CN113363267A - 图像传感器 - Google Patents

图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN113363267A
CN113363267A CN202010966490.6A CN202010966490A CN113363267A CN 113363267 A CN113363267 A CN 113363267A CN 202010966490 A CN202010966490 A CN 202010966490A CN 113363267 A CN113363267 A CN 113363267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
image sensor
reflective
layer
reflective layer
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010966490.6A
Other languages
English (en)
Inventor
朴泰奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
SK Hynix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SK Hynix Inc filed Critical SK Hynix Inc
Publication of CN113363267A publication Critical patent/CN113363267A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

公开了包括连续滤色器的图像传感器。图像传感器包括：传感器像素阵列，其用于检测入射光以输出指示入射光的图像的像素信号；滤色器，其分别形成于传感器像素上方以分别过滤入射到传感器像素的光；栅格，其设置在滤色器之间以形成相邻传感器像素之间的边界；第一反射层，其设置在栅格的上部上方并且被图案化为包括在相邻传感器像素之间的边界处的第一反射结构以反射光；以及第二反射层，其设置在第一反射层上方并且与第一反射层间隔开，并且第二反射层被图案化为包括在相邻传感器像素之间的边界处的第二反射结构以反射光，并且每个第二反射结构被形成为有角形状，以将入射到相邻的传感器像素之间的边界的光引导到相邻传感器像素中。

Description

图像传感器
技术领域
本专利文件中公开的技术和实施方式总体上涉及包括以阵列形式布置的滤色器(color filter)的图像传感器。
背景技术
图像传感器是用于通过使用对光做出反应的光敏半导体材料将光转换成电信号来捕获光学图像的设备。随着汽车、医疗、计算机、通信等行业的发展，诸如智能电话、数码相机、游戏机、物联网、机器人、监控相机、医用微型相机等的各种设备对高性能图像传感器的需求不断增加。
图像传感器可大致分为基于CCD(电荷耦合器件)的图像传感器和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像传感器。CCD图像传感器提供最佳可用图像质量，但与CMOS图像传感器相比，其倾向于消耗更多电力且更大。CMOS图像传感器在尺寸上比CCD图像传感器更小并且消耗更少的电力。可使用许多不同扫描方案来实施CMOS图像传感器，并且因为使用CMOS制造技术来制造CMOS传感器，所以可将CMOS图像传感器和其它信号处理电路集成到单个芯片中，从而能够以更低的成本生产小尺寸图像传感器。由于这些原因，CMOS图像传感器正被深入研究并迅速得到广泛使用。
发明内容
本专利文件尤其提供图像传感器的如下设计和特征：其可被实施以减少或最小化由栅格结构引起的光敏感度的下降，并且减少滤色器之间的光学串扰。
在所公开技术的实施例中，图像传感器可包括：传感器像素的阵列，其用于检测入射光以输出指示所述入射光的图像的像素信号；滤色器，其分别形成于所述传感器像素上方以分别过滤入射到所述传感器像素的光；栅格，其设置在所述滤色器之间以形成相邻的传感器像素之间的边界；第一反射层，其设置在所述栅格的上部上方并且被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第一反射结构以反射光；以及第二反射层，其设置在所述第一反射层上方并且与所述第一反射层间隔开，并且被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第二反射结构以反射光，并且每个第二反射结构被形成为有角形状，以将入射到相邻的传感器像素之间的边界的光引导到相邻传感器像素中。
在所公开技术的另一实施例中，图像传感器可包括：第一反射层，该第一反射层设置在位于第一像素的第一滤色器与第二像素的第二滤色器之间的栅格上方，并且被配置为反射穿过所述第一滤色器的第一入射光和穿过所述第二滤色器的第二入射光；以及第二反射层，该第二反射层被配置为使得从所述第一反射层反射的所述第一入射光和所述第二入射光能够被分别反射到所述第一滤色器和所述第二滤色器，并且所第二反射层被形成为有角形状。
应当理解，本专利文件中的上述一般描述、附图和以下详细描述是对所公开技术的技术特征和实施方式的例示和说明。
附图说明
图1是示出根据所公开的技术的一些实施方式的图像传感器的示例的框图。
图2是示出根据所公开的技术的一些实施方式的图1所示的像素阵列的示例的示意图。
图3是示出根据所公开的技术的一些实施方式的图1所示的像素阵列中包括的单位像素的示例的截面图。
图4是示出根据所公开的技术的一些实施方式的图3所示的第一区域的示例的放大图。
图5是示出根据所公开的技术的一些实施方式的第一反射层和第二反射层的不同示例以示出第一反射层300和第二反射层340的位置和形状如何能够改变光的反射的概念图。
图6A至图6E是示出根据所公开的技术的一些实施方式的用于形成一个或更多个单位像素的方法的截面图。
具体实施方式
本专利文件提供可以以使用附加反射层来提高图像传感器的光学感测效率和检测敏感度的方式实现的图像传感器的设计和特征的实施方式和示例。在所公开技术的一些实施方式中，图像传感器可通过减少滤色器之间的串扰(crosstalk)来最小化由栅格结构(grid structure)引起的光敏感度的劣化。所公开的技术可以在一些实施例中用于实现包括第一反射层和第二反射层(作为反射入射到栅格结构上的光并且然后将反射的光引导到一个或多个像素中的光导结构(light guide structure))的图像传感器，从而获得像素的光敏感度的提高。
现在将详细参考所公开的技术的实施例，其示例在附图中示出。只要有可能，将贯穿所有附图使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。本公开容许各种修改形式和替代形式，并且在附图中以示例的方式示出其特定实施例。
图1是示出根据所公开技术的一些实施方式的图像传感器100的示例的框图。
在诸如图1所示的示例一些实施方式中，用作互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的图像传感器100可以包括像素阵列110、行解码器120、相关双采样器(CDS)电路130、模数转换器(ADC)140、输出缓冲器150、列解码器160和定时控制器170。在这种情况下，图像传感器100的上述构成元件仅是示例，并且这些构成元件中的至少一些构成元件可以根据需要添加到图像传感器100或从图像传感器100中省略。
像素阵列110可以包括以二维(2D)阵列中的行和列布置的多个单位像素。在多个单位像素的阵列中，每个单位像素或至少两个单位像素可以被构造为共享至少一个元件，使得以共享至少一个元件的共享像素结构为单位布置的多个单位像素可以在共享像素的基础上将光信号或入射光转换为电信号。虽然每个单位像素或每个共享像素可对应于每像素具有3个晶体管的3T像素、每像素具有4个晶体管的4T像素或每像素具有5个晶体管的5T像素，但在某些实施方式中，每个单位像素可包括每像素多于5个晶体管。像素阵列110可以从行解码器120接收包括行选择信号、像素复位信号和/或传输(Tx)信号的控制信号，并且可以基于从行解码器120接收的控制信号进行操作。
在一些实施方式中，行解码器120可基于由定时控制器170提供的控制信号和/或时钟信号来激活像素阵列110。在一些实施方式中，行解码器120可以从像素阵列110选择至少一行。行解码器120可以生成行选择信号以选择多个行中的至少一行。行解码器120可以顺序地使能用于使与至少一个选择的行相对应的像素复位的像素复位信号和用于使选择的像素传输由像素生成的电信号的传输(Tx)信号。结果，可以将从所选择的行的每个像素生成的模拟类型的参考信号和图像信号顺序地传输到CDS电路130。在本专利文件的上下文中，术语“像素信号”可以用于指示参考信号和图像信号。
CMOS图像传感器可使用相关双采样(CDS)来通过对像素信号采样两次以去除这两次采样之间的差异来去除像素的不期望的偏移值。在一个示例中，相关双采样(CDS)可以通过比较在光信号入射在像素上之前和之后获得的像素输出电压来去除像素的不期望的偏移值，使得可以仅测量基于入射光的像素输出电压。在所公开技术的一些实施例中，CDS电路130可顺序地采样并保持从像素阵列110传送到所述多个列线中的每一个的参考信号和图像信号。也就是说，CDS电路130可以采样并保持与像素阵列110的每个列相对应的参考信号和图像信号的电压电平。
CDS电路130可在从定时控制器170接收到控制信号时将与每个列的参考信号和图像信号相对应的相关双采样(CDS)信号传输到ADC 140。
ADC 140用于将模拟CDS信号转换为数字信号。ADC 140的示例可以包括斜坡比较型ADC，其中模拟像素信号与诸如斜坡上升或斜坡下降的斜坡信号之类的参考信号进行比较，并且计时器计数直到斜坡信号的电压与模拟像素信号匹配为止。在所公开技术的一些实施例中，ADC 140可以从CDS电路130接收每个列的CDS信号，可以将所接收到的CDS信号转换成数字信号，并且可以由此输出数字信号。在一些实施方式中，ADC 140使用参考信号对输入信号(例如，像素信号)采样多次，并且通过对时钟脉冲的数目进行计数直到交叉点来模数转换所采样的输入信号。ADC 140可以基于每个列的CDS信号和从定时控制器170接收的斜坡信号来执行计数操作和计算操作，使得ADC 140可以生成去除了与每个列相对应的噪声(例如，每个像素的独有复位噪声)的数字图像数据。
ADC 140可以包括与像素阵列110的各个列相对应的多个列计数器，并且可以使用列计数器将每个列的CDS信号转换为数字信号，从而形成图像数据。在另一实施例中，ADC140可以包括单个全局计数器，并且可以使用从全局计数器接收的全局码将与每个列相对应的CDS信号转换为数字信号。
输出缓冲器150可以从ADC 140接收每个列的图像数据。另外，输出缓冲器150可以捕获接收到的图像数据，并且可以输出所捕获的图像数据。输出缓冲器150可以在从定时控制器170接收到控制信号时临时存储从ADC 140输出的图像数据。输出缓冲器150可操作为被配置成补偿图像传感器100与联接到图像传感器100的另一设备之间的数据速率差或传输(Tx)速度差的接口。
列解码器160可以在从定时控制器170接收到控制信号时选择输出缓冲器150的列，并且可以顺序地输出临时存储在输出缓冲器150中的图像数据。在一些实施方式中，列解码器160可以从定时控制器170接收地址信号，可以基于所接收的地址信号生成列选择信号，并且可以选择输出缓冲器150的列以从输出缓冲器150的所选择的列输出待作为输出信号SO输出的图像数据。
定时控制器170可以控制行解码器120、ADC 140、输出缓冲器150和列解码器160。
定时控制器170可将用于操作或同步图像传感器100的组成元件的时钟信号、用于定时控制的控制信号和用于选择行或列所需的地址信号传输到行解码器120、列解码器160、ADC 140和输出缓冲器150。在一些实施方式中，定时控制器170可以包括逻辑控制电路、锁相环(PLL)电路、定时控制电路、通信接口电路等。
图2是示出根据所公开技术的一些实施方式的图1所示的像素阵列110的示例的示意图。
在诸如图2所示的示例的一些实施方式中，像素阵列110可以包括以包括M行(其中“M”是2或更大的整数)和N列(其中“N”是2或更大的整数)的二维(2D)矩阵阵列布置的多个单位像素(PX1、PX2、……)。在一些实施方式中，像素阵列110中的第一像素PX1和第二像素PX2可被布置为彼此连续(contiguous)(或相邻，adjacent)。在其它实施方式中，第一像素PX1和第二像素PX2可以间隔预定距离。作为像素阵列110中包含的单位像素的示例，讨论了第一像素PX1和第二像素PX2，并且应当注意，其它单位像素在结构上与第一像素PX1和第二像素PX2基本相同。
图3示出根据所公开技术的一些实施方式的图1所示的像素阵列110中包括的两个相邻单位像素的示例。具体地，图3是示出沿图2中所示的线A-A’截取的第一像素PX1和第二相邻像素PX2的截面图。
在图3所示的示例中，第一像素PX1和第二像素PX2形成在基板200上方或由基板200支撑，并且PX1和PX2中的每一个包括光电转换元件210、绝缘层220、第一栅格230、第二栅格240、第一缓冲层250、第二缓冲层260、滤色器270、第一反射层300、上覆层(over-coating layer)310、空气层320，覆盖层330、第二反射层340、微透镜350和抗反射层360。
基板200可以包括顶表面和底表面。在一些实施方式中，基板200包括掺杂有杂质的半导体材料。例如，基板200可以是P型或N型块体(bulk)基板，可以是其中生长有P型或N型外延层的P型块体基板，或者可以是其中生长有P型或N型外延层的N型块体基板。
光电转换元件210可以设置在基板200中与每个像素PX1或PX2对应的区域中。光电转换元件210可以在其内部区域中产生并累积与入射光的强度(intensity)相对应的光电荷。光电转换元件210可以被布置为增大指示光接收(reception，Rx)效率的填充因子。例如，光电转换元件210还可以被实现为光电二极管、光电晶体管、光电栅、钉扎光电二极管或其组合。
如果光电转换元件210被实现为光电二极管，则光电转换元件210可以通过N型离子的离子注入而形成为N型掺杂区域。在一个实施例中，光电二极管可以通过将多个掺杂区域堆叠在彼此之上而形成。在这种情况下，可以通过注入P型离子和/或N+型离子来形成下部掺杂区域，并且可以通过注入N-型离子来形成上部掺杂区域。
在用于形成绝缘层220的工艺中，可以在基板200中形成光电转换元件210，可以通过沟槽工艺(trench process)形成深槽隔离(DTI)结构，并且可以沉积绝缘材料以填充基板200的上部中的间隙和DTI结构，从而形成绝缘层220。在一些实施方式中，绝缘材料可以由诸如氧化硅材料的透明绝缘材料形成。另一方面，DTI结构可以通过在垂直方向上蚀刻基板或基板中的材料层来形成，使得DTI结构可以将相邻像素(例如，PX1和PX2)彼此电隔离或光学隔离。
第二栅格240可以形成在布置在连续滤色器270之间的第一栅格230上方，以减少连续滤色器270之间的光学串扰。第一栅格230和第二栅格240中的每一个可以由具有高光吸收率的金属形成，并且第一栅格230可以包括与第二栅格240的材料不同的材料。例如，第二栅格240可以包括钨(W)，并且第一栅格230可以包括氮化钛(TiN)，但不限于此。
在本文所公开的图像传感器的示例设计中，每个图像传感器(例如，图3中的传感器示例)可以包括栅格结构作为被包括在像素阵列110中的单位像素之间的栅格，以形成被包括在像素阵列110中的相邻单位像素之间的边界。这种栅格结构形成相邻单位像素之间的物理分隔件以分开相邻的单位像素。例如，图3中的传感器示例示出了包括第一栅格230和第二栅格240以及被形成为覆盖第一栅格230和第二栅格240的诸如第一缓冲层250和第二缓冲层260的其它组件的栅格结构。在一些实施方式中，与图3中的传感器示例不同，可以在没有第一栅格230和第二栅格240中的一个的情况下形成栅格结构，使得所得到的栅格结构可以是第一栅格230与第一缓冲层250和第二缓冲层260的一部分的组合结构，或者是第二栅格240与第一缓冲层250和第二缓冲层260的一部分的组合结构。
第一缓冲层250和第二缓冲层260可以顺序堆叠以覆盖绝缘层220的顶表面以及第一栅格230和第二栅格240的顶表面。第一缓冲层250和第二缓冲层260中的每一个可以被形成为在绝缘层220和滤色器270之间延伸，使得延伸的第一缓冲层250和延伸的第二缓冲层260中的每一个可以设置在滤色器270下方。另外，设置在滤色器270下方的第一缓冲层250和第二缓冲层260可以分别联接到覆盖设置在连续滤色器270之间的第一栅格230和第二栅格240的第一缓冲层250和第二缓冲层260。也即，覆盖第一栅格230和第二栅格240的第一缓冲层250和第二缓冲层260可以分别与设置在滤色器270下方的第一缓冲层250和第二缓冲层260合并。
因此，第一缓冲层250和第二缓冲层260可以被形成为接触绝缘层220的顶表面以及第一栅格230和第二栅格240的表面的大区域，从而提高第一栅格230和第二栅格240的结构稳定性。此外，由于由设置在滤色器270下方的第一缓冲层250和第二缓冲层260产生的张应力(tensile stress)的平衡，即使第一栅格230和第二栅格240的宽度较窄，第一栅格230和第二栅格240也可以保持其结构和稳定性。
另外，设置在滤色器270下方的第一缓冲层250和第二缓冲层260可以用作对滤色器270和基板200之间的折射率差异进行补偿的抗反射层，从而使得已经穿透滤色器270的光能够有效地入射到基板200中。
第一缓冲层250可以包括氮化硅膜(SixNy，其中‘x’和‘y’中的每一个是自然数)或氮氧化硅膜(SixOyNz，其中‘x’、‘y’和‘z’中的每一个是自然数)。第二缓冲层260可以包括未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)膜。
滤色器270可以包括形成在基板200上方的滤光器(optical filter)，并且可以选择性地透射特定波长的可见光(例如，红光、绿光、蓝光、品红光、黄光或青光等)，同时阻挡其它波长的光。在一些实施方式中，当每个像素PX1或PX2对应于深度像素时，可以省略滤色器270或者可以用红外(IR)滤色器代替滤色器270。被包括在第一像素PX1中的滤色器270可以被定义为第一滤色器，并且被包括在第二像素PX2中的滤色器270可以被定义为第二滤色器。
值得注意的是，图3中的传感器示例包括的第一反射层300可以以第一反射层300可以在位于第二栅格240上方的同时覆盖第二栅格240的方式与第二缓冲层260接触。第一反射层300可以包括具有相对高的光反射率(light reflectivity)的材料(例如，铝(Al)或银(Ag))。第一反射层300可以被图案化为暴露单位像素(例如，PX1和PX2)并且覆盖相邻单位像素之间的边界区域，使得第一反射层300的至少一些部分可以属于第一像素PX1并且第一反射层300的至少其它部分可以属于第二像素PX2。
上覆层310可以设置在滤色器270上方，并且可以防止入射光的不规则反射或漫反射，从而抑制闪光特性(flare characteristics)。另外，上覆层310可以补偿由滤色器270引起的不平坦表面，使得上覆层310可以允许微透镜350具有恒定的高度。
空气层(或低折射率层)320可以设置在上覆层310上方，并且空气层320的形状可以由覆盖层330(或第二反射层340)和上覆层310限定。如从图3中可以看出的那样，空气层320可以形成为三角形形状。空气层320可以填充有具有相对低的折射率(例如，1)的空气。
在本专利文件的上下文中，空气层是低折射率材料层的特定示例。
在一些实施例中，所公开的技术可以被实现为提供这样一种图像传感器：该图像传感器包括设置在栅格结构上方并且形成为有角(angular)形状(例如，三角形形状)的图案化的反射层，使得入射到单位像素之间的区域的光从反射层朝向相邻的成像单位像素反射，从而提高成像单位像素的光敏感度。
覆盖层330可以被设置为在上覆层310的上部围绕空气层320。覆盖层330与上覆层310一起可以形成空气层330的形状。覆盖层330可以是诸如氧化硅(SiO2)膜的超低温氧化物(ultra low temperature Oxide，ULTO)膜。
第二反射层340可以形成在覆盖层330上方，同时围绕覆盖层330。第二反射层340可以具有与覆盖层330的形状基本相同的形状。第二反射层340可以被形成并且被图案化为反射光的有角状。第二反射层340可以包括具有相对高的光反射率的材料(例如，铝(Al)或银(Ag))。
在一些其它实施方式中，覆盖层330和第二反射层340的位置可以彼此交换。
微透镜350可以形成在上覆层310和第二反射层340上方，以将入射光会聚到相应的滤色器，从而提高光电转换元件210的光接收(Rx)效率。
抗反射层360可以减少入射到微透镜350上的光的反射，使得更多的光线可以入射到微透镜350上。抗反射层360可以由通过堆叠具有不同折射率的不同材料而形成的多层结构形成。
图4是示出图3所示的第一区域的示例的放大图，以说明图案化反射层的操作。
在图4中的示例中，第一入射光线IL1可以顺序地穿过微透镜350、上覆层310和滤色器270，使得第一入射光线IL1可以入射到形成在第二栅格240上方的第一反射层300上。在所公开的技术的一些实施例中，第一反射层300和第二反射层340可以使得第一入射光线IL1通过在第一反射层300和第二反射层340处的相继反射而被引导到光电转换元件210。例如，到达第一反射层300的第一入射光线IL1可以在朝向微透镜350的方向上反射。从第一反射层300反射的第一入射光线IL1顺序地穿过滤色器270、上覆层310、空气层320和覆盖层330。到达第二反射层340的第一入射光线IL1从设置在微透镜350中的第二反射层340反射，并且可以在穿过第一像素PX1的第一滤色器之后被引导到光电转换元件210。另外，由于空气层320和覆盖层330之间的折射率的差异，第一入射光线IL1还可以从空气层320和覆盖层330之间的边界反射，使得反射的光可以在穿过第一像素PX1的第一滤色器之后被引导到光电转换元件210。这里，空气层320可以增大第一入射光线IL1的反射率，因为第一入射光线IL1的至少一些部分也可以被由高反射率金属形成的第二反射层340吸收。
同样地，第二入射光线IL2可以顺序地穿过微透镜350、上覆层310和滤色器270，从而可以入射到形成在第二栅格240上方的第一反射层300上。在所公开的技术的一些实施例中，第一反射层300和第二反射层340也可以使得第二入射光线IL2通过在第一反射层300和第二反射层340处的相继反射而被引导到光电转换元件210。到达第一反射层300的第二入射光线IL2可以在朝向微透镜350的方向上反射。从第一反射层300反射的第二入射光线IL1顺序地穿过滤色器270、上覆层310、空气层320和覆盖层330。到达第二反射层340的第二入射光线IL2可以从设置在微透镜350中的第二反射层340反射，并且可以在穿过第二像素PX2的第二滤色器之后被引导到光电转换元件210。另外，由于空气层320和覆盖层330之间的折射率的差异，第二入射光线IL2还可以从空气层320和覆盖层330之间的边界表面反射，使得反射的光可以在穿过第二像素PX2的第二滤色器之后被引导到光电转换元件210。这里，空气层320可以增大第二入射光线IL2的反射率，因为第二入射光线IL2的至少一些部分也可以被由高反射率金属形成的第二反射层340吸收。
假设第一反射层300和第二反射层340没有设置在图像传感器100中，则第一入射光线IL1和第二入射光线IL2可能首先入射到形成在第二栅格240上方的第二缓冲层260上，并且可能通过穿过微透镜350而被反射到外部，或者可以被第二栅格240吸收。结果，可能减少入射到第一像素PX1和第二像素PX2的光电转换元件210上的光线的量，导致每个像素的光敏感度(或光接收(Rx)效率)的下降。
然而，基于所公开技术的一些实施方式的图像传感器100可以包括第一反射层和第二反射层，其通过对将要入射到栅格结构上的光进行反射并且然后将反射的光引导到每个成像像素中而作为光导结构操作，从而提高每个像素的光敏感度。
第一反射层300可以形成为左边缘和右边缘被切掉(severed)的形状。结果，第一反射层300具有具备预定斜率的倾斜表面，使得第一反射层300的顶表面的长度W1短于第一反射层300的底表面的长度W2。第一反射层300的倾斜表面可以使得入射到栅格结构上的光能够被直接反射向相应的像素，以获得每个像素的光敏感度(或光接收(Rx)效率)的提高。在一些其它实施方式中，第一反射层300可以形成为不具有这样的倾斜表面。
第二反射层340可以形成为有角结构，通过该有角结构，被第一反射层300反射的第一入射光线IL1和第二入射光线IL2可以被反射回相应的像素。更详细地，第二反射层340可以包括相对于上覆层310具有第一角度(θ1)的第一表面332和相对于上覆层310具有第二角度(θ2)的第二表面334。第一表面332可以使得第二入射光IL2能够被反射回第二像素PX2，第二表面334可以使得第一入射光IL1能够被反射回第一像素PX1。
如从图4中可以看出的那样，第一角度(θ1)与第二角度(θ2)彼此相等，第一反射层300和第二反射层340具有相同的中心线，并且第一表面332与第二表面334具有相同的长度。在另一示例中，第一角度(θ1)与第二角度(θ2)可以彼此不同，第一反射层300和第二反射层340可以具有不同的中心线，并且第一表面332和第二表面334可以具有不同的长度。在这种情况下，中心线可以指穿过第一反射层300或第二反射层340的左端点和右端点之间的中心点并且同时平行于连续像素之间的边界线的直线。
因此，在图3的示例中，第一反射层300和第二反射层340可以被图案化为在相邻单元像素之间的边界处具有反射结构，并且沿着垂直于基板的方向间隔开，使得在同一(两个相邻单元像素之间的)边界处的第一反射层300和第二反射层340的反射结构可以反射它们之间的光并且上部第二反射层340中的反射结构的有角形状使得反射的光被引导到相邻单元像素中的一个中的光电转换元件。
图5是示出根据所公开技术的一些实施方式的第一反射层300和第二反射层340的反射结构的不同示例以示出第一反射层300和第二反射层340的位置和形状如何能够改变光的反射的概念图。在图5中的三个示例的每一个中，仅示出在同一两个相邻单位像素之间的边界处的第一反射层300和第二反射层340的反射结构，以示出它们之间的用于将反射的光引导到两个相邻单位像素中的一个中的光反射。
在一些实施方式中，第一反射层300和第二反射层340被示出在像素阵列110的左边缘区域中。在图5中，可以将位置相对靠近像素阵列110的中心点的区域定义为中央区域，并且可以将位置相对远离像素阵列110的中心点定位并且相对于像素阵列110的中心点更靠近像素阵列110的上边缘、下边缘、左边缘和右边缘的区域定义为边缘区域。
在像素阵列110的左边缘区域中，主光线(也被称为主光(key light))可以与第三入射光IL3相同。也即，沿从相对于包括第一反射层300的栅格结构的右像素到左像素的方向入射的光可以具有更高的强度(或更高的优先级)。因此，为了允许第三入射光IL3被有效地反射回右像素，第二反射层340的中心线可以相对于第一反射层300的中心线向左侧偏移，第二反射层340的第一角度(θ1)可以小于第二反射层340的第二角度(θ2)，并且第一表面332的长度可以长于第二表面334的长度。
另外，主光线越接近像素阵列110的左边缘，主光线的入射角越大。结果，可以进一步增大第一反射层300的中心线与第二反射层340的中心线之间的间隔(即，距离)、第一角度(θ1)与第二角度(θ2)之间的差以及第一表面332与第二表面334之间的长度差。
主光线的入射角可以在像素阵列110的中央区域中相对较小。也即，沿从相对于包括第一反射层300的栅格结构的一侧像素到另一侧像素的方向传播的光可能不具有更高的强度。因此，为了使入射到任何一个像素上的光能够被有效地反射回该一个像素，第一反射层300的中心线可以与第二反射层340的中心线相同，第二反射层340的第一角度(θ1)可以与第二反射层340的第二角度(θ2)相同，并且第一表面332的长度可以与第二表面334的长度相同。
在像素阵列110的右边缘区域中，主光线可以与第四入射光IL4相同。即，沿从相对于包括第一反射层300的栅格结构的左像素到右像素的方向传播的光可以具有更高的强度。因此，为了允许第四入射光IL4被有效地反射回左像素，第二反射层340的中心线可以相对于第一反射层300的中心线向右侧偏移，第二反射层340的第一角度(θ1)可以大于第二反射层340的第二角度(θ2)，并且第一表面332的长度可以短于第二表面334的长度。
另外，主光线越接近像素阵列110的右边缘，主光线的入射角越大。结果，可以进一步增大第一反射层300的中心线与第二反射层340的中心线之间的间隔(即，距离)、第一角度(θ1)与第二角度(θ2)之间的差以及第一表面332与第二表面334之间的长度差。
尽管为了便于描述，这里将省略像素阵列110的上边缘区域和下边缘区域，但是像素阵列110的左边缘区域和右边缘区域中的第一反射层300和第二反射层340的特性可以基本上等同地应用于像素阵列110的上边缘区域和下边缘区域。
图6A至图6E是示出根据所公开技术的一些实施方式的用于形成一个或更多个单位像素和反射结构的方法的横截面图。
以下将参考图6A至图6E来描述在第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个中形成上覆层310之后要执行的制造工艺(以下，为了便于描述，称为第二制造工艺)。在第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个中形成上覆层310之前要执行的制造工艺(以下，为了便于描述，称为第一制造工艺)如下。在第一制造工艺中，可以首先形成第一栅格230和第二栅格240，并且可以顺序地堆叠第一缓冲层250和第二缓冲层260。随后，可以在第二缓冲层260的覆盖第一栅格230和第二栅格240的顶表面上方形成第一反射层300，并且可以以可以切掉第一反射层300的左边缘和右边缘的方式蚀刻第一反射层300。此后，可以顺序地形成滤色器270和上覆层310，然后可以对滤色器270和上覆层310进行平坦化。
在图6A的步骤S10中，牺牲膜400可以沉积在上覆层310上方。牺牲膜400可以包括含碳旋涂碳(Spin On Carbon，SOC)膜。此后，可以在牺牲膜400上方设置限定空气层320的第一掩模图案。第一掩模图案可以具有与空气层320(或第二反射层340)的第一角度(θ1)和第二角度(θ2)相对应的斜率。可以使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻牺牲膜400，并且可以去除第一掩模图案，使得可以完成与空气层320的形状相对应的牺牲膜400的形成。
在图6B的步骤S20中，可以在牺牲膜400上方沉积覆盖材料。覆盖材料可以包括氧化物膜，例如，ULTO膜。随后，可以在覆盖材料上方沉积限定覆盖层330的第二掩模图案。第二掩模图案可以具有与覆盖层330的第一角度(θ1)和第二角度(θ2)相对应的斜率。可以使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻覆盖材料，并且可以去除第二掩模图案，使得可以完成覆盖层330的形成。覆盖层330可以被形成为预定厚度，通过将要在后续等离子体工艺中使用的气体与牺牲膜400的碳结合而形成的分子可以通过该预定厚度而容易地排出到外部。优选地，覆盖层330可以被形成为
Figure BDA0002682504390000141
或更小的厚度。
在图6C的步骤S30中，在形成覆盖层330之后，可以对所得结构执行等离子体工艺，使得可以去除牺牲膜400，并且可以在去除了牺牲膜400的位置处形成空气层320。在这种情况下，可以使用包括氧、氮和氢中的至少一种的气体(例如，O2、N2、H2、CO、CO2或CH4)来执行等离子体工艺。在这种情况下，以下将使用O2等离子体工艺作为示例来描述上述工艺。如果在所得结构上执行O2等离子体工艺，则氧自由基(O*)可以通过覆盖层330流入牺牲膜400，并且被包括在牺牲膜400中的氧自由基(O*)可以与牺牲膜400的碳结合，导致CO或CO2的形成。形成的CO或CO2可以通过覆盖层330被排出到外部。结果，可以去除牺牲膜400，并且可以在去除了牺牲膜400的位置处形成空气层320。
在图6D的步骤S40中，可以在上覆层310和覆盖层330上方沉积反射材料。反射材料可以包括高反射率金属。随后，可以在反射材料上方设置限定第二反射层340的第三掩模图案。第三掩模图案可以具有与第二反射层340(或覆盖层330)的第一角度(θ1)和第二角度(θ2)相对应的斜率。可以使用第三掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻反射材料，并且可以去除第三掩模图案，使得可以完成第二反射层340的形成。
在一些其它实施方式中，以下将参照附图描述用于在覆盖层330和第二反射层340的位置彼此交换的示例性情况下形成图像传感器的方法。
在对应于步骤S20的制造工艺中，反射材料可以首先沉积在上覆层310和牺牲膜400上方。此后，可以在反射材料上方设置限定第二反射层340的第二掩模图案。可以使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻反射材料，并且可以去除第二掩模图案，使得可以完成第二反射层340的形成。另外，第二反射层340可以包括至少一个孔，通过将要在后续等离子体工艺中使用的气体与牺牲膜400的碳结合而形成的分子可以通过该孔而容易地被排出到外部。
在对应于步骤S30的制造工艺中，可以在上覆层310和第二反射层340上方沉积覆盖材料。此后，可以在反射材料上方设置限定覆盖层330的第三掩模图案。可以使用第三掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻反射材料，并且可以去除第三掩模图案，使得可以完成覆盖层330的形成。覆盖层330可以被形成为预定厚度，通过将要在后续等离子体工艺中使用的气体与牺牲膜400的碳结合而形成的分子可以通过该预定厚度而容易地被排出到外部。
在对应于步骤S40的制造工艺中，可以通过等离子体工艺去除牺牲膜400，并且可以在去除了牺牲膜400的位置处形成空气层320。
在图6E的步骤S50中，具有恒定曲率的微透镜350和抗反射层360可以另外形成在上覆层310和第二反射层340上方。
根据各种实施例，上述构成元件中的每一个(例如，模块或程序)可以包括一个或更多个实体。根据各种实施例，可以省略上述构成元件中的至少一个构成元件或者可以省略至少一个操作，或者可以添加一个或更多个其它构成元件或者一个或更多个其它操作。可替换地或附加地，多个构成元件(例如，模块或程序)可以被集成到仅一个构成元件中。在这种情况下，集成的构成元件可以以与在执行这种集成之前由多个构成元件中的对应构成元件执行的先前操作相同或相似的方式执行多个构成元件中的每一个的一个或更多个功能。根据各种实施例，可以顺序地、并行地、重复地或启发式地执行由模块、程序或另一构成元件执行的操作，可以以不同顺序执行或省略上述操作中的至少一个，或者可以添加另一操作。
如从以上描述中显而易见的那样，基于所公开技术的一些实施方式的图像传感器包括第一反射层和第二反射层，第一反射层和第二反射层中的每一个充当反射入射到栅格结构上的光并且然后将反射的光引导到一个或更多个像素中的光导结构，从而提高每个像素的光敏感度。
所公开的技术的实施例可以提供能够通过上述专利文件直接或间接地认识到的各种效果。
本领域技术人员将理解，在不脱离所公开的技术的精神和基本特征的情况下，所公开的技术可以以不同于本文所阐述的那些方式的其他特定方式来实施。上述实施方式因此将在所有方面被解释为例示性的而不是限制性的。所公开技术的范围应当由所附权利要求及其法定等同物来确定，而不是由以上描述来确定。此外，在所附权利要求的含义和等效范围内的所有变化都旨在被包括在其中。另外，对于本领域技术人员显而易见的是，在所附的权利要求书中，没有彼此明确引用的权利要求可以作为本公开技术的实施方式而组合呈现，或者在本申请提交之后通过后续的修改而作为新的权利要求被包括在内。
虽然已经描述了与所公开的技术一致的多个说明性实施例，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出落入本公开的原理的精神和范围内的许多其他修改和实施例。特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内的组成部件和/或布置中，许多变型和修改是可能的。除了对组成部件和/或布置上的变型和修改之外，另外的用途对本领域技术人员来说也将是显而易见的。
相关申请的交叉引用
本专利文件要求于2020年3月4日提交的韩国专利申请No.10-2020-0027089的优先权和权益，其公开内容通过引用整体结合于此作为本专利文件公开内容的一部分。

Claims (18)

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
传感器像素的阵列，所述传感器像素的阵列用于检测入射光以输出指示所述入射光的图像的像素信号；
多个滤色器，所述多个滤色器分别形成在所述传感器像素上方以分别对入射到所述传感器像素的光进行过滤；
栅格，所述栅格设置在所述多个滤色器之间以形成相邻的传感器像素之间的边界；
第一反射层，所述第一反射层设置在所述栅格的上部上方，并且被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第一反射结构以反射光；以及
第二反射层，所述第二反射层设置在所述第一反射层上方并且与所述第一反射层间隔开，并且所述第二反射层被图案化为包括在相邻的传感器像素之间的边界处的第二反射结构以反射光，并且每个第二反射结构被形成为有角形状，以将入射到相邻的传感器像素之间的边界的光引导到相邻的传感器像素中。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二反射结构的所述有角形状被构造为使得光通过在所述第一反射层中的每个第一反射结构和在所述第二反射层中的对应的第二反射结构处的相继反射而被引导到所述图像传感器中的光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述栅格包括：
第一栅格和第二栅格，所述第一栅格包括第一材料并且设置在包括第二材料的所述第二栅格上，所述第一材料不同于所述第二材料。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一反射结构包括具有预定斜率的倾斜表面。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二反射层设置在形成于所述滤色器上方的上覆层和设置于所述滤色器上方的微透镜之间。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：
低折射率层，所述低折射率层形成为由所述第二反射层和所述上覆层限定的形状，并且包括低折射率材料。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述低折射率材料包括空气。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二反射结构包括：
第一表面，所述第一表面在第一侧，并且被形成为相对于形成在所述滤色器上方的上覆层具有第一角度；以及
第二表面，所述第二表面在与所述第一侧相对的第二侧，并且被形成为相对于所述上覆层具有第二角度。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
所述第一角度和所述第二角度彼此相同。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
所述第一反射结构的中心线与所述第二反射结构的中心线相同。
11.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中，所述第一角度小于所述第二角度。
12.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中，所述第一反射结构的中心线相对于所述第二反射结构的中心线位于第二侧。
13.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第一侧的第一边缘区域中，所述第一表面的长度比所述第二表面的长度长。
14.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第二侧的第二边缘区域中，所述第二角度小于所述第一角度。
15.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第二侧的第二边缘区域中，所述第一反射结构的中心线相对于所述第二反射结构的中心线位于第一侧。
16.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
在所述传感器像素的阵列的在第二侧的第二边缘区域中，所述第二表面比所述第一表面长。
17.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
第一反射层，所述第一反射层设置在位于第一像素的第一滤色器与第二像素的第二滤色器之间的栅格上方，并且被配置为反射穿过所述第一滤色器的第一入射光和穿过所述第二滤色器的第二入射光；以及
第二反射层，所述第二反射层被配置为使得从所述第一反射层反射的所述第一入射光和所述第二入射光能够被分别反射到所述第一滤色器和所述第二滤色器，并且所述第二反射层被形成为有角形状。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，其中，所述有角形状被构造为使得所述第一入射光和所述第二入射光通过在所述第一反射层和所述第二反射层处的相继反射而被引导到所述图像传感器中的对应的一个或更多个光电转换元件。
CN202010966490.6A 2020-03-04 2020-09-15 图像传感器 Pending CN113363267A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0027089 2020-03-04
KR1020200027089A KR20210112034A (ko) 2020-03-04 2020-03-04 이미지 센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113363267A true CN113363267A (zh) 2021-09-07

Family

ID=77524466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010966490.6A Pending CN113363267A (zh) 2020-03-04 2020-09-15 图像传感器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11688752B2 (zh)
KR (1) KR20210112034A (zh)
CN (1) CN113363267A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036168A (ko) * 2019-09-25 2021-04-02 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
US11664399B2 (en) * 2021-02-01 2023-05-30 Visera Technologies Company Limited Solid-state image sensor
KR20230089689A (ko) * 2021-12-14 2023-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
CN115881750B (zh) * 2023-02-02 2023-05-23 合肥晶合集成电路股份有限公司 图像传感器及其制作方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193284A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Canon Inc 撮像装置
US20060152616A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-13 Stmicroelectonics S.A. Image sensor
US20120050600A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Jung-Chak Ahn Unit pixel array and image sensor having the same
JP2013143533A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN103227178A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 台湾积体电路制造股份有限公司 用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置
US8530266B1 (en) * 2012-07-18 2013-09-10 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having metal grid with a triangular cross-section
CN108831900A (zh) * 2018-06-15 2018-11-16 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法以及成像装置
CN110061025A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法
CN110620121A (zh) * 2018-06-19 2019-12-27 爱思开海力士有限公司 具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070031717A (ko) 2005-09-15 2007-03-20 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US9123839B2 (en) * 2013-03-13 2015-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Image sensor with stacked grid structure
KR102600673B1 (ko) 2016-08-05 2023-11-13 삼성전자주식회사 이미지 센서
DE102017204035B3 (de) * 2017-03-10 2018-09-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung, Abbildungssystem und Verfahren zum Bereitstellen einer Multiaperturabbildungsvorrichtung
US10276616B2 (en) * 2017-08-31 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device
US10510788B2 (en) * 2017-10-31 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor image sensor
CN108281447A (zh) * 2018-01-30 2018-07-13 德淮半导体有限公司 半导体装置及其制作方法
US11348958B2 (en) * 2019-05-16 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Image sensing device with grid structure and fabrication method thereof
US11309342B2 (en) * 2019-09-23 2022-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dummy vertical transistor structure to reduce cross talk in pixel sensor
US10811453B1 (en) * 2019-11-01 2020-10-20 Omnivision Technologies, Inc. Pillar structures for suppressing optical cross-talk
US11244979B2 (en) * 2019-12-19 2022-02-08 Omnivision Technologies, Inc. Deep trench isolation (DTI) structure for CMOS image sensor

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193284A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Canon Inc 撮像装置
US20060152616A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-13 Stmicroelectonics S.A. Image sensor
US20120050600A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Jung-Chak Ahn Unit pixel array and image sensor having the same
JP2013143533A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN103227178A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 台湾积体电路制造股份有限公司 用于改进图像传感器的反射率光学栅格的方法和装置
US8530266B1 (en) * 2012-07-18 2013-09-10 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having metal grid with a triangular cross-section
CN103579267A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 全视科技有限公司 含有具有三角形截面的金属栅格的图像传感器
CN108831900A (zh) * 2018-06-15 2018-11-16 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法以及成像装置
CN110620121A (zh) * 2018-06-19 2019-12-27 爱思开海力士有限公司 具有嵌入在防反射层中的栅格图案的图像传感器
CN110061025A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210112034A (ko) 2021-09-14
US20210280625A1 (en) 2021-09-09
US11688752B2 (en) 2023-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113363267A (zh) 图像传感器
KR101358587B1 (ko) 고체 이미지 센서 및 촬상 시스템
US8629486B2 (en) CMOS image sensor having anti-absorption layer
WO2021100298A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
US11749698B2 (en) Image sensor
CN112447778B (zh) 图像感测装置
US20210104565A1 (en) Image sensor
US20220199669A1 (en) Image sensing device
CN116264238A (zh) 图像感测装置
US11676979B2 (en) Image sensing device including air layer between color filters
US20220293659A1 (en) Image sensing device
US20210066359A1 (en) Image sensor
US11557622B2 (en) Image sensing device
KR20220072275A (ko) 이미지 센서
US11469263B2 (en) Image sensor
KR20210097332A (ko) 이미지 센서
CN112802859A (zh) 图像传感器
US11594565B2 (en) Image sensor
US11515345B2 (en) Image sensor
US20220399392A1 (en) Image sensing device
CN112436022B (zh) 图像传感器
CN115548036A (zh) 图像感测装置
KR20240009863A (ko) 이미지 센서 및 이미지 신호 프로세서를 감소시키기 위한 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination