CN113241309B - 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法 - Google Patents

集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113241309B
CN113241309B CN202110500062.9A CN202110500062A CN113241309B CN 113241309 B CN113241309 B CN 113241309B CN 202110500062 A CN202110500062 A CN 202110500062A CN 113241309 B CN113241309 B CN 113241309B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radio frequency
test pressure
frequency test
substrate
terahertz
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110500062.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113241309A (zh
Inventor
柳林
胡志富
何美林
何锐聪
刘亚男
彭志农
徐敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hebei Xiongan Taixin Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Hebei Xiongan Taixin Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hebei Xiongan Taixin Electronic Technology Co ltd filed Critical Hebei Xiongan Taixin Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202110500062.9A priority Critical patent/CN113241309B/zh
Publication of CN113241309A publication Critical patent/CN113241309A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113241309B publication Critical patent/CN113241309B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
    • B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
    • B07C5/34—Sorting according to other particular properties
    • B07C5/344—Sorting according to other particular properties according to electric or electromagnetic properties
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/36—Circuit design at the analogue level
    • G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其制备方法，所述电路结构包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路，所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。本申请所述太赫兹单片电路结构将射频测试压点设计到单片电路结构上，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。

Description

集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法
技术领域
本发明涉及太赫兹芯片技术领域，尤其涉及一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法。
背景技术
太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波，频率越高的电磁波在介质中传导的损耗就越大，而且对元件的变化敏感度更高。这在单片后续的使用中，对装配的要求就越高，尤其在200GHz以上的频段，传统方式从微带线通过键合线到石英探针再转波导的方式会有比较大的损耗的同时（如图1所示），键合线的长短和形状等不一致性对太赫兹电路的性能影响很大，很容易造成端口失配，这种方法很难保证装配一致性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提供一种方便进行筛选，进而可以提高生产效率的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路， 所述太赫兹单片电路的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点，所述侧面射频测试压点通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口。
进一步的技术方案在于：所述在片探针结构包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属，所述中间金属的一端与所述中间射频测试压点连接，所述中间金属的两侧分别形成有第一侧金属条和第二侧金属条，所述中间金属靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部，所述第二侧金属条靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部，所述第一折弯部与第二折弯部的延伸方向相反，所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层，所述第一侧金属条以及第二侧金属条靠近内侧的一端通过金属化过孔与所述背面金属层连接，且所述金属化过孔外侧的衬底部分没有背面金属层。
进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。
进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路为微带电路，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点后与所述中间金属连接。
进一步的技术方案在于：所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端与输入端共面波导分别经中间射频测试压点后与所述中间金属连接，所述共面波导电路两侧的电路分别与侧面射频测试压点连接，作为共面波导两边金属的一部分。
本发明还公开了一种集成在片探针的太赫兹单片电路结构设计方法，其特征在于包括如下步骤：
设计太赫兹单片电路器件；
根据太赫兹单片电路器件的衬底、波导标准以及使用频段，针对射频测试压点和在片探针进行一体化设计；
将设计的太赫兹单片电路器件、射频测试压点、在片探针结构以及波导接口在一起联合仿真设计，并进行调试；
根据调试后的器件设计生产所述太赫兹单片电路结构。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本申请所述太赫兹单片电路结构通过将太赫兹单片电路器件、射频测试压点以及在片探针结构设计到一起，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是现有技术中太赫兹单片电路的结构示意图；
图2是本发明实施例所述太赫兹单片电路结构的示意图；
图3是本发明实施例中太赫兹单片电路为微带电路时的部分结构示意图；
图4是本发明实施例中太赫兹单片电路为共面波导电路时的部分结构示意图；
图5是本发明实施例所述太赫兹单片电路结构的部分示意图；
图6是本发明实施例所述电路结构中在片探针结构的示意图；
图7是图6中A-A向的剖视结构示意图；
图8是图6中B-B向的剖视结构示意图；
其中：1、衬底；2、太赫兹单片电路；3、在片探针结构；4、波导接口；5、中间金属；5-1、第一折弯部；6、第一侧金属条；7、第二侧金属条；7-1、第二折弯部；8、背面金属层；9、金属化过孔；10、中间射频测试压点；11、侧面射频测试压点。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如图2-图6所示，本发明实施例公开了一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，包括衬底1，所述衬底1包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路2，所述太赫兹单片电路2的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点10后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点10的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点11，所述侧面射频测试压点11通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构3上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口4。
进一步的，如图2-图8所示，所述在片探针结构3包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属5，所述中间金属5的一端与所述中间射频测试压点10连接，所述中间金属5的两侧分别形成有第一侧金属条6和第二侧金属条7；所述中间金属5靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部5-1，所述第二侧金属条7靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部7-1，所述第一折弯部5-1与第二折弯部7-1的延伸方向相反；所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层8，所述第一侧金属条6以及第二侧金属条7靠近内侧的一端通过金属化过孔9与所述背面金属层8连接，且所述金属化过孔9外侧的衬底部分没有背面金属层。
所述太赫兹单片电路的具体形式有很多种，第一种所述太赫兹单片电路为微带电路，如图3所示，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点10后与所述中间金属5连接。第二种，如图4所示，所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端共面波导与输入端共面波导分别经中间射频测试压点10后与所述中间金属5连接，所述共面波导电路两侧的电路经侧面射频测试压点11后分别与第一侧金属条6以及第二侧金属条7连接，作为共面波导两边金属的一部分。
进一步的，本发明实施例还公开了一种集成在片探针的太赫兹单片电路结构设计方法，包括如下步骤：
设计太赫兹单片电路器件；
根据太赫兹单片电路器件的衬底、波导标准以及使用频段，针对射频测试压点和在片探针进行一体化设计；
将设计的太赫兹单片电路器件、射频测试压点、在片探针结构以及波导接口在一起联合仿真设计，并进行调试；
根据调试后的器件设计生产所述太赫兹单片电路结构。
本申请所述太赫兹单片电路结构通过将太赫兹单片电路器件、射频测试压点以及在片探针结构设计到一起，可以对单片进行在片筛选，在第一时间鉴别芯片的好坏和一致性，从而提高了生产效率。

Claims (4)

1.一种集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）包括太赫兹单片电路衬底以及在片探针结构衬底，所述太赫兹单片电路衬底的上表面形成有太赫兹单片电路（2）， 所述太赫兹单片电路（2）的输入端以及输出端的微带线分别经一个中间射频测试压点（10）后与在片探针结构连接，所述中间射频测试压点（10）的两侧分别形成有一个侧面射频测试压点（11），所述侧面射频测试压点（11）通过金属化过孔与衬底背面的金属层连接，所述在片探针结构（3）上分别连接有输入波导接口以及输出波导接口（4）；所述在片探针结构（3）包括位于在片探针结构衬底上表面的中间金属（5），所述中间金属（5）的一端与所述中间射频测试压点（10）连接，所述中间金属（5）的两侧分别形成有第一侧金属条（6）和第二侧金属条（7），所述中间金属（5）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第一折弯部（5-1），所述第二侧金属条（7）靠近外侧的一端形成有与其垂直的第二折弯部（7-1），所述第一折弯部（5-1）与第二折弯部（7-1）的延伸方向相反，所述在片探针结构部分的衬底的背面形成有背面金属层（8），所述第一侧金属条（6）以及第二侧金属条（7）靠近内侧的一端通过金属化过孔（9）与所述背面金属层（8）连接，且所述金属化过孔（9）外侧的衬底部分没有背面金属层。
2.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路衬底与在片探针结构衬底的厚度相等。
3.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路为微带电路，所述微带电路的输入端微带线以及输出端微带线经中间射频测试压点（10）后与所述中间金属（5）连接。
4.如权利要求1所述的集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构，其特征在于：所述太赫兹单片电路为共面波导电路，所述共面波导电路的输出端共面波导与输入端共面波导分别经中间射频测试压点（10）后与所述中间金属（5）连接，所述共面波导电路两侧的电路经侧面射频测试压点（11）后分别与第一侧金属条（6）以及第二侧金属条（7）连接，作为共面波导两边金属的一部分。
CN202110500062.9A 2021-05-08 2021-05-08 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法 Active CN113241309B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110500062.9A CN113241309B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110500062.9A CN113241309B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113241309A CN113241309A (zh) 2021-08-10
CN113241309B true CN113241309B (zh) 2022-07-01

Family

ID=77132652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110500062.9A Active CN113241309B (zh) 2021-05-08 2021-05-08 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113241309B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851794A (en) * 1987-10-09 1989-07-25 Ball Corporation Microstrip to coplanar waveguide transitional device
CN107317081A (zh) * 2017-07-05 2017-11-03 电子科技大学 太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构
CN108615977A (zh) * 2018-03-13 2018-10-02 江苏大学 一种多功能太赫兹收发共享片上天线

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104865453B (zh) * 2015-06-12 2019-07-09 中国电子科技集团公司第十三研究所 太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
CN109655970A (zh) * 2019-01-30 2019-04-19 电子科技大学 一种太赫兹片上集成过渡结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851794A (en) * 1987-10-09 1989-07-25 Ball Corporation Microstrip to coplanar waveguide transitional device
CN107317081A (zh) * 2017-07-05 2017-11-03 电子科技大学 太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构
CN108615977A (zh) * 2018-03-13 2018-10-02 江苏大学 一种多功能太赫兹收发共享片上天线

Also Published As

Publication number Publication date
CN113241309A (zh) 2021-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107317081B (zh) 太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构
JP2013046412A (ja) オンｐｃｂ誘電体導波路
CN109560355B (zh) 用于5g通信的介质体、介质波导滤波器、射频模块及基站
CN102621470B (zh) 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法
CN105207625A (zh) 一种宽频带太赫兹谐波混频器
CN107394328A (zh) 一种d波段波导‑平面电路过渡装置
CN110676551B (zh) 一种具有空气腔的微带同轴转换结构及其互联方法
CN105609489B (zh) 基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构
CN104051434A (zh) 一种集成vco和波导天线的封装结构
CN111880012B (zh) 微波介质基板宽带连续介电特性参数的检测方法
CN113241309B (zh) 集成射频测试压点的太赫兹单片电路结构及其设计方法
CN204130668U (zh) 一种采用三路径信号干扰的双频带阻滤波器
CN112993506B (zh) 太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构
CN109828157B (zh) 一种介质基片介电常数测量机构及其测量方法
CN105895627A (zh) 一种宽带共面波导微带双节无通孔过渡结构
CN109616725A (zh) 一种新型介质波导滤波器
CN113239656B (zh) 集成在片探针的太赫兹单片电路结构及其设计方法
CN212991271U (zh) 一种紧凑型波导分谐波混频器
CN113161312B (zh) 一种芯片和传输线间渐变金带互联结构及其装配方法
CN104241753A (zh) 一种采用两路反相滤波电路的ltcc滤波巴伦
CN100459282C (zh) 半模基片集成波导90度三分贝定向耦合器
CN207818857U (zh) 一种滤波器
JP2794905B2 (ja) マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ
CN112993505A (zh) 太赫兹无跳丝共面波导单片及系统级电路低插损封装结构
CN112290170B (zh) 一种具有可调谐电路的射频垂直过渡结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant