CN113224251A - 一种oled器件和oled灯具 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种OLED器件和OLED灯具。该OLED器件包括透明基板,依次层叠设置在所述透明基板上的透明电极层、有机功能层、反射电极层及薄膜封装层;所述透明基板包括发光区,及环绕所述发光区的反射区,所述有机功能层及反射电极层对应设置在所述发光区;所述反射区中设置有金属反射层,所述金属反射层包括多个相互隔断的金属围坝,所述薄膜封装层填充覆盖相邻的所述金属围坝之间的凹槽。本发明实施例能够解决现有全镜面OLED器件基板和封装层之间容易侵入水氧的问题,通过改变侵入路径的形状,增加水氧侵入的路径长度和难度,从而大幅减少水氧侵入的几率,改善封装质量,增加器件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明实施例涉及OLED照明技术领域,尤其涉及一种OLED器件和OLED灯具。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件因具有发光亮度好、发光效率高、视角范围宽、自发光等特点,已成为有机光电显示领域研究和应用的重点。随着OLED发光技术的不断发展,OLED发光器件在各大行业的应用愈发广泛,而消费者对OLED发光器件的发光效果有了更多的需求。
其中,全镜面效果便是当前呼声较高的一种发光效果。但就目前而言,现有的全镜面效果需要在OLED发光器件的封装区增加金属膜层,具体会将金属膜层形成在ITO基底上,在对该金属膜层按照要求图案化;继而通过在设定区域形成OLED发光器件,利用OLED发光器件的反射电极以及该金属膜层可实现全镜面效果。然而,该种方法会因为金属膜层的致密性不足,给水氧提供入侵器件的通道,导致水氧从封装边界的金属膜层渗入,影响封装质量和器件使用寿命。
发明内容
本发明提供一种OLED器件和OLED灯具,以解决设置在基板和封装层之间的金属层容易使水氧入侵的问题,改善封装质量,增加器件使用寿命。
第一方面,本发明实施例提供了一种OLED器件,包括透明基板,依次层叠设置在所述透明基板上的透明电极层、有机功能层、反射电极层及薄膜封装层,所述透明基板包括发光区,及环绕所述发光区的反射区,所述有机功能层及所述反射电极层对应设置在所述发光区;所述反射区中设置有金属反射层,所述金属反射层包括多个相互隔断的金属围坝,所述薄膜封装层填充覆盖相邻的所述金属围坝之间的凹槽。
可选地,所述金属反射层形成于所述透明电极层上。
可选地,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的深度等于所述金属反射层的厚度,且相邻的所述金属围坝之间的凹槽的截面图形的底部长度大于0。
可选地,在垂直所述透明基板的方向上,所述金属围坝的部分结构镶嵌于所述透明电极层中。
可选地,所述反射区的透明电极层上设置有多个相互间隔的隔离柱,所述金属反射层覆盖在所述隔离柱及裸露的所述透明电极层上,并被所述隔离柱隔断形成多个所述金属围坝。
可选地,在由所述透明基板边缘至中心的路径上,多个所述隔离柱的高度依次增加。
可选地,所述金属围坝的截面图形呈正梯形。
可选地,所述金属围坝的上表面和侧壁设置有钝化层。
可选地,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,所述透明基板还包括围绕所述反射区的缓冲区,所述薄膜封装层覆盖所述缓冲区。
可选地,在由所述透明基板边缘至中心的路径上,所述缓冲区的宽度范围为20-100μm。
可选地,所述薄膜封装层包括交替层叠的至少一层无机封装层和至少一层有机封装层;距离所述金属反射层越远的所述无机封装层和/或所述有机封装层在所述透明基板所在平面的垂直投影,在所述反射区中延伸的距离越远。
可选地,所述薄膜封装层包括n组薄膜封装层,每组所述薄膜封装层包括一层所述无机封装层和一层所述有机封装层;在由所述透明基板边缘至中心的路径上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的数量m满足:n=km,其中,k为正整数。
可选地,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽组成围绕所述发光区的网格状图案或至少一个环形图案。
可选地,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的宽度范围为20-100μm。
可选地,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽在所述透明基板上的面积占比小于1%。
第二方面,本发明实施例还提供了一种OLED灯具,包括如第一方面任一项所述的OLED器件。
本发明实施例中,通过在OLED器件中设置包括透明基板、依次层叠设置在透明基板上的透明电极层、有机功能层、反射电极层及薄膜封装层;其中透明基板包括发光区,及环绕发光区的反射区,有机功能层及反射电极层对应设置在发光区;反射区中设置有金属反射层,金属反射层中设置包括多个相互隔断的金属围坝,薄膜封装层填充覆盖相邻的金属围坝之间的凹槽,可以利用金属围坝改变水氧侵入的通道形状。本发明实施例能够解决现有全镜面OLED器件基板和封装层之间容易侵入水氧的问题,通过改变侵入路径的形状,增加水氧侵入的路径长度和难度,从而大幅减少水氧侵入的几率,改善封装质量,增加器件的使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图;
图2是图1所示OLED器件的剖面图;
图3是本发明实施例提供的另一种OLED器件的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图;
图5是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图;
图6是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图;
图7和图8是本发明实施例提供的又两种OLED器件的剖面图;
图9是本发明实施例提供的又一种OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图,图2是图1所示OLED器件的剖面图,参考图1和图2,该OLED器件包括透明基板10,依次层叠设置在透明基板10上的透明电极层20、有机功能层30、反射电极层40及薄膜封装层50;透明基板10包括发光区100,及环绕发光区100的反射区200,有机功能层30及反射电极层40对应设置在发光区100;反射区200中设置有金属反射层60,金属反射层60包括多个相互隔断的金属围坝61,薄膜封装层50填充覆盖相邻的金属围坝61之间的凹槽62。
其中,OLED器件的发光结构主要由有机功能层30以及上下设置的透明电极层20和反射电极层40组成,示例性地,有机功能层30可以包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层(图中未示出),其中,发光层通过透明电极层20和反射电极层40提供的电信号驱动发光。透明电极层20一般可采用透明金属氧化物材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)等制备,反射电极层40可采用金属材料例如铝、银等材料制备。该发光结构所在区域即为发光区100,发光结构设置在该发光区100中。可以理解,由于OLED发光结构中的发光层在受到水氧侵蚀时会影响发光性能甚至导致不发光,因此,OLED器件中除包括发光结构外还设置有封装结构,其主要采用薄膜封装层50进行覆盖,与透明基板10实现上下层叠密封。此外,在整个薄膜封装层50之上,该OLED器件还设置有盖板玻璃,用于对整个OLED器件进行刚性支撑和保护。
此外,该OLED器件采用全镜面反射结构,其中发光结构的上电极采用反射电极,利用反射电极将OLED发光结构出射的光线反射后由透明基板10一侧出射。而同时,包围发光区100的外围区域则设置有金属反射层60,使得该外围区域形成反射区200,金属反射层60同样可采用具有反射能力的金属材料例如铝、银制备而成。该反射区200中的金属反射层60可以将外界入射的光线进行反射,也即通过配合发光结构中的反射电极,实现了整个OLED器件的全反射效果。
需要说明的是,本实施例中金属反射层60并非平整膜层,其中设置有多个相互隔断的金属围坝61,金属围坝61围绕发光区100设置,即围绕OLED结构设置。多个金属围坝61的设置,使得透明基板10和薄膜封装层50之间的层间界面呈现褶皱形式。由此,透明基板10和薄膜封装层50之间的界面通道会加长,通道呈现凹凸不平的褶皱状,这使得外界的水氧在由该透明基板10和薄膜封装层50侵入中间的发光区100时,不再是简单地横向入侵,还需要在纵向上绕过金属围坝61,本发明实施例提供的OLED器件毫无疑义地可以增长侵入路径,同时还能大大提高侵入难度。
本发明实施例中,通过在OLED器件中设置包括透明基板、依次层叠设置在透明基板上的透明电极层、有机功能层、反射电极层及薄膜封装层;其中透明基板包括发光区,及环绕发光区的反射区,有机功能层及反射电极层对应设置在发光区;反射区中设置有金属反射层,金属反射层中设置包括多个相互隔断的金属围坝,薄膜封装层填充覆盖相邻的金属围坝之间的凹槽,可以利用金属围坝改变水氧侵入的通道形状。本发明实施例能够解决现有全镜面OLED器件基板和封装层之间容易侵入水氧的问题,通过改变侵入路径的形状,增加水氧侵入的路径长度和难度,从而大幅减少水氧侵入的几率,改善封装质量,增加器件的使用寿命。
具体地,本发明实施例中,可选相邻的金属围坝61之间的凹槽62的宽度范围为20-100μm,小于人体肉眼可视的最小尺寸,保证了视觉上的全镜面效果。此时,相邻的金属围坝61之间具有适当长度的路径,能够保证水氧侵入时沿凹凸路径延伸;同时,足够长度的横向间距能够使填充覆盖其上的薄膜封装层50与透明基板10之间的密封粘附,从而避免薄膜封装层50和透明基板10之间产生缝隙。
另外,本实施例中设定金属围坝之间的凹槽宽度上限,还兼顾了金属反射层的反射率。可以理解,金属围坝之间的凹槽的光反射效果较差,因此,设置较窄的凹槽可以保证金属反射层具有较大的反射面积,从而能够保证金属反射层具备较高的反射效率。进一步可选地,本发明实施例中可设置在透明基板10所在平面的垂直投影上,相邻的金属围坝61之间的凹槽62在透明基板10上的面积占比小于1%。此时,该金属反射层60能够保证99%的反射面积,也即能够实现99%以上的反射率。需要说明的是,为保证较佳的全面镜反射效果,本发明实施例中需要满足99.9%的反射率,因此,优选设置凹槽62在透明基板10上的面积占比小于0.1%。
继续参考图1,本发明实施例中,可选在透明基板10所在平面的垂直投影上,相邻的金属围坝61之间的凹槽62组成围绕发光区100的至少一个环形图案。该凹槽形成的环形图案阻隔了OLED器件边缘至发光区的路径,使得水氧难以进入发光区侵蚀OLED材料。
图3是本发明实施例提供的另一种OLED器件的结构示意图,参考图3,在本发明的其他实施例中,可选在透明基板10所在平面的垂直投影上,设置相邻的金属围坝61之间的凹槽62组成围绕发光区100的网格状图案。如图3所示,该网状结构中的图形为六边形仅为一种实施方式,本发明对此不做过多限制,其可以是边的数量不同的其他多边形,也可以是不规则的图形等。
基于上述实施例提供的金属反射层的设置方式,现对该OLED器件中的薄膜封装层的详细结构以及对应的金属反射层的具体设置方式进行介绍。首先,继续参考图2,本发明实施例中,薄膜封装层50可包括交替层叠的至少一层无机封装层51和至少一层有机封装层52;距离金属反射层60越远的无机封装层51和/或有机封装层52在透明基板10所在平面的垂直投影,在反射区200中延伸的距离越远。换言之,本实施例中薄膜封装层50可设置由交替层叠的无机封装层51和有机封装层52组成,并且,上下层叠的多层有机或无机封装层依次覆盖其下的封装层及其边缘,越靠上的有机或无机封装层其覆盖面积越大。此时,越靠上的有机或无机封装层其边缘越靠近透明基板的边缘。
在上述薄膜封装层的结构基础上,本发明实施例中进一步可选设置薄膜封装层50包括n组薄膜封装层,每组薄膜封装层包括一层无机封装层52和一层有机封装层51;在由透明基板10边缘至中心的路径上,相邻的金属围坝61之间的凹槽62的数量m满足:n=km,其中,k为正整数。
此时,相邻的无机封装层51和有机封装层52组成一组,每k组该薄膜封装层对应一个凹槽62。可以理解,由于交替层叠的无机封装层和有机封装层的边缘依次向边缘延伸至不同位置,k组中的薄膜封装层的边缘则延伸至对应的凹槽62所在的位置。举例而言,当k为1时,此时薄膜封装层的组数与金属围坝形成的凹槽62的数量相等,每一个凹槽62对应一组薄膜封装层中的一层无机封装层51和一层有机封装层52,也即该无机封装层51和有机封装层52的边缘会延伸到凹槽62所在的位置。当k为2时,此时薄膜封装层的组数是凹槽62的数量的两倍,也即,每个凹槽62对应两组薄膜封装层即交替层叠的两层无机封装层51和两层有机封装层52,该两层无机封装层51和两层有机封装层52的边缘则延伸至其对应的凹槽62所在位置。可以理解,将薄膜封装层的边缘设置在凹槽62所在的位置,可以保证薄膜封装层与凹槽62底部的透明基板的贴合密封,防止水氧从薄膜封装层的边缘进入,保证薄膜封装层的密封效果。
继续参考图2,本发明实施例中可选金属反射层60形成于透明电极层20上。换言之,在实际的制备过程中,可先在透明基板10上形成透明电极层20,继而在透明电极20上形成上述的金属反射层60。
进一步地,本发明实施例中还可设置相邻的金属围坝61之间的凹槽62的深度D等于金属反射层60的厚度H,且相邻的金属围坝61之间的凹槽62的截面图形的底部长度L大于0。
此时,金属围坝61之间的凹槽62底部会裸露出金属反射层60下的透明电极层20,能够保证填充覆盖其中的薄膜封装层50与透明电极层20之间紧密接触粘附,从而避免薄膜封装层50和透明电极层20之间产生缝隙。
图4是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图,参考图4,可选地,在垂直透明基板10的方向上,金属围坝61的部分结构镶嵌于透明电极层20中。
其中,金属围坝61的部分结构镶嵌于透明电极层20中,实质是在透明电极层20的表面形成凹陷区域,并将金属围坝61设置在凹陷区域中,使得金属围坝61的底部落于该凹陷区域中。
可以理解,在本发明的其他实施例中,也可设置透明电极层20仅位于发光区100中,此时,金属围坝61直接形成于透明基板10上。对于镶嵌的结构而言,在垂直透明基板的方向上,金属围坝的部分结构镶嵌于透明基板中,即需要在透明基板10的表面形成凹陷区域,并将金属围坝61设置在凹陷区域中。
如上实施例中,可选金属围坝的截面图形为正梯形结构,相较于截面图形为矩形结构而言,金属围坝具有更大的底面面积,从而有利于增加金属反射层的反射面积,提高反射效率。
需要注意的是,上述实施例中,金属围坝61及凹槽62的形成过程是先在透明基板10上形成一层金属反射层60,再对该金属反射层60进行图案化,通过蚀刻等工艺使金属反射层60形成凹槽62及金属围坝61,但本发明实施例中可不限于该种实现方式。基于另外的制备方式,本发明实施例还提供了另外的OLED器件结构。
图5是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图,参考图5,在本发明的另一实施例中,可选反射区200的透明电极层20上设置有多个相互间隔的隔离柱21,金属反射层60覆盖在隔离柱21及裸露的透明电极层20上,并被隔离柱21隔断形成多个金属围坝61。
其中,金属反射层60通过覆盖隔离柱21形成多个金属围坝61,具体的制备过程中,需要在透明基板10的透明电极层20上形成间隔设置的隔离柱21,该隔离柱21可选采用致密的无机介质材料制备形成,金属围坝61的形成则是通过在隔离柱21以及透明电极层20上形成金属反射层60,可以理解,由于隔离柱21的存在,金属反射层60会形成高低错落的膜层结构,也即会形成多个金属围坝61以及隔断金属围坝61的凹槽62。可以理解,尽管金属反射层60呈高低错落的膜层结构,然而其仍覆盖整个反射区200,仍能与发光区的反射电极组成全镜面反射结构,实现全镜面反射效果。
显然,该实施例利用隔离柱21形成金属围坝61结构,无需对金属反射层60进行刻蚀等图案化处理,不会对金属反射层60产生影响,有利于保证金属反射层60的反射能力。同时,由于隔离柱21之间的凹槽中同样形成有金属反射层60,该凹槽62处同样具备反射能力,实现了整个反射区200均具备反射能力,有助于保证OLED器件的反射率。
为保证薄膜封装层的封装效果,本发明实施例还提供了一种OLED器件。图6是本发明实施例提供的又一种OLED器件的剖面图,参考图6,可选地,在由透明基板10边缘至中心的路径上,多个隔离柱21的高度依次增加。此时,由隔离柱21可以形成高度依次递增的金属围坝61,薄膜封装层50和透明基板10之间可以形成凹凸程度不同的褶皱结构,使得边缘入侵的水氧更难进入发光区100中,从而增加薄膜封装层50的密封性。
进一步地,为了保证全镜面的反射效果,本发明实施例中可选在金属围坝的上表面和侧壁设置钝化层。图7和图8是本发明实施例提供的又两种OLED器件的剖面图,参考图7和图8,钝化层70覆盖金属围坝61的表面和侧面,能够防止水氧入侵时腐蚀金属围坝上的金属反射层,避免金属反射层降低反射能力。需要说明的是,钝化层70可以是额外制备形成,也可以是在制备金属反射层时利用金属材料的特性氧化生成钝化层。以金属铝为例,在形成金属反射层时,通过增氧、静置等操作主动让金属反射层的表面氧化生成致密的金属氧化物薄膜,利用该金属氧化物薄膜即可作为钝化层保护金属围坝。
图9是本发明实施例提供的又一种OLED器件的结构示意图,参考图9,本发明实施例中还可选在透明基板10所在平面的垂直投影上,透明基板10还包括围绕反射区200的缓冲区300,薄膜封装层50覆盖缓冲区300。该缓冲区300实质是薄膜封装层50和透明基板10直接接触密封的区域,其中未设置金属反射层60,或者,在透明基板10上形成金属反射层60后将该缓冲区300的金属反射材料去除。此时,透明基板10边缘区域与薄膜封装层50能够直接接触密封,增加防止水氧入侵的效率。进一步可选地,可设置在由透明基板10边缘至中心的路径上,缓冲区300的宽度范围为20-100μm。可以理解,过窄的缓冲区300容易造成薄膜封装层50和透明基板10之间的接触粘附不良,影响密封效果;而过宽的缓冲区300会增加透明基板10上的非反射区面积,减少全镜面反射效果。本发明实施例设置缓冲区300的宽度为20-100μm之间,可以兼顾封装效果以及金属反射层的反射率,使得全镜面的OLED器件也能具有良好的封装。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种OLED灯具,该OLED灯具包括上述实施例提供的任意一种OLED器件。并且,由于该OLED灯具采用了上述OLED灯片,因此该OLED灯具同样具有上述实施例提供的OLED灯片的有益效果。需要说明的是,本发明实施例提供的OLED还可以包括其他用于支持OLED灯具正常工作的电路及器件。上述的OLED灯具可以用作车辆的尾灯、指示灯,也可以是装饰灯等。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种OLED器件,包括透明基板,依次层叠设置在所述透明基板上的透明电极层、有机功能层、反射电极层及薄膜封装层;其特征在于,所述透明基板包括发光区,及环绕所述发光区的反射区,所述有机功能层及所述反射电极层对应设置在所述发光区;所述反射区中设置有金属反射层,所述金属反射层包括多个相互隔断的金属围坝,所述薄膜封装层填充覆盖相邻的所述金属围坝之间的凹槽。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述金属反射层形成于所述透明电极层上。
3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的深度等于所述金属反射层的厚度,且相邻的所述金属围坝之间的凹槽的截面图形的底部长度大于0。
4.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,在垂直所述透明基板的方向上,所述金属围坝的部分结构镶嵌于所述透明电极层中。
5.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述反射区的透明电极层上设置有多个相互间隔的隔离柱,所述金属反射层覆盖在所述隔离柱及裸露的所述透明电极层上,并被所述隔离柱隔断形成多个所述金属围坝。
6.根据权利要求5所述的OLED器件,其特征在于,在由所述透明基板边缘至中心的路径上,多个所述隔离柱的高度依次增加。
7.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述金属围坝的截面图形呈正梯形。
8.根据权利要求1-7任一项所述的OLED器件,其特征在于,所述金属围坝的上表面和侧壁设置有钝化层。
9.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,所述透明基板还包括围绕所述反射区的缓冲区,所述薄膜封装层覆盖所述缓冲区。
10.根据权利要求9所述的OLED器件,其特征在于,在由所述透明基板边缘至中心的路径上,所述缓冲区的宽度范围为20-100μm。
11.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述薄膜封装层包括交替层叠的至少一层无机封装层和至少一层有机封装层;距离所述金属反射层越远的所述无机封装层和/或所述有机封装层在所述透明基板所在平面的垂直投影,在所述反射区中延伸的距离越远。
12.根据权利要求11所述的OLED器件,其特征在于,所述薄膜封装层包括n组薄膜封装层,每组所述薄膜封装层包括一层所述无机封装层和一层所述有机封装层;在由所述透明基板边缘至中心的路径上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的数量m满足:n=km,其中,k为正整数。
13.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽组成围绕所述发光区的网格状图案或至少一个环形图案。
14.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,相邻的所述金属围坝之间的凹槽的宽度范围为20-100μm。
15.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,在所述透明基板所在平面的垂直投影上,相邻的所述金属围坝之间的凹槽在所述透明基板上的面积占比小于1%。
16.一种OLED灯具,其特征在于,包括如权利要求1-15任一项所述的OLED器件。
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- 2021-05-08 CN CN202110500872.4A patent/CN113224251B/zh active Active
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