CN113257292B - 一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，涉及闪存模块技术领域。该写入数据用三维闪存模块，包括保护壳，所述保护壳的内部活动连接有固定机构，所述固定机构的内壁固定连接有存储机构，所述存储机构的外壁通过设置的固定机构与保护壳的内壁活动连接，所述固定机构的结构包括固定壳板、第一缓冲机构、第二缓冲机构和第三磁力缓冲装置。该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的保护壳，可以防止灰尘从侧面进入存储机构，从而减少存储机构因为灰尘过多导致的连接不稳定的情况出现，通过设置的固定机构，可以减少该装置因为掉落或者碰撞产生的内部结构连接不稳定的情况出现。

Description

一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法

技术领域

本发明涉及闪存模块技术领域，具体为一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法。

背景技术

非易失性存储器，由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器。现有的三维闪存模块使用的存储装置大多数是金属生产，并且存储装置在使用时需要联通弱电，但是金属制品在碰撞之后容易使锡脱落，容易导致存储装置产生失灵，从而容易导致三维闪存模块内存储的数据丢失，不太方便使用。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过对三维模块使用的存储装置进行固定以及防护，防止存储装置产生较为剧烈的碰撞，从而达到减少三维闪存模块内存储的数据丢失的情况出现。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种写入数据用三维闪存模块，包括保护壳，所述保护壳的内部活动连接有固定机构，所述固定机构的内壁固定连接有存储机构，所述存储机构的外壁通过设置的固定机构与保护壳的内壁活动连接。

所述固定机构的结构包括固定壳板、第一缓冲机构、第二缓冲机构和第三磁力缓冲装置，所述固定壳板的外顶端靠近中心的位置设置有第一缓冲机构，所述第一缓冲机构的外壁通过设置的固定壳板与保护壳的内壁活动连接，所述固定壳板的外顶端靠近前后两侧的位置设置有第二缓冲机构，所述第二缓冲机构的外壁通过设置的固定壳板与保护壳的内壁活动连接，所述固定壳板的外壁靠近前后两侧的位置固定连接有第三磁力缓冲装置，所述第三磁力缓冲装置的外壁通过设置的固定壳板与保护壳的内壁活动连接。

所述第一缓冲机构的结构包括气压槽、固定内螺纹轴、转动外螺纹轴和第一定位连接块，所述固定壳板的顶端靠近中心的位置开设有气压槽，所述气压槽的内壁活动连接有固定内螺纹轴，所述固定内螺纹轴的内壁活动连接有转动外螺纹轴，所述转动外螺纹轴的外壁通过设置的固定内螺纹轴与气压槽的外壁活动连接，所述转动外螺纹轴的顶端活动连接有第一定位连接块，所述第一定位连接块的外壁通过设置的转动外螺纹轴与固定内螺纹轴的外壁活动连接，所述第一定位连接块的外壁与保护壳的内壁固定连接。

优选的，所述第二缓冲机构的结构包括滑动槽、固定块、连接弹簧和定位连接机构，所述固定壳板的顶端靠近前后两侧的位置开设有滑动槽，所述滑动槽的内壁呈等距排状固定连接有固定块，所述固定块的外壁固定连接有连接弹簧，所述连接弹簧的外壁通过设置的固定块与滑动槽的内壁活动连接，所述连接弹簧的外壁远离固定块的位置固定连接有定位连接机构，所述定位连接机构的外壁通过设置的连接弹簧与固定块的外壁活动连接，所述定位连接机构的顶端与保护壳的内壁固定连接。

优选的，所述定位连接机构的结构包括第二定位连接块、弧形弹力板、増阻槽和支撑杆，所述第二定位连接块的底端呈等距排列固定连接有弧形弹力板，所述弧形弹力板的外壁开设有増阻槽，所述増阻槽的外壁通过设置的第二定位连接块与滑动槽的内壁活动连接，所述弧形弹力板的内壁固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端与第二定位连接块的底端固定连接。

优选的，所述存储机构的结构包括存储芯片、存储块和散热板，所述存储芯片的外壁固定连接有存储块，所述存储块的外壁活动连接有散热板，所述散热板的外壁通过设置的存储块与固定壳板的内壁固定连接。

一种写入数据用三维闪存模块的数据写入方法如下，

S1：在每个闪存芯片中都有海量的存储单元，一个闪存存储单元示意图，从上到下分别是控制栅极、氧化层、浮栅层、隧道氧化层和衬底。左侧是源级右侧是漏级，电流只能从源级向漏级单向传导；

S2：闪存记录数据的关键在于浮栅层，当其中被充满电子时是已编程状态，代表二进制0；当其中没有电子时是已擦除状态，代表二进制1；

S3：当源级到漏级之间有电流1，说明浮栅里没有电子；

S4：在控制栅极和漏级之间施加一个20V高电压，就可以引发量子隧道效应，使电子进入到浮栅层中。由于氧化隧道层的绝缘效果，进入到浮栅层的电子不容易流失掉，所以闪存可以在断电后继续保留数据；

S5：反过来也可以使用20V高电压反向将浮栅层中的电子“抽离”出去，这就是闪存的擦除。闪存的独特工作原理决定了闪存单元在写入之前必须经过擦除，而不能像磁记录那样直接覆盖写入。

本发明提供了一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法。具备以下有益效果：

(1)、该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的保护壳，可以防止灰尘从侧面进入存储机构，从而减少存储机构因为灰尘过多导致的连接不稳定的情况出现。

(2)、该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的固定机构，可以减少该装置因为掉落或者碰撞产生的内部结构连接不稳定的情况出现，从而减少三维闪存模块内存储的数据丢失的情况出现，提高该装置的实用性。

(3)、该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的第一缓冲机构，可以在存储机构产生上下方向的碰撞时，将碰撞点的力进行分散，从而达到对存储机构进行缓冲的效果，进一步的保证存储机构的正常使用，提高该装置的使用寿命。

(4)、该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的第二缓冲机构，可以在存储机构产生左右方向的碰撞时，将左右运动的力进行缓慢回弹，从而对存储机构进行缓冲，减少该装置因为掉落或者碰撞产生的内部结构连接不稳定的情况出现。

(5)、该写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法，通过设置的第三磁力缓冲装置，可以对存储机构进行前后方向的减震，从而提高该装置的实用性，比较方便使用。

附图说明

图1为本发明结构正等轴测示意图；

图2为本发明图1中A-A处结构剖视图；

图3为本发明图1中B-B处结构剖视图；

图4为本发明图1中C-C处结构剖视图；

图5为本发明图4中E处结构放大示意图；

图6为本发明图3中D处结构放大示意图；

图7为本发明定位连接机构局部立体仰视图。

图中：1、保护壳；2、固定机构；21、固定壳板；22、第一缓冲机构； 221、气压槽；222、固定内螺纹轴；223、转动外螺纹轴；224、第一定位连接块；23、第二缓冲机构；231、滑动槽；232、固定块；233、连接弹簧；234、定位连接机构；2341、第二定位连接块；2342、弧形弹力板；2343、增阻槽； 2344、支撑杆；24、第三磁力缓冲装置；3、存储机构；31、存储芯片；32、存储块；33、散热板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

请参阅图1-7，本发明提供一种技术方案：一种写入数据用三维闪存模块，包括保护壳1，保护壳1的内部活动连接有固定机构2，固定机构2的内壁固定连接有存储机构3，存储机构3的外壁通过设置的固定机构2与保护壳1的内壁活动连接。

固定机构2的结构包括固定壳板21、第一缓冲机构22、第二缓冲机构23 和第三磁力缓冲装置24，固定壳板21的外顶端靠近中心的位置设置有第一缓冲机构22，第一缓冲机构22的外壁通过设置的固定壳板21与保护壳1的内壁活动连接，固定壳板21的外顶端靠近前后两侧的位置设置有第二缓冲机构 23，第二缓冲机构23的外壁通过设置的固定壳板21与保护壳1的内壁活动连接，固定壳板21的外壁靠近前后两侧的位置固定连接有第三磁力缓冲装置 24，第三磁力缓冲装置24的外壁通过设置的固定壳板21与保护壳1的内壁活动连接，第一缓冲机构22和第二缓冲机构23均为在固定壳板21的外壁上下对称设置，从而达到双向保护的作用。

第一缓冲机构22的结构包括气压槽221、固定内螺纹轴222、转动外螺纹轴223和第一定位连接块224，固定壳板21的顶端靠近中心的位置开设有气压槽221，气压槽221的内壁活动连接有固定内螺纹轴222，固定内螺纹轴 222的内壁活动连接有转动外螺纹轴223，转动外螺纹轴223的外壁通过设置的固定内螺纹轴222与气压槽221的外壁活动连接，转动外螺纹轴223的顶端活动连接有第一定位连接块224，第一定位连接块224的外壁通过设置的转动外螺纹轴223与固定内螺纹轴222的外壁活动连接，第一定位连接块224 的外壁与保护壳1的内壁固定连接，固定内螺纹轴222内部的内螺纹和转动外螺纹轴223外壁的外螺纹螺纹连接，并且密封。

第二缓冲机构23的结构包括滑动槽231、固定块232、连接弹簧233和定位连接机构234，固定壳板21的顶端靠近前后两侧的位置开设有滑动槽 231，滑动槽231的内壁呈等距排状固定连接有固定块232，固定块232的外壁固定连接有连接弹簧233，连接弹簧233的外壁通过设置的固定块232与滑动槽231的内壁活动连接，连接弹簧233的外壁远离固定块232的位置固定连接有定位连接机构234，定位连接机构234的外壁通过设置的连接弹簧233 与固定块232的外壁活动连接，定位连接机构234的顶端与保护壳1的内壁固定连接，定位连接机构234在相邻固定块232的间隙中与连接弹簧233固定连接。

定位连接机构234的结构包括第二定位连接块2341、弧形弹力板2342、増阻槽2343和支撑杆2344，第二定位连接块2341的底端呈等距排列固定连接有弧形弹力板2342，弧形弹力板2342的外壁开设有増阻槽2343，増阻槽 2343的外壁通过设置的第二定位连接块2341与滑动槽231的内壁活动连接，弧形弹力板2342的内壁固定连接有支撑杆2344，支撑杆2344的顶端与第二定位连接块2341的底端固定连接，増阻槽2343在弧形弹力板2342的外壁开设有两个，从而扩大弧形弹力板2342与滑动槽231内壁的摩擦力。

存储机构3的结构包括存储芯片31、存储块32和散热板33，存储芯片 31的外壁固定连接有存储块32，存储块32的外壁活动连接有散热板33，散热板33的外壁通过设置的存储块32与固定壳板21的内壁固定连接。

一种写入数据用三维闪存模块的数据写入方法如下，

S1：在每个闪存芯片中都有海量的存储单元，下图是一个闪存存储单元示意图，从上到下分别是控制栅极、氧化层、浮栅层、隧道氧化层和衬底。左侧是源级右侧是漏级，电流只能从源级向漏级单向传导；

S2：闪存记录数据的关键在于浮栅层，当其中被充满电子时是已编程状态，代表二进制0；当其中没有电子时是已擦除状态，代表二进制1；

S3：当源级到漏级之间有电流1，说明浮栅里没有电子；

S4：在控制栅极和漏级之间施加一个20V高电压，就可以引发量子隧道效应，使电子进入到浮栅层中。由于氧化隧道层的绝缘效果，进入到浮栅层的电子不容易流失掉，所以闪存可以在断电后继续保留数据；

S5：反过来也可以使用20V高电压反向将浮栅层中的电子“抽离”出去，这就是闪存的擦除。闪存的独特工作原理决定了闪存单元在写入之前必须经过擦除，而不能像磁记录那样直接覆盖写入。

该装置组装完成之后，可以直接插在读取装置上进行存储或者读取，当外界对该装置产生上下方向的碰撞或者该装置掉落时，上下面先接触地面时，外界的力先触碰到保护壳1的外壁，装置内的固定机构2与存储机构3由于惯性继续向外界的力方向移动，在存储机构3和固定机构2的移动过程中，第一定位连接块224外壁的转动外螺纹轴223与固定内螺纹轴222产生挤压力，从而使转动外螺纹轴223围绕第一定位连接块224产生转动，在转动的过程中，将外界的力进行分散，对存储机构3产生保护，并且转动外螺纹轴 223移动到固定内螺纹轴222内部之后气压槽221内部的气压增大，从而进一步对存储机构3进行缓冲，外界力消失之后，气压槽221内部的气压使转动外螺纹轴223进行复位，在外界对该装置产生左右方向的力的时候，外界的力先触碰到保护壳1的外壁，装置内的固定机构2与存储机构3由于惯性继续向外界的力方向移动，在存储机构3和固定机构2的移动过程中带动保护壳1内部的定位连接机构234产生移动，定位连接机构234移动的过程中，被固定块232外壁的连接弹簧233产生拉扯，从而减缓存储机构3对保护壳1 内部的碰撞，并且在定位连接机构234移动的过程中，弧形弹力板2342与滑动槽231的内壁产生摩擦，支撑杆2344可以对弧形弹力板2342进行支撑，并且増阻槽2343增大弧形弹力板2342与滑动槽231内壁的摩擦力，从而进一步对存储机构3进行缓冲，提高该装置的实用性，当外界对该装置产生前后方向的碰撞或者该装置掉落时，前后面先接触地面时，外界的力先触碰到保护壳1的外壁，装置内的固定机构2与存储机构3由于惯性继续向外界的力方向移动，在存储机构3和固定机构2的移动过程中，第三磁力缓冲装置 24对固定机构2和存储机构3进行缓冲，提高该装置的使用寿命。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种写入数据用三维闪存模块，包括保护壳(1)，其特征在于：所述保护壳(1)的内部活动连接有固定机构(2)，所述固定机构(2)的内壁固定连接有存储机构(3)，所述存储机构(3)的外壁通过设置的固定机构(2)与保护壳(1)的内壁活动连接；

所述固定机构(2)的结构包括固定壳板(21)、第一缓冲机构(22)、第二缓冲机构(23)和第三磁力缓冲装置(24)，所述固定壳板(21)的外顶端靠近中心的位置设置有第一缓冲机构(22)，所述第一缓冲机构(22)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接，所述固定壳板(21)的外顶端靠近前后两侧的位置设置有第二缓冲机构(23)，所述第二缓冲机构(23)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接，所述固定壳板(21)的外壁靠近前后两侧的位置固定连接有第三磁力缓冲装置(24)，所述第三磁力缓冲装置(24)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接；

所述第一缓冲机构(22)的结构包括气压槽(221)、固定内螺纹轴(222)、转动外螺纹轴(223)和第一定位连接块(224)，所述固定壳板(21)的顶端靠近中心的位置开设有气压槽(221)，所述气压槽(221)的内壁活动连接有固定内螺纹轴(222)，所述固定内螺纹轴(222)的内壁活动连接有转动外螺纹轴(223)，所述转动外螺纹轴(223)的外壁通过设置的固定内螺纹轴(222)与气压槽(221)的外壁活动连接，所述转动外螺纹轴(223)的顶端活动连接有第一定位连接块(224)，所述第一定位连接块(224)的外壁通过设置的转动外螺纹轴(223)与固定内螺纹轴(222)的外壁活动连接，所述第一定位连接块(224)的外壁与保护壳(1)的内壁固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种写入数据用三维闪存模块，其特征在于：所述第二缓冲机构(23)的结构包括滑动槽(231)、固定块(232)、连接弹簧(233)和定位连接机构(234)，所述固定壳板(21)的顶端靠近前后两侧的位置开设有滑动槽(231)，所述滑动槽(231)的内壁呈等距排状固定连接有固定块(232)，所述固定块(232)的外壁固定连接有连接弹簧(233)，所述连接弹簧(233)的外壁通过设置的固定块(232)与滑动槽(231)的内壁活动连接，所述连接弹簧(233)的外壁远离固定块(232)的位置固定连接有定位连接机构(234)，所述定位连接机构(234)的外壁通过设置的连接弹簧(233)与固定块(232)的外壁活动连接，所述定位连接机构(234)的顶端与保护壳(1)的内壁固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种写入数据用三维闪存模块，其特征在于：所述定位连接机构(234)的结构包括第二定位连接块(2341)、弧形弹力板(2342)、増阻槽(2343)和支撑杆(2344)，所述第二定位连接块(2341)的底端呈等距排列固定连接有弧形弹力板(2342)，所述弧形弹力板(2342)的外壁开设有増阻槽(2343)，所述増阻槽(2343)的外壁通过设置的第二定位连接块(2341)与滑动槽(231)的内壁活动连接，所述弧形弹力板(2342)的内壁固定连接有支撑杆(2344)，所述支撑杆(2344)的顶端与第二定位连接块(2341)的底端固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种写入数据用三维闪存模块，其特征在于：所述存储机构(3)的结构包括存储芯片(31)、存储块(32)和散热板(33)，所述存储芯片(31)的外壁固定连接有存储块(32)，所述存储块(32)的外壁活动连接有散热板(33)，所述散热板(33)的外壁通过设置的存储块(32)与固定壳板(21)的内壁固定连接。

5.一种写入数据用三维闪存模块的数据写入方法，其特征在于：包括如下步骤，

S1：在每个闪存芯片中都有海量的存储单元，从上到下分别是控制栅极、氧化层、浮栅层、隧道氧化层和衬底。左侧是源级右侧是漏级，电流只能从源级向漏级单向传导；

S2：闪存记录数据的关键在于浮栅层，当其中被充满电子时是已编程状态，代表二进制0；当其中没有电子时是已擦除状态，代表二进制1；

S3：当源级到漏级之间有电流1，说明浮栅里没有电子；

S4：在控制栅极和漏级之间施加一个20V高电压，就可以引发量子隧道效应，使电子进入到浮栅层中；由于氧化隧道层的绝缘效果，进入到浮栅层的电子不容易流失掉，所以闪存可以在断电后继续保留数据；

S5：反过来也可以使用20V高电压反向将浮栅层中的电子“抽离”出去，这就是闪存的擦除。闪存的独特工作原理决定了闪存单元在写入之前必须经过擦除，而不能像磁记录那样直接覆盖写入。

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