CN113346349A - 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器 - Google Patents

高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN113346349A
CN113346349A CN202110597961.5A CN202110597961A CN113346349A CN 113346349 A CN113346349 A CN 113346349A CN 202110597961 A CN202110597961 A CN 202110597961A CN 113346349 A CN113346349 A CN 113346349A
Authority
CN
China
Prior art keywords
frequency
raman
crystal
light
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110597961.5A
Other languages
English (en)
Inventor
朱小磊
陈忆兰
陈晓
王明建
刘继桥
冯衍
陈卫标
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority to CN202110597961.5A priority Critical patent/CN113346349A/zh
Publication of CN113346349A publication Critical patent/CN113346349A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/1086Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering using scattering effects, e.g. Raman or Brillouin effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0405Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

一种高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,包括基频光源,二分之一波片、法拉第隔离器、聚焦镜、拉曼谐振腔的前腔镜、拉曼晶体、分光镜、倍频晶体和拉曼谐振腔的后腔镜。所述的基频光源通过抽运拉曼晶体产生受激拉曼光振荡,进一步受激拉曼激光在谐振腔内通过二次谐波过程转化为倍频拉曼激光通过后腔镜输出,本发明利用高精度的热电制冷片来给拉曼晶体及倍频晶体控温,使激光器能在高重复频率下稳定运转,并且采用腔内倍频的频率变换方式,获得高效率激光输出。具有效率高、结构紧凑的特点。

Description

高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器
技术领域
本发明属于激光频率变换技术领域,具体地说是涉及一种高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器。
背景技术
随着激光技术的发展,激光被普遍应用于工业、军事等诸多领域,同时,对特殊波长激光的需求也越来越多。除了寻找新的激光增益介质外,光学材料的非线性频率变换技术也是拓展激光波长的一种有效方法。其中,二次谐波利用的是二阶非线性效应,拉曼利用的是三阶非线性效应,这两者都是实现激光频率变换的有效方法。
其中,二次谐波技术在激光技术领域已经得到普遍应用。按照倍频晶体放置位置的不同,分为腔内倍频和腔外倍频技术。相对于腔外倍频技术,腔内倍频则充分利用了腔内激光功率密度高的优点,易获得高的转换效率。
受激拉曼散射也是实现激光频率变换的重要技术手段,该技术利用拉曼介质对基频光的受激拉曼散射即可实现对激光频率的转换。但是,在通过受激拉曼散射得到所需波长的同时,所需波长的激光易向更高阶次的斯托克斯光转化,降低转换效率。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提出一种高重复频率(kHz)腔内倍频拉曼脉冲激光器,该激光器通过对拉曼晶体及倍频晶体进行高精度温度控制,使激光器能够在高重复频率(kHz)下运转,同时采用腔内倍频的方式,获得高效率激光输出。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种基于腔内倍频的高重复频率拉曼脉冲激光器,其特点在于,包括:基频光源、沿该基频光源的激光输出方向依次是二分之一波片、法拉第隔离器、聚焦镜、拉曼激光器的前腔镜、拉曼晶体、分光镜、倍频晶体和拉曼激光器的后腔镜,所述的拉曼激光器的前腔镜镀有基频光增透膜,一阶斯托克斯光高反膜及其倍频光高反膜,所述的拉曼晶体两端镀有基频光及一阶斯托克斯光增透膜、所述的倍频晶体两端镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光增透膜、所述的拉曼激光器的后腔镜上镀有基频光及二阶斯托克斯光增透膜、一阶斯托克斯光高反膜及其倍频光增透膜,所述的拉曼晶体和倍频晶体的外部利用热电制冷片(TEC)来控温。
所述的基频光源为高重复频率(kHz)脉冲激光器。
所述的倍频晶体选择磷酸盐、硼酸盐倍频晶体中任意一种。
所述的拉曼晶体为固体拉曼介质中任意一种。
所述的后腔镜为平平镜或平凹镜或平凸镜,所述的输出腔镜为平平镜或平凹镜或平凸镜。
所述的聚焦镜为平凸镜或双凸镜,用于将基频光源输出的光聚焦于拉曼晶体中心。
所述的分光镜镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光高反膜。
所述的二分之一波片用来调整基频光的偏振态。
所述的法拉第隔离器为了防止回光对基频光源的器件造成损伤。
本发明的以下优点是:
所述的拉曼晶体及倍频晶体采用高精度TEC散热,使激光器结构紧凑,且能在高重复频率(kHz)下稳定运转。
采用腔内倍频的结构,降低拉曼光在谐振腔内的峰值功率密度,抑制其向更高阶次的斯托克斯光转换,同时提高倍频效率,从而有效地提高激光的转换效率。
附图说明
图1为本发明高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器的结构示意图
其中:1、泵浦源,2、二分之一波片,3、法拉第隔离器,4、聚焦镜,5、拉曼谐振腔前腔镜,6、拉曼晶体,7、倍频晶体,8、分光镜,9、拉曼谐振腔后腔镜
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明,但不应限制此发明的保护范围。
先请参阅图1,图1是本发明高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器的光学系统图,由图可见,本发明高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,包括基频光源1、沿该基频光源1的激光输出方向依次是二分之一波片2、法拉第隔离器3、聚焦镜4、拉曼激光器的前腔镜5、拉曼晶体6、倍频晶体7、分光镜8、拉曼激光器的后腔镜9。
所述的拉曼激光器的前腔镜6镀有基频光增透膜,一阶斯托克斯光高反膜及其倍频光高反膜,所述的拉曼晶体6的两端镀有基频光及一阶斯托克斯光增透膜、所述的倍频晶体8的两端镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光增透膜、所述的拉曼激光器的后腔镜9上镀有基频光及二阶斯托克斯光增透膜、一阶斯托克斯光高反膜及其倍频光增透膜,所述的拉曼晶体6和倍频晶体8的外部利用热电制冷片(TEC)来控温,以达到高的温控精度。
所述的基频光源1为高重复频率脉冲激光器。
所述的倍频晶体8选择磷酸盐、硼酸盐倍频晶体中任意一种。
所述的拉曼晶体6为固体拉曼介质中任意一种。
所述的后腔镜9为平平镜或平凹镜或平凸镜。
所述的聚焦镜4为平凸镜或双凸镜,用于将基频光源1输出的光聚焦于拉曼晶体6中心。
所述的分光镜7镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光高反膜。
所述的二分之一波片2用来调整基频光的偏振态。
所述的法拉第隔离器3为了防止回光对基频光源1器件造成损伤。
下面是本发明一个实施例的参数:
本发明高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,所述的基频光源1为1064nm重复频率为2kHz的单频脉冲激光器,谐振腔的前腔镜5为凹面镜,谐振腔的后腔镜9为平镜,谐振腔的前腔镜5镀有1064nm增透膜、1240nm高反膜、620nm高反膜,谐振腔的后腔镜9镀有1064nm增透膜、1240nm高反膜、620nm增透膜、1485nm增透膜,分光镜7镀有1240nm增透膜、620nm高反膜。拉曼晶体6为4*1.2*7mm3的金刚石晶体,两端镀有1064nm及1240nm增透膜,倍频晶体8为4*4*10mm3的三硼酸锂(LBO)晶体两端镀有1240nm及620nm增透膜,切割角度为θ=85.8°和φ=0°,采用I类相位匹配方式,最佳匹配温度为37.1℃。
实验表明,本发明高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,通过对拉曼晶体及倍频晶体进行高精度温度控制,使激光器能够在高重复频率(kHz)下运转,同时采用腔内倍频的方式,获得高效率激光输出。

Claims (9)

1.一种高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于,包括基频光源(1)、沿该基频光源(1)的激光输出方向依次是二分之一波片(2)、法拉第隔离器(3)、聚焦镜(4)、拉曼激光器的前腔镜(5)、拉曼晶体(6)、分光镜(7)、倍频晶体(8)和拉曼激光器的后腔镜(9),
所述的拉曼激光器的前腔镜(5)镀有基频光增透膜、一阶斯托克斯光高反膜及倍频光高反膜,所述的拉曼晶体(6)的两端镀有基频光及一阶斯托克斯光增透膜,所述的倍频晶体(8)的两端镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光增透膜,所述的拉曼激光器的后腔镜(9)上镀有基频光、二阶斯托克斯光增透膜、一阶斯托克斯光高反膜及倍频光增透膜,所述的拉曼晶体(6)和倍频晶体(8)的外部利用热电制冷片(TEC)来控温。
2.按照权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的基频光源(1)为高重复频率脉冲激光器,重复频率达到kHz以上。
3.按照权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的倍频晶体(8)选择磷酸盐、硼酸盐倍频晶体中任意一种。
4.按照权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的拉曼晶体(6)为固体拉曼介质中任意一种。
5.根据权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的拉曼激光器的后腔镜(9)为平平镜或平凹镜或平凸镜。
6.根据权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的聚焦镜(4)为平凸镜或双凸镜,用于将基频光源(1)输出的光聚焦于拉曼晶体(6)的中心。
7.根据权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的分光镜(7)镀有一阶斯托克斯光增透膜及其倍频光高反膜。
8.根据权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的二分之一波片(2)用来调整基频光的偏振态。
9.根据权利要求1所述的高重复频率腔内倍频的拉曼脉冲激光器,其特征在于所述的法拉第隔离器(3)为了防止回光对基频光源(1)的器件造成损伤。
CN202110597961.5A 2021-05-31 2021-05-31 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器 Pending CN113346349A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110597961.5A CN113346349A (zh) 2021-05-31 2021-05-31 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110597961.5A CN113346349A (zh) 2021-05-31 2021-05-31 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113346349A true CN113346349A (zh) 2021-09-03

Family

ID=77472319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110597961.5A Pending CN113346349A (zh) 2021-05-31 2021-05-31 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113346349A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101308991A (zh) * 2008-06-30 2008-11-19 山东大学 耦合腔式拉曼倍频全固体黄光激光器
CN105140775A (zh) * 2015-07-16 2015-12-09 山东大学 一种1.2μm波长全固态拉曼激光器
CN105305205A (zh) * 2015-10-26 2016-02-03 天津大学 一种基于不同拉曼频移的1230nm自拉曼激光器
CN206595543U (zh) * 2017-02-13 2017-10-27 天津大学 一种双晶体复合增益的内腔拉曼黄光激光器
CN109286127A (zh) * 2018-12-14 2019-01-29 烟台大学 大功率577nm-579nm固体拉曼黄光激光器
CN111900606A (zh) * 2020-07-24 2020-11-06 山东省科学院激光研究所 一种高功率大能量黄光拉曼激光器系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101308991A (zh) * 2008-06-30 2008-11-19 山东大学 耦合腔式拉曼倍频全固体黄光激光器
CN105140775A (zh) * 2015-07-16 2015-12-09 山东大学 一种1.2μm波长全固态拉曼激光器
CN105305205A (zh) * 2015-10-26 2016-02-03 天津大学 一种基于不同拉曼频移的1230nm自拉曼激光器
CN206595543U (zh) * 2017-02-13 2017-10-27 天津大学 一种双晶体复合增益的内腔拉曼黄光激光器
CN109286127A (zh) * 2018-12-14 2019-01-29 烟台大学 大功率577nm-579nm固体拉曼黄光激光器
CN111900606A (zh) * 2020-07-24 2020-11-06 山东省科学院激光研究所 一种高功率大能量黄光拉曼激光器系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101741000B (zh) 以级联超晶格为变频晶体的黄光激光器
CN107046222B (zh) 一种实现相近双波长输出的内腔光学参量振荡器
CN103618205A (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
US20130294465A1 (en) HIGHLY EFFICIENT 3rd HARMONIC GENERATION IN Nd: YAG LASER
CN113629482B (zh) 一种亚纳秒绿光激光器
CN101777726A (zh) 一种二极管端面泵浦全固态紫外激光器
CN101777724B (zh) 端面泵浦双波长同轴切换输出调q基频、倍频激光器
CN111180987B (zh) 一种功率比例可调的正交偏振双波长激光器
US10642127B1 (en) Single Crystal optical parametric amplifier
CN102157892A (zh) 一种大功率紫外激光器
CN202888602U (zh) 一种二极管端面泵浦全固态紫外激光器
CN112615238A (zh) 一种大能量高效率全固态绿光激光器
CN104269728A (zh) 一种固态紫外激光器由半导体激光器
CN104218440A (zh) 半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器
CN102738695A (zh) 半导体二极管侧面泵浦腔内倍频紫外激光器及其方法
CN216981120U (zh) 基于cpa技术的碟片介质高能量超短脉冲激光再生放大器
CN101345389A (zh) 全固态五波长同时输出的激光装置及五波长激光产生方法
CN100438232C (zh) Ld侧面泵浦准连续高功率红、绿双波长激光器
CN113346349A (zh) 高重复频率腔内倍频脉冲拉曼激光器
CN201766283U (zh) 半导体泵浦固体激光器被动调q试验装置
CN112736638B (zh) 全光纤窄线宽纳秒可调谐绿光激光器
CN111541141A (zh) 一种用于KrF准分子激光器基于翠绿宝石晶体的248nm单频全固态深紫外种子激光器
CN202749676U (zh) 一种端面泵浦双波长同轴切换输出激光器
CN102522691A (zh) 采用直线腔的掺钕连续紫外激光器
CN105006737A (zh) 基于磷酸钛氧铷晶体的电光、倍频功能复合的绿光激光器及其工作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210903