CN113328223A - 三阶带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种三阶带通滤波器，包括：自上而下依次设置的第一金属层、第一基板、第二金属层、第二基板以及第三金属层，在两层基板中完成三阶谐振器的异面垂直耦合，三阶谐振器组合形成两组，在两组谐振器中引入电场和磁场的能量交互，可分别在低阻带和高阻带各产生一个传输零点，以低结构复杂度，实现低成本、低阶数和高选择性的带通滤波器。

Description

三阶带通滤波器

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种三阶带通滤波器。

背景技术

无线通信技术的发展使得新的通信标准与制式不断涌现，不同标准与制式间的工作频率往往不同，频谱资源日益紧张。射频滤波器作为无线通信系统中频率选择的关键器件，主要用于高频工作的电子设备中，用于较大的衰减高频电子设备所产生的高频干扰信号。对于射频滤波器的低成本、高选择性以及小型化一直是学术界与工业界追求的方向。

基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)是一种新的微波传输线形式，其利用金属过孔在介质基片上实现波导的场传播模式，继承了微带线和金属波导的优点，具有低损耗、高品质因素、高功率容量、重量轻、易于加工和便于集成等特点。现有技术中，平面结构的SIW滤波器通过在非相邻谐振器间引入交叉耦合产生传输零点，是提高SIW带通滤波器选择性最常用的方式。

但是，在平面结构的SIW滤波器中引入交叉耦合，对谐振器的数量和拓扑结构要求较高，加工复杂度以及成本较高。因此，亟需一种异层混合电磁耦合的滤波器以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种三阶带通滤波器，在双层介质基板中可完成三阶谐振器的异面垂直耦合，同时可有效降低三阶带通滤波器的加工复杂度，实现低成本。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种三阶带通滤波器，包括：自上而下依次设置的第一金属层、第一基板、第二金属层、第二基板以及第三金属层。

所述第一基板上开设有多个第一过孔，所述第一金属层、所述第二金属层与所述多个第一过孔围合形成第一阶谐振腔以及第三阶谐振腔。

所述第一金属层一侧设置有输入馈线以及输出馈线，所述输入馈线用于对所述第一阶谐振腔进行输入，所述输出馈线用于对所述第三阶谐振腔进行输出。

所述第二基板上开设有多个第二过孔，所述第二金属层、所述第三金属层与所述多个第二过孔围合形成第二阶谐振腔。

所述第二阶谐振腔与所述第一阶谐振腔和所述第三阶谐振腔在垂直方向上均具有重叠区域，所述第二金属层上的所述第一阶谐振腔与所述第二阶谐振腔的重叠区域开设有至少一个第一耦合窗，所述第二金属层上的第二阶谐振腔与所述第三阶谐振腔的重叠区域开设有至少一个第二耦合窗。

本发明提供的三阶带通滤波器通过第一阶谐振腔、第二阶谐振腔和第三阶谐振腔的错位放置，可在双层基板中实现三阶谐振器的异面垂直耦合，有效降低了滤波器的工艺复杂度，节约了加工成本。

在一种可能的实施方式中，所述第一阶谐振腔、所述第二阶谐振腔和所述第三阶谐振腔呈长方体。

所述第一阶谐振腔的一端开设有第一开口，所述输入馈线位于所述第一开口上方。

所述第三阶谐振腔的一端开设有第二开口，所述输出馈线位于所述第二开口上方。

在一种可能的实施方式中，所述第一阶谐振腔与所述第三阶谐振腔并列排布，且所述第一阶谐振腔的长边与所述第三阶谐振腔的长边平行，所述第二阶谐振腔的长边与所述第一阶谐振腔的长边垂直。

在一种可能的实施方式中，所述第一阶谐振腔和所述第三阶谐振腔共用一条长边。

在一种可能的实施方式中，所述第一耦合窗的面积大于、小于或者等于所述第二耦合窗的面积。

在一种可能的实施方式中，所述第一耦合窗和所述第二耦合窗呈扇形圆环，所述第一耦合窗的两端分别靠近所述第一阶谐振腔的长边和所述第二阶谐振腔的长边，所述第二耦合窗的两端分别靠近所述第二阶谐振腔的长边和第三阶谐振腔的长边。

在一种可能的实施方式中，所述第一金属层上开设有两个输入匹配槽以及两个输出匹配槽。

两个所述输入匹配槽相对所述输入馈线对称设置，两个所述输出匹配槽相对所述输出馈线对称设置。

在一种可能的实施方式中，所述输入馈线与所述输出馈线从靠近所述第一金属层的一端向远离所述第一金属层的一端缩小。

在一种可能的实施方式中，所述多个第一过孔均连通所述第一金属层与所述第二金属层，所述多个第二过孔均连通所述第二金属层与所述第三金属层。

在一种可能的实施方式中，所述第一基板与所述第二基板为介电常数13.3的ULF-140陶瓷材料制成或材料为FR4的电路板

本发明实施例提供的三阶带通滤波器，第一阶谐振腔、第二阶谐振腔和第三阶谐振腔分布在两层基板中，通过在相邻谐振腔间的共用的第二金属层上刻蚀耦合窗，同时引入电场和磁场的能量交互，且两种能量模值接近，在通带两侧相互抵消，进而在阻带内引入传输零点。本发明实施例提供的三阶带通滤波器，采用长方体谐振腔进行异面错位垂直耦合，两组谐振器间的混合电磁耦合分别实现电耦合占优和磁耦合占优，分别在低阻带和高阻带产生传输零点。另外，本发明实施例提供的三阶带通滤波器结构简单，在保证滤波器尺寸紧凑与高选择特性的同时，降低了工艺实现难度和加工成本。

本发明的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的分解结构示意图；

图3为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的第二金属层的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的第一金属层的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的又一第一金属层的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的三阶带通滤波器的仿真结果图。

附图标记说明：

100-三阶带通滤波器；

10-第一金属层；

11-输入馈线；

12-输出馈线；

13-输入匹配槽；

14-输出匹配槽；

20-第一基板；

21-第一过孔；

30-第二金属层；

31-第一耦合窗；

32-第二耦合窗；

40-第二基板；

41-第二过孔；

50-第三金属层；

60-第一阶谐振腔；

61-第一开口；

70-第二阶谐振腔；

80-第三阶谐振腔；

81-第二开口。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

随着电子设备工作频率的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，干扰频率通常会达到数百MHz，甚至GHz以上。由于电压或电流的频率越高，越容易产生辐射，这些频率很高的干扰信号导致辐射干扰的问题日益严重。因此，迫切需要一种能对辐射干扰的高频信号有较大的衰减的滤波器出现，这种滤波器就是射频滤波器。

射频滤波器具有将有用的信号与干扰信号分离，提高信号的抗干扰性及信噪比的作用，可以滤掉不感兴趣的频率成分，提高分析精度，并且可以从复杂的频率成分中分离出单一的频率分量。

根据射频滤波器的频率特性，可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器以及带阻滤波器。本发明实施例提供一种三阶带通滤波器，可应用于芯片、芯片模组、终端、基站等，带通滤波器是一个允许特定频段的波通过同时屏蔽其他频段的设备，其具有一个平坦的通带，在通带内没有放大或者衰减，并且在通带之外所有频率都被完全衰减掉，通带外的转换在极小的频率范围完成。

现有的，在射频滤波器中一般采用基片集成波导(Substrate IntegratedWaveguide，SIW)的形式，其利用金属过孔在介质基板上实现波导的场传播，SIW兼顾了传统波导和微带传输线的优点，可实现高性能微波毫米波平面电路，具有低损耗、高品质因素、高功率容量、重量轻、易于加工和便于集成等特点，但是，相关技术中，平面结构的SIW滤波器一般通过在非相邻谐振器间引入交叉耦合产生传输零点的方式来提高SIW滤波器的频率选择性，而在平面结构的SIW滤波器中引入交叉耦合，对谐振器的数量和拓扑结构要求较高，加工复杂度以及成本较高，因此，采用平面结构设计结构简单且保持较好频率选择性的SIW滤波器已难以满足技术发展的需求，亟需一种异层混合电磁耦合的SIW滤波器以解决上述问题。

为了解决上述问题，本发明实施例提供的三阶带通滤波器，用于射频通信系统，在双层介质基板中完成三阶谐振器的异面垂直耦合，相邻谐振器间同时引入电场与磁场的能量交互，且两种能量的模值接近，在通带的两侧相互抵消，进而在阻带内引入传输零点。该三阶带通滤波器结构简单，以双层基板实现三阶垂直耦合结构，加工方便且成本低，同时具有良好的带内响应与边带抑制特性，满足现代射频系统对无源器件的需求。

下面参考附图对本发明实施例提供的三阶带通滤波器进行具体描述。

图1为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的结构示意图，图2为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的分解结构示意图。参考图1和图2所示，本发明实施例提供的三阶带通滤波器100包括：自上而下依次设置的第一金属层10、第一基板20、第二金属层30、第二基板40以及第三金属层50。

第一基板20上开设有多个第一过孔21，第一金属层10、第二金属层30与多个第一过孔21围合形成第一阶谐振腔60以及第三阶谐振腔80。

第一金属层10一侧设置有输入馈线11以及输出馈线12，输入馈线11用于对第一阶谐振腔60进行输入，输出馈线12用于对第三阶谐振腔80进行输出。

第二基板40上开设有多个第二过孔41，第二金属层30、第三金属层50与多个第二过孔41围合形成第二阶谐振腔70。

第二阶谐振腔70与第一阶谐振腔60和第三阶谐振腔80在垂直方向上均具有重叠区域，第二金属层30上的第一阶谐振腔60与第二阶谐振腔70的重叠区域开设有至少一个第一耦合窗31，第二金属层30上的第二阶谐振腔70与第三阶谐振腔80的重叠区域开设有至少一个第二耦合窗32。

具体的，参考图1和图2所示，第一金属层10、第一基板20、第二金属层30、第二基板40、第三金属层50自上而下依次设置，第一金属层10贴于第一基板20的上表面，第二金属层30位于第一基板20和第二基板40之间，即第二金属层30的上表面与第一基板20的下表面贴合，第二金属层30的下表面与第二基板40的上表面贴合，第三金属层50贴于第二基板40的下表面。

其中，第一基板20与第二基板40的厚度可以相同，并且在第一基板20中开设有多个第一过孔21，第一过孔21的高度与第一基板20的厚度相同。在第二基板40中开设有多个第二过孔41，第二过孔41的高度与第二基板40的厚度相同。

多个第一过孔21在第一基板20上排布形成两组磁壁，参考图2所示，在第一基板20上，由多个第一过孔21围合形成的左边的长方形可以理解为一组磁壁，由多个第一过孔21围合形成的右边的长方形可以理解为另一组磁壁。第一金属层10、第二金属层30与左边的长方形磁壁围合形成第一阶谐振腔60，第一金属层10、第二金属层30与右边的长方形磁壁围合形成第三阶谐振腔80。

在第二基板40上开设有多个第二过孔41，第二过孔41在第二基板40上排布围成一组磁壁，第二金属层30、第三金属层50与第二过孔41围成的磁壁形成第二阶谐振腔70。

多个第一过孔21均连通第一金属层10与第二金属层30，多个第二过孔41均连通第二金属层30与第三金属层50。

第二阶谐振腔70与第一阶谐振腔60和第三阶谐振腔80在垂直方向上均具有重叠区域，在第二金属层30上的第一阶谐振腔60和第二阶谐振腔70的重叠区域开设有至少一个第一耦合窗31，示例性的，在本发明实施例提供的附图中，第一耦合窗31为一个，第一耦合窗31用于第一阶谐振腔60与第二阶谐振腔70之间的能量传递。在第二金属层30上的第二阶谐振腔70与第三阶谐振腔80的重叠区域开设有至少一个第二耦合窗32，示例性的，在本发明实施例提供的附图中，第二耦合窗32为一个，第二耦合窗32用于第二阶谐振腔70与第三阶谐振腔80之间的能量传递。

在第一金属层10的一侧设置有输入馈线11和输出馈线12，输入馈线11和输出馈线12分别与第一金属层10连接，能量从输入馈线11进入第一阶谐振腔60，通过第一耦合窗31传递给第二阶谐振腔70，再通过第二耦合窗32传递给第三阶谐振腔80，并从输出馈线12进行输出。

可以理解的是，本发明提供的三阶带通滤波器100通过第一阶谐振腔60、第二阶谐振腔70和第三阶谐振腔80的错位放置，可在双层基板中实现三阶谐振器的异面垂直耦合，有效降低了滤波器的工艺复杂度，节约了加工成本。

需要说明的是，本发明实施例提供的三阶带通滤波器100中，第一阶谐振腔60、第二阶谐振腔70以及第三阶谐振腔80可以为任意形状，比如：正方体、长方体、圆柱体等。示例性的，在本发明的一些实施例中，参考图1和图2所示，本申请实施例提供的三阶带通滤波器100，第一阶谐振腔60、第二阶谐振腔70以及第三阶谐振腔80均为长方体，在本发明的一些实施例中，长方体的长宽高可分别为19.2mm、9.6mm和0.5mm。当然，长方体的物理尺寸包括但不限于上述尺寸，可根据应用场景和具体需求进行设置，在此，对第一阶谐振腔60、第二阶谐振腔70以及第三阶谐振腔80的形状以及尺寸不做限制。

另外，在第一阶谐振腔60的一端开设有第一开口61，输入馈线11设置在第一开口61上方，便于能量顺利输入第一阶谐振腔60。在第三阶谐振腔80的一端开设有第二开口81，输出馈线12设置在第二开口81的上方，便于能量顺利从第三阶谐振腔80输出。

继续参考图1和图2所示，为了便于排布、减小滤波器的尺寸，第一阶谐振腔60和第三阶谐振腔80并列排布，并且，第一阶谐振腔60的长边与第三阶谐振腔80的长边平行，第二阶谐振腔70的长边与第一阶谐振腔60的长边垂直，也即第二阶谐振腔70的长边与第三阶谐振腔80的长边垂直。

在本发明的一些实施例中，为了进一步减小滤波器的尺寸，达到最大利用率，参考图1和图2所示，还可将第一阶谐振腔60和第三阶谐振腔80共用一条长边。

根据混合电磁耦合理论，当磁耦合与电耦合相互抵消时，可在阻带上产生频率传输零点，当磁耦合占主导位置时，传输零点出现在通带左边，当电耦合占主导位置时，传输零点出现在通带右边。

为了提升滤波器的频率选择性，在本发明提供的三阶带通滤波器100中，图3为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的第二金属层30的结构示意图，参考图3所示，在第二金属层30上刻蚀的第一耦合窗31的面积可大于、小于或者等于第二耦合窗32的面积，使得第一阶谐振腔60和第二阶谐振腔70之间进行电耦合(或者磁耦合)占优的混合电磁耦合，第二阶谐振腔70和第三阶谐振腔80之间进行磁耦合(或电耦合)占优的混合电磁耦合。示例性的，如图3所示，第一耦合窗31的面积小于第二耦合窗32的面积。

如此，在双层基板中可实现三阶谐振器的异面垂直耦合，相邻谐振器之间同时引入电场与磁场的能量交互，且两种能量模值接近，在通带的两侧相互抵消，进而在阻带内引入传输零点，并且两组谐振腔之间的混合电磁耦合分别实现电耦合占优和磁耦合占优，分别在低阻带和高阻带产生传输零点，可以提升低阶滤波器的频率选择性，双层基板中三阶谐振腔可产生两个传输零点，有效降低滤波器的加工复杂度。

需要解释的是，频率选择性是指接收器件在频域内对干扰信号的抑制能力。

继续参考图3所示，在本发明的一些实施例中，第一耦合窗31和第二耦合窗32可以为扇形圆环，并且第一耦合窗31的两端分别靠近第一阶谐振腔60的长边和第二阶谐振腔70的长边，第二耦合窗32的两端分别靠近第二阶谐振腔70的长边和第三阶谐振腔80的长边(如图1所示)。在本发明中，第一耦合窗31和第二耦合窗32的形状包括但不限于上述举例，在此，对第一耦合窗31和第二耦合窗32的形状不做限制。

当然，本发明不止于此，图4为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的第一金属层10的结构示意图，参考图4所示，可在第一金属层10上开设两个输入匹配槽13和两个输出匹配槽14，其中，两个输入匹配槽13相对输入馈线11对称设置，使输入馈线11以共面波导形式走线完成与第一阶谐振腔60的阻抗匹配连接，两个输出匹配槽14相对输出馈线12对称设置，使输出馈线12以共面波导形式走线完成与第三阶谐振腔80的阻抗匹配连接。

需要说明的是，输入馈线11、输出馈线12与第一阶谐振腔60、第三阶谐振腔80的连接方式可根据实际应用场景和具体需求进行设置，图5为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的又一第一金属层10的结构示意图，参考图5所示，输入馈线11和输出馈线12可采用渐变线的形式进行连接，示例性的，如图5所示，输入馈线11与输出馈线12从靠近第一金属层10的一端向远离第一金属层10的一端缩小，并在远离第一金属层10的一端保持恒定截面。在此，对输入馈线11和输出馈线12的连接形式不做限定。

采用图1中所提供的三阶带通滤波器100进行仿真测试，得到图6，图6为本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的仿真结果图，参考图6所示，图中S11为仿真中频谱上回波损耗曲线；S21为仿真中频谱上插入损耗曲线。根据仿真结果显示，本发明实施例提供的三阶带通滤波器100的中心频率为4.81GHz，1-dB带宽为50MHz，插入损耗最低为1.3dB，通带内回波损耗优于10dB，在4.69GHz和5.5GHz频点处各产生一个传输零点，保证了带通滤波器良好的边带与阻带抑制特性。

需要说明的是，三个谐振腔可以采用基片集成波导谐振器，例如上文所示，但在本申请中对每个谐振腔的类型不做限制，可根据应用场景和具体需求进行设置，例如，三个谐振腔可采用矩形波导谐振器，此时，多个第一过孔21依次连通，多个第二过孔41依次连通。谐振腔的类型还可采用半模基片集成波导、折叠波导等。

需要提到的是，第一基板20和第二基板40可以采用介电常数为13.3的ULF-140陶瓷材料所形成的陶瓷介质基板，也可以采用材料为FR4的电路板。第一基板20和第二基板40可根据应用场景和具体需求进行设定，在此，对第一基板20和第二基板40的材质不做限定。

综上所述，本发明提供的三阶带通滤波器100的有益效果在于：与现有技术相比，本发明中，第一阶谐振腔60、第二阶谐振腔70和第三阶谐振腔80分布在两层基板中，通过在相邻谐振腔间的共用的第二金属层30上刻蚀耦合窗，同时引入电场和磁场的能量交互，且两种能量模值接近，在通带两侧相互抵消，进而在阻带内引入传输零点。本发明实施例提供的三阶带通滤波器100，采用长方体谐振腔进行异面错位垂直耦合，两组谐振器间的混合电磁耦合分别实现电耦合占优和磁耦合占优，分别在低阻带和高阻带产生传输零点。另外，本发明实施例提供的三阶带通滤波器100结构简单，在保证滤波器尺寸紧凑与高选择特性的同时，降低了工艺实现难度和加工成本。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成为一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以使两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种三阶带通滤波器，其特征在于，包括：自上而下依次设置的第一金属层、第一基板、第二金属层、第二基板以及第三金属层；

所述第一基板上开设有多个第一过孔，所述第一金属层、所述第二金属层与所述多个第一过孔围合形成第一阶谐振腔以及第三阶谐振腔；

所述第一金属层一侧设置有输入馈线以及输出馈线，所述输入馈线用于对所述第一阶谐振腔进行输入，所述输出馈线用于对所述第三阶谐振腔进行输出；

所述第二基板上开设有多个第二过孔，所述第二金属层、所述第三金属层与所述多个第二过孔围合形成第二阶谐振腔；

所述第二阶谐振腔与所述第一阶谐振腔和所述第三阶谐振腔在垂直方向上均具有重叠区域，所述第二金属层上的所述第一阶谐振腔与所述第二阶谐振腔的重叠区域开设有至少一个第一耦合窗，所述第二金属层上的第二阶谐振腔与所述第三阶谐振腔的重叠区域开设有至少一个第二耦合窗。

2.根据权利要求1所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一阶谐振腔、所述第二阶谐振腔和所述第三阶谐振腔呈长方体；

所述第一阶谐振腔的一端开设有第一开口，所述输入馈线位于所述第一开口上方；

所述第三阶谐振腔的一端开设有第二开口，所述输出馈线位于所述第二开口上方。

3.根据权利要求2所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一阶谐振腔与所述第三阶谐振腔并列排布，且所述第一阶谐振腔的长边与所述第三阶谐振腔的长边平行，所述第二阶谐振腔的长边与所述第一阶谐振腔的长边垂直。

4.根据权利要求3所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一阶谐振腔和所述第三阶谐振腔共用一条长边。

5.根据权利要求3或4所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合窗的面积大于、小于或者等于所述第二耦合窗的面积。

6.根据权利要求5所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合窗和所述第二耦合窗呈扇形圆环，所述第一耦合窗的两端分别靠近所述第一阶谐振腔的长边和所述第二阶谐振腔的长边，所述第二耦合窗的两端分别靠近所述第二阶谐振腔的长边和第三阶谐振腔的长边。

7.根据权利要求1-4任一项所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一金属层上开设有两个输入匹配槽以及两个输出匹配槽；

两个所述输入匹配槽相对所述输入馈线对称设置，两个所述输出匹配槽相对所述输出馈线对称设置。

8.根据权利要求1-4任一项所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述输入馈线与所述输出馈线从靠近所述第一金属层的一端向远离所述第一金属层的一端缩小。

9.根据权利要求1-4任一项所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述多个第一过孔均连通所述第一金属层与所述第二金属层，所述多个第二过孔均连通所述第二金属层与所述第三金属层。

10.根据权利要求1-4任一项所述的三阶带通滤波器，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板为介电常数13.3的ULF-140陶瓷材料制成或材料为FR4的电路板。

Images