CN113345854A - 一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，涉及半导体技术领域。该一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，包括半导体主板，半导体主板底部固定安装有支腿，两个支腿间设置有旋转连接座，支腿与旋转连接座内部设置有锁紧装置，旋转连接座底部设置有螺纹座，螺纹座远离旋转连接座的一侧设置有支撑杆，支撑杆外表壁设置有套环风扇，旋转连接座下端设置有电极头，电极头内部设置有导气管，电极头外表壁开设有气孔，半导体主板内部开设有收纳槽。本发明结构简单，使用时可有效降低电极吸附污染物的现象，还能对半导体存放和使用时起到保护，提高半导体使用寿命的作用，适宜推广。

Description

一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件。

背景技术

随着半导体元件性能的不断挖掘，半导体元件的制作已成为近年来最受重视的领域之一。目前，半导体元件的电极结构主要为金或铝，当半导体器件的焊线区域裸露在空气中时，空气中的一些污染物质很容易吸附在电极表面从而造成污染，因此我们提出一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件。

现有技术存在以下缺陷或问题：

1、现有的半导体在使用时，电极表面会产生吸附力，电极在长时间使用后易沾染大量污染物，导致半导体在使用时出现接触不良；

2、现有的半导体在存放时，由于引脚过长，以出现引脚断裂，从而影响半导体品质；

3、现有的半导体在使用时，半导体主板处未设有保护装置，进而导致半导体在使用时易出现破损或漏水现象，从而烧毁半导体，降低了半导体的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，以解决背景技术中所提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，包括半导体主板，所述半导体主板底部固定安装有支腿，所述两个支腿间设置有旋转连接座，所述支腿与旋转连接座内部设置有锁紧装置，所述旋转连接座底部设置有螺纹座，所述螺纹座远离旋转连接座的一侧设置有支撑杆，所述支撑杆外表壁设置有套环风扇，所述旋转连接座下端设置有电极头，所述电极头内部设置有导气管，所述电极头外表壁开设有气孔，所述半导体主板内部开设有收纳槽。

作为本发明的优选技术方案，所述半导体主板内部位于收纳槽的两侧设置有旋转装置，所述旋转装置包括插杆和转动套环，所述转动套环的内径尺寸与插杆的外径尺寸相匹配，所述转动套环与插杆转动设置。

作为本发明的优选技术方案，所述半导体主板顶部设置有保护壳膜，所述保护壳膜内部设置有伸缩龙骨，所述保护壳膜为抗压防水材质。

作为本发明的优选技术方案，所述保护壳膜远离半导体主板的一侧设置有连接装置，所述连接装置包括第一连接块、弹性连接头、第二连接块、连接槽和挤压块，所述弹性连接头的外宽略大于连接槽的内管，所述弹性连接头为T性设置。

作为本发明的优选技术方案，所述锁紧装置包括第一伸缩管、轴承、贴合块、固定螺孔、第二伸缩管、螺纹管和旋钮，所述第一伸缩管与第二伸缩管滑动连接，所述第一伸缩管通过轴承与贴合块转动设置，所述固定螺孔的数量为若干个。

作为本发明的优选技术方案，所述螺纹座的外径尺寸与电极头的内径尺寸相匹配，所述套环风扇通过支撑杆和旋转连接座与电极头电性连接，所述支撑杆、旋转连接座和电极头均为金属材质。

作为本发明的优选技术方案，所述气孔的数量为若干个，所述气孔为下小上大分布。

作为本发明的优选技术方案，所述收纳槽的数量与旋转连接座的数量相匹配，所述旋转连接座的外径尺寸与收纳槽的内径尺寸相匹配。

与现有技术相比，本发明提供了一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，具备以下有益效果：

1、该一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，通过设置电极头、导气管、气孔、螺纹座、支撑杆和套环风扇，使用时，电极头、螺纹座和支撑杆可起到电流的导通作用，进而启动套环风扇，为电机去除污染物提供动力，而导气管和气孔可对气流进行引流作用，将套环风扇产生的气流顺利接引至电极头表面，从而去除电机吸附污染物的现象；

2、该一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，通过设置支腿、旋转连接座、第一伸缩管、第二伸缩管、轴承、螺纹管、旋钮和收纳槽，使用时，通过围绕第一伸缩管转动旋转连接座，使螺纹座与收纳槽对接，收纳槽可降低螺纹座存放时的损伤，同时拧动旋钮，使第二伸缩管收缩进第一伸缩管内部，从而固定旋转连接座在支腿内部，降低半导体在存放时的损伤情况，提高半导体的品质；

3、该一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，通过设置旋转装置、插杆、旋转套环、保护壳膜、伸缩龙骨、连接装置、弹性连接头、连接槽和挤压块，使用时，通过旋转转动套环，使两对保护壳膜对接，保护壳膜可降低半导体主板受到的损伤，此时将弹性连接头插接进连接槽内部，进而固定保护壳膜，降低半导体在使用时的损伤及漏水现象。

附图说明

图1为本发明主体结构示意图；

图2为本发明电极头内部结构示意图；

图3为本发明螺纹座连接结构示意图；

图4为本发明锁紧装置结构示意图；

图5为本发明套环风扇结构示意图；

图6为本发明旋转装置结构示意图；

图7为本发明保护壳膜结构示意图；

图8为本发明连接装置结构示意图。

图中：1、半导体主板；2、支腿；3、旋转连接座；4、锁紧装置；401、第一伸缩管；402、轴承；403、贴合块；404、固定螺孔；405、第二伸缩管；406、螺纹管；407、旋钮；5、螺纹座；6、支撑杆；7、套环风扇；8、电极头；9、导气管；10、气孔；11、收纳槽；12、旋转装置；1201、插杆；1202、转动套环；13、保护壳膜；14、伸缩龙骨；15、连接装置；1501、第一连接块；1502、弹性连接头；1503、第二连接块；1504、连接槽；1505、挤压块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

请参阅图1-8，一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，包括半导体主板1，半导体主板1底部固定安装有支腿2，两个支腿2间设置有旋转连接座3，支腿2与旋转连接座3内部设置有锁紧装置4，旋转连接座3底部设置有螺纹座5，螺纹座5远离旋转连接座3的一侧设置有支撑杆6，支撑杆6外表壁设置有套环风扇7，旋转连接座3下端设置有电极头8，电极头8内部设置有导气管9，电极头8外表壁开设有气孔10，半导体主板1内部开设有收纳槽11，将电极头8沿螺纹座5旋转至旋转连接座底部，并对半导体进行充电，此时套环风扇7开始工作，从而能够去除电机头8的污染物，进而减少半导体在使用时接触不良现象。

进一步的，气孔10的数量为若干个，气孔10为下小上大分布，能够起到气流的均匀扩散，从而更加有效去除电极头8表面污染物的作用。

在进一步的，螺纹座5的外径尺寸与电极头8的内径尺寸相匹配，套环风扇7通过支撑杆6和旋转连接座3与电极头8电性连接，支撑杆6、旋转连接座3和电极头8均为金属材质，起到使用时套环风扇7的自动启动，进而提供去除污染物动力的作用。

实施例二：

请参阅图1-8，一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，半导体主板1内部位于收纳槽11的两侧设置有旋转装置12，旋转装置12包括插杆1201和转动套环1202，转动套环1202的内径尺寸与插杆1201的外径尺寸相匹配，转动套环1202与插杆1201转动设置，使用时，旋转转动套环1202可对保护壳膜13进行收缩和展开，便于保护半导体在使用时的防护。

进一步的，半导体主板1顶部设置有保护壳膜13，保护壳膜13内部设置有伸缩龙骨14，保护壳膜13为抗压防水材质。

在进一步的，保护壳膜13远离半导体主板1的一侧设置有连接装置15，连接装置15包括第一连接块1501、弹性连接头1502、第二连接块1503、连接槽1504和挤压块1505，弹性连接头1502的外宽略大于连接槽1504的内管，弹性连接头1502为T性设置，使用时将弹性连接头1502插接进连接槽1504内部，可起到对保护壳膜13的固定作用。

实施例三：

请参阅图1-8，一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，锁紧装置4包括第一伸缩管401、轴承402、贴合块403、固定螺孔404、第二伸缩管405、螺纹管406和旋钮407，第一伸缩管401与第二伸缩管405滑动连接，第一伸缩管401通过轴承402与贴合块403转动设置，固定螺孔404的数量为若干个，使用时，围绕第一伸缩管401转动旋转连接座3，使旋转连接座3从支腿2内部旋出，便于对旋转连接座3的保护，减少半导体在存放的损坏，同时转动旋钮401可起到对旋转连接座3的固定作用。

进一步的，收纳槽11的数量与旋转连接座3的数量相匹配，旋转连接座3的外径尺寸与收纳槽11的内径尺寸相匹配，使用时，收纳槽11可收纳螺纹座5，加强对半导体引脚的保护作用。

本发明的工作原理及使用流程：该一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，使用时，将旋转连接座3围绕第一伸缩管401进行旋转，使螺纹座5旋出收纳槽11，此时将电极头8沿螺纹座5旋接至旋转连接座底部，当半导体开始工作时，此时电流经过电极头8、螺纹座5和支撑杆6传递至套环风扇7，从而带动套环风扇7工作，并通过导气管9和气孔10将气流引导至电极头表面，去除电机吸附污染物的现象，在通过旋转转动套环，使两对保护壳膜13对接，此时将弹性连接头1502插接进连接槽1504内部，进而固定保护壳膜13，降低半导体在使用时的损伤及漏水现象。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：包括半导体主板（1），所述半导体主板（1）底部固定安装有支腿（2），所述两个支腿（2）间设置有旋转连接座（3），所述支腿（2）与旋转连接座（3）内部设置有锁紧装置（4），所述旋转连接座（3）底部设置有螺纹座（5），所述螺纹座（5）远离旋转连接座（3）的一侧设置有支撑杆（6），所述支撑杆（6）外表壁设置有套环风扇（7），所述旋转连接座（3）下端设置有电极头（8），所述电极头（8）内部设置有导气管（9），所述电极头（8）外表壁开设有气孔（10），所述半导体主板（1）内部开设有收纳槽（11）。

2.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述半导体主板（1）内部位于收纳槽（11）的两侧设置有旋转装置（12），所述旋转装置（12）包括插杆（1201）和转动套环（1202），所述转动套环（1202）的内径尺寸与插杆（1201）的外径尺寸相匹配，所述转动套环（1202）与插杆（1201）转动设置。

3.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述半导体主板（1）顶部设置有保护壳膜（13），所述保护壳膜（13）内部设置有伸缩龙骨（14），所述保护壳膜（13）为抗压防水材质。

4.根据权利要求3所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述保护壳膜（13）远离半导体主板（1）的一侧设置有连接装置（15），所述连接装置（15）包括第一连接块（1501）、弹性连接头（1502）、第二连接块（1503）、连接槽（1504）和挤压块（1505），所述弹性连接头（1502）的外宽略大于连接槽（1504）的内管，所述弹性连接头（1502）为T性设置。

5.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述锁紧装置（4）包括第一伸缩管（401）、轴承（402）、贴合块（403）、固定螺孔（404）、第二伸缩管（405）、螺纹管（406）和旋钮（407），所述第一伸缩管（401）与第二伸缩管（405）滑动连接，所述第一伸缩管（401）通过轴承（402）与贴合块（403）转动设置，所述固定螺孔（404）的数量为若干个。

6.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述螺纹座（5）的外径尺寸与电极头（8）的内径尺寸相匹配，所述套环风扇（7）通过支撑杆（6）和旋转连接座（3）与电极头（8）电性连接，所述支撑杆（6）、旋转连接座（3）和电极头（8）均为金属材质。

7.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述气孔（10）的数量为若干个，所述气孔（10）为下小上大分布。

8.根据权利要求1所述的一种可抑制电极表面污染物吸附的半导体元件，其特征在于：所述收纳槽（11）的数量与旋转连接座（3）的数量相匹配，所述旋转连接座（3）的外径尺寸与收纳槽（11）的内径尺寸相匹配。

Images