CN113285589B

CN113285589B - 电压转换电路及电子设备

Info

Publication number: CN113285589B
Application number: CN202110431082.5A
Authority: CN
Inventors: 周号
Original assignee: Zhuhai Maiju Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Zhuhai Maiju Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2021-04-21
Filing date: 2021-04-21
Publication date: 2022-09-02
Anticipated expiration: 2041-04-21
Also published as: CN113285589A

Abstract

本公开提供了一种电压转换电路，包括：DC‑DC转换器，所述DC‑DC转换器用于将输入的第一DC电压转换为第二DC电压，所述DC‑DC转换器包括开关，所述开关被控制为进行导通和断开，从而将第一DC电压转换为第二DC电压；和LDO电压稳压器，所述LDO电压稳压器用于接收所述第二DC电压并且输出第三DC电压，所述LDO稳压器包括MOS晶体管，并且通过所述MOS晶体管的导通和断开来调节所述第二DC电压以输出第三DC电压。本公开还提供了一种电子设备。

Description

电压转换电路及电子设备

技术领域

本公开提供了一种电压转换电路及电子设备。

背景技术

随着各种便携式设备及可穿戴产品的需求的增加，高性能能量管理芯片的需求也在增加。通常DC-DC变换器的高效率可以达到90％以上。但是因为其输出中的纹波限制了其在敏感负载等场合下的应用。因此通常附加LDO电路以获得低功率噪声和纹波。

但是LDO电路的环路特性被附加至DC-DC电路的反馈环路中，两个环路的特性将会变得非常复杂，因此需要复杂的环路补偿。

发明内容

为了解决上述技术问题之一，本公开提供了一种电压转换电路及电子设备。

根据本公开的一个方面，一种电压转换电路，包括：

DC-DC转换器，所述DC-DC转换器用于将输入的第一DC电压转换为第二DC电压，所述DC-DC转换器包括开关，所述开关被控制为进行导通和断开，从而将第一DC电压转换为第二DC电压；

LDO电压稳压器，所述LDO电压稳压器用于接收所述第二DC电压并且输出第三DC电压，所述LDO稳压器包括MOS晶体管，并且通过所述MOS晶体管的导通和断开来调节所述第二DC电压以输出第三DC电压；

系数生成单元，所述系数生成单元根据所述MOS晶体管的栅极电压以及所述MOS晶体管的栅极目标电压来生成反馈调整系数；

生成单元，所述生成单元根据所述DC-DC转换器的反馈电压、所述反馈调整系数和所述DC-DC转换器的目标反馈电压来生成用于控制所述开关的开关控制信号。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述系数生成单元包括：

第一比较单元，所述第一比较单元比较所述MOS晶体管的栅极电压与栅极目标电压并且输出第一比较结果，所述栅极目标电压为提供至所述MOS晶体管的栅极的目标控制电压；以及

增益补偿单元，所述增益补偿单元根据所述第一比较结果来生成反馈调整系数。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述生成单元包括：

乘法单元，所述乘法单元用于将所述反馈调整系数与所述DC-DC转换器的反馈电压相乘，并且生成调整后反馈电压；

第二比较单元，所述第二比较单元用于比较所述调整后反馈电压和参考反馈电压并且输出第二比较结果，所述参考反馈电压为所述DC-DC转换器的反馈电压的参考值；以及

控制信号生成单元，所述控制信号生成单元根据所述第二比较结构来生成控制所述开关的开关控制信号。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述LDO电压稳压器还包括误差放大器，所述误差放大器根据所述LDO电压稳压器的反馈电压和所述LDO电压稳压器的反馈电压的参考值来生成所述MOS晶体管的栅极电压。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，还包括第一模数转换器，所述第一模数转换器用于接收所述MOS晶体管的栅极电压，并且生成第一数字信号；

所述第一比较单元，所述第一比较单元比较所述第一数字信号与栅极目标电压数字信号并且输出第一比较结果。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，还包括量化器，所述量化器用于量化所述增益补偿单元的增益数字信号，并且生成所述反馈调整系数。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，还包括第二模数转换器，所述第二转换器用于将所述DC-DC转换器的反馈电压转换为第二数字信号，

所述乘法单元用于将所述第二数字信号与所述反馈调整系数相乘，以便生成调整后数字信号。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述第二比较单元用于比较所述调整后数字信号和参考反馈电压的数字信号，以输出第二比较结果。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，还包括PID补偿器，所述PID补偿器用于对所述第二比较结果进行补偿，

所述控制信号生成单元根据所述PID补偿器的输出信号来生成控制所述开关的开关控制信号。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述增益补偿单元所输出的增益补偿信号根据下式生成：

D_comp＝k(D_{Ido_adc}-D_{Ido_target})H(z)，

k＝f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)，

其中，D_comp为所述增益补偿信号，k为环路增益参数，D_{Ido_adc}为第一模数转换器输出的第一数字信号，D_{Ido_target}为所述栅极目标电压数字信号，H(z)为环路滤波器传递函数，f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)为与|D_{Ido_adc}-D_{Ido_targ}|_e相关的补偿函数。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述量化器根据下式来对所述增益数字信号进行量化，以生成所述反馈调整系数，β＝(2^N-D_comp)/2^N，其中β为所述反馈调整系数，上标N为所述增益补偿信号的比特数。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述DC-DC转换器的开关包括第一开关和第二开关，所述第一开关的一端连接输入电压，并且所述第一开关的另一端与所述第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端接地，

所述DC-DC转换器还包括电感器、第一电容、第一电阻和第二电阻；所述电感器的一端连接所述第一开关的另一端，所述电感器的另一端连接第一电容的一端和第一电阻的一端，所述第一电容的另一端接地，所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端，并且所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻和第二电阻的连接点处的电压作为所述DC-DC转换器的反馈电压。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述PMOS晶体管连接所述第二DC电压，并且所述PMOS晶体管的漏极作为第三电压的输出端，

所述LDO电压稳压器还包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻和第四电阻串联构成串联电路，所述串联电路的一端连接所述PMOS晶体管的漏极，另一端接地，

所述LDO电压稳压器接收所述串联电路的串联点的电压和所述LDO电压稳压器的反馈电压的参考值来生成所述PMOS晶体管的栅极电压。

根据本公开至少一个实施方式的电压转换电路，LDO电压稳压器还包括第五电阻和第二电容，所述第五电阻的一端连接所述PMOS晶体管的漏极，并且所述第五电阻的另一端连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接地。

根据本公开的另一方面，一种电子设备，包括如上任一项所述的电压转换电路。

附图说明

附图示出了本公开的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本公开的原理，其中包括了这些附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1示出了根据本公开一个实施例的电压转换电路的示意图。

图2示出了根据本公开一个实施例的电压转换电路的示意图。

图3示出了根据本公开一个实施例的电压转换电路的示意图。

图4示出了根据本公开一个实施例的电压转换电路的示意图。

图5示出了根据本公开一个实施例的电子设备的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于解释相关内容，而非对本公开的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本公开相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本公开的技术方案。

除非另有说明，否则示出的示例性实施方式/实施例将被理解为提供可以在实践中实施本公开的技术构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本公开的技术构思的情况下，各种实施方式/实施例的特征可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置。

在附图中使用交叉影线和/或阴影通常用于使相邻部件之间的边界变得清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否均不传达或表示对部件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的部件之间的共性和/或部件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或者要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大部件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的部件。

当一个部件被称作“在”另一部件“上”或“之上”、“连接到”或“结合到”另一部件时，该部件可以直接在所述另一部件上、直接连接到或直接结合到所述另一部件，或者可以存在中间部件。然而，当部件被称作“直接在”另一部件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一部件时，不存在中间部件。为此，术语“连接”可以指物理连接、电气连接等，并且具有或不具有中间部件。

为了描述性目的，本公开可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧(例如，如在“侧壁”中)”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个部件与另一(其它)部件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它部件或特征“下方”或“之下”的部件将随后被定位为“在”所述其它部件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含“上方”和“下方”两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其它类似的术语被用作近似术语而不用作程度术语，如此，它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。

根据本公开的一个实施方式，提供了一种电压转换电路。

图1示出了根据本公开的一个实施例的电压转换电路。

如图1所示，该电压转换电路可以包括DC-DC转换器1、LDO电压稳压器2、系数生成单元3和信号生成单元4。

DC-DC转换器1用于将输入的第一DC电压Vi转换为第二DC电压V2，DC-DC转换器包括开关，开关被控制为进行导通和断开，从而将第一DC电压转换为第二DC电压。

LDO电压稳压器2用于接收第二DC电压并且输出第三DC电压，LDO稳压器包括MOS晶体管5，并且通过MOS晶体管的导通和断开来调节第二DC电压以输出第三DC电压。

系数生成单元3根据MOS晶体管的栅极电压以及MOS晶体管的栅极目标电压来生成反馈调整系数.

信号生成单元4根据DC-DC转换器的反馈电压、反馈调整系数和DC-DC转换器的目标反馈电压来生成用于控制开关的开关控制信号。

根据本公开的进一步实施例，系数生成单元包括：第一比较单元，第一比较单元比较MOS晶体管的栅极电压与栅极目标电压并且输出第一比较结果，栅极目标电压为提供至MOS晶体管的栅极的目标控制电压；以及增益补偿单元，增益补偿单元根据第一比较结果来生成反馈调整系数。

信号生成单元包括：乘法单元，乘法单元用于将反馈调整系数与DC-DC转换器的反馈电压相乘，并且生成调整后反馈电压；第二比较单元，第二比较单元用于比较调整后反馈电压和参考反馈电压并且输出第二比较结果，参考反馈电压为DC-DC转换器的反馈电压的参考值；以及控制信号生成单元，控制信号生成单元根据第二比较结构来生成控制开关的开关控制信号。

LDO电压稳压器还包括误差放大器，误差放大器根据LDO电压稳压器的反馈电压和LDO电压稳压器的反馈电压的参考值来生成MOS晶体管的栅极电压。

其中MOS晶体管为LDO电路的导通元件，并且其也可以为PMOS晶体管。

图2示出了根据本公开的另一实施例的电压转换电路。

如图2所示，该电压转换电路可以包括DC-DC转换器11、LDO电压稳压器12、第一比较单元13、增益补偿单元14、乘法单元15、比较单元16和控制信号生成单元17。其中在图2中的实施例中，第一比较单元13和增益补偿单元14可以为系数生成单元的细化。乘法单元15、比较单元16和控制信号生成单元17可以为信号生成单元的细化。

DC-DC转换器11用于将输入的第一DC电压Vi转换为第二DC电压V2，DC-DC转换器包括开关，开关被控制为进行导通和断开，从而将第一DC电压转换为第二DC电压。

LDO电压稳压器12用于接收第二DC电压并且输出第三DC电压，LDO稳压器包括MOS晶体管，并且通过MOS晶体管的导通和断开来调节第二DC电压以输出第三DC电压。

第一比较单元13可以用于接收MOS晶体管的栅极电压和该栅极电压的目标电压值，并且第一比较单元用于比较栅极电压和栅极电压的目标电压值，并且第一比较单元可以输出该两个电压的差值来作为比较结果。

增益补偿单元14可以基于该比较结果来进行增益变换，从根据该比较结果来生成增益补偿单元的输出并且可以生成反馈调整系数。

乘法单元15可以接收该反馈调整系数，并且接收DC-DC电路的反馈电压，乘法单元使得反馈调整系数与反馈电压相乘，从而生成调整后的反馈电压。

第二比较单元16用于比较调整后的反馈电压与DC-DC电路的反馈电压的参考值，并且生成比较信号，以便输出值控制信号生成单元17中。控制信号生成单元17可以根据比较信号来生成用于控制DC-DC电路中的开关的开关控制信号，例如可以为PWM信号。

根据本公开的进一步实施方式，图3示出了电压转换电路的另一实施例。

在该实施例中，DC-DC电路可以为数字控制的DC-DC转换器。

该实施例的电压转换电路可以包括以下内容。

DC-DC转换器21用于将输入的第一DC电压Vi转换为第二DC电压V2，DC-DC转换器包括开关，开关被控制为进行导通和断开，从而将第一DC电压转换为第二DC电压。

LDO电压稳压器22用于接收第二DC电压并且输出第三DC电压，LDO稳压器包括MOS晶体管，并且通过MOS晶体管的导通和断开来调节第二DC电压以输出第三DC电压。

第一模数转换器23用于接收MOS晶体管的栅极电压，并且将所接收的栅极电压转换为数字信号。第一比较器24可以用于比较该数字信号以及栅极电压的目标电压的数字信号，这样根据第一比较器24可以得到两个电压之间的差值。

增益补偿单元25可以根据该差值来生成相应的数字信号。

增益补偿单元所输出的增益补偿信号根据下式生成：

D_comp＝k(D_{Ido_adc}-D_{Ido_target})H(z)，

k＝f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)，

其中，D_comp为增益补偿信号，k为环路增益参数，D_{Ido_adc}为第一模数转换器输出的第一数字信号，D_{Ido_target}为栅极目标电压数字信号，H(z)为环路滤波器传递函数，f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)为与|D_{Ido_adc}-D_{Ido_targ}|_e相关的补偿函数。

量化器26可以根据下式来对增益数字信号进行量化，以生成反馈调整系数，β＝(2^N-D_comp)/2^N，其中β为反馈调整系数，上标N为增益补偿信号的比特数。

第二模数转换器27用于接收DC-DC电路的反馈电压并且将其转换为数字信号，且输入至乘法单元28。乘法单元28用于将反馈调整系数和DC-DC电路的反馈电压的数字信号相乘，从而可以得到调整后的反馈电压。

第二比较单元29可以接收调整后的反馈电压并且将其与DC-DC电路的反馈电压的参考值的数字信号进行比较。PID补偿单元30接收第二比较单元的输出信号并且对其进行PID补偿，补偿后的信号可以提供至PWM生成器31，PWM生成器31可以根据其来生成相应的开关控制信号，以便控制DC-DC电路中的开关。

图4示出了根据本公开的一个实施方式的电压转换电路的示意图。

该电压转换电路可以包括DC-DC单元和LDO单元，其中DC-DC单元用于将输入DC电压Vi转换为第二DC电压。并且LDO单元用于根据第二DC电压来生成输出DC电压Vo。

这里DC-DC单元可以为数字控制类型。其中该DC-DC单元的电路可以包括开关，其中可以通过开关的导通和关断来实现DC电压的变化。

如图4所示，DC-DC单元的开关包括第一开关101和第二开关102，第一开关的一端连接输入电压，并且第一开关的另一端与第二开关的一端连接，第二开关的另一端接地.

DC-DC单元还包括电感器103、第一电容104、第一电阻105和第二电阻106；电感器的一端连接第一开关的另一端，电感器的另一端连接第一电容的一端和第一电阻的一端，第一电容的另一端接地，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端，并且第二电阻的另一端接地，第一电阻和第二电阻的连接点处的电压作为DC-DC转换器的反馈电压。

LDO单元可以包括MOS晶体管201，可以为PMOS晶体管，PMOS晶体管连接第二DC电压，并且PMOS晶体管的漏极作为第三电压的输出端。

LDO单元还包括第三电阻202和第四电阻203，第三电阻和第四电阻串联构成串联电路，串联电路的一端连接PMOS晶体管的漏极，另一端接地.

LDO单元的误差放大器207接收串联电路的串联点的电压和LDO电压稳压器的反馈电压的参考值来生成PMOS晶体管的栅极电压。此外，LDO单元还包括第五电阻204和第二电容205的串联电路，其中串联电路的一端连接PMOS晶体管的漏极，另一端接地。

第一模数转换器206接收MOS晶体管的栅极电压，并且将该电压转换为数字信号，比较器301用于比较该数字信号与栅极目标电压的数字信号，从而生成误差信号。增益补偿单元302可以用于根据该误差信号来生成输出信号，其中，增益补偿单元所输出的增益补偿信号根据下式生成：

D_comp＝k(D_{Ido_adc}-D_{Ido_target})H(z)，

k＝f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)，

其中，D_comp为增益补偿信号，k为环路增益参数，D_{Ido_adc}为第一模数转换器输出的第一数字信号，D_{Ido_target}为栅极目标电压的数字信号，H(z)为环路滤波器传递函数，f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)为与|D_{Ido_adc}-D_{Ido_targ}相关的补偿函数。

量化器303可以根据下式来对增益数字信号进行量化，以生成反馈调整系数，β＝(2^N-D_comp)/2^N，其中β为反馈调整系数，上标N为增益补偿信号的比特数。

乘法单元108用于将反馈调整系数与DC-DC单元的反馈电压相乘。其中第二模数转换器107将DC-DC单元的反馈电压数字化，并且数字化的信号输入至乘法单元。

第二比较单元109用于比较乘法单元的输出信号以及DC-DC单元的反馈电压的目标电压的数字信号，并且第二比较单元的输出信号输出至PID补偿单元110中。数字PWM生成单元111可以根据PID补偿单元110的输出值来生成数字PWM控制信号。

数字PWM控制信号可以分别经由第一缓冲器112和第二缓冲器113来分别控制第一开关101和第二开关102。

在本公开中，在负载进行切换时，反馈调整系数β影响着相应的相应速度。

当|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|突然变得比较大时(负载切换时)，环路增益参数k需要是一个较大值，以便相应地加快DC-DC单元的动态响应。

当|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|突然变得比较小时(例如接近于零时)，环路增益参数k需要动态地变成一个较小值，这样两个环路(DC-DC单元环路和LDO单元环路)将作用为两个几乎独立的环路。

在本公开中，通过量化和补偿LDO的MOS晶体管的栅极电压来获得反馈调整系数，其可以用于控制DC-DC单元，以便通过DC-DC单元来为LDO单元提供自适应的电压。而且通过自适应地改变与两个环路链接的增益补偿单元的增益，这样可以获得优异的环路稳定性和快速的转换响应，而且在接近稳态或者经历动态变化时，均适用。

根据本公开的一个实施方式，还提供了一种电子设备，其中该电子设备可以包括上述电压转换电路，通过该电压转换电路可以提供输出电压，以便为电子设备的其他部件提供电源。

在本公开中，例如在图4描述的电路图中，其仅仅为一个示例，根据本公开的思路，其也可以采用其他形式的DC-DC转换器和LDO电路，在本公开中不进行限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例/方式”、“一些实施例/方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例/方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例/方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例/方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例/方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例/方式或示例以及不同实施例/方式或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本公开，而并非是对本公开的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述公开的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本公开的范围内。

Claims

1.一种电压转换电路，其特征在于，包括：

LDO电压稳压器，所述LDO电压稳压器于接收所述第二DC电压并且输出第三DC电压，所述LDO电压稳压器包括MOS晶体管，并且通过所述MOS晶体管的导通和断开来调节所述第二DC电压以输出第三DC电压；

系数生成单元，所述系数生成单元根据所述MOS晶体管的栅极电压以及所述MOS晶体管的栅极目标电压来生成反馈调整系数；以及

生成单元，所述生成单元根据所述DC-DC转换器的反馈电压、所述反馈调整系数和所述DC-DC转换器的目标反馈电压来生成用于控制所述开关的开关控制信号，

所述系数生成单元包括：第一比较单元，所述第一比较单元比较所述MOS晶体管的栅极电压与栅极目标电压并且输出第一比较结果，所述栅极目标电压为提供至所述MOS晶体管的栅极的目标控制电压；以及增益补偿单元，所述增益补偿单元根据所述第一比较结果来生成反馈调整系数。

2.如权利要求1所述的电压转换电路，其特征在于，所述生成单元包括：

控制信号生成单元，所述控制信号生成单元根据所述第二比较单元来生成控制所述开关的开关控制信号。

3.如权利要求2所述的电压转换电路，其特征在于，所述LDO电压稳压器还包括误差放大器，所述误差放大器根据所述LDO电压稳压器的反馈电压和所述LDO电压稳压器的反馈电压的参考值来生成所述MOS晶体管的栅极电压。

4.如权利要求3所述的电压转换电路，其特征在于，还包括第一模数转换器，所述第一模数转换器用于接收所述MOS晶体管的栅极电压，并且生成第一数字信号；

5.如权利要求4所述的电压转换电路，其特征在于，还包括量化器，所述量化器用于量化所述增益补偿单元的增益数字信号，并且生成所述反馈调整系数。

6.如权利要求5所述的电压转换电路，其特征在于，还包括第二模数转换器，所述第二模数转换器用于将所述DC-DC转换器的反馈电压转换为第二数字信号，

7.如权利要求6所述的电压转换电路，其特征在于，所述第二比较单元用于比较所述调整后数字信号和参考反馈电压的数字信号，以输出第二比较结果。

8.如权利要求7所述的电压转换电路，其特征在于，还包括PID补偿器，所述PID补偿器用于对所述第二比较结果进行补偿，

9.如权利要求5所述的电压转换电路，其特征在于，所述增益补偿单元所输出的增益补偿信号根据下式生成：

D_comp＝k(D_{Ido_adc}-D_{Ido_target})H(z)，

k＝f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)，

其中，D_comp为所述增益补偿信号，k为环路增益参数，D_{Ido_adc}为第一模数转换器输出的第一数字信号，D_{Ido_target}为所述栅极目标电压数字信号，H(z)为环路滤波器传递函数，f(|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|)为与|D_{Ido_adc}-D_{Ido_target}|相关的补偿函数。

10.如权利要求9所述的电压转换电路，其特征在于，所述量化器根据下式来对所述增益数字信号进行量化，以生成所述反馈调整系数，β＝(2^N-D_comp)/2^N，其中β为所述反馈调整系数，上标N为所述增益补偿信号的比特数。

11.如权利要求1至10中任一项所述的电压转换电路，其特征在于，所述DC-DC转换器的开关包括第一开关和第二开关，所述第一开关的一端连接输入电压，并且所述第一开关的另一端与所述第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端接地，

12.如权利要求11所述的电压转换电路，其特征在于，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述PMOS晶体管连接所述第二DC电压，并且所述PMOS晶体管的漏极作为第三电压的输出端，

13.如权利要求12所述的电压转换电路，其特征在于，LDO电压稳压器还包括第五电阻和第二电容，所述第五电阻的一端连接所述PMOS晶体管的漏极，并且所述第五电阻的另一端连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接地。

14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的电压转换电路。