CN113329555A - 一种驻波加速管以及加速装置 - Google Patents

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CN113329555A CN202110545407.2A CN202110545407A CN113329555A CN 113329555 A CN113329555 A CN 113329555A CN 202110545407 A CN202110545407 A CN 202110545407A CN 113329555 A CN113329555 A CN 113329555A
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杨京鹤
崔爱军
朱志斌
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Abstract

本申请实施例公开了一种驻波加速管以及加速装置,包括:包括聚束结构的第一本体;第二本体,第二本体具有多个第一边耦合腔以及多个沿轴向分布的加速腔,一个第一边耦合腔与两个相邻的加速腔耦合;波导;桥式耦合器,桥式耦合器配置为将波导馈入的射频功率分配到聚束结构以及加速腔中;设置在桥式耦合器上的能量开关,能量开关能够使得加速腔的加速效果减弱或者消失;束流管,束流管的两端分别与首位的加速腔以及聚束结构连通;以及第一聚焦线圈,第一聚焦线圈设置在束流管上。本申请实施例的一种驻波加速管以及加速装置,具有能输出keV级粒子束以及MeV级粒子束、提高低能射线剂量率、减少空间占用体积的优点。

Description

一种驻波加速管以及加速装置
技术领域
本申请涉及加速器技术领域,尤其涉及一种驻波加速管以及加速装置。
背景技术
现有技术中,电子直线加速管可分为行波加速管和驻波加速管,驻波加速管的加速效率一般要高于行波加速管。医用电子直线加速器是目前实现放射治疗的主要设备,加速管是其中的核心部件,通常使用驻波加速管将电子加速至所需能量,然后输出治疗用的射线。临床治疗时需要先对患者进行摆位,以验证治疗计划,一般先利用keV级射线进行成像,然后再利用MeV级射线进行治疗。目前,大多数医用加速器采用两套垂直安装的射线系统,一套输出keV级射线,一套输出MeV级射线,分别进行成像和治疗,由于这两套系统不同源,容易造成摆位和治疗过程中的系统误差,影响治疗效果。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例期望提供一种驻波加速管以及加速装置,以解决现有技术中无法切换keV级射线以及MeV级射线的问题。
为达到上述目的,本申请实施例的技术方案是这样实现的:
一种驻波加速管,包括:包括聚束结构的第一本体;第二本体,所述第二本体具有多个第一边耦合腔以及多个沿轴向分布的加速腔,一个所述第一边耦合腔与两个相邻的所述加速腔耦合;波导;桥式耦合器,所述桥式耦合器配置为将所述波导馈入的射频功率分配到所述聚束结构以及所述加速腔中;设置在所述桥式耦合器上的能量开关,所述能量开关能够使得所述加速腔的加速效果减弱或者消失;束流管,所述束流管的两端分别与首位的所述加速腔以及所述聚束结构连通;以及第一聚焦线圈,所述第一聚焦线圈设置在所述束流管上。
进一步地,所述桥式耦合器包括依次连通的第二边耦合腔、中心腔以及第三边耦合腔,所述波导与所述中心腔耦合;所述第二边耦合腔与所述聚束结构耦合,首位的所述加速腔与所述第三边耦合腔耦合;所述能量开关可动的设置在所述第三边耦合腔内,所述能量开关通过使得所述第三边耦合腔失谐以使得所述加速腔的加速效果减弱或者消失。
进一步地,所述聚束结构包括第一聚束腔、第二聚束腔以及第四边耦合腔,所述第四边耦合腔分别与所述第一聚束腔以及所述第二聚束腔耦合,所述第二边耦合腔与所述第二聚束腔耦合;所述第二聚束腔与所述束流管的其中一端连通;沿束流的流动方向,束流依次经过所述第一聚束腔、所述第二聚束腔、所述束流管、首位的所述加速腔、中间的所述加速腔以及末位的所述加速腔。
进一步地,所述桥式耦合器第一隔板、第二隔板以及壳体;所述第一隔板与所述第二隔板间隔的设置在所述壳体内以分隔出所述第二边耦合腔、所述中心腔以及所述第三边耦合腔;所述第一隔板具有连通所述第二边耦合腔与所述中心腔的第一耦合孔,所述第二隔板具有连通所述第三边耦合腔与所述中心腔的第二耦合孔。
进一步地,沿所述壳体的轴向投影,所述第一耦合孔与所述第二耦合孔错位设置。
进一步地,所述第一本体、所述束流管以及所述第二本体同轴设置,所述桥式耦合器的轴线与所述束流管的轴线平行,所述桥式耦合器与所述束流管之间形成有间隙。
进一步地,所述第一聚焦线圈为电磁铁。
进一步地,所述能量开关为金属棒或者金属板。
进一步地,所述能量开关完全插入所述第三边耦合腔,所述能量开关的横截面积小于所述第三边耦合腔的横截面积。
进一步地,所述驻波加速管包括第二聚焦线圈,所述第二聚焦线圈设置在至少一个所述加速腔的外周侧。
一种加速装置,包括电子枪以及上述的驻波加速管,所述电子枪与聚束结构连接。
本申请实施例的一种驻波加速管以及加速装置通过设置具有聚束结构的第一本体、具有多个沿轴向分布的加速腔的第二本体、桥式耦合器、束流管、能量开关以及第一聚焦线圈。能量开关设置在桥式耦合器上,束流管的两端分别与首位的加速腔以及聚束结构连通;能量开关能够使得加速腔的加速效果减弱或者消失,能量开关处于第一工作状态下,粒子束流在加速腔中不再加速或者减速,由此可以实现输出能级较低的keV级粒子束。第二工作状态下,加速腔中正常工作,加速腔可建立预设的加速电场,由此可以实现输出能级较高的MeV级粒子束。
第一聚焦线圈使得从聚束结构中完成初步的加速以及聚束的粒子束流在束流管中得到沿横向的聚焦作用力。经过聚束结构的纵向聚束和第一聚焦线圈的沿横向的聚焦作用力后,粒子束流在后续加速过程中会降低束流损失、提高束流品质,同时通过合理控制聚焦磁场大小,可以降低keV级低能粒子束损失并实现较小的靶点,从而提高低能射线剂量率。
此外,第一聚焦线圈同心设置在束流管上,对安装尺寸的要求非常小,且上方是桥式耦合器,对驻波加速管整体尺寸没有影响,有利于充分利用体积,在满足性能的前提下,减少驻波加速管的空间占用体积。
附图说明
图1为本申请实施例的一种加速装置的结构示意图;
图2为图1的正面剖视图;
图3为图2的A-A剖视图;
图4为本申请另一实施例加速装置的结构示意图;
图5为本申请实施例的桥式耦合器的结构示意图,其中省略了桥式耦合器两端板,并剖开四分之一以露出内部结构;
图6为图5的桥式耦合器的另一视角的视图;
图7为能量开关在第一工作状态下的驻波加速管的轴向电场分布示意图;
图8为能量开关在第二工作状态下的驻波加速管的轴向电场分布示意图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的技术特征可以相互组合,具体实施方式中的详细描述应理解为本申请的解释说明,不应视为对本申请的不当限制。
在本申请实施例的描述中,“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”方位或位置关系为基于附图2所示的方位或位置关系,需要理解的是,这些方位术语仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
如图1至图6所示,一种加速装置,包括电子枪9以及驻波加速管。电子枪9用于发射粒子束流等。可以理解,该电子枪9可以更换为其他粒子源,本申请各个实施例的粒子束流包括但不限于电子束。驻波加速管包括:第一本体1、第二本体2、波导3、桥式耦合器4、束流管5、能量开关7以及第一聚焦线圈6。
其中,第一本体1具有聚束结构12,聚束结构12沿轴向的长度相对较短。电子枪9与聚束结构12连接。
第二本体2具有多个第一边耦合腔22以及多个沿轴向分布的加速腔21。一个第一边耦合腔22与两个相邻的加速腔21耦合。通常,第一边耦合腔22的数量不低于两个,加速腔21的数量不低于三个。在图2所示出的非限定性实施例中,第二本体2包括四个加速腔21,依次是首位的加速腔21a、中间的两个加速腔21b,以及末位的加速腔21c,第一边耦合腔22有三个,分别依次连通相邻的加速腔21。在另一非限定性实施例中,第二本体2可以包括更多或者更少的加速腔21以及第一边耦合腔22。
波导3用于馈入射频功率,桥式耦合器4配置为将波导3馈入的射频功率分配到聚束结构12以及加速腔21中。能量开关7设置在桥式耦合器4上。能量开关7具有第一工作状态以及第二工作状态。
其中,第一工作状态下,能量开关7能够使得加速腔21的加速效果减弱或者消失,也即是通过能量开关7使得波导3馈入的射频功率无法正常的分配到加速腔21a中,第二本体2加速腔21a、加速腔21b、加速腔21c等的电场分布也发生改变,整个第二本体2的输出能量能够被改变,能量开关7处于第一工作状态下,粒子束流在加速腔21(21a、21b、21c)中不再加速或者减速,由此可以实现输出能级较低的keV级粒子束。第二工作状态下,加速腔21中正常工作,加速腔21可建立预设的加速电场,由此可以实现输出能级较高的MeV级粒子束。需要理解的是,能量开关7处于第一工作状态下,不会影响波导3馈入的射频功率正常的分配到聚束结构12中。
在能量开关7处于第二工作状态下,聚束结构12以及加速腔21中建立沿轴向的加速电场。在图2和图4所示出的非限定性实施例中,波导3馈入的射频功率进入首位的加速腔21a中,再通过第一边耦合腔22依次进入中间的加速腔21b以及末位的加速腔21c从而建立加速电场。
束流管5的两端分别与首位的加速腔21以及聚束结构12连通;建立连接第一本体1与第二本体2的加速通道。
沿束流的流动方向,束流依次经过聚束结构12、束流管5、首位的加速腔21a、中间的加速腔21b以及末位的加速腔21c。电子枪9发射出的低能的粒子束流通过加速管124进入聚束结构12中完成初步的加速以及纵向聚束,然后通过束流管5进入首位的加速腔21a、并依次通过中间的加速腔21b,从末位的加速腔21c中完成加速后从加速腔21c的另一端射出。加速腔21c的另一端通常连接X射线转换靶91,以将粒子束流转换为X射线。
需要理解的是,虽然带有这些能量开关7的驻波加速管可以输出MeV级和keV级粒子束,但是由于缺少横向的聚焦力,keV级低能粒子束速度低,空间电荷力等作用效果更强,在后面较长的一段加速腔21中传输时,低能粒子束流的包络和靶点大小则不易控制,最终影响keV级射线剂量率。将第一聚焦线圈6设置在束流管5上,使得从聚束结构12中完成初步的加速以及聚焦的粒子束流在束流管5中得到沿横向的聚焦作用力。经过聚束结构12的纵向聚束和第一聚焦线圈6的沿横向的聚焦作用力后,粒子束流在后续加速到MeV级能量过程中束流损失会降低、束流品质将提高,同时通过合理控制聚焦磁场大小,可以降低keV级低能粒子束损失并实现较小的靶点,从而提高低能射线剂量率。由于束流管5直径较小,第一聚焦线圈6同心设置在束流管5上,对安装尺寸的要求非常小,且上方是桥式耦合器4,对驻波加速管整体尺寸没有影响,在满足性能的前提下,有利于充分利用体积,减少驻波加速管的空间占用体积。
一种可能的实施例,如图2至图6所示,桥式耦合器4包括依次连通的第二边耦合腔41、中心腔42以及第三边耦合腔43。波导3与中心腔42耦合;第二边耦合腔42与聚束结构12耦合,首位的加速腔21与第三边耦合腔43耦合;由此将波导3馈入的射频功率从中心腔42分配到第二边耦合腔41以及第三边耦合腔43,进而分配到聚束结构12以及加速腔21中。能量开关7可动的设置在第三边耦合腔43内。能量开关7通过使得第三边耦合腔43失谐,波导3馈入的射频功率无法正常的分配到第三边耦合腔43中,进而使得射频功率无法正常的分配到加速腔21a中,最终使得加速腔21的加速效果减弱或者消失。
能量开关7可为金属棒或者金属板。以金属板为例,能量开关7完全插入第三边耦合腔43,能量开关7的横截面积应当小于第三边耦合腔43的横截面积。
第二工作状态下,能量开关7向外逐渐退出第三边耦合腔43到达预定位置,例如退至第三边耦合腔43的上方腔壁穹顶,加速腔21中正常工作,以完成对粒子束流的加速。在图7所示出的非限定性实施例中,其电场分布如图,横坐标指的是加速腔与原点的距离,纵坐标依次指的是聚束结构12的第一聚束腔121(下文提及)、第二聚束腔122(下文提及)、以及各加速腔21的电场。
第一工作状态下,能量开关7向内插入第三边耦合腔43,使第三边耦合腔43逐渐失谐;能量开关7到达预定位置,例如抵触在第三边耦合腔43的下方腔壁上,第三边耦合腔43失谐。能量开关7在第一工作状态下,桥式耦合器4仅向第二聚束腔122中提供功率,此时工作频率由第二聚束腔122决定,而第二聚束腔122和加速腔21的频率相同,所以能量开关使用前后对工作频率影响较小。
第三边耦合腔43的部分或完全失谐能够使得与第三边耦合腔43耦接的加速腔21a无法正常获得馈入的射频功率,进而能够改变加速腔21a的电场分布。第三边耦合腔43部分失谐的情况下,加速腔21中建立的电场非常弱,此时加速腔21对粒子束流不加速。第三边耦合腔43完全失谐的情况下,加速腔21中建立的电场对粒子束流减速。在图8所示出的非限定性实施例中,通过调节能量开关7的形状、位置可以使得加速腔21a中建立相位相反的电场,对比图7和图8的电场分布即可知道此时加速腔21对粒子束流减速,有利于输出keV级粒子束。
需要理解的是,能量开关7的动作需要一个动作元件(未标出)提供动力,动作元件通常可以是电机或马达。但如果能量开关7采用电机控制,电机本身的磁场会对粒子束流产生干扰。因此,动作元件可以为气缸。采用气动控制能量开关7的动作。气源可来源于例如外部空气压缩机。仅为示例而非限定,能量开关7的活塞末端波纹管外部可安装有气缸,气缸内可安装有电磁阀门,能量开关组件的位置控制可依靠机械限位或传感器来实现以提高开关控制的精度,尤其是在能量开关7被完全从第三边耦合腔43中抽出时的到位精度。动作元件上可安装有两个传感器,这两个传感器用于检测是否到达预定位置,到达预定位置后即控制动作元件停止动作。
一种可能的实施例,如图2至图6所示,聚束结构12包括第一聚束腔121、第二聚束腔122以及第四边耦合腔123,第四边耦合腔123通过边耦合口123a分别与第一聚束腔121以及第二聚束腔122耦合,第二边耦合腔42与第二聚束腔122耦合;第二聚束腔122与束流管5的其中一端连通;第一聚束腔121远离第二聚束腔122的一侧连接电子枪9。
沿束流的流动方向,束流依次经过第一聚束腔121、第二聚束腔122、束流管5、首位的加速腔21a、中间的加速腔21b以及末位的加速腔21c。电子枪9发射出的低能的粒子束流通过加速管124依次进入第一聚束腔121以及第二聚束腔122,完成初步的加速以及纵向聚束,然后通过束流管5进入首位的加速腔21a、并依次通过中间的加速腔21b,从末位的加速腔21c中完成加速后从加速腔21c的另一端射出,实现完整的加速过程。
其中,能量开关7无论在第一工作状态还是第二工作状态,波导3馈入的射频功率均通过第二边耦合腔42馈入第二聚束腔122中,再通过第四边耦合腔123馈入第一聚束腔121中,以建立相应的加速电场。
一种可能的实施例,如图1至图6所示,桥式耦合器4包括第一隔板44、第二隔板45以及壳体46。壳体46通常为两端封闭的圆柱形壳体。第一隔板44与第二隔板45沿横截面间隔的设置在壳体46内以分隔出第二边耦合腔41,、中心腔42以及第三边耦合腔43。横截面定义为垂直于壳体46的轴线46a的面。
具体地,第一隔板44、第二隔板45与圆柱壳体46围设形成中心腔42,第一隔板44与圆柱壳体46围设形成第二边耦合腔41,第二边耦合腔41通过边耦合口41a与第二聚束腔122耦合。第二隔板45与圆柱壳体46围设形成第三边耦合腔43,第三边耦合腔43通过边耦合口43a与首位的加速腔21a耦合。
第一隔板44具有连通第二边耦合腔41与中心腔42的第一耦合孔441,第二隔板45具有连通第三边耦合腔43与中心腔42的第二耦合孔451,波导3馈入的的射频功率传输到中心腔42中,再分别通过第一耦合孔441与第二耦合孔451传输到第二边耦合腔41与第三边耦合腔43中。其中,能量开关7处于第一工作状态下,波导3馈入的的射频功率从中心腔42通过第二耦合孔451馈入到第三边耦合腔43中,第三边耦合腔43失谐,传输到首位的加速腔21a,进而使得加速腔21内部的电场发生改变,加速腔21对粒子束流的加速效果减弱甚至为减速。
需要理解的是,第一耦合孔441与第二耦合孔451的形状以及数量均是多种多样的。参考图5和图6所示的非限定性的实施例中,第一耦合孔441与第二耦合孔451可以是具有一定弧度的腰形孔;在第一隔板44上对称的设置了两个第一耦合孔441,在第二隔板45上对称的设置了两个第二耦合孔451。在其他一些非限定性的实施例中,第一隔板44上可以设置一个或者多个的第一耦合孔441,第一耦合孔441的形状可以为圆孔、椭圆孔、方孔等;类似的,在第二隔板45上可以设置一个或者多个的第二耦合孔451,其形状可以为圆孔、椭圆孔、方孔等。
一种可能的实施例,如图1至图6所示,沿壳体46的轴向投影,第一耦合孔441与第二耦合孔451错位设置,以使得第二边耦合腔41与第三边耦合腔43的次临近耦合基本为零,即防止第二边耦合腔41与第三边耦合腔43相互串扰,进而方便桥式耦合器4的中心腔42分别向第二聚束腔122以及首位的加速腔21a馈入射频功率,而不会互相影响。
需要理解的是,错位的设置方式有多种,参考图5和图6所示的非限定性的实施例中,沿壳体46的轴向投影,第一耦合孔441与第二耦合孔451错位90°,使得射频功率无法沿一个直线方向穿过第二边耦合腔41、中心腔42以及第三边耦合腔43,此时桥式耦合器4相当于分别向第二聚束腔122以及首位的加速腔21a中传输功率。在其他一些非限定性的实施例中,第一耦合孔441与第二耦合孔451的大小可以缩放、数量可以增减、其错位角度可以为30°-90°,优选的是90°、60°以及45°。
一种可能的实施例,如图1至图6所示,第一本体1、束流管5以及第二本体2同轴设置,桥式耦合器4的轴线46a与束流管5的轴线5a平行,桥式耦合器4与束流管5之间形成有间隙51,即束流管5间隔的设置在桥式耦合器4的下方,两者之间的间隙51可以供第一聚焦线圈6放置,精简结构,节约空间。第一聚焦线圈6的数量可以为一个或者多个,一个的情况下,第一聚焦线圈6可以从束流管5一端连续延伸到另外一端,也即是第一本体1和第二本体2之间;第一聚焦线圈6与第一本体1和第二本体2之间也可以保留一定的间隙。如果是多个第一聚焦线圈6,其可以在轴向上两两间隔开或者连续地布置在束流管5上。通常情况下,第一聚焦线圈6两端及周围可以安装有磁屏蔽材料,以防止对其他元件产生影响。第一聚焦线圈6通常为电磁铁,也可以由其他可产生磁场的元件来代替。
一种可能的实施例,如图1至6所示,驻波加速管包括第二聚焦线圈8,第二聚焦线圈8设置在至少一个加速腔21的外周侧。第二聚焦线圈8用于对加速腔21的粒子束流进行进一步的沿横向的聚焦。从而降低粒子束流损失、提高束流品质,并通过与第一聚焦线圈6的配合,合理控制聚焦磁场大小,降低keV级低能粒子束流的损失并实现较小的靶点。
在图4所示出的非限定性实施例中,第二聚焦线圈8为两组,分别间隔的设置在加速腔21的腔壁内,以减小体积。在其他一些非限定性实施例中,第二聚焦线圈8可以设置在第二本体2的外周侧,数量可以为一个,从首位的加速腔21a或者中间的任一个加速腔21b连续地延伸到末位的加速腔21c。
第二聚焦线圈8两端及周围可以安装有磁屏蔽材料。第二聚焦线圈8可以有效的提升该驻波加速管结构中粒子束流的横向传输效率。第二聚焦线圈8通常为电磁铁,也可以由其他可产生磁场的元件来代替,在一示例中,聚焦线圈的中心磁场可达500~1000Gs。
本申请提供的各个实施例/实施方式在不产生矛盾的情况下可以相互组合。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种驻波加速管,其特征在于,包括:
包括聚束结构(12)的第一本体(1);
第二本体(2),所述第二本体(2)具有多个第一边耦合腔(22)以及多个沿轴向分布的加速腔(21),一个所述第一边耦合腔(22)与两个相邻的所述加速腔(21)耦合;
波导(3);
桥式耦合器(4),所述桥式耦合器(4)配置为将所述波导(3)馈入的射频功率分配到所述聚束结构(12)以及所述加速腔(21)中;
设置在所述桥式耦合器(4)上的能量开关(7),所述能量开关(7)能够使得所述加速腔(21)的加速效果减弱或者消失;
束流管(5),所述束流管(5)的两端分别与首位的所述加速腔(21)以及所述聚束结构(12)连通;
以及第一聚焦线圈(6),所述第一聚焦线圈(6)设置在所述束流管(5)上。
2.根据权利要求1所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述桥式耦合器(4)包括依次连通的第二边耦合腔(41)、中心腔(42)以及第三边耦合腔(43),所述波导(3)与所述中心腔(42)耦合;所述第二边耦合腔(42)与所述聚束结构(12)耦合,首位的所述加速腔(21)与所述第三边耦合腔(43)耦合;所述能量开关(7)可动的设置在所述第三边耦合腔(43)内,所述能量开关(7)通过使得所述第三边耦合腔(43)失谐以使得所述加速腔(21)的加速效果减弱或者消失。
3.根据权利要求2所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述聚束结构(12)包括第一聚束腔(121)、第二聚束腔(122)以及第四边耦合腔(123),所述第四边耦合腔(123)分别与所述第一聚束腔(121)以及所述第二聚束腔(122)耦合,所述第二边耦合腔(42)与所述第二聚束腔(122)耦合;所述第二聚束腔(122)与所述束流管(5)的其中一端连通;
沿束流的流动方向,束流依次经过所述第一聚束腔(121)、所述第二聚束腔(122)、所述束流管(5)、首位的所述加速腔(21)、中间的所述加速腔(21)以及末位的所述加速腔(21)。
4.根据权利要求2所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述桥式耦合器(4)第一隔板(44)、第二隔板(45)以及壳体(46);所述第一隔板(44)与所述第二隔板(45)间隔的设置在所述壳体(46)内以分隔出所述第二边耦合腔(41)、所述中心腔(42)以及所述第三边耦合腔(43);
所述第一隔板(44)具有连通所述第二边耦合腔(41)与所述中心腔(42)的第一耦合孔(441),所述第二隔板(45)具有连通所述第三边耦合腔(43)与所述中心腔(42)的第二耦合孔(451)。
5.根据权利要求2所述的一种驻波加速管,其特征在于,沿所述壳体(46)的轴向投影,所述第一耦合孔(441)与所述第二耦合孔(451)错位设置。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述第一本体(1)、所述束流管(5)以及所述第二本体(2)同轴设置,所述桥式耦合器(4)的轴线与所述束流管(5)的轴线平行,所述桥式耦合器(4)与所述束流管(5)之间形成有间隙(51)。
7.根据权利要求1至5任一项所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述第一聚焦线圈(6)为电磁铁。
8.根据权利要求4所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述能量开关(7)为金属棒或者金属板。
9.根据权利要求8所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述能量开关(7)完全插入所述第三边耦合腔(43),所述能量开关(7)的横截面积小于所述第三边耦合腔(43)的横截面积。
10.根据权利要求1-5任一项所述的一种驻波加速管,其特征在于,所述驻波加速管包括第二聚焦线圈(8),所述第二聚焦线圈(8)设置在至少一个所述加速腔(21)的外周侧。
11.一种加速装置,其特征在于,包括电子枪(9)以及如权利要求1-10任一项所述的驻波加速管,所述电子枪(9)与聚束结构(12)连接。
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