CN113257952B - 双面太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，其包括：提供硅片，制绒，扩散，正面激光掺杂，去除边缘PN结、磷硅玻璃，背面抛光，退火，沉积氧化铝层和背面氮化硅膜，沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；背面激光开槽，背面主栅印刷，铝栅线印刷，正面电极印刷。其中，扩散后硅片的方阻为165‑180Ω/sq；激光掺杂后硅片的方阻为80‑90Ω/sq。相应的，本发明还公开了一种双面太阳能电池。实施本发明，可有效提升电极与硅片的接触，提升太阳能电池的转换效率。同时也使得太阳能电池可采用较细的栅线，减少了印刷浆料的消耗。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种双面太阳能电池及其制备方法。
背景技术
一方面，硅片大型化是硅太阳能电池行业发展的必然趋势，大型化硅片可有效降低组件成本，同时也可一定程度上提升太阳能电池转化效率。另一方面，目前太阳能电池行业所采用的硅片一般为M0硅片，其尺寸为156mm×156mm，其所适配的设备尺寸最大仅可容纳166型硅片，因此，采用现有设备升级166型硅片目前是本领域技术人员的研究热点。然而，采用现有的M0-M4工艺进行166型硅片生产时，往往容易产生接触差，提效空间小，且耗费印刷浆料过多的缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种双面太阳能电池的制备方法，其可有效提升太阳能电池的转换效率。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种双面太阳能电池，其转换效率高。
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，其包括：
(1)提供硅片，并对硅片进行制绒；
(2)将制绒后的进行扩散，扩散后硅片的方阻为165-180Ω/sq；
(3)对扩散后硅片的正面进行激光掺杂，形成多条第一激光槽；激光掺杂后硅片的方阻为80-90Ω/sq；
(4)去除激光掺杂后硅片边缘的PN结以及硅片正面的磷硅玻璃，并对硅片背面进行抛光；
(5)对步骤(4)得到的硅片进行退火处理，以在硅片的正面和背面形成氧化硅层；退火后硅片的亲水直径＜15mm；
(6)在退火后硅片的背面沉积氧化铝层和背面氮化硅膜；
(7)在步骤(6)得到的硅片的正面沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；
(8)对步骤(7)得到的硅片的背面进行激光开槽，形成多条第二激光槽；所述第二激光槽贯穿所述背面氮化硅膜、氧化铝层和氧化硅层；
(9)在步骤(8)得到的硅片的背面印刷背面主栅，所述背面主栅为银电极；
(10)在所述第二激光槽内印刷铝栅线，以形成局部铝背场；
(11)在步骤(10)得到的硅片的正面印刷正面电极，所述正面电极包括正面主栅和正面副栅，所述正面副栅印刷在所述第一激光槽内；所述正面电极为银电极；
(12)将步骤(11)得到的硅片烧结，即得到双面太阳能电池成品。
作为上述技术方案的改进，相邻所述正面副栅和/或铝栅线之间设有防断栅结构。
作为上述技术方案的改进，所述防断栅为间断性结构。
作为上述技术方案的改进，步骤(2)中，扩散温度为800-900℃，扩散结深为0.2-0.5μm，扩散方阻为165-170Ω/sq。
作为上述技术方案的改进，所述正面氮化硅膜的厚度为70-100nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化硅膜的厚度为4-5nm；
所述背面氮化硅膜的厚度为70-80nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化铝层的厚度为5-15nm。
作为上述技术方案的改进，所述正面氮化硅膜包括设于依次所述氧化硅层上的第一正面氮化硅膜和第二正面氮化硅膜，所述第一正面氮化硅膜中氮硅比为9-10，所述第二正面氮化硅膜中氮硅比为15-17；
所述背面氮化硅膜包括依次设于所述氧化铝层上的第一背面氮化硅膜、第二背面氮化硅膜和第三背面氮化硅膜，其氮硅比分别为3-4，4.5-6和6.5-7.5。
作为上述技术方案的改进，步骤(1)中，选取电阻率为0.5-2Ω·cm的P型单晶硅片，并采用KOH水溶液进行制绒，制绒后硅片在全波段的反射率为9-15％；
步骤(5)中，在700-750℃对硅片进行退火处理，退火时间为800-950s，O2流量为80-120scm，压力为140-155Pa。
作为上述技术方案的改进，步骤(3)中，激光掺杂的雕刻速度为26000-30000mm/s，激光功率为23-25W，激光频率为225-230kHz；所述第一激光槽的数目为130-140条；
步骤(4)中，采用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液去除磷硅玻璃和对硅片背面进行抛光，抛光后硅片背面的反射率为25-35％；
步骤(8)中，激光雕刻速度为40000-50000mm/s，激光频率为900-1000kHz，激光功率为25-30W，激光光斑为30-40μm，激光实虚比为(0.3-0.4)：(0.6-0.7)。
相应的，本发明还提供了一种双面太阳能电池，其由上述的制备方法制备而得。
实施本发明，具有如下有益效果：
1.本发明的双面太阳能电池，通过控制扩散后、激光掺杂后硅片的方阻，有效提升了电极与硅片的接触，有效提升了太阳能电池的转换效率。同时也使得太阳能电池可采用较细的栅线，减少了印刷浆料的消耗。
2.本发明在太阳能电池正面和背面均添加了防断栅结构，这种防断栅结构降低了电极印刷过程中的断栅，有效细化了栅线。此外，本发明中防断栅结构采用间断型结构(DASH)，这种结构可有效降低防断栅结构的遮光率，提升转换效率。
3.本发明在太阳能电池正面的正面氮化硅膜上还设置了氧化硅膜，其可更好地适配电极结构和防断栅结构，提升太阳能电池正面的光利用效率。
附图说明
图1是本发明一种双面太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明一种双面太阳能电池的正面的结构示意图；
图3是本发明一种双面太阳能电池的背面的结构示意图；
图4是图3中A处的局部放大图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。仅此声明，本发明在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本发明的附图为基准，其并不是对本发明的具体限定。
本发明提供一种双面太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供硅片，并对硅片进行制绒；
具体的，可选用P型单晶硅或N型单晶硅，但不限于此。优选的，选用电阻率为0.5-2Ω·cm的P型单晶硅片。
制绒工艺可采用碱制绒或酸制绒，但不限于此。优选的，选用碱制绒。具体的，采用2-5vol％的KOH水溶液【含0.5-1vol的制绒添加剂(如丙二醇、硅酸钠、聚氧乙烯醚等，但不限于此)】进行制绒，制绒温度80-85℃，制绒时间为200-350s。通过碱制绒，在硅片的正面和背面形成金字塔状的减反射绒面，在制绒后，硅片在全波段(300-1200nm)内的反射率为9-15％。上述制绒工艺可与后期硅片上的氮化硅膜、氧化铝膜、氧化硅膜协同，提升光吸收率。
S2：将制绒后的进行扩散；
具体的，800-900℃的炉管内进行磷扩散，控制扩散结深为0.2-0.5μm，扩散后硅片的方阻为165-180Ω/sq；示例性的可为167Ω/sq、168Ω/sq、172Ω/sq、175Ω/sq或179Ω/sq，但不限于此。优选的，扩散后硅片的方阻为165-170Ω/sq；这种硅片可有效提升电池电极与硅片的接触，提升太阳能电池的转换效率。
S3：对扩散后硅片的正面进行激光掺杂，形成多条第一激光槽；
具体的，激光掺杂过程中，其雕刻速度为26000-30000mm/s，激光功率为23-25W，激光频率为225-230kHz。激光掺杂后硅片的方阻为80-90Ω/sq，示例性的为82Ω/sq、85Ω/sq、87Ω/sq或88Ω/sq，但不限于此。激光掺杂的过程中同时在第一激光槽之间形成用于印刷的防断栅结构的第三激光槽。
其中，第一激光槽的数目为128-150条，示例性的为130条、135条、140条、145条或148条，但不限于此。优选的，第一激光槽的数目为130-140条。具体的，多条第一激光槽相互平行，且间距相同，相邻第一激光槽之间设有一根或多根第三激光槽。第一激光槽为连续结构，第三激光槽为间断性结构(即以DASH模式进行激光掺杂所形成的激光槽)。
S4：去除激光掺杂后硅片边缘的PN结以及硅片正面的磷硅玻璃，并对硅片背面进行抛光；
具体的，采用等离子刻蚀法去除硅片边缘的PN结；然后采用抛光液浸泡硅片，去除磷硅玻璃，并对背面进行抛光。
具体的，抛光液为氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液，但不限于此。抛光后硅片背面的反射率为25-35％，示例性的为25％、28％、30％或34％，但不限于此。通过抛光，可提升太阳能电池背面的吸光效率，提升太阳能电池的转换效率。
S5：对步骤S4得到的硅片进行退火处理，以在硅片的正面和背面形成氧化硅层；
具体的，在700-750℃对硅片进行退火处理，退火时间为800-950s，O2流量为80-120scm，压力为140-155Pa。退火处理后，硅片的亲水直径＜15mm。
通过退火之后在硅片正面和背面形成厚度为1-5nm的氧化硅层，其可有效减少硅片表面的悬挂键，提升太阳能电池的转换效率。
S6：在退火后硅片的背面沉积氧化铝层和背面氮化硅膜；
其中，氧化铝层的厚度为5-15nm，示例性的可为5nm、8nm、10nm，但不限于此。采用PECVD法沉积氧化铝层。
背面氮化硅膜的厚度为70-80nm，示例性的为72nm、76nm或78nm，但不限于此。背面氮化硅膜的折射率为2.1-2.2。具体的，背面氮化硅膜可为单层结构或叠层结构。优选的，背面氮化硅膜为叠层结构，其包括依次设于氧化铝层上的第一背面氮化硅膜、第二背面氮化硅膜和第三背面氮化硅膜，上述三个背面氮化硅膜的氮硅比分别为3-4，4.5-6和6.5-7.5。通过这种叠层结构，可提升太阳能电池背面的光利用效率。
具体的，采用PECVD法沉积背面氮化硅膜，其中，第一背面氮化硅膜、第二背面氮化硅膜和第三背面氮化硅膜的沉积时间分别为270-280s、140-150s、55-68s，功率为12200-14000W，占空比为5/100-5/60，压力为1500-1600mtorr。
S7：在步骤S6得到的硅片的正面沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；
其中，正面氮化硅膜的厚度为70-100nm，示例性的为75nm、78nm、85nm、90nm或98nm，但不限于此。正面氮化硅膜的折射率为2.1-2.2。具体的，正面氮化硅膜可为单层结构或叠层结构。优选的，正面氮化硅膜为叠层结构，其包括依次设于氧化硅层上的第一正面氮化硅膜和第二正面氮化硅膜，第一正面氮化硅膜中氮硅比为9-10，第二正面氮化硅膜中氮硅比为15-17。
具体的，采用PECVD法沉积正面氮化硅膜；其中，第一正面氮化硅膜、第二正面氮化硅膜的沉积时间分别为100-150s，700-800s，功率为9000-12000W，占空比为5/100-5/60，压力为1500-1600mtorr。
其中，氧化硅膜的厚度为4-5nm，通过氧化硅膜、第二正面氮化硅膜、第一正面氮化硅膜的协同，可有效提升光利用效率。同时，这种氧化硅膜可更好地适配正面电极结构和防断栅结构。
S8：对步骤S7得到的硅片的背面进行激光开槽，形成多条第二激光槽；所述第二激光槽贯穿所述背面氮化硅膜、氧化铝层和氧化硅层；
具体的，采用激光开槽，雕刻成间断型结构(DASH图形)，激光雕刻速度为40000-50000mm/s，激光频率为900-1000kHz，激光功率为25-30W，激光光斑为30-40μm，激光实虚比为(0.3-0.4)：(0.6-0.7)。在激光开槽的过程中同时在第二激光槽之间形成用于印刷防断栅结构的第四激光槽。
其中，第二激光槽的数目为150-180条，示例性的为155条、160条、168条、170条或185条，但不限于此。优选的，第二激光槽的数目为155-170条。具体的，多条第二激光槽相互平行，且间距相同，相邻第二激光槽之间设有一根或多根第三激光槽。第二激光槽与第四激光槽均为间断性结构(即以DASH模式进行激光掺杂所形成的激光槽)。
S9：在步骤S8得到的硅片的背面印刷背面主栅，所述背面主栅为银电极；
具体的，采用丝网印刷工艺在硅片的背面印刷背面主栅，印刷速度为450-480mm/s，网版间距为2-2.5mm，压力为55-62N，印刷完成之后，烘干电极。
具体的，背面主栅与第二激光槽垂直，且在印刷背面主栅的区域不设置第二激光槽。
S10：在第二激光槽内印刷铝栅线，以形成局部铝背场；
具体的，采用丝网印刷工艺在第二激光槽内印刷铝栅线；印刷速度为450-480mm/s，网版间距为2-2.5mm，压力为55-62N，印刷完成之后，烘干电极。
进一步的，在印刷铝栅线的同时，印刷背面防断栅结构。
S11：在步骤S10得到的硅片的正面印刷正面电极，所述正面电极包括正面主栅和正面副栅，所述正面副栅印刷在所述第一激光槽内；所述正面电极为银电极；
具体的，采用丝网印刷工艺同时或分步印刷正面主栅和正面副栅；优选的，同时印刷正面主栅和副栅，并同时印刷正面防断栅结构。印刷速度为450-480mm/s，网版间距为2-2.5mm，压力为55-62N，印刷完成之后，烘干电极。
S12：将步骤S11得到的硅片烧结；
具体的，烧结温度为700-800℃，烧结时间为50-100s。
优选的，本发明中的制备步骤还包括：
S13：测试分选，得到双面太阳能电池成品。
需要说明的是，本发明的制备方法可适应于182型双面太阳能电池、210型双面太阳能电池、166型双面太阳能电池的生产，但不限于此。优选的，本发明中双面太阳能电池为166型双面太阳能电池，其可适应现有的生产设备，减少设备投入。
相应的，参见图1～图4，本发明还公开了一种双面太阳能电池，其包括硅片1，依次设置在硅片1正面的氧化硅层2、正面氮化硅膜3、氧化硅膜4和正面电极5；依次设于硅片1背面的氧化硅层6、氧化铝层7、背面氮化硅膜8和背面电极9。其中，正面电极5包括正面主栅51和正面副栅52，正面主栅51和正面副栅52相垂直，相邻副栅52之间设有一条或多条正面防断栅结构53，其呈间断型结构。背面电极9包括背面主栅91和铝栅线92，铝栅线92穿过背面氮化硅膜8、氧化铝层7和氧化硅层6与硅片1接触，以形成局部铝背场；相邻铝栅线92之间设有一条或多条背面防断栅结构54，其呈间断型结构。
其中，正面氮化硅膜3包括依次设于氧化硅层2上的第一正面氮化硅膜31和第二正面氮化硅膜32；背面氮化硅膜8包括依次设于氧化铝层7上的第一背面氮化硅膜81、第二背面氮化硅膜82和第三背面氮化硅膜83。
下面以具体实施例对本发明进行说明：
实施例1
本实施例提供一种双面太阳能电池的制备方法，其具体包括以下步骤：
步骤一：选取电阻率为0.5-1.5Ω·cm的P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，制绒剂为体积比为2％的KOH水溶液，体积比为0.5％的制绒添加剂，温度为80℃，制绒时间为300s，使得所述P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在12％-15％之间。
步骤二：将硅片置于830℃的炉管中进行磷扩散，扩散时间为70min，扩散结深0.3um，扩散方阻170Ω±2Ω；
步骤三：硅片经过激光器，正面开槽，雕刻速度28000mm/s，形成重掺区域，衬底方为85±3Ω。激光功率为24W，频率为225kHz，雕刻SE图形134根，增加防断栅。
步骤四：采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；所用溶液为HF酸浓度80g/L，HNO3浓度380g/L，H2SO4浓度200g/L，刻蚀后减重0.21g左右，反射率为31％；
步骤五：经过700℃退火炉形成氧化保护膜，时间为900s，O2流量为100sccm，压力为150Pa，退火后硅片亲水性为直径小于15mm；
步骤六：采用PECVD法沉积硅片背面氧化铝钝化层；背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm，在硅片的背面镀氮化硅反射膜；背面氮化硅反射膜的膜厚为80nm；折射率为2.15，其中氮硅比为3.5/5.5/7.01，沉积时间为271/148/60s，功率为12000W，占空比为5/70，压力为1550mtorr；
步骤七：采用PECVD法在硅片的正面镀氮化硅反射膜和氧化硅膜；正面氮化硅反射膜的膜厚为72nm；折射率为2.13，其中氮硅比为9.6/15.5，沉积时间为140/720s，功率为11800W，占空比为5/70，压力为1600mtorr。氧化硅膜的厚度为4nm；
步骤八：硅片通过背面激光开槽，雕刻成Dash(线段)激光图形，主要为激光实虚比(0.35:0.65)激光雕刻速度44000mm/s，频率950kHz，光斑大小为38um，激光功率为28W；雕刻背激光图形160根，增加防断栅。
步骤九：印刷背面主栅：在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷背面主栅，所采用的金属为银，印刷速度为450mm/s，压力为60N，网版间距为2.1mm，通过温度为280度左右的烘干炉烘干；
步骤十：铝栅线印刷：在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝栅线，网版使用多栅线160根带防断栅网版，印刷速度为450mm/s，压力为60N，网版间距为2.1mm，通过温度为330度左右的烘干炉烘干；
步骤十一：正面电极印刷：在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极，网版使用多栅线134根带防断栅网版，所采用的金属为银；印刷速度为450mm/s，压力为60N，网版间距为2.1mm，通过温度为280度左右的烘干炉烘干；
步骤十二：高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结，烧结温度为：750℃，烧结时间为60秒；
步骤十三：电池片在halm测试机测试分选；
电性能参数表现：
正面效率Eta提升0.052％，背面效率提升0.3％，主要为UOC/ISC提升多，双面率提升1.22％。
实施例2
本实施例提供一种双面太阳能电池的制备方法，其具体包括以下步骤：
步骤一：选取电阻率为0.5-1.5Ω·cm的P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，制绒剂为体积比为2％的KOH水溶液，体积比为0.7％的制绒添加剂，温度为82℃，制绒时间为290s，使得所述P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-13％之间；
步骤二：将硅片置于850℃的炉管中进行磷扩散，扩散时间为60min，扩散结深0.2um，扩散方阻175Ω±5Ω；
步骤三：硅片经过激光器，正面开槽，雕刻速度26000mm/s，形成重掺区域，衬底方为84±2Ω。激光功率为23W，激光频率为228kHz，雕刻SE图形140根，增加防断栅。
步骤四：采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；所用溶液为HF酸浓度85g/L，HNO3浓度350g/L，H2SO4浓度200g/L，刻蚀后减重0.2g左右，反射率为29％；
步骤五：经过730℃退火炉形成氧化保护膜，时间为920s，O2流量为110sccm，压力为150Pa，退火后硅片亲水性为直径小于15mm；
步骤六：采用PECVD法沉积硅片背面氧化铝钝化层；背面氧化铝钝化层的膜厚为7nm，在硅片的背面镀氮化硅反射膜；背面氮化硅反射膜的膜厚为76nm；折射率为2.13，其中氮硅比为3.2/5.7/7.1，沉积时间为254/165/30s，功率为12220W，占空比为5/70，压力为1550mtorr；
步骤七：采用PECVD法在硅片的正面镀氮化硅反射膜和氧化硅膜；正面氮化硅反射膜的膜厚为75nm；折射率为2.14，其中氮硅比为9.4/16.4，沉积时间为160/700s，功率为9800W，占空比为5/70，压力为1600mtorr；氧化硅膜的厚度为5nm；
步骤八：硅片通过背面激光开槽，雕刻成Dash(线段)激光图形，主要为激光实虚比(0.39:0.61)激光雕刻速度42000mm/s，频率980kHz，光斑大小为34μm，激光功率为28W；雕刻背激光图形170根，增加防断栅。
步骤九：印刷背面主栅：在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷背面主栅，所采用的金属为银，印刷速度为455mm/s，压力为59N，网版间距为2.3mm，通过温度为280度左右的烘干炉烘干；
步骤十：铝栅线印刷：在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝栅线，网版使用多栅线170根带防断栅网版，印刷速度为455mm/s，压力为59N，网版间距为2.3mm，通过温度为330度左右的烘干炉烘干；
步骤十一：正面电极印刷：在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极，网版使用多栅线140根带防断栅网版，所采用的金属为银；印刷速度为470mm/s，压力为62N，网版间距为2.2mm，通过温度为280度左右的烘干炉，烘干；
步骤十二：高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结，烧结温度为：760℃，烧结时间为60s；
步骤十三:电池片在halm测试机测试分选；
电性能参数表现：
正面效率Eta提升0.062％，背面效率提升0.25％，主要为ISC提升多，双面率提升0.9％。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
(1)提供硅片，并对硅片进行制绒；其中，所述硅片为电阻率为0.5-2Ω·cm的P型单晶硅片，采用KOH水溶液进行制绒，制绒后硅片在全波段的反射率为9-15％；
(2)将制绒后的进行扩散，其中，扩散温度为800-900℃，扩散结深为0.2-0.5μm，扩散方阻为165-170Ω/sq；
(3)对扩散后硅片的正面进行激光掺杂，形成多条第一激光槽；其中，激光掺杂的雕刻速度为26000-30000mm/s，激光功率为23-25W，激光频率为225-230kHz，激光掺杂后硅片的方阻为80-90Ω/sq，所述第一激光槽的数目为130-140条；
(4)去除激光掺杂后硅片边缘的PN结以及硅片正面的磷硅玻璃，并对硅片背面进行抛光；其中，采用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液去除磷硅玻璃和对硅片背面进行抛光，抛光后硅片背面的反射率为25-35％；
(5)对步骤(4)得到的硅片在700-750℃下退火处理800-950s，以在硅片的正面和背面形成氧化硅层；其中，退火处理时O2流量为80-120scm，压力为140-155Pa，退火后硅片的亲水直径＜15mm；
(6)在退火后硅片的背面沉积氧化铝层和背面氮化硅膜；其中，所述背面氮化硅膜的厚度为70-80nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化铝层的厚度为5-15nm；
(7)在步骤(6)得到的硅片的正面沉积正面氮化硅膜和氧化硅膜；其中，所述正面氮化硅膜的厚度为70-100nm，其折射率为2.1-2.2；所述氧化硅膜的厚度为4-5nm；
(8)对步骤(7)得到的硅片的背面进行激光开槽，形成多条第二激光槽；所述第二激光槽贯穿所述背面氮化硅膜、氧化铝层和氧化硅层；其中，激光雕刻速度为40000-50000mm/s，激光频率为900-1000kHz，激光功率为25-30W，激光光斑为30-40μm，激光实虚比为(0.3-0.4)：(0.6-0.7)；
(9)在步骤(8)得到的硅片的背面印刷背面主栅，所述背面主栅为银电极；
(10)在所述第二激光槽内印刷铝栅线，以形成局部铝背场；
(11)在步骤(10)得到的硅片的正面印刷正面电极，所述正面电极包括正面主栅和正面副栅，所述正面副栅印刷在所述第一激光槽内；所述正面电极为银电极；
(12)将步骤(11)得到的硅片烧结，即得到双面太阳能电池成品；
其中，相邻所述正面副栅之间、相邻铝栅线之间设有防断栅结构，所述防断栅为间断性结构；
所述正面氮化硅膜包括设于依次所述氧化硅层上的第一正面氮化硅膜和第二正面氮化硅膜，所述第一正面氮化硅膜中氮硅比为9-10，所述第二正面氮化硅膜中氮硅比为15-17；
所述背面氮化硅膜包括依次设于所述氧化铝层上的第一背面氮化硅膜、第二背面氮化硅膜和第三背面氮化硅膜，其氮硅比分别为3-4，4.5-6和6.5-7.5。
2.一种双面太阳能电池，其特征在于，其由权利要求1所述的制备方法制备而得。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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