CN113299544B - 晶圆键合方法及晶圆键合设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，晶圆键合方法包括：将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将上晶圆和下晶圆对准；将静电吸附卡盘的顶针下压上晶圆的中心区域，使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触；调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，并与下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆，在上晶圆下落与下晶圆键合的过程中，通过调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，实现上晶圆下落过程中工艺可控，键合波由中心向四周扩展不受影响，完成晶圆键合；同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。

Description

晶圆键合方法及晶圆键合设备
技术领域
本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆键合方法及晶圆键合设备。
背景技术
随着半导体技术的不断发展，晶圆键合技术得到了广泛的应用，将两片或多片晶圆键合，能有效增加单位面积内的器件数量。
如图1和图2所示，常规键合工艺中，上卡盘04为真空卡盘通过真空吸附上晶圆03，下晶圆02固定在下卡盘01上。在上晶圆03和下晶圆02对准后，位于上卡盘04中心区域的顶针(Piston)05向下施压给上晶圆03，使上晶圆03产生向下弯曲形变，然后移动至一定的距离后，上晶圆03中心真空带开始释放真空，顶针压力保持不变，然后边缘真空带释放真空，上晶圆03和下晶圆02通过范德华力键合在一起，最终顶针05慢慢上升。
该键合工艺存在缺陷有：
(1)、上卡盘04为真空卡盘，真空卡盘对晶圆形变影响大，真空带吸附区域易对晶圆产生形变。
(2)、顶针05施压过程中，上晶圆03受力不均造成扭曲；如图2中的曲线a，上晶圆03中心区域受到顶针05向下的力，上晶圆03边缘例如真空孔06位置受到向上的吸附力，上晶圆03受力不均导致扭曲。
(3)、真空释放瞬间，上晶圆03对应真空孔06的吸附位置受力剧变，影响键合波，造成扭曲；如图2中的曲线a，真空吸附时，上晶圆03对应真空孔06的吸附位置受向上力；如图2中的曲线b，真空释放瞬间向上力突变为0，上晶圆03受向下重力作用下落。另外受力剧变会造成真空带磨损，影响寿命。
(4)、上晶圆03靠重力下落，下落过程中不受控制，键合波由中心向四周扩展完成晶圆键合，边缘区域下落会影响键合波向周围扩展，造成边缘扭曲较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，通过将上卡盘设计为静电吸附卡盘，并通过调整静电吸附力的大小实现上晶圆下落过程中工艺可控，减小真空吸附方式对晶圆造成的扭曲，以及减小吸附区域对晶圆形变影响。
本发明提供一种晶圆键合方法，包括：
将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；
将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；
调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。
进一步的，所述顶针下压所述上晶圆的过程中，减小所述静电吸附力。
进一步的，通过调整所述静电吸附卡盘的电源电压大小来调整所述静电吸附力的大小。
进一步的，所述上晶圆向下弯曲的形变量范围20μm～50μm。
进一步的，将所述静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附所述上晶圆之前，还包括：通过所述静电吸附卡盘的装载针抓取所述上晶圆，并通过所述装载针调整所述上晶圆与所述静电吸附卡盘的相对位置。
本发明还提供一种晶圆键合设备，包括：
静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘对待键合的晶圆提供可调节的静电吸附力；
所述静电吸附卡盘包括介质层和嵌设在所述介质层中的电极层，所述电极层包括间隔设置的正电极层和负电极层，所述正电极层和负电极层分别连接电源的正极和负极；
所述静电吸附卡盘的中心区域为中性区域，不产生静电感应力。
进一步的，所述正电极层和所述负电极层在平行于所述介质层的截面上呈镜像对称的半圆形环。
进一步的，所述静电吸附卡盘还包括：顶针，所述顶针位于所述静电吸附卡盘的中心区域，所述顶针沿所述静电吸附卡盘的轴向穿过所述介质层。
进一步的，所述静电吸附卡盘还包括：装载针，所述装载针上设置有真空孔，通过真空吸力吸附待键合的晶圆。
进一步的，所述静电吸附卡盘还包括：装载孔，所述装载孔贯穿所述介质层，所述装载针位于所述装载孔中，并可在所述装载孔中移动。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，晶圆键合方法包括：将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；之后所述顶针不再下压所述上晶圆；调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆，上晶圆下落与下晶圆键合的过程中，通过调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，实现上晶圆下落过程中工艺可控，键合波由中心向四周扩展不受影响，完成晶圆键合；同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。静电吸附卡盘相比真空卡盘，减小吸附区域对晶圆形变影响。
附图说明
图1为一种晶圆键合方法示意图。
图2为图1中晶圆键合方法不同状态受力示意图。
图3a为本发明实施例的晶圆键合设备示意图。
图3b为本发明实施例的晶圆键合设备中的电极层的俯视示意图。
图4为本发明实施例的晶圆键合方法流程示意图。
图5为本发明实施例的晶圆键合方法中装载针抓取上晶圆示意图。
图6为本发明实施例的晶圆键合方法中顶针下压上晶圆示意图。
图7为本发明实施例的晶圆键合方法中上晶圆下落示意图。
其中，附图标记如下：
01-下卡盘；02-下晶圆；03-上晶圆；04-上卡盘；05-顶针；06-真空孔；10-静电吸附卡盘；11-介质层；12-电极层；12a-正电极层；12b-负电极层；13-电源；14-固定基板；15-顶针；16-装载针；21-上晶圆；31-下晶圆；32-下卡盘。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种晶圆键合方法及晶圆键合设备。以下结合附图和具体实施例对本发明进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明实施例提供了一种晶圆键合设备，包括：
静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘对待键合的晶圆提供可调节的静电吸附力；
所述静电吸附卡盘包括介质层和嵌设在所述介质层中的电极层，所述电极层包括间隔设置的正电极层和负电极层，所述正电极层和负电极层分别连接电源的正极和负极；
所述静电吸附卡盘的中心区域为中性区域，不产生静电感应力。
所述静电吸附卡盘包括至少一个双极性静电吸附卡盘；所述静电吸附卡盘用于吸附晶圆。静电吸附卡盘(Electro static Chuck，简称ESC)利用静电力将晶圆固定在其上。
具体的，如图3a和3b所示，所述静电吸附卡盘10包括介质层11和嵌设在所述介质层11中的电极层12，所述电极层12包括间隔设置的正电极层12a和负电极层12b，所述正电极层12a和负电极层12b分别连接电源13的正极和负极。所述正电极层和所述负电极层在平行于所述介质层的截面上呈镜像对称的半圆形环。
正电极层12a和负电极层12b的电势会导致介质层11邻近上晶圆21的一侧表面区域中分别形成感应正电荷和感应负电荷，引起上晶圆21的表面区域上积累电荷。相应的，正电极层12a下方的上晶圆21的上表面区域积累负电荷；负电极层12b下方的上晶圆21的上表面区域积累正电荷，通过上晶圆21的上表面(临近电极层12的一侧表面)形成电流回路，从而完成吸附。介质层11和上晶圆21之间的感应电势产生静电力，该静电力使上晶圆21被固定在静电吸附卡盘10上。
静电吸附卡盘10还包括固定基板14、顶针15和装载针16(Loading pin)；顶针15位于静电吸附卡盘10的中心区域，顶针15沿静电吸附卡盘10的轴向穿过固定基板14和介质层11，用于向晶圆(例如上晶圆21)中心施加压力，使晶圆发生弯曲。装载针16位于静电吸附卡盘10的边缘区域，装载针16沿静电吸附卡盘10的轴向穿过固定基板14和介质层11，装载针16用于晶圆抓取和晶圆位置微调整。
装载针16通过真空吸附或释放待键合晶圆(例如上晶圆21)。具体的，装载针16上可以设置有真空孔，通过真空吸力吸附晶圆。
装载针16可以在平行于上晶圆21的平面内移动，装载针16移动带动待键合晶圆的移动，从而调整待键合晶圆(例如上晶圆21)的位置。具体的，装载针16位于贯穿固定基板14和介质层11的装载孔中，示例性的，装载孔的孔径≤1cm，控制装载针16在装载孔内平行于上晶圆21的平面内移动的精度为μm级。装载针16在装载孔中移动从而带动待键合晶圆的移动，使上晶圆21与静电吸附卡盘10更好的位置匹配。通过装载针16可以控制待键合晶圆在一定范围内旋转、平移，各个装载针16的移动方向可以相同，也可以不同。实现待键合晶圆和静电吸附卡盘10之间的相对位置的调整，从而在一定程度上实现待键合晶圆和静电吸附卡盘10之间的中心对准和/或键合晶圆之间的对齐。
顶针15可以向固定于静电吸附卡盘10的晶圆施加轴向的压力，例如向下的压力，使上晶圆21的中心区域向下弯曲。顶针15可以由驱动装置来驱动并轴向伸缩，以提供轴向的压力，例如可以通过气缸驱动。
本发明实施例还提供一种晶圆键合方法，如图4所示，包括：
步骤S1、将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；
步骤S2、将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；
步骤S3、调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。
下面结合图5至图7介绍本发明实施例的晶圆键合方法的各步骤。
如图3a和图5所示，上晶圆21传送至静电吸附卡盘10的下方，由装载针16抓取上晶圆21，之后将上晶圆21通过静电力吸附在静电吸附卡盘10上后，装载针16释放上晶圆。具体的，键合机台的机械手臂将上晶圆移动至静电吸附卡盘10的下方。静电吸附卡盘10通过装载针16抓取上晶圆21，示例性的，装载针16通过真孔吸附上晶圆21，装载针16还可微调整上晶圆21与静电吸附卡盘10的相对位置。上晶圆21位置调好后，电源13通电，介质层11和上晶圆21之间的感应电势产生静电力，静电力使上晶圆21被吸附在静电吸附卡盘10上，静电力固定(吸附)上晶圆21后，装载针16真孔释放，即装载针16不再作用于上晶圆21。示例性的，键合机台的机械手臂，将下晶圆移动至下卡盘上。
上下晶圆完成对准过程；具体的，键合机台上的镜头可以根据预先设定的静电吸附卡盘10和下卡盘32的位置寻找上晶圆21和下晶圆31，搜索上晶圆21和下晶圆31的对准标记，根据上晶圆31和下晶圆32的实测位置调整静电吸附卡盘10和下卡盘32的位置，从而对准上晶圆21和下晶圆31。
如图3a和图6所示，顶针15下压(施加一向下的力)上晶圆21的中心区域，进一步的，还可同时调整静电吸附卡盘的静电吸附力F，使上晶圆21的中心率先形变微小形变，使上下晶圆中心接触，此过程中上晶圆21的中心形变量在20μm～50μm。顶针15下压过程中，静电吸附卡盘在静电感应区域受力平稳，不会造成晶圆扭曲。
顶针15未下压之前，上晶圆21受到向上的静电吸附力的初始值F0大于等于自身向下的重力G。顶针15下压时，调整静电吸附卡盘的供电电压，使静电吸附力F减小，以便于上晶圆21向下弯曲。
静电吸附卡盘10用于控制晶圆(例如上晶圆21)的吸附与分离，由电极控制，其中正电极层12a和负电极层12b俯视方向看呈镜像对称的半圆形环，所述静电吸附卡盘10的中心区域为中性区域，由此保证上晶圆21的中心区域在顶针15施压情况下的形变，即中心区域不产生静电力吸附，以使顶针15下压时上晶圆21的中心区域产生向下的形变。
上下晶圆中心接触后，控制顶针15向上运动，顶针15不再对上晶圆21施加向下的压力。
如图3a、图6和图7所示，调整静电吸附卡盘10的静电吸附力F，使上晶圆21逐步从静电吸附卡盘10脱离，上晶圆21在重力以及静电吸附力F作用下下落，此过程静电吸附力F由初始值F0逐步减小为0，避免了现有技术中在真空释放上晶圆的瞬间向上力突变为0，上晶圆对应真空孔的吸附位置受力剧变，影响键合波，造成扭曲。静电吸附力根据重力和下落弯曲状态调整，可以工艺调试以达到最优效果。上晶圆由中心向边缘区域与下晶圆依次延展键合，即可工艺控制键合过程。上晶圆下落过程中受控制，键合波由中心向四周扩展完成与下晶圆的键合。上晶圆21从静电吸附卡盘10脱离的时间可控。
综上所述，本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合设备，晶圆键合方法包括：将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；之后所述顶针不再下压所述上晶圆；调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。通过静电吸附卡盘吸附上晶圆，上晶圆下落与下晶圆键合的过程中，通过调整静电吸附力的大小，使上晶圆在其重力和静电吸附力作用下逐步脱离静电吸附卡盘，实现上晶圆下落过程中工艺可控，键合波由中心向四周扩展不受影响，完成晶圆键合；同时减小真空卡盘真空吸附方式对晶圆造成的扭曲。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于与实施例公开的器件相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；
将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；
调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。
2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述顶针下压所述上晶圆的过程中，减小所述静电吸附力。
3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，通过调整所述静电吸附卡盘的电源电压大小来调整所述静电吸附力的大小。
4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述上晶圆向下弯曲的形变量范围20μm～50μm。
5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，将所述静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附所述上晶圆之前，还包括：通过所述静电吸附卡盘的装载针抓取所述上晶圆，并通过所述装载针调整所述上晶圆与所述静电吸附卡盘的相对位置。
6.一种晶圆键合设备，其特征在于，包括：
静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘对待键合的晶圆提供可调节的静电吸附力；
所述静电吸附卡盘包括介质层、嵌设在所述介质层中的电极层和顶针，所述电极层包括间隔设置的正电极层和负电极层，所述正电极层和负电极层分别连接电源的正极和负极，所述顶针位于所述静电吸附卡盘的中心区域，所述顶针沿所述静电吸附卡盘的轴向穿过所述介质层，所述顶针用于下压上晶圆的中心区域，使上晶圆向下弯曲并与下晶圆的中心区域接触；
所述静电吸附卡盘的中心区域为中性区域，不产生静电感应力。
7.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述正电极层和所述负电极层在平行于所述介质层的截面上呈镜像对称的半圆形环。
8.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述静电吸附卡盘还包括：装载针，所述装载针上设置有真空孔，通过真空吸力吸附待键合的晶圆。
9.如权利要求8所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述静电吸附卡盘还包括：装载孔，所述装载孔贯穿所述介质层，所述装载针位于所述装载孔中，并可在所述装载孔中移动。
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CN114899113A (zh) * 2022-04-24 2022-08-12 武汉新芯集成电路制造有限公司 键合装置及键合方法
CN115939017A (zh) * 2023-03-02 2023-04-07 广东海拓创新技术有限公司 一种半导体临时键合设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185085B1 (en) * 1998-12-02 2001-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
CN102159356A (zh) * 2008-09-30 2011-08-17 三菱重工业株式会社 晶片接合装置和晶片接合方法
CN103247563A (zh) * 2012-02-02 2013-08-14 台湾积体电路制造股份有限公司 具有多区域控制的静电卡盘
CN104465476A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘
CN104900576A (zh) * 2015-05-27 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘静电吸力分布的调节方法
CN109003921A (zh) * 2018-08-01 2018-12-14 德淮半导体有限公司 工艺设备及其工作方法
KR101959040B1 (ko) * 2018-06-29 2019-07-04 주식회사 다이나테크 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11094575B2 (en) * 2019-06-03 2021-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Simultaneous bonding approach for high quality wafer stacking applications

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185085B1 (en) * 1998-12-02 2001-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
CN102159356A (zh) * 2008-09-30 2011-08-17 三菱重工业株式会社 晶片接合装置和晶片接合方法
CN103247563A (zh) * 2012-02-02 2013-08-14 台湾积体电路制造股份有限公司 具有多区域控制的静电卡盘
CN104465476A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘
CN104900576A (zh) * 2015-05-27 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘静电吸力分布的调节方法
KR101959040B1 (ko) * 2018-06-29 2019-07-04 주식회사 다이나테크 반도체 패키지의 웨이퍼 마운팅용 정전 척을 이용한 테이프 본딩 공정
CN109003921A (zh) * 2018-08-01 2018-12-14 德淮半导体有限公司 工艺设备及其工作方法

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