CN113365833A - 将非易失性存储器写入为编程电平 - Google Patents

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Abstract

在一些示例中，流体分配设备部件包括从流体分配系统接收控制信号的输入，该控制信号用于在流体动作模式期间激活流体致动器。流体分配设备部件还包括非易失性存储器和控制器，该控制器用于在存储器写入模式期间：响应于第一编程电压的施加和控制信号的激活，将非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平，以及响应于与第一编程电压不同的第二编程电压的施加和控制信号的激活，将非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平。

Description

将非易失性存储器写入为编程电平
背景技术
流体分配系统可以朝向目标分配流体。在一些示例中，流体分配系统可以包括打印系统，诸如二维(2D)打印系统或三维(3D)打印系统。打印系统可以包括打印头设备，打印头设备包括流体致动器，以引起打印流体的分配。
附图说明
关于以下各图描述了本公开的一些实施方式。
图1是根据一些示例的流体分配系统的框图。
图2是根据一些示例的设备控制器和数据包的框图。
图3示出了根据一些示例的用于将存储器单元编程到相应的不同电荷量(charge)的激发信号的不同持续时间。
图4是根据一些示例的存储器写入操作的流程图。
图5是根据一些示例的存储器读取操作的流程图。
图6是根据一些示例的用于生成编程电压的流体分配设备中的布置的框图。
图7和图8是根据另外的示例的存储器写入操作的流程图。
图9是根据一些示例的流体分配设备部件的框图。
图10是根据一些示例的流体分配系统的框图。
图11是根据一些示例的过程的流程图。
图12是根据另外的示例的流体分配设备部件的框图。
图13是根据另外的示例的流体分配系统的框图。
图14是根据另外的示例的过程的流程图。
贯穿附图，相同的附图标记标示类似但不一定相同的元件。各图不一定按比例绘制，并且一些部分的尺寸可被放大以更清楚地图示所示的示例。此外，附图提供了与说明书一致的示例和/或实施方式；然而，说明书不限于附图中所提供的示例和/或实施方式。
具体实施方式
在本公开中，除非上下文另有明确指示，否则使用术语“一个/一种(a/an)”或“所述(the)”旨在同样包括复数形式。同样地，当在本公开中使用时，术语“包括(includes/including/comprises/comprising)”、“具有(have/having)”指定存在所陈述的元件，但不排除存在或添加其他元件。
流体分配设备可以包括流体致动器，流体致动器在被激活时引起流体的分配(例如，喷射或其他流动)。例如，流体的分配可以包括通过激活的流体致动器从流体分配设备的相应喷嘴喷射流体微滴。在其他示例中，激活的流体致动器(诸如，泵)会引起流体流过流体导管或流体腔室。因此，激活流体致动器以分配流体可以指代激活流体致动器以从喷嘴喷射流体或者激活流体致动器，以引起流体流过流动结构(诸如，流动导管、流体腔室等)。
激活流体致动器也可以被称为激发流体致动器。在一些示例中，流体致动器包括基于热的流体致动器，其包括加热元件，诸如电阻加热器。当加热元件被激活时，加热元件产生的热量会引起流体汽化，从而引起靠近基于热的流体致动器的汽泡(例如，蒸汽泡)成核，这进而引起分配一定量的流体，诸如从喷嘴的孔口喷射或流过流体导管或流体腔室。在其他示例中，流体致动器可以是基于压电膜的流体致动器，其在被激活时施加机械力以分配一定量的流体。
在流体分配设备包括喷嘴的示例中，每个喷嘴包括流体腔室(也被称为激发腔室)。另外，喷嘴可以包括通过其分配流体的孔口、流体致动器和传感器。每个流体腔室提供待由相应喷嘴分配的流体。
一般地，流体致动器可以是喷射型流体致动器以引起流体的喷射(诸如，通过喷嘴的孔口)，或者是非喷射型流体致动器以引起流体的流动。
在一些示例中，流体分配设备可以是打印头的形式，该打印头可以安装到打印盒(cartridge)、托架(carriage)等。在另外的示例中，流体分配设备可以是射流模具的形式。“模具”指代这样的组件，即在该组件中各种层被形成到基板上以制造电路系统、流体腔室和流体导管的组件。多个射流模具可以安装或附接到支撑结构。在其他示例中，流体分配设备可以是射流模具条(sliver)的形式，该射流模具条包括例如长宽比(L/W)至少为三的薄基板(例如，具有大约650微米(μm)或更小的厚度)。在其他示例中，模具条可以其他尺寸。例如，多个射流模具条可以被模制成整体式模制结构。在另外的示例中，流体分配设备还可以包括多个射流模具或多个射流模具条。
在本公开中，“流体分配设备部件”可以指代流体分配设备或部件，该部件是流体分配设备的一部分，或者附接到或耦接到流体分配设备。
流体分配设备可以包括用于存储数据的非易失性存储器。可以存储在非易失性存储器中的数据的示例包括用于流体分配设备的识别信息(例如，序列号或其他识别符)、设备部件特性(诸如，品牌名称、颜色信息、许可证信息等)、流体流动特性(诸如，流速信息)、用于配置流体分配设备的配置信息、用于安全访问流体分配设备的安全信息等。数据可以以任何方式加密、扰频或编码。
在一些情况下，可能期望将模拟模式存储在非易失性存储器的存储器单元中。模拟模式可以是对应于非易失性存储器的不同存储器单元的不同电流或电阻的形式。流体分配系统可以出于各种目的而检测非易失性存储器中的模拟模式。
另外地，由于流体分配设备的小尺寸，可以被包括在流体分配设备中的非易失性存储器的尺寸会受到限制，这会妨碍大容量非易失性存储器的使用。
根据本公开的一些实施方式，流体分配设备包括非易失性存储器和控制电路，该控制电路可以将流体分配设备设定处于若干种不同的模式。在对应的不同的模式中，可以将公共控制信号(诸如，激发信号)用于不同的目的。例如，这些不同的模式可以包括流体操作模式，在该流体操作模式期间，使用控制信号来控制对流体分配设备的流体致动器的选择性激活。这些不同的模式可以进一步包括存储器写入模式，在该存储器写入模式期间，使用控制信号来控制将数据写入到非易失性存储器的所选择部分。
图1是根据一些示例的流体分配系统100的框图。流体分配系统100可以是打印系统，诸如2D打印系统或3D打印系统。在其他示例中，流体分配系统100可以是不同类型的流体分配系统。其他类型的流体分配系统的示例包括在流体感测系统、医疗系统、车辆、流体流量控制系统等中使用的流体分配系统。
流体分配系统100包括流体分配设备102，该流体分配设备可以安装到流体分配系统100的托架103(或其他类型的支撑结构)。在一些示例中，流体分配设备102可以附接到可移除地安装到托架103的流体盒(例如，打印盒)。在其他示例中，流体分配设备102可以固定地安装到托架103。
流体分配设备102包括用于朝向目标106分配流体的孔口。在一些示例中，托架103和目标106相对于彼此是可移动的(托架103是可移动的，目标106是可移动的，或者托架103和目标106两者都是可移动的)。
在2D打印系统中，流体分配设备102包括打印头，该打印头将打印流体(例如，墨)喷射到打印介质(诸如，纸介质、塑料介质等)上。
在3D打印系统中，流体分配设备102包括打印头，该打印头可以将各种不同的液体试剂中的任一者喷射到打印目标上，其中液体试剂可以包括以下各者的任一或某种组合：墨、用于熔化或聚结构建材料层的粉末的试剂、用于细化(detail)构建材料层(诸如，通过限定该构建材料层的边缘或形状)的试剂等。在3D打印系统中，3D目标是通过将连续的构建材料层沉积到3D打印系统的构建平台上来构建的。可以使用来自打印头的打印流体来处理每个构建材料层，以形成该构建材料层的期望的形状、纹理和/或其他特性。
流体分配设备102包括流体致动器108的阵列。该流体致动器108的阵列可以包括一列流体致动器或多列流体致动器。在一些示例中，流体致动器108可以被组织成多个基元，其中每个基元包括指定数量的流体致动器。流体致动器108可以是喷嘴的一部分，或者可以与其他类型的流动结构(诸如，流体导管、流体腔室等)相关联。每个流体致动器通过由流体分配系统100中的控制器(例如，系统控制器110)提供的相应的不同地址来选择。
如此处所使用的，“控制器”可以指代硬件处理电路，其可以包括以下各者的任一或某种组合：微处理器、多核微处理器的核心、微控制器、可编程集成电路(例如，应用可编程集成电路ASIC)等)、可编程门阵列、数字信号处理器、若干个离散硬件部件(例如，定时器、计数器、状态机等)或另一个硬件处理电路。控制器还可以包括离散部件，诸如定时器、计数器、状态机、锁存器、缓冲器等。替代地，“控制器”可以指代硬件处理电路和在硬件处理电路上可执行的机器可读指令(软件和/或固件)的组合。
尽管图1将系统控制器110示为一个块，但是应注意，系统控制器110实际上可以表示执行相应任务的多个控制器。例如，系统控制器110可以使用多个ASIC来实施，其中一个ASIC可以部署在托架103上，且另一个ASIC可以是用于控制流体分配操作(例如，打印操作)的主ASIC。
流体分配设备102包括非易失性存储器112，该非易失性存储器包括存储器单元114阵列。在一些示例中，每个存储器单元114包括浮置栅极，该浮置栅极可以响应于由作为流体分配设备102的一部分的存储器电压发生器116施加的输入电压而被编程。
在图1中示出了存储器单元114的示意性表示，其将存储器单元114描绘为包括浮置栅极116、其上形成有浮置栅极116的基板120、以及形成于基板120中的漏极区域122和源极区域124。耦接到存储器单元114的晶体管用于选择(或取消选择)存储器单元114以进行写入或读取。漏极区域122和源极区域124之间超过指定阈值的电压差会引起电子转移到浮置栅极116，以将浮置栅极116充电到编程电平。
流体分配设备102包括各种输入130和感测接口132(例如用于输入和输出电流和电压)。在示例中，感测接口132可以接收电流或输入电压，并且可以输出对应的电压或电流。在其他示例中，可以在感测接口132处执行其他形式的输入/输出。输入130包括将输入电压提供给存储器电压发生器116的编程电压(被称为“VPP”)输入134。在一些示例中，存储器电压发生器116可以包括转换器，该转换器用于将输入电压VPP134转换为所施加的编程电压以执行对所选择的存储器单元114的编程。
在其他示例中，可以省略存储器电压发生器116，并且输入电压VPP 134可以用于对非易失性存储器112的存储器单元114进行编程。
输入130还包括时钟输入136，该时钟输入提供被提供给流体分配设备102中的各种电路系统的时钟信号。输入130还包括数据输入138，该数据输入用于接收由系统控制器110提供的控制数据(例如，是数据包的形式)。在数据输入138处接收到的数据包包括可以用于控制对所选择的流体致动器108的激活的控制信息。另外，如下文进一步解释，数据包可以包括用于设定流体分配设备的操作模式的信息，其中该操作模式可以包括用于选择性激活流体分配设备的流体致动器的流体操作模式、或用于写入或读取非易失性存储器的数据的存储器访问模式。
作为另外的示例，在数据输入138处从系统控制器110接收到的数据包中所包括的控制信息包括基元数据和地址数据。在流体分配设备102中的流体致动器108布置成基元的示例中提供了基元数据。更一般地，基元数据也可以被称为“激发数据”，其是用于控制对基元内的流体致动器(或多个流体致动器)的激活或非激活的数据。
在流体致动器108被分组成基元的示例中，基元数据可以包括对应的位以表示当激发脉冲被递送到基元时该基元的哪个(哪些)流体致动器被激活。激发脉冲对应于在被激活的激发输入140处接收到的激发信号。
地址数据包括定义用于选择流体致动器108来激活的地址的地址位。在流体致动器108被分组成基元的示例中，每个基元包括一组流体致动器，并且基元的这些流体致动器通过如由地址位表示的相应的不同地址来选择。
控制信息还可以包括其他信息，该其他信息可以被包括到由系统控制器110递送到流体分配设备102的数据包中。
如下文进一步讨论的，数据包中的控制信息还可以包括存储器使能元件(例如，存储器使能位)，该存储器使能元件在被设定为指定状态时允许将流体分配设备设定为存储器访问模式。
输入130进一步包括模式输入142，该模式输入接收模式信号，该模式信号可以用作用于将流体分配设备102设定处于存储器访问模式的序列的一部分。
在其他示例中，流体分配设备102的输入130可以包括附加的或替代的输入。
流体分配设备102进一步包括存储介质150，该存储介质可以是寄存器或锁存器的形式，以存储在数据输入138处接收到的数据包。在一些示例中，存储介质150可以是移位寄存器的形式，以在连续激活在时钟输入136处接收到的时钟信号时将在数据输入138处接收到的数据包的位串行输入到移位寄存器中。在其他示例中，存储介质150可以包括寄存器，该寄存器能够一次将数据包的所有位加载到寄存器中。
在另外的示例中，存储介质150可以包括移位寄存器和锁存器，其中在数据包被移位到移位寄存器中之后，可以将移位寄存器的内容提供给锁存器以进行存储。“锁存器”可以指代用于缓冲数据的存储元件。
流体分配设备102进一步包括作为流体分配设备102的一部分的设备控制器152。设备控制器152可以执行流体分配设备102的各种操作，诸如设定流体分配设备102的模式、控制对所选择的流体致动器108的激活、控制非易失性存储器112的写入或读取等。
设备控制器152可以是ASIC、可编程门阵列、微控制器、微处理器等的形式，或者可以是协作执行控制任务的离散部件的形式。
图1示出了耦接到系统控制器110的流体分配设备102的输入130和感测接口132。在一些示例中，托架103包括电互连件，当流体分配设备102附接到托架130时，该电互连件可以连接到输入130和感测接口132。系统控制器110进而连接到托架103，诸如通过总线或另一个链路。
如上所述，可以按顺序使用模式输入142、数据包中的使能位以及流体分配设备102的可能的其他输入的组合以将流体分配设备102设定处于存储器访问模式(用于将数据写入到非易失性存储器112的存储器写入模式，或用于从非易失性存储器112读取数据的存储器读取模式)。
图2示出了可以在流体分配设备102的数据输入138处接收到的数据包202的示例。数据包202包括基元数据204、地址数据206和存储器使能位208。
图2还示出：设备控制器152可以包括配置寄存器210(或多个配置寄存器)。作为配置寄存器访问操作的一部分，输入130的特定序列和数据包202的存储器使能位208的被设定为有效(active)会引起写入到(多个)配置寄存器210。该特定序列可以被称为存储器配置访问序列。
被写入到(多个)配置寄存器210的信息可以指示流体分配设备102是进入存储器写入模式(用于写入到非易失性存储器112)还是存储器读取模式(用于从非易失性存储器112进行读取)。被写入到(多个)配置寄存器210的信息可以包括用于指示存储器写入模式的第一值、或用于指示存储器读取模式的第二值。
一旦流体分配设备102被设定处于存储器访问模式(存储器写入模式或存储器读取模式)，在激发输入140处激活激发信号可以是写入到如通过数据包202的内容选择的(多个)所选择的存储器单元114，或从如通过数据包202的内容选择的(多个)所选择的存储器单元114进行读取。在一些示例中，停用激发信号可以退出存储器访问模式并使流体分配设备102返回到流体操作模式。
使用激发信号的不同持续时间来控制将不同的编程电平写入到存储器单元
图3示出了可以关于非易失性存储器112中的存储器单元114-1和114-2执行的存储器写入操作的示例。根据本公开的一些实施方式，激发信号(在激发输入140处接收到)的脉冲的持续时间控制存储器单元114被写入为的编程电平。
图3示出了具有第一持续时间T1的第一激发信号脉冲302、以及具有第二持续时间T2的第二激发信号脉冲304，其中T2>T1。在第一存储器写入操作中在激发输入140处接收到激发信号脉冲302，并且在第二存储器写入操作中在激发输入140处接收到激发信号脉冲304。
响应于第一激发信号脉冲302，存储器单元114-1被编程到第一电荷量306(其为第一编程电平)。响应于激发信号脉冲304，存储器单元114-2被编程到第二电荷量308(其为第二编程电平)。激发信号脉冲302和304的不同持续时间在对应的存储器单元114-1和114-2中产生相应的不同离散编程电平。其他不同持续时间的激发信号脉冲会引起存储器单元114被编程到又一编程电平。通过使用激发信号的不同持续时间，可以将不同的离散编程电平写入到存储器单元中，以在存储器单元中提供数据的多级存储。数据的多级存储可以包括存储由两个编程电平或多于两个的编程电平表示的数据位。多级存储的使用会增加非易失性存储器110的存储容量，而不增加非易失性存储器110的实际物理尺寸，其中物理尺寸可以基于存储器单元的数量。
例如，如果存储器单元可以被写入为三种或多于三种的编程电平，则该存储器单元可以存储多于一个的数据位。这种存储器单元被称为多级存储器单元。
激发信号脉冲可以控制每个所选择的存储器单元114何时是有效的。应注意，所选择的存储器单元114的漏极或源极持续由激发信号脉冲设定的持续时间被驱动到由存储器电压发生器116输出的电压。
还应注意，存储器单元可以被累积地编程。例如，将一定持续时间的第一激发信号脉冲施加到给定的存储器单元，这引起该给定的存储器单元被写入为某个编程电平。如果随后将一定持续时间的另一个激发信号脉冲施加到该给定的存储器单元，则该给定的存储器单元被写入为另外的编程电平。该给定的存储器单元的电荷量随着每次随后将激发信号脉冲施加到该给定的存储器单元而累积地增加。
图4是根据一些示例的存储器写入操作的流程图。设备控制器152接收输入信息(例如，该输入信息可以由图1的系统控制器110提供)以将流体分配设备102设定处于存储器写入模式。响应于该输入信息，设备控制器152将流体分配设备102设定(在402处)处于存储器写入模式。输入信息可以包括输入130的存储器配置访问序列和数据包202(图2)的存储器使能位。如上文讨论的，存储器配置访问序列允许将信息写入到(多个)配置寄存器210(图2)以将流体分配设备102设定处于存储器写入模式。
设备控制器152使用接收到的数据包(来自系统控制器110)中的地址数据(和/或其他数据)来使能(在404处)选择为被写入的(多个)存储器单元114。例如，设备控制器152可包括逻辑门，这些逻辑门响应于数据包中的地址数据来激活相应的(多个)存储器单元。
响应于由系统控制器110对激发信号的激活，设备控制器152持续激发信号的激活持续时间驱动(在406处)(多个)所选择的存储器单元。激发信号的激活持续时间控制(多个)所选择的存储器单元114被写入为的编程电平。
响应于由系统控制器110对激发信号的停用，设备控制器152退出(在408处)存储器写入模式，并返回到流体分配设备102的流体操作模式。在其他示例中，可以响应于不同的输入(诸如，另一个存储器配置访问序列)来执行退出存储器写入模式。
图5是用于执行存储器读取操作的过程的流程图。设备控制器152接收输入信息(例如，该输入信息可以由图1的系统控制器110提供)以将流体分配设备102设定处于存储器读取模式。响应于该输入信息，设备控制器152将流体分配设备102设定(在502处)处于存储器读取模式。输入信息可以包括输入130的存储器配置访问序列和数据包202(图2)的存储器使能位。如上文讨论的，存储器配置访问序列允许将信息写入到(多个)配置寄存器210(图2)以将流体分配设备102设定处于存储器读取模式。
设备控制器152使用接收到的数据包(来自系统控制器110)中的地址数据(和/或其他数据)来使能(在504处)选择为被读取的(多个)存储器单元114。
响应于由系统控制器110对激发信号的激活，设备控制器152引起(在506处)(多个)所选择的存储器单元114将电信号(电流或电压)输出到感测接口132，该电信号可以由系统控制器110读取。例如，设备控制器152可以接通将(多个)所选择的存储器单元114连接到感测接口132的开关。
响应于由系统控制器110对激发信号的停用，设备控制器152退出(在508处)存储器读取模式，并返回到流体分配设备102的流体操作模式。在其他示例中，可以响应于不同的输入(诸如，另一个存储器配置访问序列)来执行退出存储器读取模式。
使用不同的编程电压来控制将不同的编程电平写入到存储器单元
在另外的示例中，作为使用在激发输入140处接收到的激发信号的不同持续时间来控制存储器单元的编程电平的替代或补充，可以使用不同的编程电压来将不同的编程电平写入到存储器单元。
图6是包括存储器电压发生器116的示例布置的框图，该存储器电压发生器接收输入电压VPP 134并产生被提供给非易失性存储器112的编程电压602。当对所选择的存储器单元114进行编程时，编程电压602控制该所选择的存储器单元114的漏极或源极被驱动到的电压。
在一些示例中，存储器电压发生器116是将输入电压VPP 134转换为编程电压602的电压转换器。由电压转换器输出的编程电压602可以低于、大于输入电压VPP 134或与其相同。
在一些示例中，改变输入电压VPP 134的电压电平引起编程电压602的电压电平发生对应的变化。例如，如果系统控制器110将输入电压VPP 134设定处于电压电平1，则编程电压602被设定为对应的电压电平A(其中电压电平A可以小于、等于或大于电压电平1)。如果系统控制器110将输入电压VPP 134设定处于电压电平2，则编程电压602被设定为对应的电压电平B，如果系统控制器110将输入电压VPP 134设定处于电压电平3，则编程电压602被设定为对应的电压电平C，等等。在上述示例中，电压电平1、2、3彼此不相同，并且电压电平A、B、C彼此不相同。作为特定示例，电压电平A、B和C可以分别为9伏(V)、10V和11V，或者为一些其他电压电平。
在上述示例中，系统控制器110控制所选择的存储器单元114被写入所处的编程电平(基于输入电压VPP 134的电压电平)。
在替代性示例中，代替改变输入电压VPP 134，或除了改变输入电压VPP 134之外，系统控制器110会引起设备控制器152将流体分配设备102选择性地设定处于多个不同的存储器写入模式中的一个。在这种示例中，存储器电压发生器116是可编程电压发生器，其响应来自设备控制器152的电压电平控制指示604以控制由存储器电压发生器116产生的编程电压602的电压电平。
例如，如果来自系统控制器110的输入信息引起设备控制器152进入存储器写入模式1，则设备控制器152产生第一电压电平控制指示604，该第一电压电平控制指示引起存储器电压发生器116产生具有第一电压电平的编程电压602。类似地，如果来自系统控制器110的输入信息引起设备控制器152进入存储器写入模式2，则设备控制器152产生第二电压电平控制指示604，该第二电压电平控制指示引起存储器电压发生器116产生具有第二电压电平的编程电压602。如果来自系统控制器110的输入信息引起设备控制器152进入存储器写入模式3，则设备控制器152产生第三电压电平控制指示604，该第三电压电平控制指示引起存储器电压发生器116产生具有第三电压电平的编程电压602，等等。
由系统控制器110提供的用于将设备控制器102设定处于相应的存储器写入模式的输入信息可以包括输入130的存储器配置访问序列和数据包202(图2)的存储器使能位。如上文讨论的，存储器配置访问序列允许待写入到(多个)配置寄存器210(图2)中的信息将流体分配设备102设定处于存储器写入模式。在这种情况下，被写入到(多个)配置寄存器210的不同信息会引起设备控制器进入不同的存储器写入模式，这些不同的存储器写入模式导致编程电压602的电压电平不同。
还应注意，存储器单元可以被累积地编程。例如，可以响应于第一编程电压将给定的存储器单元写入为某个编程电平。随后，可使用第二编程电压(高于第一编程电压)来对该给定的存储器单元进行编程，以将该给定的存储器单元递增地编程到新的电平。
图7是根据示例的存储器写入操作的流程图，其中由系统控制器110改变输入电压VPP 134以在流体分配设备102中产生不同的编程电压电平。设备控制器152接收输入信息(例如，该输入信息可以由图1的系统控制器110提供)以将流体分配设备102设定处于存储器写入模式。响应于该输入信息，设备控制器152将流体分配设备102设定(在702处)处于存储器写入模式。输入信息可以包括输入130的存储器配置访问序列和数据包202(图2)的存储器使能位。
设备控制器152使用接收到的数据包(来自系统控制器110)中的地址数据(和/或其他数据)来使能(在704处)选择为被写入的(多个)存储器单元114。
流体分配设备102接收(在706处)具有由系统控制器110设定的电压电平的输入电压VPP 134。由系统控制器110选择性地设定输入电压VPP 134的不同的电压电平，以引起不同的编程电平被存储在(多个)所选择的存储器单元114中。
响应于由系统控制器110对激发信号的激活，设备控制器152驱动(在708处)(多个)所选择的存储器单元，(多个)所选择的存储器单元被写入为对应于输入电压VPP 134的电压电平的编程电平。
响应于由系统控制器110对激发信号的停用，设备控制器152退出(在710处)存储器写入模式，并返回到流体分配设备102的流体操作模式。在其他示例中，可以响应于不同的输入(诸如，另一个存储器配置访问序列)来执行退出存储器写入模式。
图8是根据示例的存储器写入操作的流程图，其中流体分配设备102被设定为不同的存储器写入模式以在流体分配设备102中产生不同的编程电压电平。设备控制器152接收输入信息(例如，该输入信息可以由图1的系统控制器110提供)以将流体分配设备102设定处于存储器写入模式。响应于该输入信息，设备控制器152将流体分配设备102设定(在802处)为多种存储器写入模式中的所选择的存储器写入模式。输入信息可以包括输入130的存储器配置访问序列和数据包202(图2)的存储器使能位。不同的输入信息会引起选择相应的不同存储器写入模式。
基于所选择的存储器写入模式，流体分配设备102中的存储器电压发生器116设定(在804处)编程电压602的对应的电压电平。
设备控制器152使用接收到的数据包(来自系统控制器110)中的地址数据(和/或其他数据)来使能(在806处)选择为被写入的(多个)存储器单元114。
响应于由系统控制器110对激发信号的激活，设备控制器152驱动(在808处)(多个)所选择的存储器单元，(多个)所选择的存储器单元被写入为对应于编程电压602的电压电平的编程电平，该电压电平是根据所选择的存储器写入模式来设定的。
响应于由系统控制器110对激发信号的停用，设备控制器152退出(在810处)所选择的存储器写入模式，并返回到流体分配设备102的流体操作模式。在其他示例中，可以响应于不同的输入(诸如，另一个存储器配置访问序列)来执行退出存储器写入模式。
在另外的示例中，将非易失性存储器112的存储器单元114写入为不同的编程电平可以是基于使用不同的编程电压和激发信号的不同持续时间两者。编程电压和激发信号激活持续时间的不同组合可以映射到存储器单元的更大数量的不同的编程电平。
图9是流体分配设备部件900的框图，该流体分配设备部件包括用于从流体分配系统接收控制信号的输入902(例如，图1的激发输入140)，该控制信号用于在流体操作模式期间激活流体分配设备的流体致动器。
流体分配设备部件900可以是流体分配设备或部件，该部件是流体分配设备的一部分或者附接到或耦接到流体分配设备。
流体分配设备部件900包括非易失性存储器904和控制器906(例如，图1的设备控制器152)，该控制器用于在存储器写入模式期间执行以下任务。控制器906的任务包括第一控制信号持续时间存储器写入任务908，其用于响应于控制信号持续第一持续时间被激活而将非易失性存储器904的第一部分(例如，所选择的存储器单元或多个所选择的存储器单元)写入为第一编程电平。控制器906的任务包括第二控制信号持续时间存储器写入任务910，其用于响应于控制信号持续不同于第一持续时间的第二持续时间被激活而将非易失性存储器904的第二部分写入为第二编程电平，该第二编程电平不同于第一编程电平。
图10是流体分配系统1000的框图，该流体分配系统包括用于接收流体分配设备的支撑结构1002(例如，图1的托架103)，该流体分配设备包括非易失性存储器和用于接收激发信号的输入。流体分配系统1000包括用于执行各种任务的控制器1004(例如，图1的系统控制器110)。
控制器1004的任务包括用于将流体分配设备设定为存储器写入模式的存储器写入模式设定任务1006。控制器1004的任务包括在将流体分配设备设定为存储器写入模式之后执行的以下任务。
这种任务包括：第一激发信号持续时间存储器写入任务1008，其用于：激活激发信号持续第一持续时间，以将非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平；以及第二激发信号持续时间存储器写入任务1010，其用于：激活激发信号持续第二持续时间，以将非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平，该第二持续时间不同于第一持续时间，并且该第二编程电平不同于第一编程电平。
图11是根据一些示例的流体分配设备的过程1100的流程图。过程1100包括将流体分配设备设定(在1102处)为流体操作模式。应注意，流体分配设备的流体操作模式可以是流体分配设备的默认操作模式，除非流体分配设备被设定为存储器访问模式或其他模式。
过程1100包括：在流体分配设备被设定为流体操作模式时，在流体分配设备的输入处接收(在1104处)对控制信号的激活，以激活流体分配设备的所选择的流体致动器。
过程1100包括将流体分配设备设定(在1106处)为存储器写入模式。在流体分配设备被设定为存储器写入模式时，过程1100包括：响应于控制信号持续第一持续时间被激活，将流体分配设备的非易失性存储器的第一部分写入(在1108处)第一编程电平；以及响应于控制信号持续不同于第一持续时间的第二持续时间被激活，将非易失性存储器的第二部分写入(在1110处)为第二编程电平，该第二编程电平不同于第一编程电平。
图12是流体分配设备部件1200的框图，该流体分配设备部件包括用于从流体分配系统接收控制信号的输入1202(例如，图1的激发输入140)，该控制信号用于在流体操作模式期间激活流体致动器。
流体分配设备部件1200包括非易失性存储器1204、控制器1206(例如，图1的设备控制器152)，该控制器用于在存储器写入模式期间执行以下任务。控制器1206的任务包括：第一编程电压存储器写入任务1208，其用于响应于第一编程电压的施加和对控制信号的激活而将非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平；以及第二编程电压存储器写入任务1210，其用于响应于不同于第一编程电压的第二编程电压的施加和对控制信号的激活而将非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平。
在另外的示例中，控制器1206用于：在存储器写入模式期间，响应于另外的编程电压的施加和控制信号的激活，将非易失性存储器1204的至少一个另外部分写入到至少一个对应的的另外的编程电平。该至少一个另外的编程电平与第一编程电平和第二编程电平不同，并且该至少一个另外的编程电压与第一编程电压和第二编程电压不同。
图13是流体分配系统1300的框图，该流体分配系统包括用于接收流体分配设备的支撑结构1302(例如，图1的托架103)，该流体分配设备包括非易失性存储器和用于接收激发信号的输入。流体分配系统1300包括用于执行各种任务的控制器1304(例如，图1的系统控制器110)。控制器1304的任务包括用于将流体分配设备设定为存储器写入模式的存储器写入模式设定任务1306。
控制器1304的任务包括在将流体分配设备设定为存储器写入模式之后执行的以下任务。这种任务包括：第一编程电压存储器写入任务1308，其用于控制在流体分配设备中施加第一编程电压，以响应于激发信号的激活而将非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平；以及第二编程电压存储器写入任务1310，其用于控制在流体分配设备中施加第二编程电压，以响应于激发信号的激活而将非易失性存储器的第二部分写入为不同于第一编程电压的第二编程电平。
图14是根据一些示例的流体分配设备的过程1400的流程图。过程1400包括将流体分配设备设定(在1402处)为流体操作模式。
过程1400包括：在流体分配设备被设定为流体操作模式时，在流体分配设备的输入处接收(在1404处)对控制信号的激活以激活流体分配设备的所选择的流体致动器。
过程1400包括将流体分配设备设定(在1406处)为存储器写入模式。在流体分配设备被设定为存储器写入模式时，过程1400包括：响应于控制信号被激活和第一编程电压的施加而将流体分配设备的非易失性存储器的第一部分写入(在1408处)为第一编程电平；以及响应于控制信号被激活和不同于第一编程电压的第二编程电压的施加而将非易失性存储器的第二部分写入(在1410处)为第二编程电平，该第二编程电平不同于第一编程电平。
上文讨论的控制器的各种任务可以由存储在非暂时性机器可读或计算机可读存储介质中的机器可读指令来执行。机器可读指令在由控制器或系统执行时可以执行各种任务，诸如上文讨论的各种控制器的任务。存储介质可以包括以下各者的任一或某种组合：半导体存储器设备，诸如动态或静态随机存取存储器(DRAM或SRAM)、可擦除和可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器；磁盘，诸如固定磁盘、软磁盘和可移除式磁盘；另一种磁介质，包括磁带；光学介质，诸如光盘(CD)或数字视频光盘(DVD)；或另一种类型的存储设备。应注意，可以在一个计算机可读或机器可读存储介质上提供上文讨论的指令，或替代地，可以在分布在可能地具有多个节点的大型系统中的多个计算机可读或机器可读存储介质上提供这些指令。这种一个或多个计算机可读或机器可读存储介质被认为是物品(或制造物品)的一部分。物品或制造物品可以指代任何制造的单个部件或多个部件。一个或多个存储介质可以位于运行机器可读指令的机器中，或者位于可以通过网络从该远程站点下载机器可读指令以供执行的远程站点处。
在上述的描述中，阐述了众多细节以提供对本文中公开的主题的理解。然而，可在没有这些细节中的一些的情况下实践实施方式。其他实施方式可包括对上文讨论的细节的修改和变化。所附权利要求旨在涵盖这种修改和变化。

Claims (20)

1.一种流体分配设备部件，包括：
输入，用于从所述流体分配系统接收控制信号，所述控制信号用于在流体操作模式期间激活流体致动器；
非易失性存储器；以及
控制器，用于在存储器写入模式期间：
响应于第一编程电压的施加和所述控制信号的激活，将所述非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平，以及
响应于与所述第一编程电压不同的第二编程电压的施加和所述控制信号的激活，将所述非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平。
2.根据权利要求1所述的流体分配设备部件，其中，所述控制器用于：在所述存储器写入模式期间，响应于另外的编程电压的施加和所述控制信号的激活，将所述非易失性存储器的至少一个另外部分写入为至少一个对应的另外的编程电平，所述至少一个另外的编程电平与所述第一编程电平和所述第二编程电平不同，并且，所述至少一个另外的编程电压与所述第一编程电压和所述第二编程电压不同。
3.根据权利要求1或2所述的流体分配设备部件，还包括流体致动器。
4.根据前述权利要求中任一项所述的流体分配设备部件，其中，所述控制器被设定为所述流体操作模式，以使用所述控制信号来控制对所述流体致动器的激活。
5.根据权利要求4所述的流体分配设备部件，其中，所述控制信号包括激发信号，在所述激发信号被激活时，所述激发信号引起所选择的流体致动器在所述流体操作模式期间通过所述流体分配设备的孔口来分配流体。
6.根据前述权利要求中任一项所述的流体分配设备部件，其中，所述控制器响应于配置寄存器访问而被设定为所述存储器写入模式。
7.根据前述权利要求中任一项所述的流体分配设备部件，其中，所述非易失性存储器包括具有浮置栅极的存储器单元。
8.根据权利要求7所述的流体分配设备部件，其中，响应于对应的不同编程电压，所述非易失性存储器的存储器单元的浮置栅极被充电到多个不同的离散编程电平。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的流体分配设备部件，还包括：
可由所述流体分配系统访问的输出，所述输出耦接到所述非易失性存储器并且用于在所述非易失性存储器的读取操作期间提供来自所述非易失性存储器的数据，其中，所述读取操作响应于所述控制信号的激活。
10.根据权利要求9所述的流体分配设备部件，其中，从所述非易失性存储器读取的所述数据是模拟值。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的流体分配设备部件，还包括：
电压输入，用于接收电压；以及
电压发生器，连接到所述电压并且产生提供给所述非易失性存储器的编程电压。
12.根据权利要求11所述的流体分配设备部件，其中，所述电压发生器用于：响应于在所述电压输入处接收到的不同电压，产生用于将所述非易失性存储器写入为不同编程电平的不同编程电压。
13.根据权利要求11所述的流体分配设备部件，其中，所述控制器用于：响应于所述控制器被设定为各自不同的存储器写入模式，控制所述电压发生器以产生用于将所述非易失性存储器写入为不同编程电平的不同编程电压。
14.一种流体分配系统，包括：
支撑结构，用于接收流体分配设备，所述流体分配设备包括非易失性存储器和用于接收激发信号的输入；以及
控制器，用于：
将所述流体分配设备设定为存储器写入模式，
在将所述流体分配设备设定为所述存储器写入模式之后：
响应于所述激发信号的激活，控制所述流体分配设备中的第一编程电压的施加，以将所述非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平，以及
响应于所述激发信号的激活，控制所述流体分配设备中的第二编程电压的施加，以将所述非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平。
15.根据权利要求14所述的流体分配系统，其中，所述控制器还用于：
将所述流体分配设备设定为流体操作模式，以及
在将所述流体分配设备设定为所述流体操作模式之后：
激活所述激发信号，以引起所述流体分配设备中的所选择的流体致动器的激活而分配流体。
16.根据权利要求14或15所述的流体分配系统，其中，所述控制器还用于：
在所述流体分配系统的输出处，读取所述非易失性存储器的数据。
17.根据权利要求14-16中的任一项所述的流体分配系统，其中，所述控制器还用于：
向所述流体分配设备的电压输入提供不同的电压，以引起所述第一编程电压和所述第二编程电压的施加。
18.根据权利要求14-16中的任一项所述的流体分配系统，其中，所述控制器还用于：
设定所述流体分配设备的不同存储器写入模式，以引起所述流体分配设备的电压发生器产生所述第一编程电压和所述第二编程电压。
19.一种方法，包括：
将流体分配设备设定为流体操作模式；
在所述流体分配设备被设定为所述流体操作模式时，在所述流体分配设备的输入处接收对控制信号的激活，以激活所述流体分配设备的所选择的流体致动器；
将所述流体分配设备设定为存储器写入模式；
在所述流体分配设备被设定为所述存储器写入模式时：
响应于所述控制信号被激活和第一编程电压的施加，将所述流体分配设备的非易失性存储器的第一部分写入为第一编程电平，以及
响应于所述控制信号被激活和不同于所述第一编程电压的第二编程电压的施加，将所述非易失性存储器的第二部分写入为第二编程电平，所述第二编程电平不同于所述第一编程电平。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
设定所述流体分配设备的不同存储器写入模式，以引起流体分配设备的电压发生器产生所述第一编程电压和所述第二编程电压。
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