CN113285239B - 一种基于相位调节的去耦反射器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于相位调节的去耦反射器及调节方法，包括获取亚波长金属贴片工作频带内的频率，传统去耦反射面放置高度、传统去耦反射面尺寸参数并建立反射波相位函数；获取亚波长金属贴片工作频带内的频率和天线单元之间的距离建立耦合波相位函数；反射波相位函数和耦合波相位函数之差为180°建立隔离度条件函数；基于亚波长金属贴片的距离偏移量和频率偏移量修正隔离度条件函数。加载相移枝节到传统去耦反射面组成去耦反射器，修正隔离度条件函数，通过相移枝节进行调节，实现反射波相位调节，最终对宽带天线在较低剖面高度下实现良好的阵列天线去耦效果。本发明还具有结构简单，外形小巧，可扩展性好和易于集成的特点。

Description

一种基于相位调节的去耦反射器
技术领域
本发明涉及天线去耦领域，尤其涉及一种基于相位调节的去耦反射器。
背景技术
如何利用有限的频谱资源来提高通信质量是相关研究人员需要解决的一个关键问题。自基于信道容量的多天线理论被提出以来，多输入多输出技术得到了广泛的研究，它不仅可以增加信道容量，使通信质量得到保证，还可以提高数据传输速率。然而，如何减小小型多输入多输出(MIMO)阵列天线中天线元件之间的相互耦合是目前最紧迫的挑战之一。
在此基础上人们提出了利用位于阵列天线感应近场区的阵列天线去耦表面对耦合波进行消除。传统去耦反射面最吸引人的特点是它具有较宽的去耦带宽，并且适用于小型MIMO阵列天线。但是现有传统去耦反射面由于固定的高度，反射波相位无法很好的调节，因此难以用于拥有复杂相位条件的大规模阵列。此外，传统去耦反射面为了满足所需的反射波调节，使得加载传统去耦反射面的阵列天线剖面高度难以降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于相位调节的去耦反射器，旨在解决传统去耦反射面依赖波程差对消反射波导致的阵列天线剖面高度过高和传统去耦反射面难以扩展用于大规模阵列天线的问题。
为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种基于相位调节的去耦反射器的调节方法，包括获取亚波长金属贴片工作频带内的频率，去耦反射面的放置高度、去耦反射面尺寸参数并建立反射波相位函数；
获取亚波长金属贴片工作频带内的频率和天线单元之间的距离建立耦合波相位函数；
反射波相位函数和耦合波相位函数之差为180°建立隔离度条件函数；
基于亚波长金属贴片的距离偏移量和频率偏移量修正隔离度条件函数；
加载相移枝节到去耦反射面，修正隔离度条件函数，最终组成基于相位调节的去耦反射器。
第二方面，本发明提供一种基于相位调节的去耦反射器，包括介质基板和去耦单元，所述去耦单元包括亚波长金属贴片和相移枝节，所述亚波长金属贴片作为反射器，将所述相移枝节沿着天线极化方向和所述亚波长金属贴片连接，多个所述去耦单元组合设置到所述介质基板上，所述相移枝节为微带短截线。
其中，所述基于相位调节的去耦反射器还包括多个安装柱，多个所述安装柱与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板四周。
其中，所述安装柱包括柱体、滑环和调整螺杆，所述柱体与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板的一侧，所述滑环与所述柱体滑动连接，并位于所述柱体远离所述介质基板的一侧，所述调整螺杆与所述滑环螺纹连接，并与所述柱体转动连接。
其中，所述亚波长金属贴片为圆形。
其中，所述相移枝节包括支线和圆弧线，所述支线与所述亚波长金属贴片固定连接，并位于所述亚波长金属贴片的一侧，所述圆弧线与所述支线固定连接，并位于所述亚波长金属贴片的一侧。
其中，所述亚波长金属贴片为长方形和长方形。
其中，所述亚波长金属贴片具有四个十字形金属反射器，所述十字形金属反射器包括第一支片和第二支片，所述第一支片和所述第二支片固定连接，并相互垂直，所述相移枝节又与每个十字形金属反射器相连于第二支片。
本发明的一种基于相位调节的去耦反射器，获取亚波长金属贴片工作频带内的频率，传统去耦反射面放置高度、传统去耦反射面尺寸参数并建立反射波相位函数；获取亚波长金属贴片工作频带内的频率和天线单元之间的距离建立耦合波相位函数；反射波相位函数和耦合波相位函数之差为180°建立隔离度条件函数；基于亚波长金属贴片的距离偏移量和频率偏移量修正隔离度条件函数；加载相移枝节并将相移枝节长度加到传统去耦反射面尺寸参数，修正隔离度条件函数。可以通过设计对去耦反射器各单元上的相移枝节进行调节，从而实现对反射波相位的调节，最终对宽带天线在较低剖面高度的情况下可以实现良好的阵列天线去耦效果，同时相移枝节的存在更有利于去耦反射器扩展至更大规模的阵列天线。此外，基于相位调节的去耦反射器还有结构简单，外形小巧，可扩展性好和易于集成的特点，从而解决传统去耦反射面使阵列天线剖面高度过高和传统去耦反射面难以扩展用于大规模阵列天线的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是传统去耦反射面的去耦示意图和传统去耦反射面中的单元图；
图2是本发明的一种基于相位调节的去耦反射器的调节方法的流程图；
图3是本发明的一种基于相位调节的去耦反射器的结构图；
图4是本发明第一实施例安装到单极化堆叠贴片阵列天线的结构图；
图5是本发明第一实施例安装到单极化堆叠贴片阵列天线的天线设计流程及参数图；
图6是本发明第一实施例天线设计流程中各天线的仿真S参数图；
图7是本发明第一实施例天线的S参数随lx变化的扫参结果图；
图8是本发明第二实施例安装到双极化堆叠贴片阵列天线的结构图；
图9是本发明第二实施例安装到双极化堆叠贴片阵列天线的参数图；
图10是本发明第二实施例仿真和测量的S参数图；
图11是本发明第二实施例仿真和测量的辐射图；
图12是本发明的金属贴片与阵列天线之间的距离变化图。
1-介质基板、2-亚波长金属贴片、3-相移枝节、4-安装柱、5-去耦单元、41-柱体、42-滑环、43-调整螺杆、31-支线、32-圆弧线、33-十字形金属反射器、331-第一支片、332-第二支片、334-L形枝节。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
第一方面，本发明提供一种基于相位调节的去耦反射器的调节方法，包括：
S101获取亚波长金属贴片工作频带内的频率，去耦反射面的放置高度、去耦反射面尺寸参数并建立反射波相位函数；
基于相位调节的去耦反射器是一种基于传统去耦反射面的改进方法，因此先要对传统去耦反射面的工作原理进行理论分析，进而从对传统去耦反射面的理论分析中得到基于相位调节的去耦反射面设计方法。
如图1所示，示意图下方表示加载传统去耦反射面的阵列天线，而上方则是传统去耦反射面单元的几何结构图。而辐射波，反射波和耦合波的电场分别为图中的短虚线，长虚线和点虚线，它们可以描述为以下三个式：
Figure BDA0003040424200000041
Figure BDA0003040424200000042
Figure BDA0003040424200000043
以下两点说明式中各符号的意义：
ax是x方向的单位矢量，
Figure BDA0003040424200000044
良示自由空间波数。图1中的h是指传统去耦反射面与原始天线之间的间隔距离。图1中金属反射器的基本参数分别为L(平行于天线极化)，W(垂直于天线极化)和介质板上标记的εr，它们分别代表金属反射器的长度，宽度还有传统去耦反射面介质板的相对介电常数。
式2中的
Figure BDA0003040424200000045
表示由传统去耦反射面单元所产生的反射波相移。根据反射阵天线的理论，
Figure BDA0003040424200000046
可以被写为
Figure BDA0003040424200000047
而式4中的εe则表示包围金属反射器周围环境的等效相对介电常数，它可以被写为
εe＝(εr+1)/2 (5)
因此，非常容易理解的一点就是，当反射波和耦合波幅度相等，相位差为180°时(|Er|＝|Ec|且
Figure BDA0003040424200000048
)，阵列天线单元之间的干扰可以被完美地消除。
根据式2和3，反射波相位
Figure BDA0003040424200000051
可以被视为ω，z和L的函数，
S102获取亚波长金属贴片工作频带内的频率和天线单元之间的距离建立耦合波相位函数；
耦合波相位
Figure BDA0003040424200000052
可以被视为ω和y的函数。因此，
Figure BDA0003040424200000053
和
Figure BDA0003040424200000054
分别可以被表示为
Figure BDA0003040424200000055
和
Figure BDA0003040424200000056
S103反射波相位函数和耦合波相位函数之差为180°建立隔离度条件函数；
假定原始天线已经确定，且天线单元之间的距离也已确定为ya，则y＝ya。同时，假定在传统去耦反射面的单元已确定并且传统去耦反射面的放置高度也已确定，则可设L＝La，h＝ha。在上述条件下，最佳隔离度可以在工作频带内的频率ω＝ωa实现，则最佳隔离度实现的相位条件可写为：
Figure BDA0003040424200000057
S104基于亚波长金属贴片的距离偏移量和频率偏移量修正隔离度条件函数；
如果传统去耦反射面和原始天线之间的距离降低Δh，但金属反射器的长度La的长度不变，则最佳隔离度所在频率将会发生偏移，这里我们设频偏量为Δω。最终，通过理论分析得到一个结论，即降低传统去耦反射面的高度将会改变最佳隔离度所在频率，而这种改变很有可能使得最佳隔离度漂移到工作频带外进而降低传统去耦反射面的去耦效果。我们将这种改变写为式(7)：
Figure BDA0003040424200000058
S105加载相移枝节到去耦反射面，修正隔离度条件函数，最终组成基于相位调节的去耦反射器。
在反射阵天线领域，加载枝节以延长反射波相位是一种非常常见的方法。因此，通过对传统去耦反射面单元加载枝节来降低天线剖面高度并提升其扩展性是可行的，而基于相位调节的去耦反射器也正式基于这一想法来设计和实现的。假定加载枝节的长度为Ls，则由加载枝节补偿的相位量可以写为：
Figure BDA0003040424200000059
加载枝节后，反射波的相位可以写为
Figure BDA00030404242000000510
引入参数Ls后，由于降低去耦结构放置高度而导致的反射波相位不足得到了补偿，同时最佳隔离度的频率也将从ωa+Δω恢复为ωa。并且由于枝节较小的尺寸，反射波幅度|Er|几乎不会受到影响，这一点将在之后的分析得到验证。综上所述，式(7)可改写为：
Figure BDA0003040424200000061
实施例1：请参阅图4～图7，以单极化堆叠贴片阵列天线为例。
本发明提供一种基于相位调节的去耦反射器，包括：介质基板1、亚波长金属贴片2和相移枝节3，多个所述亚波长金属贴片2与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1的一侧，多个所述相移枝节3分别与所述介质基板1固定连接，并位于所述亚波长金属贴片2的一侧。
在本实施方式中，所述介质基板1作为印刷的基板，然后将多个所述亚波长金属贴片2印刷到所述介质基板1上，作为反射器来针对单极化堆叠贴片阵列天线发出的电磁波形成反射波，所述相移枝节3分别与印刷在所述亚波长金属贴片2的一侧，作为移相器对反射波的相位进行调节。从而可以具有良好的去耦效果，又具有结构简单、外形小巧、扩展性好和易于集成的特点，传统去耦反射面使阵列天线剖面高度过高和传统去耦反射面难以扩展用于大规模阵列天线的问题。
进一步的，是金属贴片2的长度小于λ/4，其中λ为反射电磁波波长。
在本实施方式中，使反射器的长度应小于λ/4以避免产生任何影响匹配条件的共振效应。
进一步的，所述基于相位调节的去耦反射器还包括多个安装柱4，多个所述安装柱4与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1四周。
在本实施方式中，多个所述安装柱上方与去耦反射器固定连接，下方则与阵列天线连接，从而实现基于相位调节的去耦反射器对阵列天线的去耦。
进一步的，所述安装柱4的长度在阵列天线的辐射近场区。
在本实施方式中，请参阅图12，图中h1相当于传统去耦反射面中的金属贴片与阵列天线之间的距离，从图中可以看出当金属贴片和阵列天线之间的距离过近(h1＝10毫米)时，会导致匹配条件恶化；当距离过远(h1＝70毫米)时，又会减弱去耦效果。如果金属贴片距离耦合阵列天线太近，则会极大地干扰原始阵列天线的场分布，从而破坏匹配条件；距离耦合阵列天线太远时，又会导致阵列天线去耦时能量不足，当金属贴片位于辐射近场区时则会获得较好的去耦效果。因此，可以肯定的是，传统去耦反射面的工作区域就是辐射近场区域。
进一步的，所述安装柱4包括柱体41、滑环42和调整螺杆43，所述柱体41与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1的一侧，所述滑环42与所述柱体41滑动连接，并位于所述柱体41远离所述介质基板1的一侧，所述调整螺杆43与所述滑环42螺纹连接，并与所述柱体41转动连接。
在本实施方式中，所述柱体41可以支撑所述滑环42滑动，通过所述滑环42可以和单极化堆叠贴片阵列天线转动连接，通过所述调整螺杆43可以转动所述滑环42上下移动，从而可以根据现实情况方便地调整去耦反射器和单极化堆叠贴片阵列天线之间的距离，使得可以选择最优的匹配条件。
进一步的，所述亚波长金属贴片2为圆形。
在本实施方式中，圆形的亚波长金属贴片2可以更好地对单极化堆叠贴片阵列天线产生的电磁波进行反射。
进一步的，所述相移枝节3包括支线31和圆弧线32，所述支线31与所述亚波长金属贴片2固定连接，并位于所述亚波长金属贴片2的一侧，所述圆弧线32与所述支线31固定连接，并位于所述亚波长金属贴片2的一侧。
在本实施方式中，通过所述支线31将所述圆弧线32和所述亚波长金属贴片2，调整所述圆弧线32的长度可以产生不同的相移，从而可以通过去耦反射器实现的最佳隔离度所在频率位于阵列天线的工作频带内，从而使去耦效果更好。
图5是本发明的参数图，它由两层介质板上下层叠而成，它们分别是厚度为0.203mm的Rogers4003C和厚度为1.6mm和FR4，两层介质板之间的间距为10mm。上介质板和下介质板的上方分别刻蚀了大的圆形贴片和小的圆形贴片，它们分别构成该阵列天线的寄生贴片和主辐射贴片。一个高度为ha的空气层介于下层介质板和铝地板之间。两个叠层天线单元沿H面平行放置。
如图5所示，天线Ant.1表示由传统去耦反射面解耦之后的原始天线，其中使用的传统去耦反射面由三组圆形金属反射器组成，它们都刻蚀于厚度为0.203mm的Rogers4003C介质板的上方。注意，这里传统去耦反射面和原始天线的间距为38mm，而传统去耦反射面中单元的半径为10.5mm，其单元之间位置参数分别为y方向的单元平移距离35mm和x方向的单元间隔距离2mm。将天线Ant.1中所使用传统去耦反射面保持不变，仅将其放置高度从38mm降低至32mm，这样就得到了天线Ant.2。而天线Ant.3中所使用的则是基于相位调节的去耦反射器，它被刻蚀在和天线Ant.1中传统去耦反射面相同材料和厚度的介质板上。基于相位调节的去耦反射器各个单元的位置参数与天线Ant.1中传统去耦反射面各单元之间的位置参数相同，不同之处在于每个反射器的半径rx从10.5mm微调至9.5mm，同时每个单元都加载一段枝节，枝节在x轴方向长度lx为5.5mm，宽度wx为2mm，枝节的圆弧部分角度tx为90°。最重要的是，基于相位调节的去耦反射器的放置高度hx仍是32mm，这与天线Ant.2中传统去耦反射面的放置高度相同。
如图6所示，原始天线的工作频带为1.83～2.17GHz，即图中所标记的淡蓝色区域。并且，由于天线单元之间的边缘间距极小(2mm)，原始天线的隔离度在大部分频带内都大于-15dB，因此必须采取一些去耦手段以提升原始天线的隔离度。天线Ant.1的仿真结果表明，在原始天线上方38mm处加载传统去耦反射面使天线隔离度在整个频带内几乎都下降到了-20dB以下，同时最佳隔离度所在频率为2.06GHz。根据天线Ant.2的仿真结果，在将传统去耦反射面的放置高度降低之后，频率偏移到了天线的工作频带之外，达到了2.18GHz。天线Ant.3的仿真结果表明，当金属反射器加载枝节组成基于相位调节的去耦反射器之后，不足的反射波相位被枝节补偿，从而使最佳隔离度的频率恢复到了2.05GHz并实现了良好的工作频带内隔离度提升。此外，相比于天线Ant.1中传统去耦反射面的放置高度，天线Ant.3中基于相位调节的去耦反射器的放置高度更低，并实现了更好的隔离度提升。因此，这一设计流程证明了基于相位调节的去耦反射器相比传统去耦反射面更有利于降低去耦结构加载后阵列天线的剖面高度。值得提到的一点是，我们对天线Ant.3的中基于相位调节的去耦反射器枝节的长度进行扫参分析。从图7中的扫参结果中可以看出最佳隔离度并不会因为枝节的长短改变而发生变化，因此这说明了枝节的加入几乎不影响反射波幅度。
实施例2：请参阅图8～图11，以双极化堆叠贴片阵列天线为例。
本发明提供一种基于相位调节的去耦反射器，包括：介质基板1、亚波长金属贴片2和相移枝节3，多个所述亚波长金属贴片2与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1的一侧，多个所述相移枝节3分别与所述介质基板1固定连接，并位于所述亚波长金属贴片2的一侧。
在本实施方式中，所述介质基板1作为印刷的基板，然后将多个所述亚波长金属贴片2印刷到所述介质基板1上，作为反射器来针对双极化堆叠贴片阵列天线发出的电磁波形成反射波，所述L形枝节分别与印刷在所述亚波长金属贴片2的一侧，作为移相器对反射波的相位进行调节。从而可以具有良好的去耦效果，又具有结构简单、外形小巧、扩展性好和易于集成的特点，从而解决传统去耦反射面使阵列天线剖面高度过高和传统去耦反射面难以扩展用于大规模阵列天线的问题。
进一步的，所述亚波长金属贴片2的长度小于λ/4，其中λ为反射电磁波波长。
在本实施方式中，使反射器的长度应小于λ/4以避免产生任何影响匹配条件的共振效应，从而使得反射效果更好。
进一步的，所述基于相位调节的去耦反射器还包括多个安装柱4，多个所述安装柱4与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1四周。
在本实施方式中，通过多个所述安装柱4可以方便地将所述介质基板1安装在双极化堆叠贴片阵列天线上。
进一步的，所述安装柱4包括柱体41、滑环42和调整螺杆43，所述柱体41与所述介质基板1固定连接，并位于所述介质基板1的一侧，所述滑环42与所述柱体41滑动连接，并位于所述柱体41远离所述介质基板1的一侧，所述调整螺杆43与所述滑环42螺纹连接，并与所述柱体41转动连接。
在本实施方式中，所述柱体41可以支撑所述滑环42滑动，通过所述滑环42可以和双极化堆叠贴片阵列天线转动连接，通过所述调整螺杆43可以转动所述滑环42上下移动，从而可以根据现实情况方便地调整去耦反射器和双极化堆叠贴片阵列天线之间的距离，使得可以选择最优的匹配条件。
进一步的，所述亚波长金属贴片2为长方形，所述亚波长金属贴片2具有四个十字形金属反射器33，所述十字形金属反射器33包括第一支片331和第二支片332，所述第一支片331和所述第二支片332固定连接，并相互垂直，所述相移枝节334又与每个十字形金属反射器33相连于第二支片332。
在本实施方式中，请参阅图8，加载了L形相移枝节334的十字形金属反射器可以更好地对双极化堆叠贴片阵列天线产生的电磁波进行反射。通过所述第一支片331和所述第二支片332可以更好地对双极化堆叠贴片阵列天线进行反射，并通过调整形状为L形的所述相移枝节334，可以对反射波相位进行调整，使得去耦效果更好。S31在整个频带中降低到-20dB以下，并且隔离度会从8dB增强到19dB。S41在大部分频带已经低于-25dB并且其范围增强到在5dB到33dB之间。在没有使用本反射器之前增益为6.5dB，在加载本反射器之之后增益提高到了6.8dB，这表明了去耦反射器具有提高天线增益的潜力。
请参阅图9，这个PRD由三组相同的反射结构构成，而每组结构的平移距离为dc。每一组反射结构都由四个结合十字形反射器和L形枝节的组合，还有一个中心的方形反射器组成。基于相位调节的去耦反射器于原始天线之间的间距为hc，并且基于相位调节的去耦反射器被印刷于厚度为0.85mm的FR4介质基板上。图10给出了加载基于相位调节的去耦反射器之后阵列的仿真与实测S参数。在加载基于相位调节的去耦反射器之后，阵列天线对于S11<-10dB的阻抗带宽范围是1.78～2.02GHz，而这个结果表明基于相位调节的去耦反射器的引入几乎没有影响天线的匹配条件。从实测的S21来看，基于相位调节的去耦反射器对同单元端口间隔离度的影响很小，仅在高频处(1.95～2GHz)发生了较小的改变。由于基于相位调节的去耦反射器的存在，S31在整个工作频带内都下降到了-20dB以下，并且带内隔离度提升的最小值和最大值分别为8dB和19dB。通过对阵列加载基于相位调节的去耦反射器，S41在全频带内降至-25dB以下，并且带内隔离度提升范围为5dB到33dB。上述结果表明，基于相位调节的去耦反射器主要用于提升不同天线单元间端口的隔离度，而不是提升同单元内不同端口的隔离度。
图11给出了原始天线和去耦天线在1.95GHz的方向图，从图可知基于相位调节的去耦反射器的加载对天线方向图影响较小，并且仿真与实测结果拥有良好的一致性。原始天线在1.95GHz处的增益为6.5dBi，而加载基于相位调节的去耦反射器之后这一增益提高至6.8dBi，这是由于阵列内部的强耦合被消除，从而使更多能量被用于辐射。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (5)

1.一种基于相位调节的去耦反射器，应用于一种基于相位调节的去耦反射器的调节方法，所述调节方法包括获取亚波长金属贴片工作频带内的频率，去耦反射面的放置高度、去耦反射面尺寸参数并建立反射波相位函数；获取亚波长金属贴片工作频带内的频率和天线单元之间的距离建立耦合波相位函数；反射波相位函数和耦合波相位函数之差为180°建立隔离度条件函数；基于亚波长金属贴片的距离偏移量和频率偏移量修正隔离度条件函数；加载相移枝节到去耦反射面，修正隔离度条件函数，最终组成基于相位调节的去耦反射器，其特征在于，
所述去耦反射器包括介质基板和去耦单元，所述去耦单元包括亚波长金属贴片和相移枝节，所述亚波长金属贴片作为反射器，将所述相移枝节沿着天线极化方向和所述亚波长金属贴片连接，多个所述去耦单元组合设置到所述介质基板上，所述相移枝节为微带短截线，所述金属贴片2的长度小于λ/4，其中λ为反射电磁波波长；所述基于相位调节的去耦反射器还包括多个安装柱，多个所述安装柱与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板四周；所述安装柱包括柱体、滑环和调整螺杆，所述柱体与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板的一侧，所述滑环与所述柱体滑动连接，并位于所述柱体远离所述介质基板的一侧，所述调整螺杆与所述滑环螺纹连接，并与所述柱体转动连接。
2.如权利要求1所述的一种基于相位调节的去耦反射器，其特征在于，
所述亚波长金属贴片为圆形。
3.如权利要求2所述的一种基于相位调节的去耦反射器，其特征在于，
所述相移枝节包括支线和圆弧线，所述支线与所述亚波长金属贴片固定连接，并位于所述亚波长金属贴片的一侧，所述圆弧线与所述支线固定连接，并位于所述亚波长金属贴片的一侧。
4.如权利要求1所述的一种基于相位调节的去耦反射器，其特征在于，
所述亚波长金属贴片为长方形。
5.如权利要求4所述的一种基于相位调节的去耦反射器，其特征在于，
所述亚波长金属贴片具有四个十字形金属反射器，所述十字形金属反射器包括第一支片和第二支片，所述第一支片和所述第二支片固定连接，并相互垂直，所述相移枝节又与每个十字形金属反射器相连于第二支片。
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