和/或其性质“相同”或“相等”，还将理解，在此陈述为与其它元件和/或其性质“相同”或“相等”的元件和/或其性质可以与所述其它元件和/或其性质“相同”或“相等”或者“基本上相同”或“基本上相等”。与其它元件和/或其性质“基本上相同”或“基本上相等”的元件和/或其性质将被理解为包括在制造公差和/或材料公差内与所述其它元件和/或其性质相同或相等的元件和/或其性质。与其它元件和/或其性质相同或基本上相同的元件和/或其性质可以与所述其它元件和/或其性质在结构上相同或基本上相同、在功能上相同或基本上相同和/或在组成上相同或基本上相同。
将理解，在此描述为“基本上”相同的元件和/或其性质涵盖具有等于或小于10％的幅度的相对差异的元件和/或其性质。此外，无论元件和/或其性质是否被修饰为“基本上”，将理解，这些元件和/或其性质应被解释为包括围绕所述及的元件和/或其性质的制造或操作公差(例如，±10％)。
当术语“约”或“基本上”在本说明书中结合数值使用时，意图是相关联的数值包括围绕所述及的数值的±10％的公差。当范围被指定时，该范围包括其间的所有值，诸如0.1％的增量。
在下文中，术语“组合”包括混合物以及两个或更多个堆叠的结构。
在下文中，参照附图描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置。
图1是示出根据一些示例实施方式的可拉伸装置的像素排布的示例的示意性视图。
参照图1，可拉伸装置200可以包括多个像素PX，所述多个像素PX可以以矩阵形式沿着行和/或列重复地排布。可拉伸装置200可以包括重复地排布的单元像素组“A”，单元像素组“A”中包括的多个像素PX可以具有诸如3×1、2×2、3×3或4×4的排布，但是不限于此。在一些示例实施方式中，像素PX的排布可以是拜耳矩阵、PenTile矩阵和/或菱形矩阵，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，每个像素PX可以包括单元装置150A，每个单元装置150A可以独立地显示红色R、绿色G、蓝色B、或其组合诸如白色W。在一些示例实施方式中，单元像素组“A”可以具有诸如RGB、RGBG或RGBW的排布，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，每个像素PX可以包括单元装置150A，每个单元装置150A可以配置为选择性地吸收或感测红色波长谱R的光、绿色波长谱G的光、蓝色波长谱B的光、整个可见光波长谱W的光、或红外波长谱IR的光。在一些示例实施方式中，单元像素组“A”可以具有诸如RGB、RGBG、RGBW或RGBIR的排布，但是不限于此。在一些示例实施方式中，例如，如图1所示，每个单独的像素PX可以被定义为单独的单元装置150A。如图2所示，在一些示例实施方式中，每个单独的像素PX可以被定义为可拉伸装置的具有由单独的开口161限定的水平边界的单独部分，并包括可拉伸装置的与单独的开口161竖直地重叠(例如，在垂直于基板110延伸的方向上重叠)的一些或所有部分。如在此所述，水平方向可以指平行于基板110延伸的方向，竖直方向可以指垂直于基板110延伸的方向。
单元装置150A可以沿着行和/或列重复地排布以形成单元装置阵列150。
在附图中，尽管所有像素PX被描绘为具有相同的尺寸，但是本公开不限于此。属于单元像素组“A”的一个或更多个像素PX可以大于或小于其它像素PX。在附图中，尽管所有像素PX被描绘为具有相同的形状，但是本公开不限于此。属于单元像素组“A”的一个或更多个像素PX可以具有与其它像素PX不同的形状。
图2是图1的可拉伸装置的示例的沿着线II-II截取的剖视图，图3是示出图1和图2的可拉伸装置的基板的第一区域和第二区域的排布的示例的俯视图。
参照图2，根据一些示例实施方式的可拉伸装置200包括基板110、晶体管120、连接电极130、绝缘层140、单元装置150A、像素限定层160和封装物170。封装物170可以在此可互换地称为封装层、封装结构等。如进一步所示，封装物170可以包括多个分开的封装物170S。
基板110可以是可拉伸基板，并且可以包括弹性体。弹性体可以包括有机弹性体、有机-无机弹性体、类无机弹性体材料或其组合。在一些示例实施方式中，有机弹性体或有机-无机弹性体可以是被取代或未被取代的聚有机硅氧烷(诸如聚二甲基硅氧烷)、包含被取代或未被取代的丁二烯部分的弹性体(诸如苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、包含氨基甲酸乙酯部分的弹性体、包含丙烯酸部分的弹性体、包含烯烃部分的弹性体或其组合，但是不限于此。类无机弹性体材料可以包括弹性陶瓷、弹性固态金属、液态金属或其组合，但是不限于此。
参照图3，基板110可以包括具有不同刚度的区域，在一些示例实施方式中，可以包括具有相对高的刚度(例如，第一刚度)的第一区域110A和具有与第一区域110A相比相对低的刚度(例如，具有第二刚度，其中第二刚度低于第一刚度)的第二区域110B。这里，刚度(例如，第一和/或第二刚度)可以表示当从外部施加力时对变形的抵抗度。相对高的刚度(例如，第一刚度)可以意味着对变形的抵抗相对大，使得变形小，而相对低的刚度(例如，第二刚度)可以意味着对变形的抵抗相对小，使得变形大。
刚度可以由弹性模量来评估(例如，特定的刚度或其范围可以对应于特定的弹性模量或其范围)，并且高弹性模量可以意味着高刚度，低弹性模量可以意味着低刚度。在一些示例实施方式中，弹性模量可以是在室温(约25℃)下的杨氏模量。基板110的第一区域110A和第二区域110B的弹性模量之间的差异可以为约100倍或更多，第一区域110A的弹性模量可以是第二区域110B的弹性模量的约100倍(例如，第一区域110A的弹性模量可以以一因数大于第二区域110B的弹性模量，该因数等于或大于约100)。第一区域110A的弹性模量和第二区域110B的弹性模量之间的差异可以在以上范围内为约100至100,000倍，第一区域110A的弹性模量可以是第二区域110B的弹性模量的约100倍至约100,000倍(例如，第一区域110A的弹性模量可以以一因数大于第二区域110B的弹性模量，该因数等于或大于约100且小于或等于约100,000)，但是不限于此。在一些示例实施方式中，第一区域110A的弹性模量可以为约107Pa至约1012Pa，第二区域110B的弹性模量可以大于或等于约102Pa且小于约107Pa，但是不限于此。例如，具有第一刚度的第一区域110A可以具有约107Pa至约1012Pa的弹性模量，具有低于第一刚度的第二刚度的第二区域110B可以具有大于或等于约102Pa且小于约107Pa并且比第一区域110A的弹性模量小的弹性模量。因此，将理解，具有拥有第一刚度的第一区域和拥有低于第一刚度的第二刚度的第二区域的基板可以意味着具有拥有第一弹性模量的第一区域和拥有小于第一弹性模量的第二弹性模量的第二区域的基板。
基板110的第一区域110A和第二区域110B的伸长率可以由于前述的刚度差异而彼此不同，第二区域110B的伸长率可以高于第一区域110A的伸长率。这里，伸长率可以是相对于初始长度增加到断裂点的长度变化百分比。在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A的伸长率可以小于或等于约5％，在该范围内，可以为约0％至约5％、约0％至约4％、约0％至约3％、约0％至约2％、约0％至约1％、约0.5％至约5％、约0.5％至约4％、约0.5％至约3％、约0.5％至约2％、或约1％至约2％。在一些示例实施方式中，基板110的第二区域110B的伸长率可以大于或等于约10％，在该范围内，可以为约10％至约1000％、约10％至约800％、约10％至约700％、约10％至约500％、约10％至约300％、约10％至约200％、约10％至约100％、约10％至约90％、约10％至约80％、约10％至约70％、约10％至约60％、约10％至约50％、约10％至约40％、约20％至约70％、约20％至约60％、约20％至约50％、或约20％至约40％。因此，将理解，具有拥有第一刚度的第一区域和拥有低于第一刚度的第二刚度的第二区域的基板可以意味着具有拥有第一伸长率的第一区域和拥有高于第一伸长率的第二伸长率的第二区域的基板。
基板110的多个第一区域110A可以具有彼此分开的岛形状(例如，脱离彼此直接接触的多个岛结构)，并且可以以矩阵形式沿着行和/或列重复地排布以对应于可拉伸装置200的像素PX。然而，基板110的多个第一区域110A的排布不限于此，并且可以根据像素PX的排布而改变。稍后将描述的单元装置150A设置在基板110的每个第一区域110A上。
虽然至少图1至图3所示的示例实施方式示出了其中基板110包括许多第一区域110A和周围的第二区域110B的可拉伸装置200，但是示例实施方式不限于此。例如，在一些示例实施方式中，可拉伸装置可以包括单个第一区域110A以及与该第一区域110A相邻并可部分地或完全地围绕该第一区域110A的单个第二区域110B。这样的可拉伸装置200可以包括在第一区域110A上的单个单元装置150A。
基板110的第二区域110B可以是除了多个第一区域110A以外的区域，并且可以整体上被连续地连接(例如，可以是基板110内的单个连续结构，或是围绕基板110中的许多分开的第一区域110A的单块材料)。例如，在基板110包括多个第一区域110A(例如，具有岛结构并脱离彼此直接接触的第一区域110A)的情况下，第二区域110B可以在相邻的第一区域110A之间(例如，第二区域110B可以是在基板110的一些或所有相邻的第一区域110A之间的单个区域)。基板110的第二区域110B可以是为可拉伸装置200提供可拉伸性的区域。由于第二区域110B的相对低的刚度和相对高的伸长率，基板110可以柔性地响应外力或外部运动诸如扭转、按压和/或拉动，并且可以容易地恢复到其原始状态。
在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A可以具有与基板110的第二区域110B不同的形状。在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A可以是平坦的，并且第二区域110B可以包括二维或三维可拉伸结构。在一些示例实施方式中，二维或三维可拉伸结构可以具有波浪形状、褶皱形状、弹出形状或非共面网格形状，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A可以包括与第二区域110B不同的材料。在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A可以包括具有相对高的刚度和相对低的伸长率的无机材料、有机材料和/或有机-无机材料，基板110的第二区域110B可以包括具有相对低的刚度和相对高的伸长率的无机材料、有机材料和/或有机-无机材料。在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A可以包括有机材料(包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜或其组合)、碳结构(诸如金刚石碳)或其组合，基板110的第二区域110B可以包括有机弹性体或有机-无机弹性体(包括被取代或未被取代的聚有机硅氧烷(诸如聚二甲基硅氧烷)、包含被取代或未被取代的丁二烯部分的弹性体(诸如苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、包含氨基甲酸乙酯部分的弹性体、包含丙烯酸部分的弹性体、包含烯烃部分的弹性体或其组合)、类无机弹性体材料(诸如弹性陶瓷、弹性固态金属、液态金属或其组合)，但是不限于此。在一些示例实施方式中，第一区域110A和第二区域110B可以例如通过施加环氧树脂而接合在一起，和/或可以至少部分地焊接在一起。
在一些示例实施方式中，基板110的第一区域110A和第二区域110B可以用相同的材料形成(例如，可以是单块材料的部分)，并且可以至少部分地定义为因不同条件诸如聚合度和/或固化度而具有不同刚度的分开区域。在一些示例实施方式中，基板110可以包括具有相对高的刚度的第一区域110A和具有相对低的刚度的第二区域110B，该第一区域110A和该第二区域110B通过基于聚二甲基硅氧烷改变聚合度、固化剂的类型和含量、和/或固化温度(例如，基于在单块聚二甲基硅氧烷材料的不同区域上改变一种或更多种固化剂的施加和/或改变固化温度)而形成。
晶体管120和连接电极130形成在基板110上。晶体管120可以在基板110的第一区域110A上、在基板110的第二区域110B上或在基板110的第一区域110A和第二区域110B两者上。连接电极130可以在基板110的第一区域110A上、在基板110的第二区域110B上或在基板110的第一区域110A和第二区域110B两者上。当晶体管120在基板110的第二区域110B上时，晶体管120可以是可拉伸的晶体管。
一个或两个或更多个晶体管120可以被包括在每个像素PX中，并且可以连接到多条信号线(未示出)。所述多条信号线可以包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的栅极线、用于传输数据信号的数据线和用于传输驱动电压的驱动电压线。所述多条信号线中的至少一部分可以是可拉伸的布线。
在一些示例实施方式中，晶体管120可以包括开关晶体管和/或驱动晶体管。开关晶体管可以电连接到栅极线和数据线，并且可以包括连接到栅极线的第一栅电极、连接到数据线的第一源电极、面对第一源电极的第一漏电极、以及分别电连接到第一源电极和第一漏电极的第一半导体。驱动晶体管可以包括电连接到第一漏电极的第二栅电极、连接到驱动电压线的第二源电极、面对第二源电极的第二漏电极、以及分别电连接到第二源电极和第二漏电极的第二半导体。在一些示例实施方式中，第一半导体和第二半导体可以各自包括半导体材料和弹性体。在一些示例实施方式中，第一半导体和第二半导体可以各自包括有机半导体材料和弹性体。
连接电极130可以电连接到稍后将描述的多个公共电极152A，并且可以是公共电压被施加到其以用于单元装置150A的操作的电极。连接电极130可以在基板110的第二区域110B上，或者可以设置在基板110的第一区域110A和第二区域110B两者上。连接电极130可以是单个连续电极，其连接到多个公共电极152A中的每个公共电极152A(例如，连接电极130可以是单块材料)。如至少图1所示，连接电极130可以具有波浪形状，使得虽然至少图2所示的剖视图示出了连接电极130的连接到分开的公共电极152A的分开部分，但是连接电极130的所述分开部分是连接(例如，电连接)到每个公共电极152A的单个连续的(例如，单块)连接电极130的部分。
连接电极130可以是可拉伸的电极，并且在一些示例实施方式中，可以包括可拉伸的导体或者可以具有可拉伸的波浪形状。在一些示例实施方式中，可拉伸的导体可以包括导电纳米结构，例如导电纳米颗粒、导电纳米薄片、导电纳米线、导电纳米管或其组合，例如包括低电阻导体(诸如银、金、铜、铝等)或碳导体的纳米颗粒、纳米薄片、纳米线、纳米管或其组合(诸如银纳米颗粒、银纳米薄片、银纳米线、银纳米管、石墨烯、石墨或其组合)，但是不限于此。当连接电极130具有可拉伸的波浪形状时，连接电极130可以包括低电阻导体，诸如银、金、铜、铝、其合金或其组合。
绝缘层140形成在晶体管120和连接电极130上。绝缘层140可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料或有机-无机绝缘材料，在一些示例实施方式中，可以包括：诸如硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的无机绝缘材料；诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料；或诸如聚有机硅氧烷或聚有机硅氮烷的有机-无机绝缘材料。绝缘层140可以是可拉伸的绝缘层，并且在一些示例实施方式中可以包括弹性体。弹性体可以包括前述有机弹性体、有机-无机弹性体、类无机弹性体材料或其组合，但是不限于此。绝缘层140具有暴露晶体管120的多个接触孔142。
单元装置阵列150形成在绝缘层140上。单元装置阵列150可以包括沿着行和/或列重复地排布的多个单元装置150A，多个单元装置150A中的每个单元装置150A可以设置在基板110的第一区域110A上。在基板110包括多个第一区域110A的情况下，单元装置阵列150可以包括在基板110的多个第一区域110A中的分开的各个第一区域110A上的多个单元装置150A。每个单元装置150A在一些示例实施方式中可以是二极管或晶体管。
单元装置阵列150可以包括：多个像素电极151A，分别被隔离在基板110的多个第一区域110A上(例如，分别被隔离在基板110的分开的各个第一区域110A上)；多个公共电极152A，分别被隔离在基板110的多个第一区域110A上(例如，分别被隔离在基板110的分开的各个第一区域110A上)并面对多个像素电极151A(例如，每个单独的公共电极152A面对多个像素电极151A中的单独的像素电极151A)；以及多个活性层153A，在多个像素电极151A与多个公共电极152A之间(例如，每个单独的活性层153A在单独的像素电极151A与单独的公共电极152A之间)并在基板110的多个第一区域110A上(例如，每个单独的活性层153A在多个第一区域110A中的单独的第一区域110A上)。
像素电极151A可以沿着行和/或列重复地排布以形成像素电极阵列，公共电极152A可以沿着行和/或列重复地排布以形成公共电极阵列，活性层153A可以沿着行和/或列重复地排布以形成活性层阵列。
包括像素电极151A、公共电极152A和活性层153A的单元装置150A可以在基板110的具有相对高的刚度的第一区域110A上，并且单元装置150A可以不在基板110的具有相对低的刚度的第二区域110B上。因此，包括像素电极151A、公共电极152A和活性层153A的单元装置150A基本上不受外力或外部运动诸如扭转、按压和/或拉动可拉伸装置200影响。因此，可以自由地选择用于改善像素电极151A、公共电极152A和活性层153A的性能的材料，并且可以减少或防止由于外力或外部运动导致的拉伸变形所引起的损坏或破坏。
像素电极151A和公共电极152A中的每个可以独立地由低电阻导体制成，在一些示例实施方式中，可以独立地由金属、导电氧化物和/或导电有机材料制成。在一些示例实施方式中，像素电极151A和公共电极152A可以独立地由以下制成：诸如铝、银、金、铜、镁、镍、钼或其合金的金属；诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铝锡氧化物(ATO)和铝锌氧化物(AZO)的导电氧化物；和/或诸如聚乙炔(PA)、聚吡咯(PPy)、聚噻吩(PT)、聚苯胺(PA)和聚(3,4-乙烯二氧噻吩)的导电有机材料。
像素电极151A和公共电极152A可以分别是透明或不透明的电极。透明电极可以具有大于或等于约80％的透射率，并且可以包括金属薄膜或前述导电氧化物、导电有机材料和/或碳导体，在一些示例实施方式中，不透明电极可以具有小于约10％的透射率或者大于或等于约5％的反射率，并且可以包括金属。
每个像素电极151A可以电连接到相应像素PX中的晶体管120，并且可以针对该相应像素PX被独立地被驱动。多个公共电极152A电连接到连接电极130，并且基于特定电压(在一些示例实施方式中，参考电压)被施加到与每个公共电极152A连接的连接电极130，公共电压(例如，相同的电压)可以被施加到每个公共电极152A。因此，将理解，根据一些示例实施方式的可拉伸装置200配置为将公共电压(例如，相同的电压)施加到公共电极152A(例如，同时或基本上同时地将相同的电压施加到公共电极152A)。将理解，在一些示例实施方式中，可拉伸装置200包括连接到分开的各组公共电极152A的多个连接电极130(例如，可至少部分地脱离彼此直接接触的多个分开的材料块)，并且可拉伸装置200配置为基于公共电压被施加到多个连接电极130(例如，通过公共电压被施加到与每个连接电极130电连接的单块连接电路)而使公共电压(例如，相同的电压)能够被施加到公共电极152A。
活性层153A可以包括发光层或光电转换层。
发光层可以包括配置为发射光的有机材料、无机材料、有机-无机材料或其组合，在一些示例实施方式中，可以包括有机发光材料、无机发光材料、量子点、钙钛矿或其组合，但是不限于此。
当发光层包括有机发光材料时，单元装置150A可以是有机发光二极管。当发光层包括无机发光材料时，单元装置150A可以是无机发光二极管。
当发光层包括量子点时，单元装置150A可以是量子点发光二极管。当发光层包括钙钛矿时，单元装置150A可以是钙钛矿发光二极管。
光电转换层可以配置为选择性地吸收至少一部分波长谱中的光并将吸收的光转换成电信号，并且可以配置为吸收例如蓝色波长谱中的光(在下文中，称为“蓝光”)、绿色波长谱中的光(在下文中，称为“绿光”)、红色波长谱中的光(在下文中，称为“红光”)和红外波长谱中的光(在下文中，称为“红外光”)中的至少一种，并将吸收的光转换成电信号。
在一些示例实施方式中，光电转换层可以配置为选择性地吸收蓝光、绿光、红光和红外光之一，并且可以将吸收的光转换成电信号。这里，对来自蓝光、绿光、红光和红外光之一的选择性吸收意味着吸收光谱具有在大于或等于约380nm且小于约500nm、约500nm至约600nm、大于约600nm且小于或等于约700nm、或大于约700nm且小于或等于约3000nm的波长谱中的最大吸收波长(λmax)，并且对应波长谱中的吸收光谱显著高于其它波长谱中的吸收光谱。这里，“显著高”可以意味着吸收光谱的总面积的约70％至约100％、约75％至约100％、约80％至约100％、约85％至约100％、约90％至约100％或约95％至约100％可以例如属于所述对应波长谱。
光电转换层可以包括p型半导体和n型半导体以形成pn结，p型半导体和n型半导体中的至少一种可以是吸光材料，p型半导体和n型半导体中的至少一种可以是波长选择性吸光材料。在一些示例实施方式中，p型半导体和n型半导体中的至少一种可以具有在大于或等于约380nm且小于500nm、约500nm至约600nm、大于约600nm且小于或等于约700nm、或大于约700nm且小于或等于约3000nm的波长谱中的最大吸收波长(λmax)。p型半导体和n型半导体可以具有在相同或不同波长谱中的峰值吸收波长(λmax)。p型半导体和n型半导体可以分别是有机材料、无机材料或有机-无机材料。在一些示例实施方式中，p型半导体和n型半导体中的至少一种可以是有机材料。
单元装置150A可以进一步包括在像素电极151A与活性层153A之间和/或在公共电极152A与活性层153A之间的辅助层(未示出)。在一些示例实施方式中，辅助层可以是电荷辅助层、发光辅助层和/或吸收辅助层。在一些示例实施方式中，电荷辅助层可以是选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的一层或更多层。辅助层可以各自独立地包括有机材料、无机材料或有机-无机材料。
像素限定层160可以形成在绝缘层140的整个表面上，并且可以是具有多个开口161和通路孔162(见图10)的连续膜。如所示出地，像素限定层160可以至少部分地在单元装置阵列150的相邻的单元装置150A之间(例如，在平行于基板110延伸的水平方向上在单元装置阵列150的相邻的单元装置150A之间)。多个开口161可以设置在基板110的第一区域110A上以限定每个像素PX并暴露每个单元装置150A。在一些示例实施方式中，每个像素PX的形状和尺寸可以根据相应开口161的形状和尺寸来确定。多个通路孔162可以是将公共电极152A电连接到连接电极130的通道，并且可以用与形成公共电极152A的导体相同或不同的导体填充。因此，可以将像素限定层160理解为具有对应于分开的各个单元装置150A和/或分开的各个像素PX的通路孔162。可以将像素限定层160理解为具有对应于分开的各个单元装置150A和/或对应于(例如，至少部分地限定)分开的各个像素PX的开口161。如图2所示，像素PX可以由开口161的侧壁(例如，倾斜侧壁)的水平外边界(例如，开口161的侧壁与像素限定层160的上表面之间的边缘)限定。在一些示例实施方式中，像素PX可以由开口161的侧壁的水平内边界(例如，开口161的侧壁与由各个开口161暴露的对应的公共电极151A的上表面之间的边缘)限定。
将理解，在一些示例实施方式中，可拉伸装置200中可以不存在像素限定层160。在一些示例实施方式中，当不存在像素限定层160时，前述开口161可以至少部分地形成在绝缘层140的上表面中(例如，作为凹陷)以限定像素PX，并且至少像素电极151A和/或全部单元装置150A可以位于其上(例如，分开的单元装置150A在绝缘层140中的分开的凹陷上)，并且通路孔162和接触孔142可以如所述以及附图所示地延伸穿过绝缘层140。
像素限定层160可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料和/或有机-无机绝缘材料，例如：诸如硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的无机绝缘材料；诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料；或诸如聚有机硅氧烷或聚有机硅氮烷的有机-无机绝缘材料。像素限定层160可以是可拉伸的绝缘层，并且在一些示例实施方式中可以包括弹性体。弹性体可以包括前述有机弹性体、有机-无机弹性体、类无机弹性体材料或其组合，但是不限于此。
封装物170可以被分开地隔离在基板110的第一区域110A上，每个封装物170可以单独地覆盖相应单元装置150A或相应像素PX，使得封装物170覆盖单元装置阵列150。重述，在基板110包括多个第一区域110A的情况下，封装物170可以包括(可脱离彼此直接接触的)多个分开的封装物170S，其中多个封装物170S在分开的各个单元装置150A上并且其在多个第一区域110A中的分开的各个第一区域110A上且在垂直于基板110延伸的竖直方向上与多个第一区域110A中的分开的各个第一区域110A重叠。因此，如图2所示，多个封装物170S可以覆盖分开的各个单元装置150A以使其免于竖直暴露。虽然公共电极152A的侧边缘如图2所示地被封装物170S暴露，但是将理解，在一些示例实施方式中，封装物170S可以在竖直方向和侧方向两者上完全覆盖分开的各个下面的单元装置150A，包括其各个公共电极152A的侧边缘(例如，如至少图16所示)。相邻的封装物170S彼此分开(例如，脱离彼此直接接触)且基板110的第二区域110B设置在其间(例如，多个封装物170S可以不与第二区域110B竖直地重叠，例如不在垂直于基板110延伸的方向上与第二区域110B重叠)。在一些示例实施方式中，封装物170(例如，多个封装物170S)可以具有与公共电极152A相同的平面形状。
如上所述，封装物170形成为单独地覆盖基板110的第一区域110A上的每个单元装置150A或每个像素PX(例如，封装物170可以包括脱离彼此直接接触的多个封装物170S，并且每个单独的封装物170S配置为覆盖单独的单元装置150A或像素PX)，从而封装物170可以基本上不受外力或外部运动诸如扭转、按压和/或拉动可拉伸装置200影响，因此，可以自由地选择用于改善封装物170的性能的材料，并且可以减少或防止由于外力或外部运动导致的拉伸变形所引起的损坏或破坏。
在一些示例实施方式中，封装物170可以包括有机材料、无机材料和/或有机/无机材料，并且可以包括一层或更多层。在一些示例实施方式中，封装物170可以包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物，诸如包括铝(Al)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、硅(Si)或其组合的氧化物、氮化物和/或氮氧化物。在一些示例实施方式中，封装物170可以包括交替地堆叠的具有不同折射率的层。在一些示例实施方式中，第一层和第二层可以交替地堆叠，该第一层包括选自氧化物、氮化物和氮氧化物的第一材料，该第二层包括具有比第一材料高的折射率的选自氧化物、氮化物和氮氧化物的第二材料。
封装物170可以保护单元装置150A并有效地阻挡或防止氧气、湿气和/或污染物从外部流入。在一些示例实施方式中，当可拉伸装置200被包括在附接到活体的显示装置或生物装置中时，封装物170可以防止诸如汗液的生物分泌物流入到可拉伸装置200中，从而防止可拉伸装置200的劣化。
以这种方式，根据一些示例实施方式的可拉伸装置200包括基板110，该基板110包括具有相对高的刚度和相对低的伸长率的第一区域110A以及具有相对低的刚度和相对高的伸长率的第二区域110B，因此可以柔性地响应在特定的(或备选地，预定的)方向上的外力或外部运动诸如扭转、按压和/或拉动。
此外，因为根据一些示例实施方式的可拉伸装置200包括设置在基板110的第一区域110A上的单元装置150A，所以可以自由地选择用于改善单元装置150A的构成元件的性能的材料，并且当基板110通过外力或外部运动被拉伸时，可以防止单元装置150A拉伸变形并因而可以防止其损坏或破坏。
此外，当基板110通过外力或外部运动被拉伸时，通过在每个单元装置150A中并非连续地而是分开地隔离公共电极152A和封装物170，根据一些示例实施方式的可拉伸装置200可以防止或减少公共电极152A和封装物170的破坏或损坏。因此，可以自由地选择用于改善公共电极152A和封装物170的性能的材料，并因此可以有效地实现可拉伸装置200而不使公共电极152A和封装物170的性能劣化。
在下文中，参照附图描述根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例。
图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是依次示出根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例的剖视图。
与图3一起参照图4，制备基板110，其包括具有相对高的刚度和相对低的伸长率的第一区域110A以及具有相对低的刚度和相对高的伸长率的第二区域110B。基板110的第一区域110A可以沿着行和/或列重复地排布成岛形状并设置在其中将形成单元装置150A的位置。基板110的第二区域110B可以是除了第一区域110A以外的区域，并且可以连续地连接到第一区域110A。
基板110的第一区域110A和第二区域110B可以以用于改变刚度和伸长率的各种方法形成，但是不限于特定方法。
在一些示例实施方式中，在设定用于基板110的第一区域110A和第二区域110B的位置之后，可以在用于基板110的第二区域110B的位置上设置二维或三维可拉伸结构。在一些示例实施方式中，二维或三维可拉伸结构可以具有波浪形状、褶皱形状、弹出形状或非共面网格形状，但是不限于此。在一些示例实施方式中，可以通过压印或光刻来实现二维或三维结构，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，在制备包括具有相对低的刚度和相对高的伸长率的弹性体的基板110之后，将包括具有相对高的刚度和相对低的伸长率的材料的结构选择性地设置在其中将形成第一区域110A的位置上，以提供多个第一区域110A。在一些示例实施方式中，具有相对高的刚度和相对低的伸长率的材料可以是有机材料(诸如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜或其组合)、碳结构(诸如金刚石碳)，但是不限于此。这里，其中没有设置所述结构的区域可以是基板110的第二区域110B。
在一些示例实施方式中，在设定用于形成基板110的第一区域110A和第二区域110B的位置之后，可以改变基础聚合物的类型、聚合度和/或固化度以在其中将形成基板110的第一区域110A和第二区域110B的位置上形成具有不同刚度和伸长率的第一区域110A和第二区域110B。
在一些示例实施方式中，基板110的刚度可以通过使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基础聚合物但是改变由Si-O键构成的聚合物链的聚合度而不同。
在一些示例实施方式中，基板110的刚度可以通过使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基础聚合物但是改变链接到聚二甲基硅氧烷(PDMS)的侧链的类型和数目而不同。
在一些示例实施方式中，基板110的刚度可以通过使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基础聚合物但是调节聚二甲基硅氧烷和固化剂的组成比而不同。随着固化剂的量增加，刚度可以增大，在一些示例实施方式中，在其中将形成基板110的第一区域110A的位置上的相对于基础聚合物的量的固化剂的量可以大于在其中将形成基板110的第二区域110B的位置上的相对于基础聚合物的量的固化剂的量。
在一些示例实施方式中，基板110的刚度可以通过使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基础聚合物但是改变固化温度和/或时间而不同。随着固化温度越高并且固化时间越长，刚度可以越高，在一些示例实施方式中，在其中将形成基板110的第一区域110A的位置处的固化温度可以高于在其中将形成基板110的第二区域110B的位置处的固化温度，在一些示例实施方式中，在其中将形成基板110的第一区域110A的位置处的固化时间可以长于在其中将形成基板110的第二区域110B的位置处的固化时间。
参照图5，在基板110上形成多条信号线(未示出)、晶体管120和连接电极130。连接电极130可以与信号线一起形成，但是不限于此。
参照图6，在基板110的整个表面上形成绝缘层140。绝缘层140可以通过涂覆、沉积、压印等形成，但是不限于此。绝缘层140具有暴露每个像素(PX)的晶体管120的接触孔142。
参照图7，在绝缘层140上形成用于像素电极的导体，然后对该导体进行光刻以形成像素电极151A。每个像素电极151A隔离地形成在基板110的第一区域110A中，并通过绝缘层140的接触孔142电连接到晶体管120。
参照图8，在绝缘层140的整个表面上形成有机层并图案化该有机层以形成具有暴露像素电极151A的多个开口161的像素限定层160。
参照图9，在每个像素电极151A上形成活性层153A。活性层153A可以通过涂覆、沉积或压印发光材料或吸光材料而形成，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，活性层153A可以通过并排设置或在竖直方向上堆叠配置为发射不同波长谱中的光的发光材料而形成。在一些示例实施方式中，在相邻排布的第一像素、第二像素和第三像素中，第一像素的活性层153A可以包括配置为发射红色波长谱中的光的发光材料，第二像素的活性层153A可以包括配置为发射绿色波长谱中的光的发光材料，第三像素的活性层153A可以包括配置为发射蓝色波长谱中的光的发光材料。
在一些示例实施方式中，活性层153A可以通过并排设置(例如，平行于基板110排列)或在竖直方向上(例如，在垂直于基板110的方向上)堆叠配置为吸收不同波长谱中的光的吸光材料而形成。在一些示例实施方式中，在相邻排布的第一像素、第二像素和第三像素中，第一像素的活性层153A可以包括配置为吸收红色波长谱中的光的吸光材料，第二像素的活性层153A可以包括配置为吸收绿色波长谱中的光的吸光材料，第三像素的活性层153A可以包括配置为吸收蓝色波长谱中的光的吸光材料。
参照图10，在像素限定层160和绝缘层140中形成暴露连接电极130的通路孔162。随后，在像素限定层160和活性层153A的整个表面上形成用于公共电极的导电层152。用于公共电极的导电层152通过像素限定层160和绝缘层140中的通路孔162电连接到连接电极130。因此，稍后将形成的每个公共电极152A可以通过像素限定层160和绝缘层140中的单独的通路孔162(例如，与包括所述公共电极152A的相应单元装置150A对应的通路孔)连接到连接电极130。
参照图11，在用于公共电极的导电层152的整个表面上形成用于封装物的薄膜170-1。用于封装物的薄膜170-1可以以涂覆、沉积或压印的方法形成，但是不限于此。
参照图12，对用于封装物的薄膜170-1进行光刻以形成包括分别被隔离在基板110的第一区域110A上的多个封装物170S的封装物170。封装物170S可以单独地覆盖每个单元装置150A，并且相邻的封装物170S可以彼此分开且基板110的第二区域110B在其间。
参照图2，使用封装物170作为掩模对用于公共电极的导电层152进行光刻，以形成分别被隔离在基板110的第一区域110A上的多个公共电极152A。这里，因为封装物170用作掩模以形成公共电极152A，所以封装物170和公共电极152A可以具有基本上相同的平面形状。光刻可以是湿蚀刻或干蚀刻。
在下文中，示出了根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例。
图13、图14、图15和图16是依次示出根据一些示例实施方式的制造图1和图2的可拉伸装置的方法的示例的剖视图。
首先，如图4至图9所示，如上所述地在具有第一区域110A和第二区域110B的基板110上形成晶体管120、连接电极130、绝缘层140、像素限定层160、像素电极151A和活性层153A。
参照图13和图14，在活性层153A之上设置掩模70。掩模70可以具有精细开口部分70A和精细阻挡部分70B，并且在一些示例实施方式中，可以是精细金属掩模FMM。掩模70的精细开口部分70A可以基本上具有与稍后将形成的公共电极152A的尺寸相同的尺寸。在将用于供应导体的源设置在掩模70上之后，通过掩模70的精细开口部分70A将导体选择性地沉积在活性层153A以及与其相邻的一部分像素限定层160上，以形成公共电极152A。随后，去除掩模70。
参照图15，在公共电极152A和像素限定层160的整个表面上，形成用于封装物的薄膜170-1。用于封装物的薄膜170-1可以以涂覆、沉积或压印的方法形成，但是不限于此。
参照图16，对用于封装物的薄膜170-1进行光刻以形成包括分别被隔离在基板110的第一区域110A上的多个封装物170S的封装物170。封装物170S可以单独地覆盖每个单元装置150A，并且相邻的封装物170S可以彼此分开且基板110的第二区域110B在其间。
在下文中，描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置的另一示例。
图17是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图。
参照图17，与图2所示的示例实施方式一样，根据图17所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括：具有第一区域110A和第二区域110B的基板110；晶体管120；连接电极130；绝缘层140；多个单元装置150A，每个包括像素电极151A、活性层153A和公共电极152A；像素限定层160；以及封装物170。
然而，在根据图17所示的示例实施方式的可拉伸装置200中，与图2所示的示例实施方式不同，连接电极130可以设置在绝缘层140上，在一些示例实施方式中，可以设置在与像素电极151A相同的层上。连接电极130可以通过像素限定层160中的通路孔162电连接到公共电极152A。
在下文中，描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置的另一示例。
图18是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图。
参照图18，与图2所示的示例实施方式一样，根据图18所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括：基板110，具有第一区域110A和第二区域110B；晶体管120；连接电极130；绝缘层140；多个单元装置150A，每个包括像素电极151A、活性层153A和公共电极152A；像素限定层160；以及封装物170。
然而，在根据图18所示的示例实施方式的可拉伸装置200中，与图2所示的示例实施方式不同，像素限定层160与封装物170一样可以分别隔离地存在于基板110的第一区域110A上，并且被分离在每个像素PX中且基板110的第二区域110B在其间。每个单独的像素限定层160具有开口161和通路孔162，并且其具体细节在上面被描述。
因为根据图18所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括分别被隔离在基板110的第一区域110A上的每个像素PX中的公共电极152A、封装物170和像素限定层160，所以与包括分别连续形成的公共电极152A、封装物170和/或像素限定层160的情况相比，当基板110通过外力或外部运动被拉伸时，可以防止公共电极152A、封装物170和像素限定层160被破坏或损坏，并因此可以自由地选择用于改善公共电极152A、封装物170和像素限定层160的性能的材料。因此，可以有效地实现可拉伸装置200而不使公共电极152A、封装物170和像素限定层160的性能劣化。
在下文中，描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置的另一示例。
图19是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图。
参照图19，与图2所示的示例实施方式一样，根据图19所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括：基板110，具有第一区域110A和第二区域110B；晶体管120；连接电极130；绝缘层140；多个单元装置150A，每个包括像素电极151A、活性层153A和公共电极152A；像素限定层160；以及封装物170。
然而，与图2所示的示例实施方式不同，根据图19所示的示例实施方式的可拉伸装置200可以包括连续地设置在基板110的整个表面上的封装物170。封装物170可以包括光敏弹性体的固化产物。这里，封装物170可以包括当基板110通过外力或外部运动被拉伸时可一起拉伸的弹性体。因此，当基板110通过外力或外部运动被拉伸时，封装物170也可以既不破裂也不损坏，而是柔性地可拉伸，因此有效地阻挡或防止氧气、湿气和/或污染物从外部流入并因此有效地保护多个单元装置150A。此外，因为可以在一些示例实施方式中省略用于封装物的薄膜170-1的包括光刻和显影的图案化，所以可以简化工艺，并且可以防止其下方的单元装置150A在图案化期间受到损坏。
在一些示例实施方式中，封装物170可以由通过热或光可交联的弹性体、弹性体和对热或光敏感的光反应材料的混合物、或其组合形成。在一些示例实施方式中，封装物170可以由光敏弹性体、弹性体和光敏材料的混合物、或其组合形成。在一些示例实施方式中，封装物170可以由能够进行低温处理的光敏弹性体(例如，该光敏弹性体的固化产物)形成，在一些示例实施方式中，可以由在低于基板110的玻璃转变温度(Tg)的温度下可固化的光敏弹性体形成，例如由在以下温度下可固化的光敏弹性体形成：小于或等于约150℃、小于或等于约120℃、小于或等于约100℃、约28℃至约150℃、约28℃至约120℃、约28℃至约100℃、约40℃至约150℃、约40℃至约120℃、约40℃至约100℃、约50℃至约150℃、约50℃至约120℃、或约50℃至约100℃。以这种方式，封装物170由能够进行低温处理的光敏弹性体形成，从而防止由弹性体制成的基板110在固化期间受到热损坏，诸如热膨胀或热收缩。
在一些示例实施方式中，光敏弹性体可以选自具有光敏官能团的弹性体，并且可以具有作为主链的弹性体和在侧链中的至少一个光敏官能团。光敏弹性体可以包括例如被取代或未被取代的聚硅氧烷(诸如聚二甲基硅氧烷)、包含被取代或未被取代的丁二烯部分的弹性体(诸如苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、包含氨基甲酸乙酯部分的弹性体、包含丙烯酸部分的弹性体、包含烯烃部分的弹性体、或其组合作为弹性体的主链，并包括与主链结合的光敏官能团，诸如被取代或未被取代的乙烯基团、或者被取代或未被取代的(甲基)丙烯酸基团。在一些示例实施方式中，光敏弹性体可以是具有丙烯酸基团的聚异戊二烯，该丙烯酸基团具有化学式1所示的以下结构单元，但是不限于此。
[化学式1]
在一些示例实施方式中，弹性体和对热或光敏感的光反应材料的混合物可以包括选自被取代或未被取代的聚硅氧烷(诸如聚二甲基硅氧烷)、包含被取代或未被取代的丁二烯部分的弹性体(诸如苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯)、包含氨基甲酸乙酯部分的弹性体、包含烯烃部分的弹性体、或其与含叠氮化物的组合的弹性体，但是不限于此。
在下文中，描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置的另一示例。
图20是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图。
参照图20，与图2所示的示例实施方式一样，根据图20所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括：基板110，具有第一区域110A和第二区域110B；晶体管120；连接电极130；绝缘层140；多个单元装置150A，每个包括像素电极151A、活性层153A和公共电极152A；像素限定层160；以及封装物170。
然而，关于根据图20所示的示例实施方式的可拉伸装置200，与图2所示的示例实施方式不同，连接电极130可以设置在绝缘层140上，在一些示例实施方式中，可以设置在与像素电极151A相同的层上。连接电极130可以通过像素限定层160中的通路孔162电连接到公共电极152A。
在下文中，描述了根据一些示例实施方式的可拉伸装置的另一示例。
图21是根据一些示例实施方式的图1的可拉伸装置的另一示例的沿着线II-II截取的剖视图。
参照图21，与图2所示的示例实施方式一样，根据图21所示的示例实施方式的可拉伸装置200包括：基板110，具有第一区域110A和第二区域110B；晶体管120；连接电极130；绝缘层140；多个单元装置150A，每个包括像素电极151A、活性层153A和公共电极152A；像素限定层160；以及封装物170。
然而，在根据图21所示的示例实施方式的可拉伸装置200中，与图2所示的示例实施方式不同，像素限定层160分别被隔离在基板110的第一区域110A上，并且被分离在每个像素PX中且基板110的第二区域110B在其间。每个单独的像素限定层160具有开口161和通路孔162，并且其具体细节在上面被描述。
前述可拉伸装置200可以应用于需要可拉伸性的各种装置，在一些示例实施方式中，可以应用于可穿戴装置、类皮肤装置、大面积适形显示器、智能服装等，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，前述可拉伸装置200可以被包括在皮肤型显示面板中。
图22是示出根据一些示例实施方式的皮肤型显示面板的示例的示意性视图。
皮肤型显示面板300A可以是超薄显示面板，并且可以附接到诸如手的活体的一部分。皮肤型显示面板300A可以显示特定的(或备选地，预定的)信息，诸如各种字符和/或图像。在一些示例实施方式中，皮肤型显示面板300A可以包括无机发光二极管、微型发光二极管、有机发光二极管、量子点发光二极管或钙钛矿发光二极管，但是不限于此。
在一些示例实施方式中，可拉伸装置200可以被包括在传感器中。如图23-24所示，传感器可以是生物传感器，但是示例实施方式不限于此。
图23和图24是示出根据一些示例实施方式的生物传感器的示例的示意性视图。
生物传感器300B可以是可附接的生物传感器，并且可以附接到活体的表面(诸如皮肤)、活体(诸如器官)或用于接触活体的间接机构(诸如服装)以检测和测量诸如生物信号的生物信息。在一些示例实施方式中，生物传感器300B包括脑电图(EGG)传感器、心电图(ECG)传感器、血压(BP)传感器、肌电图(EMG)传感器、血糖(BG)传感器、光电容积描记(PPG)传感器、加速度计、射频识别(RFID)天线、惯性传感器、活动传感器、应变传感器、运动传感器或其组合，但是不限于此。生物传感器300B可以以非常薄的贴片类型或带类型附接到活体，从而可以实时地监测生物信息。
图25是示出根据一些示例实施方式的生物传感器的操作的示例的示意性视图。
参照图25，生物传感器300B包括发光二极管310和光电转换装置320。在一些示例实施方式中，发光二极管310可以包括无机发光二极管、有机发光二极管或微型发光二极管。在一些示例实施方式中，光电转换装置320可以包括光电二极管或光电转换层。
发光二极管310可以配置为发射用于感测生物信号的第一光Ll(例如，具有第一波长谱的光)。发光二极管310可以是例如配置为发射红外波长区域(例如，波长谱)中的第一光(L1)的红外发光二极管、或配置为发射可见波长区域中的第一光(L1)的可见光发光二极管。从发光二极管310发射的第一光(L1)可以被对象(subject)400(例如，诸如皮肤或血管的身体)反射或被吸收到该对象400中。在一些示例实施方式中，前述可拉伸装置200可以被包括在发光二极管310中。
光电转换装置320可以配置为感测来自从发光二极管310发射的第一光(L1)的被对象400反射的第二光(L2)，并因此将第二光(L2)转换成电信号。重述，光电转换装置320可以配置为基于诸如对象400的物体(object)对第一光(L1)的反射而感测第二光(L2)。转换自反射的第二光(L2)的电信号可以包括生物特征信息。包括生物特征信息的电信号可以被传输到传感器集成电路(IC)(未示出)或处理器(未示出)。在一些示例实施方式中，前述可拉伸装置200可以被包括在光电转换装置320中。
在一些示例实施方式中，前述可拉伸装置200可以分别被包括在发光二极管310和光电转换装置320中。因此，将理解，发光二极管310和光电转换装置320中的至少一个可以包括可拉伸装置200。
作为示例，生物传感器300B可以是光电容积描记(PPG)传感器，生物信息可以包括心率、氧饱和度、应力、心律不齐、血压等，并且可以通过分析电信号的波形来获得。
在一些示例实施方式中，生物传感器300B可以是附接到关节用于对有关节和肌肉问题的患者进行康复治疗的肌电图(EMG)传感器或应变传感器。肌电图(EMG)传感器或应变传感器可以附接到期望的位置，以定量地测量肌肉运动或关节运动，以取得康复所需的数据。
前述皮肤型显示面板或生物传感器可以被包括在各种电子装置中，并且电子装置可以进一步包括处理器(未示出)和存储器(未示出)。
图26是根据一些示例实施方式的电子装置的示意图。图26所示的电子装置2600可以是根据任何示例实施方式的电子装置。
参照图26，电子装置2600包括通过总线2610电连接的处理器2620、存储器2630、传感器2640和显示装置2650。传感器2640可以是根据任何示例实施方式的任何传感器。显示装置2650可以是根据任何示例实施方式的任何显示面板。在图26所示的示例实施方式中，电子装置2600可以包括传感器2640和显示装置2650两者，但是示例实施方式不限于此：在一些示例实施方式中，电子装置2600可以包括传感器2640和显示装置2650之一。
在一些示例实施方式中，电子装置2600的一些或所有部件可以包括根据任何示例实施方式的可拉伸装置或被包括在根据任何示例实施方式的可拉伸装置中。例如，在一些示例实施方式中，电子装置2600可以包括包含传感器2640和显示装置2650中的至少一个的可拉伸装置200，并且存储器2630、处理器2620和总线2610可以在可拉伸装置200的基板110上，并例如基于(多个)连接电极130联接到总线2610、独立于总线2610联接到处理器2620等而联接到可拉伸装置200的单元装置阵列150。在一些示例实施方式中，可拉伸装置200可以限于电子装置2600中包括的传感器2640和/或显示装置2650，其中总线2610、存储器2630和处理器2620在可拉伸装置200外部并与其联接(例如，经由总线2610)，从而建立电子装置2600。
处理器2620可以执行存储程序并因此执行至少一个功能，包括控制传感器2640和/或在显示装置2650上显示图像。处理器2620可以生成输出。
虽然已经结合当前所认为的实际示例实施方式描述了本发明构思，但是将理解，本发明构思不限于上述示例实施方式。相反，本发明构思旨在覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种修改和等同布置。
本申请要求享有2020年3月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0032719号的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

Claims (22)

1.一种可拉伸装置，包括：
基板，所述基板包括具有第一刚度的多个第一区域以及在所述多个第一区域中的相邻的第一区域之间并具有低于所述第一刚度的第二刚度的第二区域；
在所述基板上的晶体管和连接电极；
在所述晶体管和所述连接电极上的绝缘层；
在所述绝缘层的整个表面上的像素限定层，所述像素限定层是具有开口和通路孔的连续膜，所述开口对应于所述基板的所述第一区域；
单元装置阵列，所述单元装置阵列包括在所述基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上的多个单元装置，每个所述单元装置位于所述像素限定层的每个所述开口中；以及
封装物，覆盖所述单元装置阵列，
其中所述单元装置阵列包括：
多个像素电极，被隔离在所述基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上，每个所述像素电极电连接到所述晶体管，
多个公共电极，被隔离在所述基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上，每个所述公共电极通过所述通路孔电连接到所述连接电极，所述可拉伸装置配置为将相同的电压施加到所述多个公共电极，以及
多个活性层，在所述基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上，每个活性层在所述多个像素电极中的单独的像素电极与所述多个公共电极中的单独的公共电极之间。
2.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述基板包括弹性体。
3.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述基板的所述多个第一区域的弹性模量与所述基板的所述第二区域的弹性模量之间的差异为100倍或更多。
4.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中
所述基板的所述多个第一区域的伸长率小于或等于5％，以及
所述基板的所述第二区域的伸长率为10％至100％。
5.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中
所述基板的所述多个第一区域各自具有岛形状并脱离彼此直接接触，以及
所述基板的所述第二区域是在所述基板中的单个连续结构。
6.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中
所述连接电极在所述基板的所述第二区域上，或者
所述连接电极在所述基板的所述第一区域和所述第二区域两者上。
7.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述连接电极是可拉伸的电极。
8.根据权利要求7所述的可拉伸装置，其中所述连接电极包括导电纳米结构。
9.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述像素限定层包括弹性体。
10.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述封装物包括多个封装物，所述多个封装物脱离彼此直接接触，并在所述基板的所述多个第一区域中的分开的各个第一区域上。
11.根据权利要求10所述的可拉伸装置，其中所述多个封装物和所述多个公共电极具有相同的平面形状。
12.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中所述封装物在所述基板的整个表面上，并包括光敏弹性体的固化产物。
13.根据权利要求12所述的可拉伸装置，其中所述光敏弹性体在小于或等于100℃的温度下可固化。
14.根据权利要求1所述的可拉伸装置，其中每个活性层是发光层或光电转换层。
15.根据权利要求14所述的可拉伸装置，其中
每个活性层是所述发光层，以及
所述发光层包括有机发光材料、无机发光材料、量子点、钙钛矿或其组合。
16.一种显示面板，包括根据权利要求1所述的可拉伸装置。
17.一种传感器，包括根据权利要求1所述的可拉伸装置。
18.根据权利要求17所述的传感器，其中所述传感器包括：
发光二极管，配置为发射第一光；以及
光电转换装置，配置为感测基于物体对所述第一光的反射而产生的第二光，
其中所述发光二极管和所述光电转换装置中的至少一个包括所述可拉伸装置。
19.根据权利要求17所述的传感器，其中所述传感器是生物传感器。
20.一种电子装置，包括根据权利要求1所述的可拉伸装置。
21.一种电子装置，包括根据权利要求16所述的显示面板。
22.一种电子装置，包括根据权利要求17所述的传感器。
CN202110193508.8A 2020-03-17 2021-02-20 可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置 Active CN113409684B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200032719A KR102819928B1 (ko) 2020-03-17 2020-03-17 연신 소자, 표시 패널, 센서 및 전자 장치
KR10-2020-0032719 2020-03-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113409684A CN113409684A (zh) 2021-09-17
CN113409684B true CN113409684B (zh) 2025-07-18

Family

ID=73059683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110193508.8A Active CN113409684B (zh) 2020-03-17 2021-02-20 可拉伸装置、显示面板、传感器和电子装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11605793B2 (zh)
EP (1) EP3882998A1 (zh)
KR (1) KR102819928B1 (zh)
CN (1) CN113409684B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102905933B1 (ko) * 2020-08-05 2025-12-29 삼성전자주식회사 생체 센서, 생체 센서 어레이 및 장치
US11788916B2 (en) * 2020-12-11 2023-10-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Distributed sensor networks deployed using soft growing robots
US12317666B2 (en) 2021-10-21 2025-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device
CN115985848A (zh) * 2023-02-27 2023-04-18 之江实验室 一种薄膜晶体管驱动的光电器件及制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333783B1 (ko) * 2009-11-10 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101029998B1 (ko) * 2009-12-22 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 편광필름 및 그것을 구비한 유기 발광 디스플레이 장치
US9287339B2 (en) * 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101207209B1 (ko) 2011-02-07 2012-12-03 성균관대학교산학협력단 다층 봉지막의 제조방법 및 이를 이용한 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
KR101347053B1 (ko) 2011-06-01 2014-01-06 포항공과대학교 산학협력단 스트레쳐블 유기 전도성 고분자 마이크로 아치 구조물, 스트레쳐블 유기 전자 소자 및 이들의 제조 방법
JP2013168575A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Univ Of Tokyo 伸縮性回路基板
CN102969320B (zh) 2012-12-10 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
KR20150077135A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 엘아이지인베니아 주식회사 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101551823B1 (ko) 2014-04-29 2015-09-09 전자부품연구원 신축성 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102255198B1 (ko) 2014-08-12 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR20160087291A (ko) 2015-01-13 2016-07-21 홍익대학교 산학협력단 강성도 국부변환 신축성 기판과 그 제조방법 및 그 신축성 기판을 이용하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지와 그 제조방법
KR102456698B1 (ko) 2015-01-15 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치
KR101663407B1 (ko) 2015-02-10 2016-10-07 가천대학교 산학협력단 가요성 기판 및 이를 포함하는 유기소자
KR101939462B1 (ko) * 2017-05-19 2019-01-16 경희대학교 산학협력단 스트레처블 전자 소자 및 그의 제조 방법
KR102576093B1 (ko) * 2018-02-14 2023-09-11 삼성디스플레이 주식회사 생체 정보 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
CN110277424B (zh) * 2018-03-14 2021-08-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可拉伸显示装置及其制作方法、电子设备
KR102554461B1 (ko) * 2018-07-26 2023-07-10 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
KR102588626B1 (ko) 2018-07-27 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 가요성 인쇄 회로 필름 및 이를 포함하는 스트레처블 표시장치
CN109192858B (zh) * 2018-09-19 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板、阵列基板、显示面板及制备方法和显示装置
KR102236481B1 (ko) * 2018-12-20 2021-04-06 고려대학교 세종산학협력단 신축성 디스플레이
KR102739740B1 (ko) * 2019-01-18 2024-12-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
TW202543820A (zh) 2019-03-21 2025-11-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置以及電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113409684A (zh) 2021-09-17
KR20210116061A (ko) 2021-09-27
EP3882998A1 (en) 2021-09-22
KR102819928B1 (ko) 2025-06-11
US20230052237A1 (en) 2023-02-16
US11765963B2 (en) 2023-09-19
US20210296599A1 (en) 2021-09-23
US11605793B2 (en) 2023-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11765963B2 (en) Stretchable devices, display panels, sensors, and electronic devices
US20210330261A1 (en) Sensor array and device
CN113778261B (zh) 可拉伸显示模组及可拉伸显示设备
KR102951880B1 (ko) 유연 소자 및 전자 장치
US12050490B2 (en) Stretchable device, display panel, sensor, and electronic device
US12080195B2 (en) Stretchable device system and electronic device
EP4301113B1 (en) Stretchable panel and electronic device
US12245368B2 (en) Stretchable device and display panel and sensor and electronic device
EP4092774B1 (en) Stretchable device and electronic device
US12313481B2 (en) Stretchable strain sensor, combination sensor, and display panel and device
KR20250084017A (ko) 연신 패널 및 전자 장치
KR20250163802A (ko) 연신 패널 및 전자 장치
US20250185430A1 (en) Stretchable panel and electronic device
KR102905933B1 (ko) 생체 센서, 생체 센서 어레이 및 장치
KR20250109575A (ko) 센서, 표시 패널 및 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant