CN113228221A - 通过多射束设备的个体射束控向的经改善扫描效率 - Google Patents

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Abstract

公开了在多射束设备中观察样品的系统和方法。多射束设备可以包括偏转器阵列，其被配置为将多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号。该设备还可以包括：具有电路装置的控制器，其用于获取样品的轮廓数据并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器；以及控向电路装置，包括：对应的驱动器，其被配置为生成驱动信号；对应的补偿器，其被配置为接收该驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并且基于驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。

Description

通过多射束设备的个体射束控向的经改善扫描效率
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月28日提交的美国申请62/786,248的优选权，并且该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本文的描述涉及具有一个或多个带电粒子射束的带电粒子射束设备，并且更具体地涉及包括个体射束控向装置的多射束设备。
背景技术
在用于集成电路(IC)的制造过程中，电路组件可以被检查以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷。图案缺陷、不请自来的颗粒(例如，残留物)等等可能在制造期间出现在晶片或掩模上，从而可能降低产率。例如，对于已被采用来满足IC芯片越来越先进的性能要求的具有较小关键特征尺寸的图案，不请自来的颗粒可能会带来麻烦。
带电粒子(例如，电子)射束显微镜，诸如扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)，其分辨率能够低至小于一纳米，可以用作检查具有例如亚100纳米规模的特征尺寸的IC组件的实用工具。在SEM工具中，具有相对高能量的初级电子射束被减速以相对低的着落能量来着落在样品上，并且被聚焦以在其上形成探测点。由于初级电子的这种聚焦探测点，将从表面生成次级电子。通过在样品表面上扫描探测点并且收集次级电子，图案检查工具可以获得样品表面的图像。可以使用多个带电粒子射束来增加检查吞吐量；然而，射束电流使用的生产力和效率可能会受到影响，从而导致检查工具不足以满足其期望目的。
因此，相关技术系统在例如射束电流的有效使用和保持多带电粒子射束设备的个体射束质量方面面临限制。本领域的进一步改善是所期望的。
发明内容
本公开的实施例提供用于在多射束设备中观察样品的系统和方法。在本公开的一个方面，多射束设备可以包括偏转器阵列，其被配置为将多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号。该设备还可以包括：具有电路装置的控制器，以获取样品的轮廓数据并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器；以及控向电路装置，包括：对应的驱动器，其被配置为生成驱动信号；对应的补偿器，其被配置为接收该驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并且基于驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。轮廓数据可以包括样品的感兴趣区域。可以基于样品的先前粗略扫描或样品的布局数据的分析来标识感兴趣区域。
在一些实施例中，控向电路装置还可以包括用于偏转器阵列的每个偏转器的对应的放大器，其中对应的放大器可以被配置为放大将被提供给对应的偏转器的补偿信号。控制器可以被配置为从轮廓数据中标识感兴趣区域并且控制多个束波中的至少一个个体束波的控向以与多个束波中的其他束波无关地检查感兴趣区域。
在本公开的另一方面，公开了一种用于在多射束设备中观察样品的方法。该方法可以包括使用偏转器阵列将多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，对应的驱动器被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号，以及使用具有电路装置的控制器来获取样品的轮廓数据，并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器。
该方法可以包括用于偏转器阵列的每个偏转器的控向电路装置，其被配置为使用对应的驱动器来生成驱动信号，使用对应的补偿器接收驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并且使用对应的补偿器基于驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
在一些实施例中，该方法还可以包括使用用于偏转器阵列的每个偏转器的对应的放大器放大将被提供给对应的偏转器的补偿信号。控制器可以被配置为从轮廓数据中标识感兴趣区域并且控制多个束波中的至少一个个体束波的控向以与多个束波中的其他束波无关地检查感兴趣区域。
在又一方面，本公开涉及一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集可由多射束设备的一个或多个处理器执行以使多射束设备执行观察样品的方法。该方法可以包括使用偏转器阵列将多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号，以及使用具有电路装置的控制器来获取样品的轮廓数据，并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器。该方法还可以包括使控向电路装置执行生成驱动信号，接收驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并且基于驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
所公开的实施例的另外的目的和优点将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施例的实践而获知。所公开的实施例的目的和优点可以通过本公开中阐述的元素和组合来实现和获得。然而，本公开的示例性实施例不一定需要实现这样的示例性目的和优点，并且一些实施例可能不实现任何所述目的和优点。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对所要求保护的公开实施例的限制。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的描述，本公开的上述和其他方面将变得更加清楚，其中：
图1是例示与本公开的实施例一致的示例性电子射束检查(EBI)系统的示意图。
图2A是例示与本公开的实施例一致的示例性电子射束工具的示意图，其可以是图1的示例性电子射束检查系统的一部分。
图2B是例示与本公开的实施例一致的具有多个像差补偿器层和图像形成元件层的多射束检查系统中的示例性源转换单元的一部分的示意图。
图2C是例示出了与本公开的实施例一致的示例性电极和极片元件的配置的示意图。
图3是与本公开的实施例一致的晶片上的示例性感兴趣区域的表示。
图4是与本公开的实施例一致的图3的一部分的视图，示出了从晶片的感兴趣区域朝着检测器投射的次级电子。
图5例示出了与本公开的实施例一致的落在晶片上的感兴趣区域上的电子的偏转的示例。
图6A和图6B例示出了与本公开的实施例一致的子射束控向偏转器的示例性布置。
图7是与本公开的实施例一致的可以以射束柱行进的电子的示例性偏转的表示。
图8是与本公开的实施例一致的相邻电极之间的电场串扰的示意表示。
图9例示出了与本公开的实施例一致的示例性控向架构。
图10示出了与本公开的实施例一致的偏转器驱动器的2D网格的示意表示。
图11例示出了与本公开的实施例一致的突出感兴趣区域的表面拓扑和扫描平面图。
图12是示出了与本公开的实施例一致的使用多电束波系统观察样品的示例性方法的流程图。
具体实施方式
现在将对示例性实施例进行详细参考，其示例在附图中被例示出。以下描述参照附图，在其中，除非另有说明，否则不同附图中的相同标号表示相同或相似的元件。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现不表示与本发明一致的所有实现。相对，它们仅仅是与可以在所附权利要求中陈述的主题相关的各方面一致的设备、系统和方法的示例。例如，虽然一些实施例是在利用电束波的系统的上下文中进行了描述，但是本公开不限于此。其他类型的带电粒子射束可以类似地被应用，诸如在光学成像、图像检测、X射线检测、离子检测等中。
如本文中所使用的，除非另外具体声明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果声明一个组件包括A或B，那么除非另有明确说明或不可行，否则该组件可以包括A、或B、或A和B。作为第二个示例，如果声明一个组件包括A、B或C，那么除非另有明确说明或不可行，否则该组件可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
在减小设备的物理大小的同时，增强电子器件的计算能力，可以通过显著增加IC芯片上诸如晶体管、电容器、二极管等等之类的电路组件的封装密度来实现。例如，在智能手机中，一个IC芯片(其可能只有缩略图的大小)可能包括超过20亿个晶体管，每个晶体管的大小不到人类头发的1/1000。毫不奇怪，半导体IC制造是一个复杂的过程，有数百个个体步骤。在即使一个步骤中的错误也有可能显著影响最终产品的功能。即使一个“致命缺陷”也可能导致装置故障。制造工艺的目标是提高工艺的整体产率。例如，50步工艺要获得75％的产率，每个个体步骤必须具有大于99.4％的产率，并且如果个体步骤产率为95％，则整个工艺产率下降到7％。
随着几何形状的缩小和IC芯片行业迁移到三维(3D)架构(诸如与非门、鳍式场效应晶体管(FinFET)和高级动态随机存取存储器(DRAM))，发现缺陷在每个较低的节点上变得更具挑战性且昂贵。虽然在IC芯片制造设施中的高工艺产率是所期望的，但是保持高晶片吞吐量(被定义为每小时处理的晶片数目)也很重要。缺陷的存在会影响高工艺产率和高晶片吞吐量——尤其是在涉及操作员干预时。因此，通过检查工具(诸如SEM)检测和标识微米和纳米大小的缺陷对于保持高产量、高吞吐量和低成本可能是必不可少的。
半导体芯片是在极其洁净和受控的环境中制造的，该环境具有非常低水平的诸如灰尘、空气中的粒子、气溶胶粒子和化学蒸汽之类的污染物。更具体地说，要求半导体洁净腔室具有受控的污染水平，该污染水平由指定粒子大小下每立方英尺的粒子数来指定。典型的芯片制造洁净腔室每立方英尺空气中包含1-10个粒子，每个粒子的直径小于5微米。相比之下，典型城市环境中外部的环境空气每立方英尺包含约12.5亿个粒子，每个粒子具有平均大小约为200微米的直径。在工艺中的晶片上的一粒小至1微米的灰尘可能会跨越位于芯片上的数千个晶体管，这可能潜在地使整个芯片无法使用。在一些情况下，在被用来在晶片上创建重复图案的掩模版或光掩模上的一粒灰尘可能会导致重复出现的物理或电气缺陷。例如，在单个芯片中连接晶体管的一根或多根金属线可能通过灰尘粒子不合需要地连接或者可能重叠，从而导致整个芯片的电路短路。在保持高吞吐量的同时标识和表征每个缺陷或缺陷类型可以改善工艺产率和产品可靠性。
确保以高准确度和高分辨率检测缺陷的能力、同时保持高吞吐量(例如，被定义为每小时晶片处理的数目)变得越来越重要。高工艺产率和高晶片吞吐量可能会受到缺陷存在的影响——尤其是在涉及操作员干预时。因此，通过检查工具(诸如SEM)检测和标识微米和纳米大小的缺陷对于保持高产率和低成本非常重要。
在一些检查工具中，可以通过在样品表面上扫描高能电束波来对样品进行检查。可以将射束聚焦到样品表面上的探测点中。由于样品表面处的相互作用，可以从样品生成次级电子，其然后被检测器检测到。
为了增加吞吐量，一些检查工具可以使用多个射束以用于同时在样品表面上形成多个探测点。作为一个示例，检查工具可以生成初级射束，其被拆分成多个射束(例如，“束波”)，然后可以在样品表面上扫描每个束波。
当在样品表面上扫描带电粒子射束或束波时，当射束遇到特征时可以生成检测信号，特征诸如样品本身的表面或表面上的微结构的边缘。然而，并非所有晶片都可能包含关键尺寸或关键容差的图案和特征。例如，在金属线的边缘之间的区域可能仅由主体材料组成，并且扫描这些区域可能无法产生用于缺陷分析或对工艺问题进行故障排除的有用数据。在本公开的上下文中，这些区域可以被定义为“不感兴趣区域”或“不相关区域”。另一方面，晶片上的一些区域可能包括“感兴趣区域”或“相关区域”，在本文中被定义为晶片上可能包含关键工艺和产品相关信息的区域，诸如金属线的边缘、晶体管的传导通道等。图3(稍后描述)示出了可能感兴趣的特征310和320(诸如图案边缘)，而样品区域的其他部分可能是不感兴趣的。
在诸如晶片FAB的晶片制造设施中，可以通过在诸如多射束SEM的检查设备中使用多个带电粒子射束来增加吞吐量。尽管多个射束中的每个射束都可以被偏转以在晶片上产生多个探测点，但是它们只能共同地、一致地这样做。换句话说，每个束波可以在与剩余束波相同的方向上移动。所有束波在一个方向上的这种共同移动使得扫描效率低下，这是因为束波扫描感兴趣区域和不感兴趣区域而没有在两者之间进行区分。此外，可能存在冗余，其中束波在特征不存在的主体材料的相同区域上扫描。本公开的一些方面提出了对每个束波的个体控向以优选扫描感兴趣区域，从而增加整体吞吐量和效率。个体射束控向可以包括与其他束波无关地偏转射束中的每个束波，以使得每个束波被引导以仅扫描感兴趣区域。例如，如果射束包括4个束波，则束波中的每个束波可以独立地偏转，从而仅扫描矩形金属焊盘的边缘，而不从由四个边缘限定的焊盘的区域收集扫描信息。
在常规的多射束SEM中，多个束波形成网格，当束波撞击样品时，每个束波与其直接相邻的束波具有均匀间距。在这样的配置中，虽然一些束波可能探测感兴趣区域，但其他束波也可能探测不感兴趣或不相关的区域，导致扫描效率低下。本公开中所公开的实施例中的一些涉及使网格中的一个或多个个体束波的路径偏转，以使得它们被控向以探测样品上的感兴趣区域，形成在其中在每个束波之间的间距随着每个束波被独立地控向到感兴趣区域而变化的束波网格。样品上的感兴趣区域可以基于先验知识而被预先确定，包括但不限于布局数据、参考扫描、样品的先前扫描等。束波网格的一个或多个束波的个体控向可以允许改善射束使用效率。
在本公开的一些实施例中，可以将个体束波朝着样品上诸如图案边缘之类的感兴趣特征进行控向。束波可以被优选地引导到产生更有用数据的特征。在一些实施例中，可以提供束波控向偏转器，该束波控向偏转器可以使穿过它的束波的轨迹偏转。束波控向偏转器可以作为带电粒子射束设备的光学系统中的组件而被提供。束波控向偏转器可以以这样的方式布置，即它可以仅生成小电场以引起形成束波的电子的轨迹的变化，以将其引导至期望的特征。
束波控向偏转器可以通过向电极施加电压来操作，并且可以生成电场。束波控向偏转器的激发可以被设置得足够小，以使得它不影响相邻射束。此外，束波控向偏转器可以被配置为使得基于相邻射束或束波补偿射束的轨迹的变化。例如，当在多射束设备中使用多个束波时，在相邻束波之间的间隔距离可以相对较小。因为射束可能会受到库仑效应的影响，所以可能期望补偿束波以考虑周围的射束。束波控向偏转器可以被配置为仅对束波的轨迹进行微小的改变，以使得可以将它朝着特定的特征进行导向，同时避免对系统的其他射束的不利影响。
现在对图1进行参考，其例示出了与本公开的实施例一致的示例性电束波检查(EBI)系统1。EBI系统1可以被用于成像。如图1中所示，EBI系统1包括主腔室10、装载/锁定腔室20、电子射束工具100、装备前端模块(EFEM)30和控制器40。电子射束工具100位于在主腔室10内。EFEM 30包括第一装载端口30a和第二装载端口30b。EFEM 30可以包括(一个或多个)附加装载端口。第一装载端口30a和第二装载端口30b接收包含晶片(例如，半导体晶片或由(一个或多个)其他材料制成的晶片)或待检查样品的晶片前开口统一舱(FOUP)(在本文中晶片和样品可以被统称为“晶片”)。
在EFEM 30中的一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片传送到装载/锁定腔室20。装载/锁定腔室20被连接到装载/锁定真空泵系统(未示出)，其去除装载/锁定腔室20中的气体以达到低于大气压的第一压力。在达到第一压力之后，一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片从装载/锁定腔室20传送到主腔室10。主腔室10连接到主腔室真空泵系统(未示出)，其去除主腔室10中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，晶片受到电子射束工具100的检查。电子射束工具100可以是单射束系统或多射束系统。控制器40可以电连接到电子射束工具100，并且也可以电连接到其他组件。控制器40可以是被配置为执行EBI系统1的各种控制的计算机。控制器可以在如图1中所示的包括主腔室10、加载/锁定腔室20和EFEM 30的EBI系统1的结构外侧，或者可以被合并并且形成该结构的一部分。
图2A例示出了作为带电粒子射束设备的示例的多射束检查工具，其可以形成图1的EBI系统1的一部分。在一些实施例中，EBI系统1可以包括多射束检查工具，其使用多个初级电子子射束同时扫描样品上的多个位置。
如图2A中所示，电子射束工具100(在本文中也被称为设备100)可以包括：电子源101、枪孔171、聚光透镜110、从电子源101发射的初级电子射束102、源转换单元120、初级电子射束120的多个束波102_1、102_2和102_3、主要投射光学系统130、晶片台(图2A中未示出)、多个次级电子射束102_1se、102_2se、和102_3se、次级光学系统150和电子检测装置140。控制器、图像处理系统等可以耦合到电子检测装置140。初级投射光学系统130可以包括射束分离器160、偏转扫描单元132和物镜131。电子检测装置140可以包括检测子区域140_1、140_2和140_3。
电子源101、枪孔171、聚光透镜110、源转换单元120、射束分离器160、偏转扫描单元132和物镜131可以与设备100的主光学轴线100_1对准。次级光学系统150和电子检测装置140可以与设备100的次光学轴线150_1对准。
电子源101可以包括阴极、提取器或阳极，其中初级电子可从阴极发射并且被提取或被加速以形成具有交叉(虚拟或真实)101s的初级电子束波102。初级电子束波102可以被可视化为从交叉101s发射。枪孔171可以阻挡初级电子束波102的外围电子，以减小探测点102_1S、102_2S和102_3S的大小。
源转换单元120可以包括图像形成元件阵列(图2A中未示出)和射束限制孔径阵列(图2A中未示出)。源转换单元120的示例可以在美国专利第9,691,586；美国公开第No.2017/0025243；和国际申请第PCT/EP2017/084429号中找到，以上公开的全部内容通过引用并入本文。图像形成元件阵列可以包括微偏转器或微透镜的阵列。图像形成元件阵列可以利用初级电子射束102的多个束波102_1、102_2和102_3形成交叉101s的多个平行图像(虚拟或真实)。射束限制孔径阵列可以限制多个束波102_1、102_2和102_3。
聚光透镜110可以聚焦初级电子束波102。源转换单元120下游的束波102_1、102_2和102_3的电流可以通过调整聚光透镜110的聚焦能力或通过改变射束限制孔径阵列内的对应射束限制孔径的径向大小而变化。聚光透镜110可以是可移动聚光透镜，其可以被配置为使得其第一主平面的位置是可移动的。可移动聚光透镜可以被配置为磁性的，这可以导致离轴束波102_2和102_3以旋转角度落在束波限制孔径上。旋转角度随着可移动聚光透镜的第一主平面的位置和聚焦能力而改变。在一些实施例中，可移动聚光透镜可以是可移动抗旋转聚光透镜，其涉及具有可移动第一主平面的抗旋转透镜。在美国公开No.2017/0025241中进一步描述了可移动聚光透镜，其全部内容通过引用并入。
物镜131可以将束波102_1、102_2和102_3聚焦到晶片190上以用于检查，并且可以在晶片190的表面上形成多个探测点102_1S、102_2S和102_3S。
射束分离器160可以是生成静电偶极场和磁偶极场的维恩滤波器类型的射束分离器。在一些实施例中，如果它们被应用，则由静电偶极场施用在束波102_1、102_2和102_3的电子上的力可以与由磁偶极场施用在电子上的力大小相等且方向相对。因此，束波102_1、102_2和102_3可以以零偏转角笔直穿过射束分离器160。然而，由射束分离器160生成的束波102_1、102_2和102_3的总色散也可以是非零的。射束分离器160可以将次级电束波102_1se、102_2se和102_3se与束波102_1、102_2和102_3分离并且将次级电束波102_1se、102_2se和102_3se朝着次级光学系统1150进行引导。
偏转扫描单元132可以偏转束波102_1、102_2和102_3以在晶片190的表面区域上方扫描探测点102_1S、102_2S和102_3S。响应于束波102_1、102_2和102_3在探测点102_1S、102_2S和102_3S处的入射，可以从晶片190发射次级电束波102_1se、102_2se和102_3se。次级电束波102_1se、102_2se和102_3se可以包括具有包括次级电束波和背散射电子的能量分布的电子。次级光学系统150可以将次级电束波102_1se、102_2se和102_3se聚焦到电子检测装置140的检测子区域140_1、140_2和140_3上。检测子区域140_1、140_2和140可以被配置为检测对应的次级电束波102_1se、102_2se和102_3se并且生成对应信号，该对应信号被用来重建晶片230的表面区域的图像。
尽管图2A示出了作为使用多个束波的多射束检查工具的电子射束工具100的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，电子射束工具100也可以是单射束检查工具，其一次仅使用一个初级电子射束扫描晶片上的一个位置，
在一些实施例中，可以在带电粒子射束设备的射束调节部分之后提供射束控向偏转器。例如，上面关于图2A讨论的源转换单元120可以以各种方式调节穿过其中行进的射束。射束可以被成形、修整、聚焦等。可以提供光学元件来达成这样的功能。例如，射束修整孔径可以限制束波的电流。在一些实施例中，束波控向偏转器可以被提供在射束修整孔径的下游并且可以被用来将束波朝着样品表面上的预定区域进行控向。
在一些实施例中，射束调节部分还可以包括图像形成元件、像差补偿器和其他元件。可以在这些元件的下游提供束波控向偏转器。
现在对图2B进行参考，其例示出了与本公开的实施例一致的多射束检查系统中的示例性源转换单元120的一部分。如图2B中所示，源转换单元120包括束波限制孔径阵列121、图像形成元件阵列122和像差补偿器阵列123。像差补偿器阵列123可以被提供在层123-1和123-2中。此外，虽然图2B示出了处理1×3束波阵列的这些阵列中的每个阵列，但是可以了解，此类阵列可以处理任意数目的束波阵列。
束波限制孔径阵列121包括三个射束限制孔径121_1、121_2和121_3。经准直的初级电子束波102入射到束波限制孔径阵列121上并且经由对应的射束限制孔径121_1、121_2和121_3而被划分成三个束波102_1、102_2和102_3。射束限制孔121_1、121_2和121_3的节距可以被设置为使得在样品表面上的探测点的节距相等。
图像形成元件阵列122包括三个图像形成微偏转器122_1、122_2和122_3。图像形成微偏转器122_1-122_3可以分别偏转束波102_1、102_2和102_3以形成生成初级电子射束102的电子源的三个图像。例如，现在对图2C进行参考，其是例示出了与本公开的实施例一致的示例性微偏转器122_3的电极的配置的示意图。特别地，当将零电压施加到一对相对极、并且将绝对值相同但方向相对的两个电压施加到另一对相对极时，多极结构被配置为用作微偏转器。例如，在图2C中，当e2和e4接地时(电压被设置为0)，e1被设置为V2并且e3被设置为-V2，多极结构用作微偏转器。当作为微偏转器操作时，随着V2的增加，束波的偏转角度也增加。
在一些实施例中，束波控向偏转器可以被提供在源转换单元的组件的下游，例如上面讨论的那些。在一些实施例中，射束控向偏转器可以包括类似于多极结构122_3的结构。
现在对图3进行参考，其示出了与本公开的实施例一致的、要由诸如电束波工具100的带电粒子射束工具检查的样品表面的表示。样品可以包括各种结构，诸如线迹310和320。线迹310和320的主体材料可能不值得注意，但是重要的信息可以从结构边缘315和325中导出。例如，关于图案节距、线宽和间隔距离的信息可以从分析结构边缘中导出，并且可以指示某些类型的缺陷，诸如断开、变薄缺陷等。
在一些实施例中，晶片上的结构边缘315和325在x-y坐标方面的位置可以被存储在分析样品的控制器(例如，图1的控制器40)或用户可访问的数据库中。用户可以在过程之前、之后或过程中建立要被检查的“感兴趣区域”的存储库或数据库。例如，感兴趣区域可以包括具有关键尺寸和容差的特征、金属互连的边缘、台面焊盘的边缘、易于缺陷的区域(诸如例如晶片的边缘)。在一些实施例中，过程质量检察可以基于对感兴趣区域的分析。用于检查的晶片的此类预定义的感兴趣区域可以改善吞吐量和晶片扫描效率。
图4示出了样品表面上的图案的横截面视图。该图案可以包括多个结构410，诸如晶片上的线迹。结构410可以在样品上具有均匀的节距或者可以基于应用以预定义的布局被图案化。如所例示，包括诸如电子的带电粒子的带电粒子束波可以被引导以探测结构410的感兴趣区域。图4例示出了从样品结构410上的探测点生成并且朝着检测器引导的多个次级电子。在多射束设备中，可以将多个电子束波(例如，图2的束波102_1、102_2和102_3)投射到样品表面上。在相邻束波之间的节距可以是距离Δb。
在检查样品时，要被扫描的最相关区域可以是在晶片表面上形成的结构410的边缘。例如，边缘部分401可能是要被扫描的重要区域。当在边缘部分401上扫描时，与样品表面相互作用的电子可以产生最有意义的数据。在一些应用中，在边缘部分401之间的无特征表面402对于通常执行的检查类型可能不太重要。因此，当扫描无特征表面402时，花费在整个晶片表面扫描射束的大部分时间可能被低效使用。
在常规的多射束系统中，多个电子束波可以遵循相同的扫描图案。因此，可能的是无法跳过样品表面上不相关的部分或不感兴趣的区域。因为束波的每个束波以预定义的方向和图案共同移动，所以多射束设备的典型SEM扫描可以包括这样的图像，该图像包含与边缘部分401和无特征表面402相关的信息。这可能导致射束电流使用和资源效率低下，从而对整体吞吐量产生不利影响。
在公开的实施例中的一些实施例中，个体束波控向可以被用来优选地将个体束波朝着相关和感兴趣的特征进行控向。例如，当束波在样品表面上扫描时，多射束设备的个体束波可以被独立地偏转或控向。
现在对图5进行参考，其示出了与本公开的实施例一致的束波由束波控向偏转器偏转的表示。束波控向偏转器可以被配置为将束波偏转预定偏转距离d。由束波控向偏转器引发的偏转量可以被设置为小于距离Δb。因此，非常小的电场就可足以引发个体束波上的束波控向偏转偏转距离d。可以基于各种标准来计算和确定偏转量。
隔开距离a的一对电极上的电场E可以由以下等式定义：
Figure BDA0003134446000000141
其中V+是施加到一个电极的正电势，V-是施加到另一个电极的负电势，并且a是隔开两个电极的距离。
应当了解，在带电荷q的电子上的实际力由以下等式表达：
F＝qe·E (等式2)
其中F表示在电场E下对电子的实际力。
如图5中所例示，沿偏转方向V行进的电子的速度的竖直分量可以由等式3表达：
Figure BDA0003134446000000151
其中t标示行进竖直距离h即电极的高度所需的时间。
偏转距离可以基于上面列出的等式(等式1至3)来计算。
Figure BDA0003134446000000152
其中b是沿初级电子束波的光学轴线从电极到样品的竖直距离，并且me是电子的质量。
现在对图6A和图6B进行参考，其例示出了与本公开的实施例一致的束波控向偏转器600的示例性结构。束波控向偏转器600可以包括被配置为对个体束波进行控向的偏转器阵列。在一些实施例中，束波控向偏转器600可以是具有多极结构(例如，诸如图2C的多极结构)的偏转器阵列的一部分。
如图6A和图6B中所例示，束波控向偏转器600的每个偏转器可以包括幅度相等但极性相对的一对电极610和620。例如，电极610可以以V+x伏特正偏置，然后电极620可以以V-x伏特负偏置。如图6A和图6B中所见，束波控向偏转器600的电极610和620可以被设置在微机电系统(MEMS)孔径上。例如，MEMS孔径可以是限流孔径阵列的孔径。限流孔径阵列可以包括具有布置成阵列的多个孔径或孔洞的结构，该阵列被配置为通过阻挡一些离轴电子来调整个体束波电流。限流孔径阵列可以是包括微透镜阵列的MEMS光学器件的一部分或位于其中。
在一些实施例中，限流孔径阵列可以被设置在偏转器阵列的上游。换句话说，束波控向偏转器600可以被定位在限流孔径阵列下方。这种配置可以允许由限流孔径阵列生成的聚焦的个体束波在样品上形成探测点之前由束波控向偏转器600偏转或控向。电极610和620可以具有如图6B中所示的矩形横截面。也可以使用其他横截面，诸如但不限于圆形或椭圆形等。
在一些实施例中，束波控向偏转器600可以包括多极结构阵列。多极结构可以具有偶极配置(如图6B中所示的2个电极)，或四极配置(如图2C中所示的4个电极)，或八极配置(8个电极)等。应该了解的是，也可以使用具有12个或更多电极配置的偏转器。
多极结构包括两个或更多个分段电极。多极结构可以具有中心轴线和一个或多个对称平面，该对称平面将一对分段的相对电极平分。多极结构的取向方向是对称平面中的一个屏幕的方向并且垂直于中心轴线。多极结构的径向位移方向是从光学轴线到中心轴线的方向。偶极结构可以只在其取向方向上生成偶极场，因此，如果使用偶极结构作为偏转器或微偏转器，则偶极结构可以以取向方向与对应的束波的偏转方向匹配的方式而被定位。如果使用四极结构或八极结构作为微偏转器，则不存在这种限制，这是因为四极结构或八极结构可以通过控制施加到每个电极的电压而在垂直于其中心轴线的任何方向上生成偶极场。
例如，如果多极结构具有四个分段电极(即，四极结构)，并且具有相同绝对值和相对极性的两个电压被施加到一对相对电极，而零电压被施加到一对相对极，多极结构被配置为用作微偏转器。例如，在图2C中，当V1被施加到e2，-V1被施加到e4，0V被施加到e1和e3时，多极结构用作微偏转器。通过改变V1和V2，可以改变偶极场的值和方向。
在一些实施例中，基于被检查的在晶片上的结构的位置，相邻束波之间的距离可以足够小，以使得相邻束波可以彼此相互作用。在这种情况下，由于库仑相互作用效应，设备的空间和横向分辨率可能会受到影响。相邻束波的接近可能导致束波偏离其预期和期望路径，如图7中所例示。
现在对图8进行参考，其例示与本公开的实施例一致的在相邻电极之间的电场串扰的示意表示。应当了解，基于施加在每个电极上的电压和在两个偏转器之间的距离，跨偏转器的一对电极的电场可以影响跨相邻偏转器的一对电极的电场。在一些实施例中(如下文进一步描述的)，施加到偏转器的电场可以被补偿以考虑串扰。施加到偏转器的电场可以在反馈或前馈补偿机制中被补偿。
现在对图9进行参考，其例示与本公开的实施例一致的示例性控向架构900。控向架构900可以包括被配置为存储轮廓数据的数据库901、包括微处理器904的控制器902和用于每个束波控向偏转器950的控向电路装置960。控向电路装置960可以包括驱动器920_3、补偿器930和放大器940.
在一些实施例中，数据库901可以被配置为存储样品(例如，晶片190)的轮廓数据。轮廓数据可以包括与包括但不限于布局、节距、尺寸、定位坐标、形状、感兴趣区域、结构密度等相关的信息。可以通过各种方式标识感兴趣区域，诸如基于样品的先前粗略扫描、样品的布局数据的分析等。样品的布局数据可以包括特征信息，诸如基准数据、参考特征、关键尺寸等。布局数据可以尤其包括以图形数据库系统(GDS)格式、图形数据库系统II(GDSII)格式、通用中间格式(CIF)，包括晶片表面上的特征的图形表示、开放艺术作品系统交换标准(OASIS)格式存储的数据。晶片设计布局可以基于用于构造晶片的图案布局。例如，晶片设计布局可以对应于一个或多个光刻掩模或掩模版，其被用来将特征从光刻掩模或掩模版转移到晶片。GDS信息文件、OASIS信息文件等可以包括以二进制文件格式存储的特征信息，其表示平面几何形状、文本和与晶片设计布局相关的其他信息。
数据库901可以被配置为手动更新或自动更新。数据库901可以包括例如OracleTM数据库、SybaseTM数据库、关系数据库或非关系数据库，诸如HadoopTM序列文件、HBaseTM或CassandraTM。数据库901可以包括计算组件(例如，数据库管理系统、数据库服务器等)，其被配置为接收和处理对存储在数据库901的存储器装置中的数据的请求并且提供来自数据库901的数据。在一些实施例中，数据库901可以采取服务器、计算机、大型计算机或这些组件的任意组合的形式。与所公开的实施例一致的其他实现也是可能的。
在一些实施例中，控制器902可以被配置为与数据库901通信和交换信息。控制器902可以包括微处理器904，其被配置为与驱动器920_1、920_2和920_3、数据库901或其他组件通信。特别地，控制器902还可以被配置为从数据库901获取轮廓数据。控制器902可以临时存储获取的轮廓数据，以与驱动器或控向架构900的其他组件共享。
在一些实施例中，控制器902可以被配置为通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供控向信号(例如，控向信号905_1、905_2、905_3)，来控制每个偏转器950。每个控向信号可以被配置为对对应的个体束波进行控向。尽管图9仅示出了三个驱动器、三个偏转器、三个补偿器、三个放大器等，但是应当了解的是，控向架构900可以适当地包括任意数目的驱动器、偏转器、补偿器等。
在一些实施例中，控向架构900可以包括控向电路960，该控向电路960包括驱动器920、对应的补偿器930和用于对应的束波控向偏转器950的对应的放大器940。控向电路960可以被配置为基于接收到的控向信号905来生成驱动信号925，基于接收到的来自对应的驱动器920的驱动信号925和来自相邻驱动器的其他驱动信号来生成补偿信号935，并且放大补偿信号935以提供给对应的束波控向偏转器950。
如图9中所例示，每个束波控向偏转器(例如，偏转器950_3)由对应的驱动器(例如，驱动器920_3)驱动，并且每个驱动器被配置为接收来自控制器902的控向信号(例如，控向信号905_3)。每个驱动器920被配置为生成驱动信号925，其被提供给对应的补偿器930。在一些实施例中，补偿器930可以被配置为接收来自相邻驱动器的其他驱动信号。在密集布置的驱动器阵列中，相邻驱动器之间的相互作用可以包括重叠电场，在本文中被称为串扰。由于相邻驱动器之间的串扰，可能需要基于串扰的影响来校正控向信号。
在一些实施例中，束波可以不被控向并且可以停用对应的偏转器。例如，穿过束波控向偏转器950_3的束波可以在没有控向的情况下入射到感兴趣区域上。在这种情况下，也可以停用驱动器920_3、补偿器930_3和放大器940_3。这可以进一步改善射束使用效率并且增加吞吐量。
在一些实施例中，补偿器930可以被配置为基于从相邻驱动器接收的驱动信号和其他驱动信号来补偿对应的偏转器950_3。对射束进行控向以探测感兴趣区域所需的个体束波的偏转量可以根据相邻束波的轨迹。因此，可以基于相邻偏转器的电场强度来确定校正或补偿。
在一些实施例中，放大器940可以被配置为放大补偿信号935以被提供给对应的束波控向偏转器950。在一些实例中，补偿信号935可以不被放大，并且可以直接被施加到束波控向偏转器950。在一些实施例中，束波可以不需要被控向并且可以停用或关闭控向电路。
现在对图10进行参考，其例示出了与本公开的实施例一致的驱动器920的二维网格的示意表示。如早先所述，增加的驱动器密度可能导致串扰，影响驱动信号925的确定。如图10中所例示，密集布置的二维(2D)驱动器网格可能导致驱动器(例如，驱动器920)影响其相邻的驱动器并受相邻的驱动器影响。图10中的虚线箭头指示在2D网格中的驱动器之间的彼此相互作用。这种相互作用可能导致由未补偿的驱动信号引起的偏转量的计算不准确，从而导致检查或成像效率低下。图9的补偿器930可以被配置为基于来自相邻驱动器和偏转器的电场强度来计算校正。在一些实施例中，彼此相互作用补偿可以被应用于具有反馈机制的驱动器。由补偿器930对补偿的计算可以是迭代反馈机制，以调整个体束波控向的量。
现在对图11进行参考，其例示与本公开的实施例一致的突出显示的感兴趣区域的表面拓扑和扫描平面图。结构410可以经由包括沉积、蚀刻、图案化、钝化等的光刻技术而被形成在晶片190上。在晶片上形成图案或结构的其他已知技术也可以被采用。在一些实施例中，在晶片190上的结构的图案和布局可以是已知的、并且可以对束波进行编程以探测在那些结构上的感兴趣区域。例如，图9的控制器902可以从数据库901获取与结构布局相关的预存储信息。数据库901可以包括与产品设计、工艺信息、容差、尺寸等相关的信息，以使得能够在扫描晶片190之前确定感兴趣区域。控制器902可以利用该信息来生成晶片的预编程扫描，包括基于所存储信息的束波控向信息。应当了解，个体束波控向的准确度可以取决于晶片190的准确对准和定位。在一些实施例中，晶片的对准可以基于使用多射束设备获得的图像数据来执行。然后可以通过图像处理应用或软件来处理所获得的图像数据，以确定束波位置和偏转信息。束波位置和偏转信息可以在已经执行扫描之后确定或者也可以在图像获取期间确定。
在一些实施例中，晶片190上的结构410的图案和布局可以通过执行样品的低分辨率、粗略扫描以获得粗线轮廓1110来确定，如图11中所示。粗线轮廓1110可以指示特征的存在及其位置，但是不精确。利用从粗线轮廓1110获得的信息，可以近似地确定结构410的边缘。基于来自粗线轮廓1110的信息，然后可以执行样品的高分辨率、精细扫描以获得细线轮廓1120。如图11中所示，细线轮廓1120包括结构410的边缘，而无特征表面(例如，图4的表面402)可以不被扫描。
图12是在多射束设备(例如，图1的电束波工具100)中观察样品的示例性方法的工艺流程图。该方法可以包括独立地对个体束波进行控向，并且通过基于所获得的轮廓数据将信号提供给对应的驱动器来获取样品的轮廓数据并控制每个偏转器。
在步骤1210中，可以使用束波控向偏转器(例如，图9的束波控向偏转器950)来对个体束波进行控向。束波控向偏转器可以是偏转器阵列的一部分，并且偏转器阵列的每个偏转器可以具有被配置为接收束波控向信号(例如，图9的控向信号905_1)的对应驱动器(例如，图9的驱动器920_1)。每个个体束波可以由包括驱动器(例如，图9的驱动器920_3)、补偿器(例如，图9的补偿器930)和放大器(例如，图9的放大器940)的控向电路来控向。
控向电路可以被配置为使用对应的驱动器来生成驱动信号。在被设计为用多射束探测多个点的多射束系统中，要被独立地控向的束波的密度可以很高。束波穿过偏转器并且获得少量但有限量的控向以仅探测晶片190上的感兴趣区域。每个偏转器可以由对应的驱动器驱动，并且因此偏转器的数目等于驱动器的数目。如果二维阵列中的驱动器的密度增加，则系统的射束控向准确度和可靠性可能会受损，因为每个驱动器周围的电场可能开始重叠并且影响相邻的驱动信号。这可以被称为相邻驱动器之间的串扰。每个对应的补偿器接收来自对应驱动器的驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号。补偿器可以被配置为基于驱动信号和从相邻驱动器接收到的其他驱动信号来补偿对应的偏转器。补偿器信号(例如，图9的补偿器信号935)可以由放大器放大，并且放大器可以向偏转器提供束波控向信号。
在步骤1220中，控制器(例如，图9的控制器902)可以被配置为获取晶片190的轮廓数据。控制器还可以被配置为通过基于轮廓数据将信号提供给对应的驱动器来控制每个驱动器。
控制器可以从数据库(例如，图9的数据库901)获取轮廓数据。如早先所述，数据库可以被配置为存储样品(例如，晶片190)的轮廓数据。轮廓数据可以包括(但不限于)与布局、节距、尺寸、定位坐标、形状、感兴趣区域、结构密度等相关的信息。数据库901可以被配置为手动更新或自动更新。数据库901可以包括计算组件(例如，数据库管理系统、数据库服务器等)，其被配置为接收和处理对存储在数据库901的存储器装置中的数据的请求，并且提供来自数据库901的数据。基于所获取的样品的轮廓数据，控制器可以生成要被提供给驱动器的控向信号。
在一些实施例中，系统控制器可以被配置为控制带电粒子射束系统。系统控制器可以指令带电粒子射束系统的组件执行各种功能，诸如控制带电粒子源生成带电粒子射束、控制偏转器使射束的轨迹偏转、以及控制扫描偏转器在样品上扫描带电粒子射束。系统控制器可以包括存储器，其是诸如硬盘、随机存取存储器(RAM)、其他类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储器可以被用于将扫描的原始图像数据保存为原始图像和后处理图像。可以提供非暂态计算机可读介质，其存储供控制器40的处理器执行带电粒子射束检测、采样周期确定、图像处理或与本公开一致的其他功能和方法的指令。非暂态介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、CD-ROM、任何其他光学数据存储介质、任何带有孔图案的物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM或任何其他闪存、NVRAM、缓存、寄存器、任何其他存储器芯片或盒带以及它们的联网版本。
可以使用以下条款进一步描述实施例：
1.一种多射束设备，包括：
偏转器阵列，其被配置为对多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号；和
具有电路装置的控制器，其用于获取样品的轮廓数据并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器。
2.根据条款1所述的设备，还包括用于偏转器阵列的每个偏转器的控向电路装置，该控向电路装置包括：
被配置为生成驱动信号的对应的驱动器；和
对应的补偿器，其被配置为接收该驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并基于该驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
3.根据条款2所述的设备，其中控向电路装置还包括用于偏转器阵列的每个偏转器的对应的放大器，其中对应的放大器被配置为放大将被提供给对应的偏转器的补偿信号。
4.根据前述条款中任一项所述的设备，其中所述样品的轮廓数据包括感兴趣区域。
5.根据条款4所述的设备，其中基于样品的先前粗略扫描来标识感兴趣区域。
6.根据条款4所述的设备，其中基于对样品的布局数据的分析来标识感兴趣区域。
7.根据条款4所述的设备，其中控制器被配置为从轮廓数据标识感兴趣区域并且控制多个束波中的至少一个个体束波的控向以与多个束波中的其他束波无关地检查感兴趣区域。
8.根据前述条款中任一项所述的设备，其中轮廓数据包括以下至少一项：基于样品的先前检查的数据、样品的扫描数据和图像数据。
9.根据前述条款中任一项所述的设备，还包括设置在偏转器阵列的上游的限流孔径阵列。
10.一种在多射束设备中观察样品的方法，该方法包括：
使用偏转器阵列对多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号；
使用具有电路装置的控制器来获取样品的轮廓数据；以及
通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器。
11.根据条款10所述的方法，其中通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器还包括：
使用对应的驱动器生成驱动信号；
使用对应的补偿器接收驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他驱动器的一组驱动信号；
使用相应的补偿器基于该驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
12.根据条款11所述的方法，还包括使用用于偏转器阵列的每个偏转器的对应的放大器放大要被提供给对应的偏转器的补偿信号。
13.根据前述条款中任一项所述的方法，其中所述样品的轮廓数据包括感兴趣区域。
14.根据条款13所述的方法，其中基于所述样品的先前粗略扫描来识别所述感兴趣区域。
15.根据条款13所述的方法，其中基于对样品的布局数据的分析来标识感兴趣区域。
16.根据条款13所述的方法，其中控制器被配置为从轮廓数据标识感兴趣区域并且控制多个束波中的至少一个个体束波的控向以与多个束波中的其他束波无关地检查所述感兴趣区域。
17.根据前述条款中任一项所述的方法，其中轮廓数据包括以下至少一项：基于样品的先前检查的数据、样品的扫描数据和图像数据。
18.根据前述条款中任一项所述的方法，其中限流孔径阵列被设置在所述偏转器阵列的上游。
19.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集可由多射束设备的一个或多个处理器执行以使多射束设备执行观察样品的方法，该方法包括：
使用偏转器阵列对多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号；
使用具有电路装置的控制器来获取样品的轮廓数据；以及
通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器。
20.根据条款19所述的非暂态计算机可读介质，其中可由多射束识别的一个或多个处理器执行的指令集使多射束设备的控向电路进一步执行：
生成驱动信号；
接收驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号；以及
基于该驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
21.根据条款19和20中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中可由多射束设备的一个或多个处理器执行的指令集使多射束设备的控制器进一步执行：
从轮廓数据中标识感兴趣区域；以及
控制多个束波中的至少一个个体束波的控向以与多个束波中的其他束波无关地检查感兴趣区域。
22.根据条款4所述的设备，其中感兴趣区域是样品上的特征的特定部分。
23.根据条款22所述的设备，其中特定部分是特征的边缘。
24.根据条款19所述的非暂态计算机可读介质，其中感兴趣区域是样品上的特征的一部分。
25.根据条款24所述的非暂态计算机可读介质，其中基于样品的先前粗略扫描或样品的布局数据的分析来标识感兴趣区域。
图中的框图可以例示根据本公开的各种示例性实施例的系统、方法和计算机硬件/软件产品的可能实现的架构、功能性和操作。就此而言，示意图中的每个块可以表示可以使用诸如电子电路之类的硬件来实现的某些算术或逻辑运算处理。块还可以表示包括用于实现指定逻辑功能的一个或多个可执行指令的模块、段或代码部分。应当理解，在一些替代实现中，块中指示的功能可以不按图中标注的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能性，连续示出的两个块可以基本上同时执行或实现，或者有时可以以相对的顺序执行两个块。一些块也可以被省略。还应当理解，框图的每个块以及这些块的组合可以通过执行指定功能或动作的基于专用硬件的系统来实现，或者通过专用硬件和计算机指令的组合来实现。
应当理解，本发明不限于上面已经描述和在附图中示出的确切构造，并且可以在不脱离其范围的情况下进行各种修改和改变。

Claims (15)

1.一种多射束设备，包括：
偏转器阵列，被配置为对多个束波中的个体束波进行控向，所述偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，所述对应的驱动器被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号；以及
具有电路装置的控制器，所述控制器被配置为获取样品的轮廓数据，并且通过基于所获取的轮廓数据向所述对应的驱动器提供所述信号来控制每个偏转器。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括用于所述偏转器阵列中的每个偏转器的控向电路装置，所述控向电路装置包括：
被配置为生成驱动信号的所述对应的驱动器；以及
对应的补偿器，被配置为接收所述驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的相邻驱动器的一组驱动信号，并且基于所述驱动信号和所述一组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述控向电路装置还包括用于所述偏转器阵列中的每个偏转器的对应的放大器，其中所述对应的放大器被配置为放大将被提供给所述对应的偏转器的所述补偿信号。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所获取的样品的轮廓数据包括感兴趣区域。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述感兴趣区域是所述样品上的特征的特定部分。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述特定部分是所述特征的边缘。
7.根据权利要求4所述的设备，其中基于所述样品的先前粗略扫描来标识所述感兴趣区域。
8.根据权利要求4所述的设备，其中基于对所述样品的布局数据的分析来标识所述感兴趣区域。
9.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器被配置为从所获取的轮廓数据标识所述感兴趣区域，并且控制所述多个束波中的至少一个个体束波的控向，以与所述多个束波中的其他束波无关地检查所述感兴趣区域。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所获取的轮廓数据包括以下至少一项：基于所述样品的先前检查的数据、所述样品的扫描数据、和图像数据。
11.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集由多射束设备的一个或多个处理器可执行以使所述多射束设备执行观察样品的方法，所述方法包括：
使用偏转器阵列对多个束波中的个体束波进行控向，所述偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，所述对应的驱动器被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号；
使用具有电路装置的控制器来获取所述样品的轮廓数据；以及
通过基于所获取的轮廓数据向所述对应的驱动器提供所述信号来控制每个偏转器。
12.根据权利要求11所述的非暂态计算机可读介质，其中由多射束设备的一个或多个处理器可执行的所述指令集使所述多射束设备的控向电路装置进一步执行：
生成驱动信号；
接收所述驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的相邻驱动器的一组驱动信号；以及
基于所述驱动信号和所述一组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。
13.根据权利要求11所述的非暂态计算机可读介质，其中由多射束设备的一个或多个处理器可执行的所述指令集使所述多射束设备的控制器进一步执行：
从所获取的轮廓数据标识感兴趣区域；以及
控制所述多个束波中的至少一个个体束波的所述控向，以与所述多个束波中的其他束波无关地检查所述感兴趣区域。
14.根据权利要求13所述的非暂态计算机可读介质，其中所述感兴趣区域是所述样品上的特征的一部分。
15.根据权利要求13所述的非暂态计算机可读介质，其中基于所述样品的先前粗略扫描或对所述样品的布局数据的分析来标识所述感兴趣区域。
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