CN113285197B - 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法 - Google Patents

三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113285197B
CN113285197B CN202110553726.8A CN202110553726A CN113285197B CN 113285197 B CN113285197 B CN 113285197B CN 202110553726 A CN202110553726 A CN 202110553726A CN 113285197 B CN113285197 B CN 113285197B
Authority
CN
China
Prior art keywords
impedance network
integrated waveguide
substrate
substrate integrated
slow wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110553726.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113285197A (zh
Inventor
王未来
黄永茂
何宇
周婷
江婉
卿朝进
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xihua University
Original Assignee
Xihua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xihua University filed Critical Xihua University
Priority to CN202110553726.8A priority Critical patent/CN113285197B/zh
Publication of CN113285197A publication Critical patent/CN113285197A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113285197B publication Critical patent/CN113285197B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
    • H01P11/006—Manufacturing dielectric waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/081—Microstriplines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

本发明提供三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，包括介质基片，介质基片的上下两个表面为金属敷层且介质基片两侧设置有金属化通孔阵列；介质基片的上表面金属敷层上设置有N个与其通过缺口电气连接的金属贴片，N个金属贴片、缺口和金属化通孔的组合构成环‑伞形立体阻抗网络，金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络，蛇形阻抗网络包括横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线，相邻的横向蛇形线以及纵向微带线对应连接。本发明可实现电场和磁场的双向分离，使基片集成波导获得更强烈的慢波效应，进而能够减小横向尺寸，获得更良好的小型化效果。

Description

三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法
技术领域
本发明涉及微波无源器件技术领域，具体而言，涉及三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法。
背景技术
基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide, SIW）技术作为一种新型导波结构，它既保持了传统金属波导的高Q值、低损耗、高功率容量等优点，又易于与微带线、共面波导等各种平面结构相集成。随着印刷电路板等电路加工工艺的发展，SIW剖面低、尺寸小、易加工等传统矩形金属波导不具备的优势更加凸显。因此，SIW已广泛地运用于微波毫米波电路系统及微波元器件的设计，如滤波器、定向耦合器、移相器、功率分配/合成器等。
对于微波低频段的应用来说，由于SIW 固有截止频率的限制，其占电路面积仍然过大，这制约着其在紧凑型微波系统中的应用。2014年，法国格勒诺布尔大学A. Niembro-Martín等人首次提出慢波基片集成波导（Slow-Wave Substrate Integrated Waveguide,SW-SIW）的概念,寄托于各类加载手段提升基片材料的等效电磁参数，突破导波传播的限制，以获得慢波效应。对于SIW小型化技术来说，具有十分重要的工程意义和科研价值。
近年来涌现的几类慢波基片集成波导（SW-SIW）设计方法，依据慢波效应产生的本质可以分为环-伞形阻抗和蛇形阻抗两类。基于金属化通孔阵列加载的SW-SIW作为典型的环-伞形阻抗，由双层介质基片构成，会不可避免地带来制造过程的复杂化和加工成本的提升。基于集总参数电感/微带多段线加载的电感增强型SW-SIW在单层的基础上，具有较为良好的慢波效应。但是上述两类SW-SIW都仅实现了电场或是磁场的任一剥离，对于微波器件电尺寸小型化的需求有待进一步改善。
发明内容
本发针对背景技术存在的缺陷，提出了三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法。本发明可通过上表面环-伞阻抗网络与下表面蛇形阻抗网络构成三维的慢波阻抗网络，实现电场和磁场的双向分离，获得更强烈的慢波效应。
本发明的实施例通过以下技术方案实现：三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，包括介质基片，所述介质基片的上下两个表面为金属敷层且介质基片两侧设置有金属化通孔阵列，上表面金属敷层通过金属化通孔阵列穿过介质基片与下表面金属敷层相连；
所述介质基片的上表面金属敷层上设置有N个与其通过缺口电气连接的金属贴片，N个金属贴片、缺口和金属化通孔的组合构成环-伞形立体阻抗网络，N为大于等于1的正整数，所述金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络；
所述蛇形阻抗网络由N个横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线的组合构成，相邻的所述横向蛇形线以及纵向微带线对应连接，所述金属化通孔垂直连接于横向蛇形线与纵向微带线的横纵向交叉处。
根据一种优选实施方式，所述金属贴片为圆形金属贴片，所述缺口设置为环形槽。
根据一种优选实施方式，所述金属化通孔连接于所述圆形金属贴片的中心位置。
根据一种优选实施方式，所述环-伞形立体阻抗网络中各伞型单元间隔设置，彼此间通过金属敷层电气连接。
根据一种优选实施方式，所述环-伞形立体阻抗网络中各伞型单元的间距小于四分之一导波波长。
根据一种优选实施方式，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层均为铜。
根据一种优选实施方式，所述介质基片的厚度为0.1～5mm，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层的厚度为0.01～0.05mm。
根据一种优选实施方式，所述介质基片的厚度为1.016mm，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层的厚度均为0.035mm。
根据一种优选实施方式，所述介质基片上表面金属敷层的两端分别通过一梯形过渡段与输入端和输出端微带线相连。
本发明还提供如上述所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导的设计方法，包括：
步骤1：由实际需要的导波波长确定基片集成波导介质基片的微波介质材料；
步骤2：在介质基片的上下两个表面两侧设置金属化通孔阵列，连接介质基片的上、下表面金属敷层；
步骤3：对介质基片的环-伞形阻抗进行设计，利用电磁仿真软件建模环-伞形立体阻抗网络；
步骤4：对介质基片下表面金属敷层的蛇形阻抗进行设计，将所有相邻的蛇形阻抗连接，使介质基片下表面金属敷层整体达到电气连接，利用电磁仿真软件建模蛇形阻抗网络；
步骤5：对基片集成波导进行微带过渡设计，在其上表面金属敷层的两端加入梯形过渡段，通过调整梯形过渡段的特性，实现对微带线与基片集成波导之间的驻波情况的调整。
本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：本发明的慢波基片集成波导通过上表面伞形单元集中原本位于基片集成波导中部的电场，通过下表面蛇形线单元引发磁场沿着蛇形网络在下表面集中，上表面伞形单元与下表面蛇形线单元构成三维的慢波阻抗网络，实现电场和磁场的双向分离，使得三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导获得了更强烈的慢波效应，从而能够减小横向尺寸，获得更良好的小型化效果。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导的结构示意图；
图2为本发明实施例3提供的三维阻抗网络单元的结构示意图；
图3为本发明实施例2提供的慢波基片集成波导上表面的结构示意图；
图4为本发明实施例1提供的慢波基片集成波导下表面的结构示意图；
图5为本发明实施例3提供的三维慢波阻抗网络等效电路示意图；
图6为本发明实施例3提供的三维慢波阻抗网络等效电路简化示意图；
图7为本发明实施例3提供的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导的等效电路模型示意图；
图8为本发明实施例4提供的三种不同网络加载的SW-SIW和传统SIW的传输模型仿真结果示意图；
图标：1-上表面金属敷层，2-介质基片，3-金属化通孔阵列，4-下表面金属敷层，5-蛇形阻抗网络，6-金属化通孔，7-圆形金属贴片，8-环形槽，9-梯形过渡段。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
实施例1
参阅图1所示的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，包括介质基片，所述介质基片的上下两个表面为金属敷层且介质基片两侧设置有金属化通孔阵列，上表面金属敷层通过金属化通孔阵列穿过介质基片与下表面金属敷层相连。
所述介质基片的上表面金属敷层上设置有N个与其通过缺口电气连接的金属贴片，N个金属贴片、缺口和金属化通孔的组合构成环-伞形立体阻抗网络，每个组合（环-伞阻抗单元）均包括一金属贴片和一与所述金属贴片连接的金属化通孔，其中，N为大于等于1的正整数，所述金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络；
参阅图4所示的下表面结构，所述蛇形阻抗网络由N个横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线的组合构成，每个组合（蛇形阻抗单元）均包括一横向蛇形线和一与所述横向蛇形线连接的纵向微带线，其中，相邻的所述横向蛇形线以及纵向微带线对应连接，使下表面金属敷层整体达到电气连接；所述金属化通孔垂直连接于横向蛇形线与纵向微带线的横纵向交叉处，构成三维阻抗网络单元。
当N为1时，上表面的组合直接通过金属化过孔连接下表面组合的横纵向交叉处。采用该结构的基片集成波导，其性能、慢波效应不佳。为了增强其性能和慢波效应，N取较大值。
需要说明的是，本实施例通过上表面的组合可捕获原本位于基片集成波导中部的电场，从而极大增强了基片集成波导上表面的电容效应。对于磁场而言，下表面的组合能够引发磁场沿着横向蛇形线及纵向微带线在下表面集中，从而有效的实现了磁场向下剥离。综上，本实施例的三维阻抗网络双面加载的慢波能够实现电场和磁场的双向分离，获得了更强烈的慢波效应；从而能够减小横向尺寸，获得更良好的小型化效果。
实施例2
本实施例在上述实施例的基础上对环-伞形立体阻抗网络的结构做了优化。
环-伞形立体阻抗网络在上表面金属敷层与金属敷层共同构成矩形加载区域；参阅图3所示的上表面结构中的组合结构所示，金属贴片为圆形，缺口对应设置为环形；具体的，受标准PCB加工工艺精度的限制，环形槽宽度需不小于0.05mm，且宽度越小，慢波效果越好；圆形金属贴片直径须大于金属化通孔的直径，在一种实施方式中，金属化通孔的直径为0.5mm。进一步的，所述金属化通孔连接于所述圆形金属贴片的中心位置。环-伞形立体阻抗网络包括多个沿矩形加载区域依次排列的组合；例如沿横向构成单排结构/多排结构，沿纵向构成单排结构/多排结构；此外，组合也可以采用周期排列的多排多列结构，例如组合沿横向设置有多排且沿纵向设置有多列；相邻组合通过其横向边沿或纵向边沿直接连接，也可以通过其余介质材料实现电气连接。附图中并未给出该结构的示例。
采用该结构的基片集成波导，其上表面的电容效应不佳。为了增强上表面的电容效应，需要重设计环-伞形立体阻抗网络的组合排列。
进一步的，参阅图3所示的上表面结构，环-伞形立体阻抗网络中各组合间隔设置，各组合的间距需小于四分之一导波波长，彼此间通过金属敷层电气连接。
经实验研究，基于上述思想，发明人研发了一种能够在慢波效应和小型化结构上均有良好效果的结构。详见下实施例。
实施例3
基于上述结构，上表面金属敷层和下表面金属敷层采用敷铜工艺，介质基片的厚度为0.1～5mm,所述上表面金属敷层和下表面金属敷层的厚度为0.01～0.05mm；在一种实施方式中，铜厚度均为0.035mm，介质基片则选用厚度为1.016mm的板材为最优选项。上表面铜层采用标准PCB工艺加工蚀刻成中空矩形与矩形内环-伞形立体阻抗网络的组合，二者共同构成矩形加载区域。矩形加载区域的两端分别通过一梯形过渡段与输入端和输出端微带线相连;其中，所述输入端和输出端微带线的特性阻抗均为50Ω。
矩形加载区域中各组合通过上表面铜层彼此间隔小于四分之一导波波长的间距相连，环-伞形立体阻抗网络通过焊接与中空矩形铜层连接，使介质基片上表面金属铜层整体达到电气连接。
下表面铜层采用标准PCB工艺加工蚀刻成中空矩形与矩形内蛇形阻抗网络的组合，将所有相邻的组合中横向蛇形线与纵向微带线所构成的蛇形阻抗网络，以及中空矩形铜层的四边对应连接起来，使介质基片下表面金属铜层整体达到电气连接。
基于图3和图4的上表面环-伞阻抗网络的组合和下表面蛇形阻抗网络的组合所构成的三维阻抗网络单元，可以得到如图7所示的三维阻抗网络双面加载的慢波的等效电路模型。
本实施例通过三维阻抗网络的方式，产生慢波效应，同时有效降低了横向和纵向尺寸，实现了显著降低基片集成波导尺寸的效果。且本基片集成波导，基于成熟的PCB制造技术和SMT工艺，体积小，易于制作和大批量生产。
下面以一个基于该结构，介质基片采用Rogers Kappa 438，相对介电常数为4.38，介质损耗角正切为0.005，厚度为1.016mm，上下表面金属敷层为铜，厚度为0.035mm；截止频率在3.91GHz附近。通带范围内，带内插损为0.69dB-0.77dB，回波损耗优于20dB的基片集成波导设计为例，具体说明相关内容。该慢波结构示意图如图1所示，三维阻抗网络单元如图2所示，其中，Cx、Cy表示上表面金属敷层与圆形金属贴片之间的增强电容；Lpz表示由金属化通孔带来的寄生电感；Cp表示金属化通孔内壁带来的寄生电容；Cpz表示上表面金属敷层以及圆形金属贴片与下表面组合之间产生的寄生电容；Lx、Ly分别表示下表面组合中的横向蛇形线和纵向微带线增强电感；Cpx表示下表面组合自身产生的寄生电容。需要说明的是，上表面金属敷层为了容纳除导波方向电流以外的对冲电流，沿金属化通孔会形成径向电流路径，所以该路径感应处的寄生电感Lpz不可省略。对于产生的寄生电容Cp、Cpz、Cpx，其数值远小于增强电容Cx、Cy的数值，所以图5能够简化为图6，得到简化后的三维阻抗网络单元等效电路。
在本实施例中，电场和磁场的分离是加载环-伞形立体阻抗网络和蛇形阻抗网络促成的。其中，上表面包围圆形金属贴片的金属敷层对应于传统基片集成波导的上表面，由上表面金属敷层包围的圆形金属贴片实际上是通过金属化过孔连接升高的接地面。该结构由于电场被金属化通孔顶部的圆形金属贴片与上表面金属敷层之间的环形槽捕获，所以使原本位于基片集成波导中部的电场集中在增强电容Cx、Cy周围，从而极大增强了基片集成波导上表面的电容效应。
横向蛇形线及其纵向连接的纵向微带线构成的组合等效为增强电感Lx、Ly。对于磁场而言，下表面组合等效的增强电感Lx、Ly带来额外的表面电流路径，引发磁场沿着该组合在下表面集中，有效的实现了磁场向下剥离。从而本实施例的三维阻抗网络单元表现出强烈的慢波效应。
进一步的，本实施例以下将传统的SIW传输线、下表面蛇形网络加载型SW-SIW传输线、环-伞形阵列加载型SW-SIW传输线与本实施例的三维阻抗网络双面加载的SW-SIW传输线进行比较。
参阅图8所示，示出了三种不同网络加载的SW-SIW和传统SIW的传输模型仿真结果，可以看出基于三维阻抗网络双面加载的SW-SIW的截止频率在3.91GHz附近。通带范围内，带内插损为0.69dB-0.77dB，回波损耗优于20dB。综上所述，如果采用传统SIW结构来实现截止频率相同的传输线，在介质基片材料完全相同的情况下，传统SIW结构的物理宽度为18.5mm。基于三维阻抗网络双面加载的SW-SIW的横向宽度较少了约40%。即，本实施例的三维阻抗网络双面加载的慢波能够减小横向尺寸，获得良好的小型化效果。
本实施例还提供上述三维阻抗网络双面加载的慢波的设计方法包括：
步骤1：由实际需要的导波波长确定基片集成波导介质基片的微波介质材料；
步骤2：在介质基片的上下两个表面两侧设置金属化通孔阵列，连接介质基片的上、下表面金属敷层；
步骤3：对介质基片的环-伞形单元进行设计，利用电磁仿真软件建模环-伞形立体阻抗网络；
步骤4：对介质基片下表面金属敷层的蛇形阻抗单元进行设计，将所有相邻的蛇形阻抗单元连接，使介质基片下表面金属敷层整体达到电气连接，利用电磁仿真软件建模蛇形阻抗网络；
步骤5：对基片集成波导进行微带过渡设计，在其上表面金属敷层的两端加入梯形过渡段，通过调整梯形过渡段的特性，实现对微带线与基片集成波导之间的驻波情况的调整。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于：包括介质基片，所述介质基片的上下两个表面为金属敷层且介质基片两侧设置有金属化通孔阵列，上表面金属敷层通过金属化通孔阵列穿过介质基片与下表面金属敷层相连；
所述介质基片的上表面金属敷层上设置有N个与其通过缺口电气连接的金属贴片，N个金属贴片、缺口和金属化通孔的组合构成环-伞形立体阻抗网络，N为大于等于1的正整数，所述金属化通孔连接设置在下表面金属敷层的蛇形阻抗网络；
所述蛇形阻抗网络由N个横向蛇形线以及与其连接的纵向微带线的组合构成，相邻的所述横向蛇形线以及纵向微带线对应连接，所述金属化通孔垂直连接于横向蛇形线与纵向微带线的横纵向交叉处。
2.如权利要求1所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述金属贴片为圆形金属贴片，所述缺口设置为环形槽。
3.如权利要求2所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述金属化通孔连接于所述圆形金属贴片的中心位置。
4.如权利要求1所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述环-伞形立体阻抗网络中各组合间隔设置，彼此间通过金属敷层电气连接。
5.如权利要求4所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述环-伞形立体阻抗网络中各组合的间距小于四分之一导波波长。
6.如权利要求1所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层均为铜。
7.如权利要求1所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述介质基片的厚度为0.1～5mm，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层的厚度为0.01～0.05mm。
8.如权利要求7所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述介质基片的厚度为1.016mm，所述上表面金属敷层和下表面金属敷层的厚度均为0.035mm。
9.如权利要求1所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导，其特征在于，所述介质基片上表面金属敷层的两端分别通过一梯形过渡段与输入端和输出端微带线相连。
10.如权利要求1-9任一项所述的三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导的设计方法，其特征在于，包括：
步骤1：由实际需要的导波波长确定基片集成波导介质基片的微波介质材料；
步骤2：在介质基片的上下两个表面两侧设置金属化通孔阵列，连接介质基片的上、下表面金属敷层；
步骤3：对介质基片的环-伞形阻抗进行设计，利用电磁仿真软件建模环-伞形立体阻抗网络；
步骤4：对介质基片下表面金属敷层的蛇形阻抗进行设计，将所有相邻的蛇形阻抗连接，使介质基片下表面金属敷层整体达到电气连接，利用电磁仿真软件建模蛇形阻抗网络；
步骤5：对基片集成波导进行微带过渡设计，在其上表面金属敷层的两端加入梯形过渡段，通过调整梯形过渡段的特性，实现对微带线与基片集成波导之间的驻波情况的调整。
CN202110553726.8A 2021-05-20 2021-05-20 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法 Active CN113285197B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110553726.8A CN113285197B (zh) 2021-05-20 2021-05-20 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110553726.8A CN113285197B (zh) 2021-05-20 2021-05-20 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113285197A CN113285197A (zh) 2021-08-20
CN113285197B true CN113285197B (zh) 2022-04-15

Family

ID=77280489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110553726.8A Active CN113285197B (zh) 2021-05-20 2021-05-20 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113285197B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113889737B (zh) * 2021-09-30 2022-04-08 西华大学 一种基于强化学习的基片集成波导参数优化方法及结构
CN115513622B (zh) * 2022-11-03 2023-07-04 西华大学 一种四分之一模慢波基片集成波导滤波器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016058627A1 (en) * 2014-10-13 2016-04-21 Gapwaves Ab A microwave or millimeter wave rf part assembled with pick-and-place technology
CN106654497A (zh) * 2017-01-03 2017-05-10 电子科技大学 小型化宽带慢波半模基片集成波导耦合器及其设计方法
CN106887661A (zh) * 2017-03-15 2017-06-23 电子科技大学 基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导
CN112072249A (zh) * 2020-07-20 2020-12-11 西安电子科技大学 一种具有高慢波系数的宽带慢波基片集成波导

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110752430B (zh) * 2019-10-28 2021-06-29 南京邮电大学 小型化慢波半模基片集成波导e面耦合器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016058627A1 (en) * 2014-10-13 2016-04-21 Gapwaves Ab A microwave or millimeter wave rf part assembled with pick-and-place technology
CN106654497A (zh) * 2017-01-03 2017-05-10 电子科技大学 小型化宽带慢波半模基片集成波导耦合器及其设计方法
CN106887661A (zh) * 2017-03-15 2017-06-23 电子科技大学 基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导
CN112072249A (zh) * 2020-07-20 2020-12-11 西安电子科技大学 一种具有高慢波系数的宽带慢波基片集成波导

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Broadband mm-wave propagation characterization of planar groove gap waveguide;Titus Oyedokun et al.;《Microw Opt Technol Lett.》;20201230;第1-5页 *
Metallized Blind Via Holes and Surface Etching Incorporation for Miniaturization Enhancement in Slow-wave Substrate Integrated Waveguide;Yuliang Zhou et al.;《2019 Photonics & Electromagnetics Research Symposium - Fall (PIERS - Fall)》;20200305;第1224-1227页 *
Slow-Wave Effect Enhanced Substrate Integrated Waveguide with Multi-Antipodal Blind Via-Holes and Distributed Metal Strips;Yuliang Zhou et al.;《IEEE Microwave and Wireless Components Letters》;20200701;第753-756页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113285197A (zh) 2021-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102868009B (zh) 介质加载折叠基片集成波导滤波器
KR100349571B1 (ko) 유전체의 접지면에 식각된 결함 구조를 갖는 공진기
CN102496759B (zh) 平面波导、波导滤波器及天线
CN113285197B (zh) 三维阻抗网络双面加载的慢波基片集成波导及其设计方法
US20030080822A1 (en) Planar mode converter used in printed microwave integrated circuits
EP2096904A1 (en) System for interconnecting two substrates each comprising at least one transmission line
US9793589B2 (en) Band-pass filter comprised of a dielectric substrate having a pair of conductive layers connected by sidewall through holes and center through holes
CN108777343B (zh) 基片集成波导传输结构、天线结构及连接方法
US20230223671A1 (en) Multi-layer waveguide with metasurface, arrangement, and method for production thereof
CN110191572B (zh) 一种实现超宽带抑制同步开关噪声的电磁带隙结构
CN102709658A (zh) 一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导
US6570472B1 (en) Low-pass filter
Lee et al. Ka-band surface-mount cross-coupled SIW filter with multi-layered microstrip-to-GCPW transition
CN116759779B (zh) 一种5g毫米波滤波功分模块
CN104767023B (zh) 一种可变通带数的基片集成波导电调谐振单元
CN110336103B (zh) 一种频带可调滤波器
CN105720340A (zh) 一种含有低频传输零点的紧凑型带通滤波器
KR20210032113A (ko) 마이크로스트립-빈 공간 기판 집적 도파관의 천이 구조
CN114335944B (zh) 具有带通滤波功能的间隙波导
CN107369869A (zh) 一种基于封装微带的低插入损耗滤波器
CN107919516B (zh) 一种宽带小型化基片集成同轴线压控谐振器
CN105048037A (zh) 一种基于siw加载交指槽线结构的微带带通滤波器
US20210135329A1 (en) Implementation of inductive posts in an siw structure and production of a generic filter
CN217719915U (zh) 基片集成波导带通滤波器
CN221768327U (zh) 电磁带隙单元及多层电路板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant