CN113380773A - 功率半导体装置 - Google Patents

功率半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113380773A
CN113380773A CN202110254096.4A CN202110254096A CN113380773A CN 113380773 A CN113380773 A CN 113380773A CN 202110254096 A CN202110254096 A CN 202110254096A CN 113380773 A CN113380773 A CN 113380773A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
base body
semiconductor device
heat
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110254096.4A
Other languages
English (en)
Inventor
约翰尼斯·克利尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Electronics Co ltd
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Electronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Electronics Co ltd filed Critical Semikron Electronics Co ltd
Publication of CN113380773A publication Critical patent/CN113380773A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4093—Snap-on arrangements, e.g. clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及功率半导体装置，其具有基体，在基体上布置至少一个基底，在该基底上布置功率半导体部件，且功率半导体装置具有布置在基体上的导热且不导电的导热体并具有导电的DC电压母线，其中被导电地连接到母线的导电母线连接元件从DC电压母线在该基底的方向上延伸，其中被导热地连接到DC电压母线的至少一个导热元件从DC电压母线在导热体的方向上延伸，功率半导体装置被设计成使得DC电压母线压在基体的方向上，并且由此将母线连接元件压靠在该基底的导电导体迹线上，结果是，母线连接元件与该基底的导体迹线导电地压力接触，并且还导致该导热元件压靠在导热体上，使得DC电压母线经由该导热元件和导热体而被导热地连接到基体。

Description

功率半导体装置
技术领域
本发明涉及一种功率半导体装置，该功率半导体装置具有基体、布置在该基体上的至少一个基底，并且具有功率半导体部件，该功率半导体部件被布置在所述至少一个基底上并且被导电地连接到所述至少一个基底。
背景技术
DE 10 2016 112 77 A1公开了一种具有基底的功率半导体装置，该功率半导体装置具有基底，具有布置在基底上并且被导电地连接到基底的功率半导体部件，具有导电的DC电压母线和电容器，该电容器的电容器端子被导电地连接到DC电压母线。为了安装电容器，功率半导体装置具有电容器安装装置，该电容器安装装置具有用于接纳电容器的接纳装置，电容器被布置在该接纳装置中，其中，被导电地连接到所述母线的导电母线连接元件从DC电压母线在基底的方向上延伸，该导电母线连接元件压靠在基底的导电导体迹线上，使得母线连接元件与基底的这些导体迹线导电地压力接触。基底被布置在散热器上，该散热器经由基底冷却功率半导体部件。这种布置结构的缺点在于：DC电压母线未被散热器冷却，或者仅很小程度地被散热器冷却。
发明内容
本发明的目的是创建一种功率半导体装置，该功率半导体装置的DC电压母线被可靠地冷却。
该目的通过一种功率半导体装置来实现，该功率半导体装置具有基体，具有布置在该基体上的至少一个基底，具有布置在该至少一个基体上并且被导电地连接到该至少一个基底的功率半导体部件，并且该功率半导体装置具有布置在基体上的导热且不导电的导热体并且具有导电的DC电压母线，其中，被导电地连接到所述母线的导电母线连接元件从DC电压母线在所述至少一个基底的方向上延伸，其中，被导热地连接到DC电压母线的至少一个导热元件从DC电压母线在导热体的方向上延伸，功率半导体装置被设计成使得DC电压母线压在基体的方向上，并且由此将母线连接元件压靠在所述至少一个基底的导电导体迹线上，结果是，母线连接元件与所述至少一个基底的这些导体迹线导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件压靠在导热体上，使得DC电压母线经由所述至少一个导热元件和导热体而被导热地联接到基体。
证明有利的是，功率半导体装置包括被导电地连接到DC电压母线的电容器，其中，为了安装电容器，功率半导体装置具有电容器安装装置，该电容器安装装置具有用于接纳电容器的接纳装置，电容器的至少一部分被布置在该接纳装置中，功率半导体装置被设计成使得电容器安装装置将DC电压母线压在基体的方向上，并且由此将母线连接元件压靠在所述至少一个基底的导电导体迹线上，结果是，母线连接元件与所述至少一个基底的这些导体迹线导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件压靠在导热体上，使得DC电压母线经由所述至少一个导热元件和导热体而被导热地连接到基体。电容器安装装置将DC电压母线可靠地压在基体的方向上。
关于这点，证明有利的是，功率半导体装置具有压力生成器件，该压力生成器件在基体的方向上在电容器安装装置上施加压力，从而导致电容器安装装置将DC电压母线压在基体的方向上。因此，通过功率半导体装置本身以简单的方式生成压力。
关于这点，证明有利的是，压力生成器件形成为至少一个螺钉。这使得能够以特别简单的方式设计压力生成器件。
证明有利的是，导热体被设计为导热垫或陶瓷板。如果导热体被设计为陶瓷板，则可以以特别简单的方式设计导热体。如果导热体被形成为导热垫，则可以通过导热垫的弹性性质来补偿由于温度变化而引起的导热元件的长度变化，使得在导热元件中的温度变化的情况下，导热元件被非常可靠地导热地联接到导热体。
此外，证明有利的是，DC电压母线具有导电的正电势轨和导电的负电势轨，该正电势轨和负电势轨通过布置在正电势轨与负电势轨之间的不导电绝缘层彼此电绝缘。这导致DC电压母线的紧凑设计。
关于这点，证明有利的是，相应的母线连接元件与正电势轨或负电势轨一体地形成。这导致功率半导体装置的紧凑设计。
另外，证明有利的是，相应的导热元件与正电势轨或负电势轨一体地形成。这确保相应的导热元件与DC电压母线的良好的导热联接。
此外，证明有利的是，功率半导体装置具有多个导热元件，其中，导热元件中的第一组导热元件与正电势轨一体地形成，并且导热元件中的第二组导热元件与负电势轨一体地形成。这确保相应的导热元件与DC电压母线的良好的导热联接。
此外，证明有利的是，所述至少一个导热元件形成为片材金属元件并且包括第一区段和第二区段，该第一区段在基体的表面区域的法线方向上延伸，该第二区段相对于第一区段弯曲并且垂直于基体的面对导热体的表面区域的法线方向延伸。这确保了导热元件与基体的非常良好的热联接。
此外，证明有利的是，功率半导体装置包括第一基底和第二基底，导热体在垂直于基体的面对导热体的表面区域的法线方向的方向上布置在第一基底与第二基底之间。这导致了功率半导体装置的对称设计。
此外，证明有利的是，基体是散热器的一体部分或者被设计为意图用于布置在散热器上的基板。
附图说明
以下参考下面列出的附图描述本发明的示例性实施例。在附图中：
图1示出了根据本发明的功率半导体装置的设计的剖视图。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的功率半导体装置1的设计的剖视图。
根据本发明的功率半导体装置1具有：基体2a；至少一个基底3、3'，该至少一个基底3、3'被布置在基体2a上；以及功率半导体部件4，该功率半导体部件4被布置在所述至少一个基底3、3'并且被导电地连接到所述至少一个基底3、3'。所述至少一个基底3、3'可以借助于布置在基体2a与所述至少一个基底3、3'之间的焊料或烧结层以材料接合的方式而被连接到基体2a。可替代地是，导热膏可以被布置在所述至少一个基底3与基体2a之间。功率半导体部件4优选地是借助于布置在功率半导体部件4与所述至少一个基底3、3'之间的焊料或烧结层而被导电地连接到所述至少一个基底3、3'。在示例性实施例中，功率半导体装置1具有第一基底3和第二基底3'。
例如，如示例性实施例中那样，基体2a可以是散热器2的一体部分。散热器2可以具有冷却翅片2b或冷却销，该冷却翅片或冷却销优选地是延伸远离散热器2的基体2a。散热器2可以被实现为空气散热器或水散热器。可替代地是，基体2a也可以被设计为基板(没有冷却翅片2b或冷却销)，该基板旨在布置在散热器(例如，空气散热器或水散热器)上。基体2a优选地是由金属构成的。
基底3包括绝缘体3a(例如，陶瓷体)和导电的、结构化的第一导体层3b，该第一导体层3b被布置在绝缘体3a的主侧上并且被连接到绝缘体3a，该第一导体层3b由于其结构而形成导电导体迹线3b'。基底3优选地是包括导电的，优选地是非结构化的第二导体层3c，绝缘体3a被布置在结构化的第一导体层3b与第二导体层3c之间。基底3可以例如以直接铜接合基底(DCB基底)、活性金属钎焊基底(AMB基底)或绝缘金属基底(IMS)的形式实现。
功率半导体开关4优选地为晶体管的形式，诸如IGBT(绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或晶闸管的形式。
功率半导体装置1还包括布置在基体2a上的导热且不导电的导热体9。导热体9优选地是借助于布置在导热体9与基体2a之间的粘合层而被连接到基体2a。导热体9优选地是被设计为导热垫或陶瓷板。导热垫也被称为间隙垫。导热垫优选地是包括弹性聚合物材料(诸如硅树脂或硅橡胶)，并且优选地是包括导热填充材料(诸如陶瓷颗粒)。
功率半导体装置1还包括导电的DC电压母线5，其中，被导电地连接到DC电压母线5的导电母线连接元件5a'和5b'从DC电压母线5在所述至少一个基底3或3'的方向上延伸。DC电压母线5具有导电的正电势轨5a和导电的负电势轨5b，该正电势轨和负电势轨借助于布置在正电势轨5a与负电势轨5b之间的不导电绝缘层5c(例如，塑料膜)彼此电绝缘。
被导电地连接到DC电压母线5的导电母线连接元件5a'和5b'从DC电压母线5在所述至少一个基底3、3'的方向上延伸。相应的母线连接元件5a'或5b'优选地是设计为与正电势轨5a或负电势轨5b成为一体。
另外，被导热地连接到DC电母线5的至少一个导热的导热元件7、7'从DC电压母线5在导热体9的方向上延伸。在最简单的情况下，通过所述至少一个导热元件7、7'与DC电压母线5机械接触，所述至少一个导热元件7、7'可以被导热地连接到DC电压母线5。所述至少一个导热元件7、7'优选地是由金属制成的。图1示出了两个导热元件7和7'。如示例性实施例中那样，相应的导热元件7或7'优选地是与正电势轨5a或负电势轨5b一体地形成的。功率半导体装置1优选地是包括多个导热元件7、7'，其中，导热元件7、7'中的第一组导热元件7与正电势轨5a一体地形成，并且导热元件7、7'中的第二组导热元件7'与负电势轨5b一体地形成。
所述至少一个导热元件7、7'优选地是形成为片材金属元件并且包括第一区段7a、7a'和第二区段7b、7b'，该第一区段在基体2a的面对导热体9的表面区域2c的法线方向N上延伸，该第二区段相对于第一区段7a、7a'弯曲并且垂直于基体2a的面对导热体9的所述表面区域2c的所述法线方向N延伸。第二区段7b，7b'与导热体9机械接触。
功率半导体装置1被设计成使得DC电压母线5压在基体2a的方向上，并且由此将母线连接元件5a'、5b'压靠在所述至少一个基底3、3'的导电导体迹线3b'上，结果是，母线连接元件5a'、5b'与所述至少一个基底3、3'的这些导体迹线3b'导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件7、7'压靠在导热体9上，使得DC电压母线5经由所述至少一个导热元件7、7'和导热体9而被导热地联接到基体2a。
这导致DC电压母线5被基体2a冷却，该基体2a经由导热体9和所述至少一个导热元件7、7'从DC电压母线5移走热量。因此，在本发明中，功率半导体部件4和DC电压母线5两者都借助于基体2a冷却。
在示例性实施例中，功率半导体装置1包括电容器6，该电容器6被导电地连接到DC电压母线5。相应的电容器6的第一电容器端子6c被导电地连接到正电势轨5a，并且相应的电容器6的第二电容器端子6d被导电地连接到负电势轨5b，例如借助于钎焊、烧结或焊接连接。功率半导体装置1具有电容器安装装置8，以用于安装电容器6，该电容器安装装置8优选地是具有用于接纳电容器6的杯形的接纳装置8a，相应的电容器6的至少一部分被布置在相应的接纳装置8a中。应当注意的是，电容器安装装置8还可以仅具有布置有电容器6的单个接纳装置8a。电容器安装装置8优选地是由塑料制成的，特别是作为塑料注塑成形件。
功率半导体装置1优选地是被设计成使得电容器安装装置8在基体2a的方向上压着DC电压母线5，并且由此将母线连接元件5a'和5b'压靠在所述至少一个基底3、3'的导体迹线3b'上，结果是，母线连接元件5a'、5b'与所述至少一个基底3、3'的这些导体迹线3b'导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件7、7'压靠在导热体9上，使得DC电压母线5经由所述至少一个导热元件7、7'和导热体9而被导热地联接到基体2a。
例如由硅树脂或硅橡胶制成的弹性变形元件11优选地是被布置在电容器安装装置8与DC电压母线5之间。
功率半导体部件4优选地是相互电连接起来，以形成半桥电路，该半桥电路可以例如用于对电压和电流进行整流和反转。功率半导体装置1优选地是包括电容器6作为电能存储单元，该电能存储单元缓冲在功率半导体装置1上出现的DC电压。因此，电容器6优选地是用作DC链路电容器，但是它们也可以用于不同的目的。
功率半导体装置1优选地是具有压力生成器件10，该压力生成器件10在基体2a的方向上在电容器安装装置8上施加压力，从而导致电容器安装装置8在基体2a的方向上压着DC电压母线5，这在图1中由箭头D示出。压力生成器件10优选地是形成为至少一个螺钉。作为示例性实施例的一部分，电容器安装装置8借助于所述至少一个螺钉10而被直接旋拧至基体2a。然而，电容器安装装置8也可以例如借助于所述至少一个螺钉10经由至少一个机械插入的元件而被间接旋拧至基体2a。如果基体2a被设计为布置在散热器上的基板，则电容器安装装置8可以借助于所述至少一个螺钉10而直接或间接地旋拧至散热器。
当然，除非固有地排除之外，否则在根据本发明的功率半导体模块中，以单数形式提及的特征也可以以多于一个的形式存在。特别应当注意的是，根据本发明的功率半导体装置当然也可以包括布置在基体2a上的多于一个的导热体9，其中，至少一个导热的导热元件7、7'在该多于一个的导热体9的方向上延伸。如果在基体2a上存在多于一个的基底3、3'，则基底3、3'可以在垂直于基体2a的面对导热体9的所述表面区域2c的所述法线方向N的方向上与导热体9交替布置。

Claims (12)

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置具有基体(2a)，具有布置在所述基体(2a)上的至少一个基底(3，3')，具有布置在所述至少一个基体(2)上并且被导电地连接到所述至少一个基底(3,3')的功率半导体部件(4)，并且所述功率半导体装置具有布置在所述基体(2a)上的导热且不导电的导热体(9)并且具有导电的DC电压母线(5)，其中，被导电地连接到所述母线的导电母线连接元件(5a'，5b')从所述DC电压母线(5)在所述至少一个基底(3,3')的方向上延伸，其中，被导热地连接到所述DC电压母线(5)的至少一个导热元件(7，7')从所述DC电压母线(5)在所述导热体(9)的方向上延伸，其中，所述功率半导体装置(1)被设计成使得所述DC电压母线(5)压在所述基体(2a)的方向上，并且由此将所述母线连接元件(5a'，5b')压靠在所述至少一个基底(3,3')的导电导体迹线(3b')上，结果是，所述母线连接元件(5a'，5b')与所述至少一个基底(3,3')的这些导体迹线(3b')导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件(7，7')压靠在所述导热体(9)上，使得所述DC电压母线(5)经由所述至少一个导热元件(7，7')和所述导热体(9)而被导热地连接到所述基体(2a)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置(1)包括电容器(6)，所述电容器(6)被导电地连接到所述DC电压母线(5)，其中，为了安装所述电容器(6)，所述功率半导体装置(1)具有电容器安装装置(8)，所述电容器安装装置(8)具有用于接纳所述电容器(6)的接纳装置(8a)，所述电容器(6)的至少一部分被布置在所述接纳装置(8a)中，所述功率半导体装置(1)被设计成使得所述电容器安装装置(8)将所述DC电压母线(5)压向所述基体(2a)，并且由此将所述母线连接元件(5a'，5b')压靠在所述至少一个基底(2)的所述导电导体迹线(3b')上，结果是，所述母线连接元件(5a'，5b')与所述至少一个基底(3，3')的这些导体迹线(3b')导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件(7，7')压靠在所述导热体(9)上，使得所述DC电压母线(5)经由所述至少一个导热元件(7，7')和所述导热体(9)而被导热地连接到所述基体(2a)。
3.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置具有压力生成器件(10)，所述压力生成器件(10)在所述基体(2a)的方向上在所述电容器安装装置(8)上施加压力，从而导致所述电容器安装装置(8)将所述DC电压母线(5)压在所述基体(2a)的方向上。
4.根据权利要求3所述的功率半导体装置，其特征在于，所述压力生成器件(10)被形成为至少一个螺钉。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的功率半导体装置，
其特征在于，所述导热体(9)被形成为导热垫或陶瓷板。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述DC电压母线(5)具有导电的正电势轨(5a)和导电的负电势轨(5b)，所述正电势轨(5a)和所述负电势轨(5b)通过布置在所述正电势轨(5a)与所述负电势轨(5b)之间的不导电绝缘层(5c)彼此电绝缘。
7.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，相应的所述母线连接元件(5a'，5b')与所述正电势轨(5a)或所述负电势轨(5b)一体地形成。
8.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，相应的所述导热元件(7，7')与所述正电势轨(5a)或所述负电势轨(5b)一体地形成。
9.根据权利要求6所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置(1)具有多个导热元件(7，7')，其中，所述导热元件(7，7')中的第一组导热元件(7)与所述正电势轨(5a)一体地形成，并且所述导热元件(7，7')中的第二组导热元件(7')与所述负电势轨(5b)一体地形成。
10.根据权利要求1-4中的任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述至少一个导热元件(7，7')被形成为片材金属元件，并且包括第一区段(7a，7a')和第二区段(7b，7b')，所述第一区段(7a，7a')在所述基体(2a)的面对所述导热体(9)的表面区域(2c)的法线方向(N)上延伸，所述第二区段(7b，7b')相对于所述第一区段(7a，7a')弯曲并且垂直于所述基体(2a)的面对所述导热体(9)的所述表面区域(2c)的所述法线方向(N)延伸。
11.根据权利要求1-4中的任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置(1)具有第一基底和第二基底(3，3')，所述导热体(9)在垂直于所述基体(2a)的面对所述导热体(9)的表面区域(2c)的法线方向(N)的方向上布置在所述第一基底与所述第二基底(3，3')之间。
12.根据权利要求1-4中的任一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述基体(2a)是散热器(2)的一体部分或者被设计为意图用于布置在散热器上的基板。
CN202110254096.4A 2020-03-10 2021-03-09 功率半导体装置 Pending CN113380773A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020106407.1A DE102020106407A1 (de) 2020-03-10 2020-03-10 Leistungshalbleitereinrichtung
DE102020106407.1 2020-03-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113380773A true CN113380773A (zh) 2021-09-10

Family

ID=77456998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110254096.4A Pending CN113380773A (zh) 2020-03-10 2021-03-09 功率半导体装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113380773A (zh)
DE (1) DE102020106407A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7248483B2 (en) 2004-08-19 2007-07-24 Xantrex Technology, Inc. High power density insulated metal substrate based power converter assembly with very low BUS impedance
DE102007003875A1 (de) 2007-01-25 2008-08-07 Siemens Ag Stromrichter
DE102016112777B4 (de) 2016-07-12 2021-03-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102016011277A1 (de) 2016-09-20 2018-03-22 W-Bast GmbH Vorrichtung zum Trennen einer Materialmischung und Verfahren zum Trennen einer Materialmischung

Also Published As

Publication number Publication date
DE102020106407A1 (de) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100695031B1 (ko) 전자 반도체 모듈
US7696532B2 (en) Power semiconductor module
KR102354246B1 (ko) 전력 반도체 디바이스
US9129931B2 (en) Power semiconductor module and power unit device
JP2023538212A (ja) 少なくとも３つの電力ユニットを備えた電力モジュール
US9385107B2 (en) Multichip device including a substrate
US6654249B2 (en) Circuit arrangement
CN115117011A (zh) 功率半导体模块和生产功率半导体模块的方法
CN107393892B (zh) 功率半导体装置
US11817794B2 (en) Electronic circuit module
CN114080672A (zh) 半导体装置
US20230170286A1 (en) Terminal Element or Bus Bar, and Power Semiconductor Module Arrangement Comprising a Terminal Element or Bus Bar
US11201101B2 (en) Electronic component
KR100635681B1 (ko) 매트릭스 컨버터
RU2350055C1 (ru) Модуль, состоящий из подложки, силовых приборов, электрической схемы и теплоотвода
CN113380773A (zh) 功率半导体装置
US12002794B2 (en) Semiconductor device
CN110164838B (zh) 功率半导体装置
KR20120073302A (ko) 회로 장치 및 그의 제조 방법
CN111435631B (zh) 具有母线系统并且具有电容器的电气装置
CN111554667A (zh) 功率半导体装置
US20220399259A1 (en) Power Semiconductor Module
US20240038618A1 (en) Semiconductor module comprising at least one semiconductor element
US12021323B2 (en) Semiconductor module
US20230197561A1 (en) Power semiconductor module comprising a substrate, power semiconductor components and comprising a pressure body

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination